JPS63215348A - 極薄アモルフアス合金の製造方法 - Google Patents
極薄アモルフアス合金の製造方法Info
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- JPS63215348A JPS63215348A JP4690087A JP4690087A JPS63215348A JP S63215348 A JPS63215348 A JP S63215348A JP 4690087 A JP4690087 A JP 4690087A JP 4690087 A JP4690087 A JP 4690087A JP S63215348 A JPS63215348 A JP S63215348A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/06—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths into moulds with travelling walls, e.g. with rolls, plates, belts, caterpillars
- B22D11/0637—Accessories therefor
- B22D11/0697—Accessories therefor for casting in a protected atmosphere
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、ノイズフィルター、可飽和リアクトル、ス
パイクノイズ低減用超小形インダクタンス素子、零相変
流器、磁気ヘッド等の高周波で高透磁率が要求される用
途に適した極薄アモルファス合金の製造方法に関する。
パイクノイズ低減用超小形インダクタンス素子、零相変
流器、磁気ヘッド等の高周波で高透磁率が要求される用
途に適した極薄アモルファス合金の製造方法に関する。
（従来の技術）
電子機器の高性能化に伴い、重要な機能部分として用い
られている磁性部品にも高性能化が必要となっている。
られている磁性部品にも高性能化が必要となっている。
したがって、これら磁性部品に用いられる磁性材料にも
優れた磁気特性が要求されており、特に零相変流器等の
電流センナ、ノイズフィルターなど多くの磁性部品に対
しては、透磁率の高い材料が有効である。
優れた磁気特性が要求されており、特に零相変流器等の
電流センナ、ノイズフィルターなど多くの磁性部品に対
しては、透磁率の高い材料が有効である。
まずノイズフィルタについて説明する。
電子計算機の周辺機器や一般通信機用の安定化電源とし
ては、スイッチング電源が広く用いられている。スイッ
チング電源では、電源電圧を電源ラインから機器に入力
する際、所定の電源電圧以外に雑音電圧が機器内部に侵
入し、入力されることがある。また、スイッチング周波
数を基本周波数とする高周波ノイズ、あるいは負荷、例
えばパソコンの論理回路から発生するＭＨｚ 域のノ
イズが問題となる。
ては、スイッチング電源が広く用いられている。スイッ
チング電源では、電源電圧を電源ラインから機器に入力
する際、所定の電源電圧以外に雑音電圧が機器内部に侵
入し、入力されることがある。また、スイッチング周波
数を基本周波数とする高周波ノイズ、あるいは負荷、例
えばパソコンの論理回路から発生するＭＨｚ 域のノ
イズが問題となる。
これらの伝導ノイズを低減するために、例えば第１図に
示すようなコモンモードチョークコイルがノイズフィル
タとして用いられている。第１図において、チョークコ
イル１は往復電流による磁束が相殺されるように磁心２
に一対の巻線３ａ。
示すようなコモンモードチョークコイルがノイズフィル
タとして用いられている。第１図において、チョークコ
イル１は往復電流による磁束が相殺されるように磁心２
に一対の巻線３ａ。
３ｂを施したもので、巻線３ａ 、３ｂ間にコンデンサ
４ａ、４ｂ、４Ｃが接続され、コンデンサ４ｂ 、４Ｃ
の接続点は接地されている。このフィルタを電源ライン
に挿入した場合、雑音入力電圧に対する雑音出力電圧の
大きさは磁心の透磁率に関係し、透磁率が大きい１１ど
雑音出力電圧は小さくなる。さらに低周波領域だけでな
（ｌ ＭＨｚ以上の高周波領域でも有効に機能する必要
があり、このために透磁率の周波数特性も良好であるこ
とが必要である。
４ａ、４ｂ、４Ｃが接続され、コンデンサ４ｂ 、４Ｃ
の接続点は接地されている。このフィルタを電源ライン
に挿入した場合、雑音入力電圧に対する雑音出力電圧の
大きさは磁心の透磁率に関係し、透磁率が大きい１１ど
雑音出力電圧は小さくなる。さらに低周波領域だけでな
