JPS63214084A

JPS63214084A - 固体撮像装置の信号読み出し方法

Info

Publication number: JPS63214084A
Application number: JP62047077A
Authority: JP
Inventors: Junichi Nishizawa; 潤一西澤; Naoshige Tamamushi; 玉蟲　尚茂
Original assignee: Semiconductor Research Foundation
Current assignee: Semiconductor Research Foundation
Priority date: 1987-03-02
Filing date: 1987-03-02
Publication date: 1988-09-06
Also published as: JPH0473912B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は静電誘導ホトトランジスタ（　Ｓ　ｔａｔｉｃ
　　Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ　　ｐ　ｈｏｔｏｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ　；以下８１ＰＴと称づ）を用いた固体撮像装
置の信号読み出し方法に関するもので、特に微弱光検出
感度が優れ、かつＸ−Ｙアドレス方式における信号読み
出し方法で、ＳＩＰＴの主電極の全てがアドレスライン
又は信号読み出しラインとなる方式により安定で均一に
画像を検出する、低消費電力、高速、人吉間の固体撮像
装置を提供するもので、家庭用ビデオカメラから放送用
のテレビカメラ等への応用及びその高感度なことを利用
した天体観測用ビデオカメラ等への利用の他スチルカメ
ラ等静止画像の囮影等へも適用できる。

〔従来の技術〕

従来のＳＩＰＴを用いたゲート蓄積方式による２次元固
体撮像装置において、ＳＩＰＴのソース及びドレインが
、それぞれ信号読み出しライン又はアドレスラインとな
る２次元固体撮像装置の構成及び信号読み出し方法につ
いては特開昭６０−１９９２７７＠ｒ２次元固体撮像装
置」に開示されている。この開示された信号読み出し方
法について、先ず従来の例として以下に説明する。

第３図（ａ　）にこの例の構成方法のその一例、（ｂ）
に動作パルスのその一例を示す。２次元固体Ｒ像装置の
一画素ＣＩＪは一つのＳＩＰＴとゲートキャパシタから
なる。画素ＣりのＳＩＰＴのドレインは信号読み出しラ
インＳＬ，に、ソースは埋め込みラインＢＬｊに、垂直
アドレスゲ−１・ラインＧＬｊはゲートキャパシタＣ４
を通してＳＩＰＴのゲートに接続されている。信号読み
出しラインＳＬ，にはプリチャージトランジスタＱＰＩ
が接続され、このＱＰｉを通してプリチャージ電源■Ｐ
に接続されている。このＱＰＩはゲートが共通になされ
、ブリチャージパルスφ２が印加される。さらにＳＬ．
はトランスフ７トランジスタＱ−ｒ＋を通してスイッチ
トランジスタＱＳ１に接続されている。ＱＴｌはゲート
が共通になされトランスファバルスφエが印加される。

Ｑ，、のゲートは水平シフトトランジスタ３２に導かれ
ている。ＱＳｉは負荷抵抗ＲＬを通してビデオ？ＩＨ源
Ｖｖに接続され、出力はＱＴｌとＱ３．に共通して接続
されたキャパシタＧＬ１を導通状態にしてｖｖにより充
電することによるＲＬの電圧降下によって■。＋ａ、を
端子から得られる。さらに埋め込みラインＢＬｊは埋め
込みライン選択トランジスタＱＢ、を通して接地されＢ
Ｌ・に接続されたＱＢ、のゲートはＧＬ、に接続され、
ＧＬｊは垂直シフトレジスタ３１に導かれている。

第３図（ｂ）を参照して、読み出し方法を説明する。先
ず、トランスファパルスφアによってトランスファトラ
ンジスタＱＴＩが導通状態の時に、プリチャージパルス
φＰによってプリチャージトランジスタＱ　ＰＩを通し
て、信号読み出しラインＳＬｉ及びキャパシタＣ５□、
ＣＴｌｊを２によって充電する。次に、垂直アドレスパ
ルスφ。、によって垂直アドレスラインＧＬｊに接続さ
れた画素ｃ、ｊ−ｃｎ、の各５ＩＰＴは入射光績に応じ
た放電をする。φ６．とφＴが同時に切れることによっ
て画素Ｃｉｊ〜Ｃｎｊの光情報はキャパシタＣＴＬの放
電量として記憶される。

水平シフトレジスタ３２からの読み出しパルスφ、１〜
φ、ｎによってＶｏｖＬｔ端子から順次出力が得られる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の５ＩＰＴを用いた２次元向体緻像装置は、５ＩＰ
Ｔ本来の高い光感度を利用し１ｑるものである。つまり
垂直アドレスラインＧＬｊ上の画像Ｃ１」〜Ｃｎ３を構
成する各Ｓｆｒ’Ｔのソースを共通の埋め込みラインＢ
Ｌｊに接続し、かつＢＬｊには接地との間に埋め込みラ
イン選択トランジスタＱ　ｈｊを接続し、かつＱＢ、の
ゲートは垂直アドレスラインＧＬＪに接続することで、
垂直アドレスラインＧＬｊの選択と同時にＢＬｊのみが
接地電位となり、同一の信号読み出しライン上の画素間
のクロストークをおさえている。

