JPS63216057A - 光導電性粉末の製造方法 - Google Patents
光導電性粉末の製造方法Info
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- JPS63216057A JPS63216057A JP5112187A JP5112187A JPS63216057A JP S63216057 A JPS63216057 A JP S63216057A JP 5112187 A JP5112187 A JP 5112187A JP 5112187 A JP5112187 A JP 5112187A JP S63216057 A JPS63216057 A JP S63216057A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光導電性粉末、特には電子写真用感光体材料と
して好適な特性を有する光導電性粉末の製造方法に関し
、可視光から近赤外線までの全域に感度を有する新規な
光導電性硫化カドミウム・セレン化カドミウム固熔体粉
末の製造方法に関する。
して好適な特性を有する光導電性粉末の製造方法に関し
、可視光から近赤外線までの全域に感度を有する新規な
光導電性硫化カドミウム・セレン化カドミウム固熔体粉
末の製造方法に関する。
[従来の技術及び問題点〕
近年、レーザープリンターなど近赤外線を用いる電子写
真装置の普及に伴い長波長域に感度を有する種々の感光
体材料が提案されている。その感光体材料の一つとして
セレン化カドミウムを含有する光導電性粉末が種々報告
されているが未だ満足な感度を有するものは少ない。そ
の原因の一つは、元来、高純度セレン化カドミウムの生
粉はそれ自身の歪みおよびフリーの金属セレンにより低
い抵抗体である。これをそのまま使用すると光導電性粉
末の暗抵抗を低下させるからであり、そのため光導電性
粉末へのセレン化カドミウムの含有量を十分な値まで増
すことができず、長波長域に感度を伸すことができない
からである。
真装置の普及に伴い長波長域に感度を有する種々の感光
体材料が提案されている。その感光体材料の一つとして
セレン化カドミウムを含有する光導電性粉末が種々報告
されているが未だ満足な感度を有するものは少ない。そ
の原因の一つは、元来、高純度セレン化カドミウムの生
粉はそれ自身の歪みおよびフリーの金属セレンにより低
い抵抗体である。これをそのまま使用すると光導電性粉
末の暗抵抗を低下させるからであり、そのため光導電性
粉末へのセレン化カドミウムの含有量を十分な値まで増
すことができず、長波長域に感度を伸すことができない
からである。
つまり、市販品のセレン化カドミウム粉末は通常機械的
に粉砕して作る乾式方法が取られている為、粒子に歪み
が生じ易い。この歪みを直し或いは最小とする方法とし
て銅塩、銀塩などの重金属の添加が有効であることが知
られ、実施されているが、斯かる重金属の多量の添加は
光導電性特性に悪影響を及ぼす為にM的に微量しか加え
ることができず十分な歪みの除去を行ない得ない。
に粉砕して作る乾式方法が取られている為、粒子に歪み
が生じ易い。この歪みを直し或いは最小とする方法とし
て銅塩、銀塩などの重金属の添加が有効であることが知
られ、実施されているが、斯かる重金属の多量の添加は
光導電性特性に悪影響を及ぼす為にM的に微量しか加え
ることができず十分な歪みの除去を行ない得ない。
又、セレン化カドミウムを含有した光¥4電性粉末の従
来品としてセレン化カドミウム・硫化カドミウム粉末が
提案されているが、この従来品は完全に結晶化された構
造よりなるためにセレン化カドミウムの添加量を十分に
増すことが出来ない。
来品としてセレン化カドミウム・硫化カドミウム粉末が
提案されているが、この従来品は完全に結晶化された構