（ｌ ＭＨｚ以上の高周波領域でも有効に機能する必要
があり、このために透磁率の周波数特性も良好であるこ
とが必要である。
従来、コモンモードチョークコイルの磁心を構成する材
料としては、フェライトが用いられてきた。しかし、最
近では比較的低周波数域（１０〜４５０ｋＨｚ）でのノ
イズ規制が厳しくなっているのに対し、フェライトは低
周波域での透磁率が小さいため、ノイズを十分に低減す
ることができないという欠点がある。そどで、特に低周
波域での透磁率が大きく、周波数特性に優れた磁心が要
望されていた。
料としては、フェライトが用いられてきた。しかし、最
近では比較的低周波数域（１０〜４５０ｋＨｚ）でのノ
イズ規制が厳しくなっているのに対し、フェライトは低
周波域での透磁率が小さいため、ノイズを十分に低減す
ることができないという欠点がある。そどで、特に低周
波域での透磁率が大きく、周波数特性に優れた磁心が要
望されていた。
また近年、磁気増＠器を組込んだスイッチング電源が広
く用いられている。
く用いられている。
この磁気増幅器を構成する主要部は可飽和リアクトルで
あり、角形磁化特性に優れた磁心材料が必要とされてい
る。従来、このような磁心材料としてはＦｅ−Ｎｉ結品
質合金からなるセンデルタ（商品名）が使用されてきた
。
あり、角形磁化特性に優れた磁心材料が必要とされてい
る。従来、このような磁心材料としてはＦｅ−Ｎｉ結品
質合金からなるセンデルタ（商品名）が使用されてきた
。
しかしながら、センデルタは角形磁化特性には優れてい
るものの、２０ｋＨｚ以上の高周波においては保磁力が
大きくなシ、うず電流損が増大して発熱し、使用不能と
なる。このため、磁気増幅器を組込んだスイッチング電
源のスイッチング周波数は２９ｋＨｚ以下に限られてい
た。
るものの、２０ｋＨｚ以上の高周波においては保磁力が
大きくなシ、うず電流損が増大して発熱し、使用不能と
なる。このため、磁気増幅器を組込んだスイッチング電
源のスイッチング周波数は２９ｋＨｚ以下に限られてい
た。
一方、近年においては、スイッチング電源の小型化拳軽
量化に対する要望とあいまって、スイッチング周波数を
より高周波化することが求められているが、現在のとこ
ろアモルファス合金を用いて実用的には最高２００〜５
Ｑ Ｑ ｋＨｚに限られておシ、一層の高周波化に対
応した材料が望まれている。
量化に対する要望とあいまって、スイッチング周波数を
より高周波化することが求められているが、現在のとこ
ろアモルファス合金を用いて実用的には最高２００〜５
Ｑ Ｑ ｋＨｚに限られておシ、一層の高周波化に対
応した材料が望まれている。
これに対し一般に金属材料では板厚を薄くすることによ
り渦電流損を抑え、高周波特性を改善できることが知ら
れている。金属材料の中で高周波特性の良好なアモルフ
ァス合金は、通□常液体急冷法により作製されるが、通
常その手段として単ロール法（第２図）が用いられてい
る。ある程度幅がないと実用上問題があシ、従来の条件
では２ｍｍ幅以上の薄帯では、１１〜１２μｍ程度が板
厚の限界であり、このような薄帯はピンホールが比較的
多く存在しておシ高周波化を含めた実用性の面で問題が
あった。
り渦電流損を抑え、高周波特性を改善できることが知ら
れている。金属材料の中で高周波特性の良好なアモルフ
ァス合金は、通□常液体急冷法により作製されるが、通
常その手段として単ロール法（第２図）が用いられてい
る。ある程度幅がないと実用上問題があシ、従来の条件
では２ｍｍ幅以上の薄帯では、１１〜１２μｍ程度が板
厚の限界であり、このような薄帯はピンホールが比較的
多く存在しておシ高周波化を含めた実用性の面で問題が
あった。
（発明が解決しようとする問題点）
このように各種磁心用として高透磁率、低鉄損が高周波
（〜ＭＨｚ域）まで要求され、これらは機器の高効率、
小形軽量化、また磁心の小形化、高性能化などＫつなが
る。
（〜ＭＨｚ域）まで要求され、これらは機器の高効率、
小形軽量化、また磁心の小形化、高性能化などＫつなが
る。
この発明は上記磁気特性を満足するように、ピンホール
等のない良好な状態で板厚が１０μｍ以下の極薄アモル
ファス合金を得るととができる製造方法を提供すること
を目的とする。
等のない良好な状態で板厚が１０μｍ以下の極薄アモル
ファス合金を得るととができる製造方法を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段及び作用）この発明は合
金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に噴出し超急冷す
ることによりアモルファス薄帯を製造するに際し、前記
