JPS6321576Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6321576Y2 JPS6321576Y2 JP1983059395U JP5939583U JPS6321576Y2 JP S6321576 Y2 JPS6321576 Y2 JP S6321576Y2 JP 1983059395 U JP1983059395 U JP 1983059395U JP 5939583 U JP5939583 U JP 5939583U JP S6321576 Y2 JPS6321576 Y2 JP S6321576Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- support
- crystals
- present
- crucible support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
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- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は下部より支持されたるつぼ内で溶融固
化法によつて、電気炉の温度勾配を利用して結晶
原料を完全溶融した後るつぼの先端より順次結晶
を成長させるような場合、るつぼのＶ形の底の部
分での温度低下を避けるため、るつぼに放射状の
多数の小孔を設けたことを特徴とするるつぼ支持
台に関するものである。
化法によつて、電気炉の温度勾配を利用して結晶
原料を完全溶融した後るつぼの先端より順次結晶
を成長させるような場合、るつぼのＶ形の底の部
分での温度低下を避けるため、るつぼに放射状の
多数の小孔を設けたことを特徴とするるつぼ支持
台に関するものである。
従来、るつぼの固定具に小孔を有しないるつぼ
支持台を使用して前述した様な方法によつて結晶
生成する場合には、支持台に接している部分、即
ちるつぼのＶ底部分において支持台による熱遮へ
いによつてるつぼ内の温度低下が避け難いため単
一核の発生率が小さくなり、また種子付るつぼを
使用した場合にいたつては種子の方位から結晶成
長するのに十分には種子結晶が溶解せず、単結晶
成長が困難であつた。
支持台を使用して前述した様な方法によつて結晶
生成する場合には、支持台に接している部分、即
ちるつぼのＶ底部分において支持台による熱遮へ
いによつてるつぼ内の温度低下が避け難いため単
一核の発生率が小さくなり、また種子付るつぼを
使用した場合にいたつては種子の方位から結晶成
長するのに十分には種子結晶が溶解せず、単結晶
成長が困難であつた。
本考案の目的は上述の欠点を解消するために放
射状に多数の小孔を設けたるつぼ支持台を使用し
て、るつぼへの熱源からの供給熱量を効率良く伝
達するためるつぼのＶ底の部分での温度低下を少
なくし、Ｖ底るつぼの場合には、単一核からの軸
方向成長を促進させ、また種子付るつぼの場合に
は、その種子の方位の結晶成長を促進させること
を可能とするるつぼ支持台を提供することであ
る。
射状に多数の小孔を設けたるつぼ支持台を使用し
て、るつぼへの熱源からの供給熱量を効率良く伝
達するためるつぼのＶ底の部分での温度低下を少
なくし、Ｖ底るつぼの場合には、単一核からの軸
方向成長を促進させ、また種子付るつぼの場合に
は、その種子の方位の結晶成長を促進させること
を可能とするるつぼ支持台を提供することであ
る。
以下面図を参照して本考案を説明する。第１図
は、本考案によるるつぼ支持台を使用して結晶を
生成する場合の装置概略図である。結晶の生成方
法としては、あらかじめるつぼ２に結晶原料を装
填しておき、電気炉１の温度分布を利用して原料
を溶解させる。その場合に本考案による放射状に
多数の小孔を有するるつぼ支持台３でるつぼを支
持することによつて電気炉からの供給熱量がるつ
ぼ支持台で遮へいすることなく熱伝達及び熱放射
により有効に供給されＶ底の部分の原料を完全に
溶融することができる。なお、るつぼ支持台３は
るつぼ支持パイプ４の上に載置され、るつぼ移動
機構５により前記るつぼ２を下降させ、その先端
において順次結晶６の成長を行なわせる。７は電
気炉１を支持する蛇腹を示す。
は、本考案によるるつぼ支持台を使用して結晶を
生成する場合の装置概略図である。結晶の生成方
法としては、あらかじめるつぼ２に結晶原料を装
填しておき、電気炉１の温度分布を利用して原料
を溶解させる。その場合に本考案による放射状に
多数の小孔を有するるつぼ支持台３でるつぼを支
持することによつて電気炉からの供給熱量がるつ
ぼ支持台で遮へいすることなく熱伝達及び熱放射
により有効に供給されＶ底の部分の原料を完全に
溶融することができる。なお、るつぼ支持台３は
るつぼ支持パイプ４の上に載置され、るつぼ移動
機構５により前記るつぼ２を下降させ、その先端
において順次結晶６の成長を行なわせる。７は電
気炉１を支持する蛇腹を示す。
第２図ａは、本考案によるるつぼ支持台３を拡
大した上面図を示し、ｂは側面図を示す。るつぼ
支持台の下方はるつぼ支持パイプ４に挿入される
ため段付きの円筒形となつており、中心部のＶ底
に放射状に多数の小孔８を有している。
大した上面図を示し、ｂは側面図を示す。るつぼ
支持台の下方はるつぼ支持パイプ４に挿入される
ため段付きの円筒形となつており、中心部のＶ底
に放射状に多数の小孔８を有している。
以上述べた如く本考案によれば、下部より支持
されたるつぼ内においての凝固法によつて結晶を
成長する場合、従来のるつぼ支持台に単純な小孔
を貫通させるだけで、Ｖ底の部分の温度低下を防
止し原料の完全溶解が可能となり、結晶の単一核
からの成長を促がすことができ、また種子付るつ
ぼを使用した場合には確実にその種結晶の方位を
持つた結晶を生成することができる。
されたるつぼ内においての凝固法によつて結晶を
成長する場合、従来のるつぼ支持台に単純な小孔
を貫通させるだけで、Ｖ底の部分の温度低下を防
止し原料の完全溶解が可能となり、結晶の単一核
からの成長を促がすことができ、また種子付るつ
ぼを使用した場合には確実にその種結晶の方位を
持つた結晶を生成することができる。
第１図は、本考案によるるつぼ支持台を使用し
た場合の結晶製造装置の概略断面図で、第２図は
るつぼ支持台の拡大図でａは上面図ｂは側面図を
示す。 図において、１……電気炉、２……るつぼ、３
……るつぼ支持台、４……るつぼ支持パイプ、５
……るつぼ移動機構、６……結晶、７……電気炉
支持用蛇腹、８……放射状の孔。
た場合の結晶製造装置の概略断面図で、第２図は
るつぼ支持台の拡大図でａは上面図ｂは側面図を
示す。 図において、１……電気炉、２……るつぼ、３
……るつぼ支持台、４……るつぼ支持パイプ、５
……るつぼ移動機構、６……結晶、７……電気炉
支持用蛇腹、８……放射状の孔。
Claims (1)
- 電気炉を用いて原料を溶解固化し結晶を生成さ
せる先端がＶ字形に細くなつている垂直円筒状の
るつぼを下方から上下自在に支持するとともに前
記支持台にるつぼまで貫通する多数の小孔を設け
てなる支持台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5939583U JPS59165469U (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | るつぼ支持台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5939583U JPS59165469U (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | るつぼ支持台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165469U JPS59165469U (ja) | 1984-11-06 |
| JPS6321576Y2 true JPS6321576Y2 (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=30189643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5939583U Granted JPS59165469U (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | るつぼ支持台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165469U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101136143B1 (ko) * | 2009-09-05 | 2012-04-17 | 주식회사 크리스텍 | 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140392A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP5939583U patent/JPS59165469U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140392A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-20 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン単結晶引上方法およびその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165469U (ja) | 1984-11-06 |
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