造よりなるためにセレン化カドミウムの添加量を十分に
増すことが出来ない。
それは完全に結晶化された光導電性粉末においてはセレ
ン化カドミウム粉末の多量の添加が光導電性粉体の暗抵
抗を低くする原因となるからである。
ン化カドミウム粉末の多量の添加が光導電性粉体の暗抵
抗を低くする原因となるからである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、高純度セレン化カドミウム粉末を250℃〜
650℃の範囲内の温度で前処理したのち、これに高純
度硫化カドミウム粉末、並びに金属ハロゲン化物の中か
ら選ばれた融剤、銀塩と銅塩の中から選ばれた活性剤、
アルミニウム及びマンガンを加えて混合物を作り、この
混合物を硫化カドミウム粉末とセレン化カドミウム粉末
の一部のみが熔融する状態に熱処理したことを特徴とす
る。
650℃の範囲内の温度で前処理したのち、これに高純
度硫化カドミウム粉末、並びに金属ハロゲン化物の中か
ら選ばれた融剤、銀塩と銅塩の中から選ばれた活性剤、
アルミニウム及びマンガンを加えて混合物を作り、この
混合物を硫化カドミウム粉末とセレン化カドミウム粉末
の一部のみが熔融する状態に熱処理したことを特徴とす
る。
即ち本発明においては、前処理として高純度セレン化カ
ドミウム粉末を250℃〜650℃の温度で熱処理する
ことにより生粉の有する金属セレンや歪みを除去する。
ドミウム粉末を250℃〜650℃の温度で熱処理する
ことにより生粉の有する金属セレンや歪みを除去する。
熱処理は大気中、真空中、不活性ガス中で行なわれる。
ここで不活性ガスとは800℃迄の温度においてセレン
化カドミウム粉末が直接又は間接にほとんど反応しない
ガス、例えば窒素、ヘリウム、アルゴンなどを意味する
。
化カドミウム粉末が直接又は間接にほとんど反応しない
ガス、例えば窒素、ヘリウム、アルゴンなどを意味する
。
次いでこの前処理したセレン化カドミウム粉末を高純度
硫化カドミウムに加え混合物を作る。この混合物におけ
るセレン化カドミウム粉末の混合比はfifflパーセ
ントで20%から50%の範囲とする。これに金属ハロ
ゲン化物の中から選ばれた融剤、銀塩と銅塩の中から選
ばれた活性剤、アルミニウム及びマンガンを添加して、
最充填密度に坩堝に入れ、熱処理を施す。銀塩又は銅塩
に加えてアルミニウム及びマンガンを添加することによ
り、従来の重金属添加により生じる光導電性特性への悪
影響を解除することができ、又、これら材料を添加して
熱処理を施しても最終に作られる粉末の光導電性に河谷
悪影響を及ぼすものでないことが判明した。この混合物
の熱処理は好ましくは650℃から850℃の温度の範
囲に段階的に昇温して行ない、硫化カドミウム粉末とセ
レン化カドミウム粉末の一部のみが熔融するように行な
う。
硫化カドミウムに加え混合物を作る。この混合物におけ
るセレン化カドミウム粉末の混合比はfifflパーセ
ントで20%から50%の範囲とする。これに金属ハロ
ゲン化物の中から選ばれた融剤、銀塩と銅塩の中から選
ばれた活性剤、アルミニウム及びマンガンを添加して、
最充填密度に坩堝に入れ、熱処理を施す。銀塩又は銅塩
に加えてアルミニウム及びマンガンを添加することによ
り、従来の重金属添加により生じる光導電性特性への悪
影響を解除することができ、又、これら材料を添加して
熱処理を施しても最終に作られる粉末の光導電性に河谷
悪影響を及ぼすものでないことが判明した。この混合物
の熱処理は好ましくは650℃から850℃の温度の範
囲に段階的に昇温して行ない、硫化カドミウム粉末とセ
レン化カドミウム粉末の一部のみが熔融するように行な
う。
熱処理後の粉末を調合し焼成して作られる光導電性粉末
は暗抵抗も改善され長波長域に高感度を有する優れた特
性を示す。