ノズルから噴出される合金溶湯が回転冷却体に接触する
間の雰囲気が６０ ｔｏｒｒ未滴の不活性ガス雰囲気又
はＱ、Ｑ ｌ ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気であることを
特徴とする極薄アモルファス合金の製造方法である。
金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に噴出し超急冷す
ることによりアモルファス薄帯を製造するに際し、前記
ノズルから噴出される合金溶湯が回転冷却体に接触する
間の雰囲気が６０ ｔｏｒｒ未滴の不活性ガス雰囲気又
はＱ、Ｑ ｌ ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気であることを
特徴とする極薄アモルファス合金の製造方法である。
本発明者らはアモルファス合金の板厚の極薄化に対し、
鋭意研究を重ねた結果、薄帯作製時の雰囲気が重要であ
ることを見出した。具体的には母合金を入れた石英ノズ
ルまわシを１０ ｔｏｒｒ以下に真空排気すること、
またはその後不活性ガスを５ Ｑ ｔｏｒｒ以下まで置
換しＣＯ基アモルファス合金の場合はＦｅ基ロール、Ｆ
ｅ基アモルファス合金の場合はＦｅ基ロール、あるいは
Ｃｕ基ロール（真鍮など）を用いることにより極薄アモ
ルファス合金薄帯を作製することができる。
鋭意研究を重ねた結果、薄帯作製時の雰囲気が重要であ
ることを見出した。具体的には母合金を入れた石英ノズ
ルまわシを１０ ｔｏｒｒ以下に真空排気すること、
またはその後不活性ガスを５ Ｑ ｔｏｒｒ以下まで置
換しＣＯ基アモルファス合金の場合はＦｅ基ロール、Ｆ
ｅ基アモルファス合金の場合はＦｅ基ロール、あるいは
Ｃｕ基ロール（真鍮など）を用いることにより極薄アモ
ルファス合金薄帯を作製することができる。
ここで減圧下あるいは不活性ガス雰囲気をそれぞれ１０
ｔｏｒｒ 、 ６ｏｔｏｒｒ以下としたのは、特に１．
５隠以上の幅広薄帯を作製する際に薄くて表面性にすぐ
れピンホールのないものが得られるからであり、この範
囲外では幅方向にうねり（凸凹）が生じたシ、ピンホー
ルが多かったり、１０μｍ以下の薄帯が得られなかった
シする。なお不活性ガスは好ましくはＨｅ、Ａｒであり
さらにはＨｅがもっとも好ましい。
ｔｏｒｒ 、 ６ｏｔｏｒｒ以下としたのは、特に１．
５隠以上の幅広薄帯を作製する際に薄くて表面性にすぐ
れピンホールのないものが得られるからであり、この範
囲外では幅方向にうねり（凸凹）が生じたシ、ピンホー
ルが多かったり、１０μｍ以下の薄帯が得られなかった
シする。なお不活性ガスは好ましくはＨｅ、Ａｒであり
さらにはＨｅがもっとも好ましい。
またロール材質はＦｅ基アモルファス極薄薄帯を作製す
る場合にはＦｅ基合金あるいはＣｕ基合金が好ましく、
Ｃｏ基アモルファス極薄′薄帯を作製する場合はＦｅ基
合金を用いると表面性が良好で板厚の極めて薄いものが
得られる。
る場合にはＦｅ基合金あるいはＣｕ基合金が好ましく、
Ｃｏ基アモルファス極薄′薄帯を作製する場合はＦｅ基
合金を用いると表面性が良好で板厚の極めて薄いものが
得られる。
ここで用いるアモルファス合金は一般式％式％
Ｙ ： ８ｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃから選ばれる１種以上Ｏ≦ａ
≦１ １０≦ｂ≦３５ で表わされる。Ｙはアモルファス化に必須であり、１０
原子−未満３５原子チ以上ではアモルファス化し難い。
≦１ １０≦ｂ≦３５ で表わされる。Ｙはアモルファス化に必須であり、１０
原子−未満３５原子チ以上ではアモルファス化し難い。
特に、Ｆｅ基アモルファス合金の組成範囲は
（” １−ＣＭＣ） １１００−ｄＹ
ｄ ： Ｎｉ 、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｏ から
選ｔｆｔＬル少なくとも１種以上 Ｙ： ８ｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以
上 ０≦Ｃ≦０．５ ただしＭとしてＮｉ、Ｃｏを除く場合は０≦Ｃ≦０．１
５ １．５≦ｄ≦３０ である。Ｍは熱安定性向上、磁気特性の改善に有効な元
素であり、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｗから選ばれる場合はＣ
） ０．１５となるとキエリ一温度が低下しすぎてしま
い実用的ではなくｓ” あるいはＣＯが少なくとも１種
選ばれる場合はＣ＞ Ｏ，Ｓの時磁気特性の改善が見ら
れなくなる。またＹ量は１５ａｔ％未満３Ｑａｔ％以上
では結晶化温度が低くなシすぎまた合金組成によっては
得られた試料に結晶質が混在してしまう。
選ｔｆｔＬル少なくとも１種以上 Ｙ： ８ｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以
上 ０≦Ｃ≦０．５ ただしＭとしてＮｉ、Ｃｏを除く場合は０≦Ｃ≦０．１
５ １．５≦ｄ≦３０ である。Ｍは熱安定性向上、磁気特性の改善に有効な元
素であり、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｗから選ばれる場合はＣ
） ０．１５となるとキエリ一温度が低下しすぎてしま
い実用的ではなくｓ” あるいはＣＯが少なくとも１種
選ばれる場合はＣ＞ Ｏ，Ｓの時磁気特性の改善が見ら
れなくなる。またＹ量は１５ａｔ％未満３Ｑａｔ％以上
では結晶化温度が低くなシすぎまた合金組成によっては
得られた試料に結晶質が混在してしまう。
また、ＣＯ基アモルファス合金は一般式％式％
Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、 白金族元素から選ばれる少
なくとも１種以上 Ｙ： Ｓｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以
上 ０≦ｅ≦０．５ ただしＭとしてＦｅ、Ｃｏを除く場合は、０≦ｅ≦０．
３ １０≦ｆ≦３５ で表わされる。Ｎは熱安定性向上、磁気特性の改善に有
効な元素であ１）Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ。
なくとも１種以上 Ｙ： Ｓｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃから選ばれる少なくとも１種以
上 ０≦ｅ≦０．５ ただしＭとしてＦｅ、Ｃｏを除く場合は、０≦ｅ≦０．
３ １０≦ｆ≦３５ で表わされる。Ｎは熱安定性向上、磁気特性の改善に有
効な元素であ１）Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、白金族元素から選ばれる場合は
ｅ ） ０．３ではキエリ一温度が低下し実用的ではな
い。また、Ｆｅ、Ｎｉの場合ｅ ） ０．５では磁気特
性の改善が見られなく々る。またＹはアモルファス化に
必須な元素であり１Ｑａｔチ未満３５ａｔチを越えると
アモルファス化し難くなる。さらに、可飽和リアクトル
やノイズフィルタ磁気ヘッドなど特に優れた高周波特性
を要求される場合は（Ｃ０１−ｇ−ｈＭｇ稀）、。ｏ−
ｉ （Ｓｉ１−ｊ ”ｊ ） ｉＭ：Ｆｅ、Ｍｒｚ７）
少なくとも１種 Ｍ！： Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ 、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ。
ｅ ） ０．３ではキエリ一温度が低下し実用的ではな
い。また、Ｆｅ、Ｎｉの場合ｅ ） ０．５では磁気特
性の改善が見られなく々る。またＹはアモルファス化に
必須な元素であり１Ｑａｔチ未満３５ａｔチを越えると
アモルファス化し難くなる。さらに、可飽和リアクトル
やノイズフィルタ磁気ヘッドなど特に優れた高周波特性
を要求される場合は（Ｃ０１−ｇ−ｈＭｇ稀）、。ｏ−
ｉ （Ｓｉ１−ｊ ”ｊ ） ｉＭ：Ｆｅ、Ｍｒｚ７）
少なくとも１種 Ｍ！： Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ 、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ。
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、白金族元素から選ばれる少なくとも１
種 ０．０３≦ｇ≦０．１５ ０≦ｈ≦０．１０ ２０≦ｉ≦３５ α２≦ｊ≦１．０ で表わされる。上記組成において磁気特性の熱安定性を
考慮すると好ましくは２５≦ｉ≦３２゜０．３≦ｊ≦０
．８である。
種 ０．０３≦ｇ≦０．１５ ０≦ｈ≦０．１０ ２０≦ｉ≦３５ α２≦ｊ≦１．０ で表わされる。上記組成において磁気特性の熱安定性を
考慮すると好ましくは２５≦ｉ≦３２゜０．３≦ｊ≦０
．８である。
また、ノズル先端のスリット形状は第３図におけるａは
得られる薄帯の幅を決めるものであり、２＋ｍ以上の適
当な値に設定できる。またｂは薄帯の板厚を決める重要
な値でありロ。２四以下が好ましく、さらに０．１５ｍ
以下が極薄薄帯作製に対しては好ましい。
得られる薄帯の幅を決めるものであり、２＋ｍ以上の適
当な値に設定できる。またｂは薄帯の板厚を決める重要
な値でありロ。２四以下が好ましく、さらに０．１５ｍ