は暗抵抗も改善され長波長域に高感度を有する優れた特
性を示す。
本発明において原料として用いられる高純度セレン化カ
ドミウム粉末及び高純度硫化カドミウム粉末としては純
度99.9%以上のものがある。
ドミウム粉末及び高純度硫化カドミウム粉末としては純
度99.9%以上のものがある。
又、融剤として用いられる金属ハロゲン化物の例には、
塩化カドミウム、塩化亜鉛、塩化カリウム、塩化ナトリ
ウム、塩化バリウム、塩化リチウム等をあげることがで
きる。
塩化カドミウム、塩化亜鉛、塩化カリウム、塩化ナトリ
ウム、塩化バリウム、塩化リチウム等をあげることがで
きる。
活性剤として用いられる銀塩、銅塩の例としては塩化銀
、塩化銅、硫酸銅、硫化銀、硫化銅笠をあげることがで
きる。
、塩化銅、硫酸銅、硫化銀、硫化銅笠をあげることがで
きる。
一般に光導電性の良否を支配するものはキャリアの生成
率、キャリアの移動度、キャリアの寿命である。本発明
ではセレン化カドミウム・硫化カドミウム固熔体が一部
分しか熔融していないために硫化カドミウムの吸収端か
らセレン化カドミウムの吸収端迄の幅広い波長域、即ち
可視光から近赤外線迄の幅広い波長域で良好な光吸収が
行なわれる高感度の特性を有する光導電性粉末が提供さ
れる。又、本発明ではセレン化カドミウム・硫化カドミ
ウム粉末の一部分のみが固溶体であるために、従来のも
のより比表面積を増大することができる。このため光照
射で多数の自由電子を生成するための活性剤及び助活性
剤である銅、マンガン、アルミニウム等を多量に加える
ことができた。
率、キャリアの移動度、キャリアの寿命である。本発明
ではセレン化カドミウム・硫化カドミウム固熔体が一部
分しか熔融していないために硫化カドミウムの吸収端か
らセレン化カドミウムの吸収端迄の幅広い波長域、即ち
可視光から近赤外線迄の幅広い波長域で良好な光吸収が
行なわれる高感度の特性を有する光導電性粉末が提供さ
れる。又、本発明ではセレン化カドミウム・硫化カドミ
ウム粉末の一部分のみが固溶体であるために、従来のも
のより比表面積を増大することができる。このため光照
射で多数の自由電子を生成するための活性剤及び助活性
剤である銅、マンガン、アルミニウム等を多量に加える
ことができた。
この多量の添加物によって表面近くの正孔を埋め、正孔
をトラップし、その正孔に電子を弱く捕獲して、この電
子が長波長光による励起によって光導電性を増大し優れ
た感度を示す。又、硫化カドミウム・セレン化カドミウ
ム光導電性粉末粉末が励起状態にある時、禁止帯の浅い
所に存在するアルミニウムイオンがイオン化され、遷移
ペアー内距離に大きく依存する二価の銅イオンとマンガ
ンイオンに局存した正孔の遷移に起因するドナーアクセ
プターベアーを作る。この励起状態にある時に赤外吸収
が行なわれ、赤外感度を増大し優れた感度を示す。
をトラップし、その正孔に電子を弱く捕獲して、この電
子が長波長光による励起によって光導電性を増大し優れ
た感度を示す。又、硫化カドミウム・セレン化カドミウ
ム光導電性粉末粉末が励起状態にある時、禁止帯の浅い
所に存在するアルミニウムイオンがイオン化され、遷移
ペアー内距離に大きく依存する二価の銅イオンとマンガ
ンイオンに局存した正孔の遷移に起因するドナーアクセ
プターベアーを作る。この励起状態にある時に赤外吸収
が行なわれ、赤外感度を増大し優れた感度を示す。
[実施例]
以下、実施例により説明する。
IL危−」
高純度のセレン化カドミウム粉末200gを坩堝に入れ
、250℃で4時間大気中で熱処理をした。熱処理後の
高純度セレン化カドミウム粉末60gを200−の純水
に分散し635メツシユの篩を用いて水篩いする。この
分散液に塩化銅(0,0322g/100dlと硫酸マ
ンガン(0,244g/100I11)を滴下し良く分
散させたのち、更に硫化ナトリウム(0,25g/10