以下が極薄薄帯作製に対しては好ましい。
ロール周速はｌＱｍ／ｓ以上であれば良く、２０ｍ／
ｓ 以上が好ましい。
ｓ 以上が好ましい。
射出圧は極薄薄帯を作製するのに０．０５＃／ｄ以上で
あれば良く、好ましくは０．０２５＃／ｃｄ以下であり
さらに好ましくは、ｏ、０２０＃／−以下でちるが０．
００１＃／−未満では溶融金属の射出がしにくい。
あれば良く、好ましくは０．０２５＃／ｃｄ以下であり
さらに好ましくは、ｏ、０２０＃／−以下でちるが０．
００１＃／−未満では溶融金属の射出がしにくい。
上記の様にして、得られたアモルファス合金薄帯は巻回
または積層して磁心の形状に成形し、歪取υ熱処理を行
なった後冷却するが、この冷却速度はＱ、５ｄｅｇ／＝
〜水中急冷の範囲であれば良く、好ましくは１〜５０
ｄｅｇ／―である。この後さらに熱処理として無磁場中
あるいは磁場中熱処理（薄帯軸方向、幅方向、板厚方向
、回転磁場熱処理）をさらに追加してもよい。これらの
熱処理における雰囲気は特に問わず、Ｎ、、Ａｒ等の不
活性ガス、真空中、Ｈ，等の還元雰囲気中、大気中等の
いずれでも良い。
または積層して磁心の形状に成形し、歪取υ熱処理を行
なった後冷却するが、この冷却速度はＱ、５ｄｅｇ／＝
〜水中急冷の範囲であれば良く、好ましくは１〜５０
ｄｅｇ／―である。この後さらに熱処理として無磁場中
あるいは磁場中熱処理（薄帯軸方向、幅方向、板厚方向
、回転磁場熱処理）をさらに追加してもよい。これらの
熱処理における雰囲気は特に問わず、Ｎ、、Ａｒ等の不
活性ガス、真空中、Ｈ，等の還元雰囲気中、大気中等の
いずれでも良い。
（実施例）
以下に本発明の詳細な説明する。
実施例−１
”７０．３Ｆｅ４７Ｓ’１５Ｂ１０なる合金組成の調合
、溶解を行ないアモルファス合金作製用母合金とした。
、溶解を行ないアモルファス合金作製用母合金とした。
用いたノズル形状は５■Ｘ０．１５ｍｍのスリットを有
しアモルファス合金作製にあたシロール材質としてＦｅ
を用い単ロール装置をチャンバー内に入れ５ Ｘ １０
ｔｏｒｒ まで予備真空排気後、Ｈｅガスを３０
ｔｏｒｒまで封入した。ロール周速を５７ ｍ／ｓｅ
ｃとし、射出ガス圧を０．０２＃／−として、溶融金属
を超急冷したところ表面性の良好な板厚８．４μｍ１幅
４．８ ｍの長尺極薄アモルファス合金薄帯を得た。
しアモルファス合金作製にあたシロール材質としてＦｅ
を用い単ロール装置をチャンバー内に入れ５ Ｘ １０
ｔｏｒｒ まで予備真空排気後、Ｈｅガスを３０
ｔｏｒｒまで封入した。ロール周速を５７ ｍ／ｓｅ
ｃとし、射出ガス圧を０．０２＃／−として、溶融金属
を超急冷したところ表面性の良好な板厚８．４μｍ１幅
４．８ ｍの長尺極薄アモルファス合金薄帯を得た。
同様の手段により真空排気状態で（５Ｘ１０ ｔｏｒｒ
）でアモルファス合金を作製しても同様のピンホールの
ない長尺極薄薄帯が得られた。
）でアモルファス合金を作製しても同様のピンホールの
ない長尺極薄薄帯が得られた。
比較として、Ｈｅ雰囲気を９ Ｑ ｔｏｒｒとして同一
条件で作製したところ長手方向に部分的に裂けた薄帯が
得られ実用に供し難い。
条件で作製したところ長手方向に部分的に裂けた薄帯が
得られ実用に供し難い。
またさらに比較として大気中で同一作製条件により薄帯
作製を試みたが、ピンホールが極めて多い薄帯が得られ
これも実用には供し難い。
作製を試みたが、ピンホールが極めて多い薄帯が得られ
これも実用には供し難い。
なお、本発明の製造方法により作製した上記極薄アモル
ファス合金を巻回した後最適熱処理を施し、初透磁率の
周波数特性および高周波鉄損を測定した。第４図には、
励磁界２ｍ０ｅ での透磁率の周波数特性を示す。比
較として同一組成の板厚１５μｍのアモルファス合金の
結果も示しである。
ファス合金を巻回した後最適熱処理を施し、初透磁率の
周波数特性および高周波鉄損を測定した。第４図には、
励磁界２ｍ０ｅ での透磁率の周波数特性を示す。比
較として同一組成の板厚１５μｍのアモルファス合金の
結果も示しである。
同図より明らかなように透磁率は１００ｋＨｚ以上で板
厚の効果が顕著であり、本発明の製造方法による＆４μ
ｍのアモルファス合金は比較例に比べＩＭＨｚ、ｌＱＭ
Ｈｚでそれだれ２５倍高くなっている。
厚の効果が顕著であり、本発明の製造方法による＆４μ
ｍのアモルファス合金は比較例に比べＩＭＨｚ、ｌＱＭ
Ｈｚでそれだれ２５倍高くなっている。
また、鉄損はＩＭＨｚにおいて０．１（１）の励磁振幅
条件で板厚１５．０μｍ材に比べ約半減している。また
幅１ｍ以下の薄帯に比べ幅２■以上の薄帯は低鉄損とな
っておシたとえば２００ｋＨｚでは約２０チ低減できる
。