0d)を滴下して良く分散させる。これとは別に高純度
の硫化カドミウム90gを300aeの純水に分散し6
35メツシユの篩を用いて水篩いし、この分散液の中に
塩化銅(0,0483g/100aiりを滴下し良く分
散させる。この硫化カドミウムの分散液に前述のセレン
化カドミウムの分散液を加えて良く混合する。次いでこ
れを吸引濾過し、水洗して水溶物を完全に除去したのち
65℃で真空乾燥する。乾燥後粉砕し、硫酸アンモニウ
ムアルミニウム無水1.582gと塩化ナトリウム6g
を加えて良く混合する。この混合物を坩堝に入れ、15
0℃から550℃まで120分間で昇温させ、次いで5
50℃から700℃まで20分間で昇温させたのち、7
00℃で20分間焼成する。このようにして焼成された
粉末は1μから3μの粒子に成長し、一つの粒子の回り
に多数の粒子が焼結されている。焼成後の粉末を脱イオ
ン水で十分に水洗し水溶物を完全に取り去った後、表面
処理をし、635メツシユの篩を通して粗大物を除去し
たのち乾燥する。
、250℃で4時間大気中で熱処理をした。熱処理後の
高純度セレン化カドミウム粉末60gを200−の純水
に分散し635メツシユの篩を用いて水篩いする。この
分散液に塩化銅(0,0322g/100dlと硫酸マ
ンガン(0,244g/100I11)を滴下し良く分
散させたのち、更に硫化ナトリウム(0,25g/10
0d)を滴下して良く分散させる。これとは別に高純度
の硫化カドミウム90gを300aeの純水に分散し6
35メツシユの篩を用いて水篩いし、この分散液の中に
塩化銅(0,0483g/100aiりを滴下し良く分
散させる。この硫化カドミウムの分散液に前述のセレン
化カドミウムの分散液を加えて良く混合する。次いでこ
れを吸引濾過し、水洗して水溶物を完全に除去したのち
65℃で真空乾燥する。乾燥後粉砕し、硫酸アンモニウ
ムアルミニウム無水1.582gと塩化ナトリウム6g
を加えて良く混合する。この混合物を坩堝に入れ、15
0℃から550℃まで120分間で昇温させ、次いで5
50℃から700℃まで20分間で昇温させたのち、7
00℃で20分間焼成する。このようにして焼成された
粉末は1μから3μの粒子に成長し、一つの粒子の回り
に多数の粒子が焼結されている。焼成後の粉末を脱イオ
ン水で十分に水洗し水溶物を完全に取り去った後、表面
処理をし、635メツシユの篩を通して粗大物を除去し
たのち乾燥する。
実施例 2
高純度セレン化カドミウム粉末2009を坩堝に入れ真
空にする。真空度が0.05mH(l以下になったらN
2ガスを坩堝内に流し込み、再び真空にする。
空にする。真空度が0.05mH(l以下になったらN
2ガスを坩堝内に流し込み、再び真空にする。
この工程を三度繰返し真空に引いたままの状態で550
℃の電気炉の中に入れて熱処理を60分間行なう。熱処
理摂の高純度セレン化カドミウム60gを200dの純
水に加え635メツシユの篩で水篩して機械的物理的に
良く分散させ、この分散液の中に塩化$$l(0,03
229/100d )と硫酸マンガン(0,2449/
100d )を滴下して良く分散させる。更にこの分散
液の中に硫化ナトリウム (0,25g7100d)を
滴下して良く分散させる。一方、この分散液とは別に高
純度の硫化カドミウム909を300mの純水に加えた
のち635メツシユの篩で水篩いして良く分散させる。
℃の電気炉の中に入れて熱処理を60分間行なう。熱処
理摂の高純度セレン化カドミウム60gを200dの純
水に加え635メツシユの篩で水篩して機械的物理的に
良く分散させ、この分散液の中に塩化$$l(0,03
229/100d )と硫酸マンガン(0,2449/
100d )を滴下して良く分散させる。更にこの分散
液の中に硫化ナトリウム (0,25g7100d)を
滴下して良く分散させる。一方、この分散液とは別に高
純度の硫化カドミウム909を300mの純水に加えた
のち635メツシユの篩で水篩いして良く分散させる。
この分散液に塩化銅(0,0483g/100d)を滴
下し良く分散し、これに前述のセレン化カドミウム粉末
の分散液を加えて混合する。混合侵吸引濾過し、次いで
水洗して水溶物を完全に除去したのち、65℃で真空乾
燥する。乾燥後粉砕し硫酸アンモニウムアルミニウム無
水を1.5824?と塩化ナトリウム6gを加えて良く
混合する。混合した粉末を坩堝に入れ、100℃から5
50℃まで120分間で昇温させ、次いで550℃から
750℃まで20分間で昇温させ、最後に750℃で2
0分間焼成する。
下し良く分散し、これに前述のセレン化カドミウム粉末
の分散液を加えて混合する。混合侵吸引濾過し、次いで
水洗して水溶物を完全に除去したのち、65℃で真空乾
燥する。乾燥後粉砕し硫酸アンモニウムアルミニウム無
水を1.5824?と塩化ナトリウム6gを加えて良く
混合する。混合した粉末を坩堝に入れ、100℃から5
50℃まで120分間で昇温させ、次いで550℃から
750℃まで20分間で昇温させ、最後に750℃で2
0分間焼成する。
このように焼成された粉末を実施例1と同じ方法により
後処理する。
後処理する。
実施例 3
高純度セレン化カドミウム180gを500−の純水に
加えて635メツシユの篩で水篩し機械的物理的に良く
分散させる。その分散液の中に塩化銅(0,0966g
/100IIIiりト硫Mマンjf ン(0,193g
/100Id)を滴下して良く分散させ、更に硫化ナト
リウム(2,28g/lOo*)を滴下して良く分散さ
せる。分散後吸引濾過し、水洗して水溶物を完全に除去
したのち、65℃で真空乾燥する。乾燥後、これを粉砕
し硫酸アンモニウムアルミニウム無水1.899gと塩
化ナトリウム7.2gを加えて良(混合する。混合した
粉末を坩堝の中に入れ真空にする。真空度が0.05
mmH(J以下になったら、真空を止めてN2ガスを坩
堝の中に流し込み、又真空にする。この工程を三度繰り
返す。再び真空度が0.05 m1l(]以下になった
らそのままの状態で坩堝を炉の中に入れ650℃で60
分間熱処理する。
加えて635メツシユの篩で水篩し機械的物理的に良く
分散させる。その分散液の中に塩化銅(0,0966g
/100IIIiりト硫Mマンjf ン(0,193g
/100Id)を滴下して良く分散させ、更に硫化ナト
リウム(2,28g/lOo*)を滴下して良く分散さ
せる。分散後吸引濾過し、水洗して水溶物を完全に除去
したのち、65℃で真空乾燥する。乾燥後、これを粉砕
し硫酸アンモニウムアルミニウム無水1.899gと塩
化ナトリウム7.2gを加えて良(混合する。混合した
粉末を坩堝の中に入れ真空にする。真空度が0.05
mmH(J以下になったら、真空を止めてN2ガスを坩
堝の中に流し込み、又真空にする。この工程を三度繰り
返す。再び真空度が0.05 m1l(]以下になった
らそのままの状態で坩堝を炉の中に入れ650℃で60
分間熱処理する。
熱処理の終ったセレン化カドミウム粉末75gを250
戒の純水に加え635メツシユの篩で水篩し機械的物理
的に良く分散させる。この分散液とは別に硫化カドミウ
ム75gを250mの純水に加え635メツシユの篩で
水篩し、この溶液の中に塩化銅 (0,0483g/1
00成)を滴下し良く分散させる。これに前述のセレン
化カドミウムの分散液を加えて良く混合させたのち、分
散摂吸引濾過し水洗し、水溶物を完全に除去後65℃で
真空乾燥する。乾燥後粉砕し硫酸アンモニウムアルミニ
ウム無水を3.296gと塩化ナトリウム6gを加えて
良く混合する。混合した粉末を坩堝の中に入れ、100
℃から550℃まで120分間で昇温させ、次いで55