条件で板厚１５．０μｍ材に比べ約半減している。また
幅１ｍ以下の薄帯に比べ幅２■以上の薄帯は低鉄損とな
っておシたとえば２００ｋＨｚでは約２０チ低減できる
。
さらに角形比は５００ｋＨｚ以上でほぼ１ｏ Ｏ（％）
となっておシ可飽和リアクトルなどに有効である。
となっておシ可飽和リアクトルなどに有効である。
実施例２
（ＦｅＯ，９５ＮｂＯ，０５）１３ Ｓ’５Ｂ１２ な
る組成のアモルファス合金を実施例１と同一の単ロール
装置を用いて作↓した。作製条件としては、ノズル形状
８Ｗ！ｓ×０、１５ Ｍｓの雰囲気は５ＸＩＱ ｔｏ
ｒｒまで予備真空排気後、Ｈｅガスを５ Ｑ ｔｏｒｒ
まで封入、ロール材質は鉄、ロール周速６５ｍ／ｓ、射
出ガス圧０．０２＃／ｉである。得られた薄帯は板厚７
．８μｍ１幅７．８■の長尺状であり表面性が極めて良
好でピンホールのないものであった。
る組成のアモルファス合金を実施例１と同一の単ロール
装置を用いて作↓した。作製条件としては、ノズル形状
８Ｗ！ｓ×０、１５ Ｍｓの雰囲気は５ＸＩＱ ｔｏ
ｒｒまで予備真空排気後、Ｈｅガスを５ Ｑ ｔｏｒｒ
まで封入、ロール材質は鉄、ロール周速６５ｍ／ｓ、射
出ガス圧０．０２＃／ｉである。得られた薄帯は板厚７
．８μｍ１幅７．８■の長尺状であり表面性が極めて良
好でピンホールのないものであった。
なおロール材質を銅に変えても同様の極薄薄帯が得られ
た。
た。
以上説明したように本発明によれば、極めて板厚の薄い
アモルファス合金が溶融状態から直接得られ、このアモ
ルファス合金を用いることにより磁気特性の高周波特性
にすぐれた磁心が得られ、可飽和リアクトル、半導体回
路用リアクトルなど各種リアクトル、ノイズフィルタ（
コモンモード用、ノーマルモード用、高電圧パルス用）
、メイントランス磁気ヘッドなど高周波で用いられる磁
心あるいはセンサー（を流方位、圧力など）に好適であ
る。
アモルファス合金が溶融状態から直接得られ、このアモ
ルファス合金を用いることにより磁気特性の高周波特性
にすぐれた磁心が得られ、可飽和リアクトル、半導体回
路用リアクトルなど各種リアクトル、ノイズフィルタ（
コモンモード用、ノーマルモード用、高電圧パルス用）
、メイントランス磁気ヘッドなど高周波で用いられる磁
心あるいはセンサー（を流方位、圧力など）に好適であ
る。
第１図は回路図、第２図は装置概略図、第３図はスリッ
ト平面図、第４図は特性曲線図。 第１図 第２図 第８図
ト平面図、第４図は特性曲線図。 第１図 第２図 第８図
Claims (5)
- （１）合金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に噴出し
超急冷することによりアモルファス薄帯を製造するに際
し、前記ノズルから噴出される合金溶湯が回転冷却体に
接触する間の雰囲気が６０ｔｏｒｒ未満の不活性ガス雰
囲気又は０．０１ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気であること
を特徴とする極薄アモルファス合金の製造方法。 - （２）前記回転冷却体はＦｅ基合金からなることを特徴
とする特許請求の第１項記載の極薄アモルファス合金の
製造方法。 - （３）前記不活性ガスはＡｒ、Ｈｅの少なくとも一種で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の極薄
アモルファス合金の製造方法。 - （４）板厚が１０μｍ以下であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の極薄アモルファス合金の製造方
法。 - （５）前記ノズルの形状はほぼ長方形であり短辺の長さ
が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の極薄アモルファス合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046900A JP2790277B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 極薄アモルフアス合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046900A JP2790277B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 極薄アモルフアス合金の製造方法 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13559388A Division JPS63317639A (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金 |