0℃から850℃まで20分間で昇温させたのち、85
0℃で20分間焼成する。焼成後粉末を635メツシユ
の篩で水篩いし、吸引濾過して水溶物を完全に除去し、
水洗を終えたのち表面処理をし、635メツシユの篩を
通して粗大物を除去したのち吸引濾過し乾燥する。
戒の純水に加え635メツシユの篩で水篩し機械的物理
的に良く分散させる。この分散液とは別に硫化カドミウ
ム75gを250mの純水に加え635メツシユの篩で
水篩し、この溶液の中に塩化銅 (0,0483g/1
00成)を滴下し良く分散させる。これに前述のセレン
化カドミウムの分散液を加えて良く混合させたのち、分
散摂吸引濾過し水洗し、水溶物を完全に除去後65℃で
真空乾燥する。乾燥後粉砕し硫酸アンモニウムアルミニ
ウム無水を3.296gと塩化ナトリウム6gを加えて
良く混合する。混合した粉末を坩堝の中に入れ、100
℃から550℃まで120分間で昇温させ、次いで55
0℃から850℃まで20分間で昇温させたのち、85
0℃で20分間焼成する。焼成後粉末を635メツシユ
の篩で水篩いし、吸引濾過して水溶物を完全に除去し、
水洗を終えたのち表面処理をし、635メツシユの篩を
通して粗大物を除去したのち吸引濾過し乾燥する。
参考例 1
実施例1で得た光導電性粉末硫化カドミウム・セレン化
カドミウム固溶体粉末10ogに対してバインダーとし
てポリウレタン樹脂9gを加え、アノンとMEK混合溶
剤に溶解させ、これをアルミニウム基板上に塗布して厚
さ40μ〜45μの光導電層を形成したのち、更にその
上に20μのポリエチレンテレフタレートフィルムを表
面絶縁層として設けて3層構造の電子写真用感光体を製
作した。
カドミウム固溶体粉末10ogに対してバインダーとし
てポリウレタン樹脂9gを加え、アノンとMEK混合溶
剤に溶解させ、これをアルミニウム基板上に塗布して厚
さ40μ〜45μの光導電層を形成したのち、更にその
上に20μのポリエチレンテレフタレートフィルムを表
面絶縁層として設けて3層構造の電子写真用感光体を製
作した。
この感光体を特定極性で1次帯電し、次いで逆極性の2
次帯電を行なうと同時に光像照射し、更に一様露光を施
して静電潜像を形成する電子写真装置に用いて静電潜像
の電荷徴を測定することにより、本発明の効果を次のよ
うに確認した。
次帯電を行なうと同時に光像照射し、更に一様露光を施
して静電潜像を形成する電子写真装置に用いて静電潜像
の電荷徴を測定することにより、本発明の効果を次のよ
うに確認した。
まず感光体全面を一様に露光して除歴を行なったのち、
1次帯電として+5200Vのコロナ放電を施す。次に
2次帯電として暗中で一5400Vのコロナ放電を施し
、さらに全面露光を行なって潜像暗部を形成し、この暗
部電位を測定した。
1次帯電として+5200Vのコロナ放電を施す。次に
2次帯電として暗中で一5400Vのコロナ放電を施し
、さらに全面露光を行なって潜像暗部を形成し、この暗
部電位を測定した。
次に、同様に感光体全面を一様に露光して除歴を行なっ
たのち、1次帯電として+5200Vのコロナ放電を施
し、次いで一5400Vのコロナ放電を施すと同時に光
像明部に該当する光照射を行ない、さらに全面露光を行
なうことにより潜像明部を形成し、明部電位を測定した
。この測定結果よりコントラストボルテージが得られ、
この値が静電容量の感度を決定する。なお、実施例2.
3についても同様な測定を行なった。
たのち、1次帯電として+5200Vのコロナ放電を施
し、次いで一5400Vのコロナ放電を施すと同時に光
像明部に該当する光照射を行ない、さらに全面露光を行
なうことにより潜像明部を形成し、明部電位を測定した
。この測定結果よりコントラストボルテージが得られ、
この値が静電容量の感度を決定する。なお、実施例2.
3についても同様な測定を行なった。
上記測定において、光像明部に該当する照射光として単
波長光源を用い、波長感度分布を測定した。単波長光源
は25mμごとの波長を照射したときの電位差をプロッ
トしたものである。短波長の光源照射エネルギーは一定
量である。この結果を図に示す。図中、実線は本発明に
よる光導電性粉末を用いた感光体、破線は比較のために
測定した従来品の測定結果である。縦軸はコントラスト
ボルテージ、横軸は光像明部に該当する光の波長である
。従来の感光体は520mμにピークを示す感度分布を
有し、650mμから急勾配で感度を低下する。又、従
来品は暗抵抗も低いために光導電層の厚さを70μから
80μの厚さに塗布されている。これに対し本発明によ
る光導電性粉末を用いた感光体においては可視光から近
赤外線に至るまでの波長域で高感度を持つ優れた特性を
有し、又、暗抵抗も高いため半分以下の厚さで良い。
波長光源を用い、波長感度分布を測定した。単波長光源
は25mμごとの波長を照射したときの電位差をプロッ
トしたものである。短波長の光源照射エネルギーは一定
量である。この結果を図に示す。図中、実線は本発明に
よる光導電性粉末を用いた感光体、破線は比較のために
測定した従来品の測定結果である。縦軸はコントラスト
ボルテージ、横軸は光像明部に該当する光の波長である
。従来の感光体は520mμにピークを示す感度分布を
有し、650mμから急勾配で感度を低下する。又、従
来品は暗抵抗も低いために光導電層の厚さを70μから
80μの厚さに塗布されている。これに対し本発明によ
る光導電性粉末を用いた感光体においては可視光から近
赤外線に至るまでの波長域で高感度を持つ優れた特性を
有し、又、暗抵抗も高いため半分以下の厚さで良い。
このことから実際に作像試験を行なった時の繰返特性も
優れ始動時の一枚目からきれいな絵を出すことができる
。
優れ始動時の一枚目からきれいな絵を出すことができる
。
図は本発明方法により得られた光導電性粉末硫化カドミ
ウム・セレン化カドミウム固熔体と従来方法による光導
電性粉末との電子写真特性波長感度分布を示すグラフで
ある。 WavelenBh (mg)
ウム・セレン化カドミウム固熔体と従来方法による光導
電性粉末との電子写真特性波長感度分布を示すグラフで
ある。 WavelenBh (mg)
Claims (5)
- (1)近赤外線に感度を有する光導電性粉末の製造方法
において、高純度セレン化カドミウム粉末を250℃〜
650℃の範囲内の温度で熱処理したのち、これに高純
度硫化カドミウム粉末、並びに金属ハロゲン化物の中か
ら選ばれた融剤、銀塩と銅塩の中から選ばれた活性剤、
アルミニウム及びマンガンを加えて混合物を作り、この
混合物を硫化カドミウム粉末とセレン化カドミウム粉末
の一部のみが熔融する状態に熱処理したことを特徴とす
る光導電性粉末の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第(1)項記載の方法において、
前記混合物の熱処理を650℃〜850℃の温度まで段
階的に昇温して行なうことを特徴とする光導電性粉末の
製造方法。 - (3)特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
方法において、前記混合物におけるセレン化カドミウム
粉末の混合比を20〜50重量%としたことを特徴とす
る光導電性粉末の製造方法。 - (4)特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
方法において前記セレン化カドミウム粉末及び硫化カド
ミウム粉末が純度99.9%以上であることを特徴とす
る光導電性粉末の製造方法。 - (5)近赤外線に感度を有する光導電性粉末の製造方法
において、高純度セレン化カドミウム粉末に銀塩と銅塩
の中から選ばれた活性剤とマンガンを加えて分散した分
散液を真空乾燥後粉砕したのち、これを250℃〜65
0℃で熱処理したのち高純度硫化カドミウム粉末及び金
属ハロゲン化物から選ばれた融剤とアルミニウムとを加
えて混合物を作り、この混合物を硫化カドミウム粉末と
セレン化カドミウム粉末の一部のみが熔融する状態に熱
処理したことを特徴とする光導電性粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5112187A JPS63216057A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光導電性粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5112187A JPS63216057A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光導電性粉末の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63216057A true JPS63216057A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12877970
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5112187A Pending JPS63216057A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光導電性粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63216057A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006031257A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法、並びにプログラム |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP5112187A patent/JPS63216057A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006031257A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法、並びにプログラム |
JP4548025B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および情報処理方法、並びにプログラム |
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