| JP63135592A Division JPS64249A (en) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | Extra thin amorphous alloy combining high magnetic permeability with low iron loss |
| JP3190515A Division JP2693059B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | トランス |
| JP5337296A Division JPH08238543A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金 |
| JP5337396A Division JPH08229642A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 高透磁率、低鉄損の極薄アモルファス合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215348A true JPS63215348A (ja) | 1988-09-07 |
| JP2790277B2 JP2790277B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=12760240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046900A Expired - Lifetime JP2790277B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 極薄アモルフアス合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790277B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381856A (en) * | 1992-10-09 | 1995-01-17 | Nippon Steel Corporation | Process for producing very thin amorphous alloy strip |
| CN112846117A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-28 | 皖西学院 | 一种非晶材料熔炼喷包的保险装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911164A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Yasuno Keiko | 人工甲殻の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62046900A patent/JP2790277B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911164A (ja) * | 1982-07-10 | 1984-01-20 | Yasuno Keiko | 人工甲殻の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381856A (en) * | 1992-10-09 | 1995-01-17 | Nippon Steel Corporation | Process for producing very thin amorphous alloy strip |
| CN112846117A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-28 | 皖西学院 | 一种非晶材料熔炼喷包的保险装置 |
| CN112846117B (zh) * | 2021-01-05 | 2021-12-31 | 皖西学院 | 一种非晶材料熔炼喷包的保险装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790277B2 (ja) | 1998-08-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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