しかし、より高い光感度をちつ５ＩＰＴはノーマリオン
に近い５ＩＰＴであって、飽和光量に近い光が入射した
画素の５ＩＰＴは非選択時であっても、リーク電流は大
きい。この様な高感度な５ｒＰＴによって２次元向体撮
像装置を前述の方法によって構成することは非選択の画
素を構成する５ＩＰＴのソースがＱ、によって接地と切
り離されているものの、埋め込みラインが接地に対しで
ある容量をもつ為に、この容Ｍを充電する程度の放電は
起こり得る。例えば飽和光量に近い入射光があった場合
信号読み出しラインの電位は、このＢＬｊのもつ容量を
充電するリーク電流によって変動してしまう。この為上
述の２次元向体ｉｌｌ像装置では、非選択画素による信
号読み出しラインの電圧変動を極力低くする為に埋め込
みラインの接地に対する容量を低く抑え、プリチャージ
後の垂直アドレスパルスとトランスファパルスのタイミ
ングの最適化等の他に、５ＩＰＴの設計条件にＪ５いて
も１１１限があり、５ＩＰＴを非常に高感度な条件で利
用できない。

〔問題点を解決するための手段〕

前）ボの２次元向体撮像装置では、非選択の画素による
その画素の５ＴＰＴのソースがトランジスタによって接
地電位と切り離されているものの、５ＩＰＴのソースが
接続されている埋め込みラインＢＬｊの接地に対する容
量があるために、例えば飽和光量の入射光があった場合
に、このＢＬｊが接地に対してもつ容量を充電する程度
の放電は避けられない。そこで、本発明の固体撮像装置
の信号読み出し方法では、埋め込みラインＢＬｊを信号
読み出しラインと同時に充電する。その後、読み出す列
の埋め込みラインのみを垂直アドレスと同時に接地電位
とする。つまり埋め込みラインＢＬｊの接地に対して持
つ容量を予め充電するのである。このため埋め込みライ
ンＢＬｊに二つのスイッチトランジスタを接続し、一方
はプリチャージ電源に接続し、もう一方は接地する。

次に、第２図を用いて本発明による読み出し方法の原理
を説明する。

第２図（ａ）に本発明による固体撮像装置の一画素の読
み出し回路を示し、第２図（ｂ）にその読み出し動作の
パルスのタイミングチャートとトランスファラインＴＬ
、の電位変化Ｖ　ＴＬＩと出力端子２５の電位変化を示
す。第２図（ａ）において一画素Ｃｉｊは５ＩＰＴ２０
とゲートキャパシタｃｃ、２４から構成されており、５
ＩＰＴ２０のドレイン２１は信号読み出しラインＳＬ、
に、５ＩＰＴ２０のソース２２は埋め込みラインＢＬｊ
に、５ｒＰＴ２０のゲート２３はゲートキャパシタＣｅ
２４を通して垂直アドレスゲートラインＧＬｊに接続さ
れている。信号読み出しラインＳＬｉにはプリチャージ
トランジスタＱＰＴ及びトランスファトランジスタＱ１
、が接続され、かつＱＴ、にはスイッチトランジスタＱ
、ｉ及び負荷抵抗ＲＬを介してビデオ電源Ｖｖに接続さ
れ、この負拘抵抗ＲＬのＱＳ、に接続する点が出力端子
ＶＰ、ｔ２５となる。Ｇ）ｐ＋のゲートにはプリチャー
ジパルスφＰが、ＱＴＩのゲートにはトランスファパル
スφ□が、Ｃ８１のゲートは読み出しパルスφＳ１が、
それぞれ印加される。埋め込みラインＢＬｊは埋め込み
ライン選択トランジスタＱ、、を通して接地されている
と共にスイッチトランジスタＱＨ１を介してプリチャー
ジ電源に接続されている。Ｑ、ＪのゲートはＧＬＪに接
続され、φ６．によってＢＬ、を接地電位とする。Ｑ、
４．のゲートにはプリチャージパルスφ、が印加され、
ＢＬｊはＳＬｊと同時に同じ電位にプリチャージされる
。Ｃ５いは信号読み出しラインＳＬｊの接地に対して持
つ容量を、ＣはトランスファラインＴＬ、がＬｉ接地に対して持つ容量を、それぞれ表わしている。

第２図（ｂ　＞において、時刻ｔ、に、先ず１〜ランス
フアバルスφ１１によってトランスファトランジスタ０
１＋が導通状態となり、信号読み出しラインＳＬ、にト
ランスファラインＴＬ、が結合される。次に、時刻ｔ２
において、プリチャージパルスφ８．によってプリチャ
ージトランジスタＱ＞Ｂと埋め込みラインＢＬｊのスイ
ッチトランジスタＱＨＪが導通状態になり、ＳＬ、、キ
ャパシタＣ１ＣＴＬ、及びＢＬｊがブリチＳＬ＋ャージ電圧■、によってプリチャージされる。

時刻ｔ３にＱＰｉが遮断状態・になった後、垂直アドレ
スパルスφＣｒｊが時刻ｔ４に印加される。この時、埋
め込みラインは接地電位となって５ＩＰＴ２０はバイア
スされる。同時にＳ　Ｉ　ＰＴ２０はゲートキャパシタ
ＣＣｌ２４を通して垂直アドレスパルスφ。、が加わり
、５ＩＰＴ２０には一定の期間内に入射した光量に応じ
た放電電流が流れる。時刻１．にφ１．とφ。３が切れ
て、Ｑ、１が遮断状態になることによって５ｒＰＴ２０
からｑられた画素Ｃ７Ｊの光情報はＣＴ□に記憶される
。次に時刻ｔ６に読み出しパルスφ、１によってスイッ
チトランジスタＱ３．が導通状態となり、負荷抵抗ＲＬ
を通してビデオ電圧■９がＣＴＬｉを充電し、出力が得
られる。この時のＶＰＬｉ尤の変化はＶＴＬ、の値に応
じて、画素Ｃｉｊへの入射光が暗状態のときは点ｗＡＣ
１通常の光照射のときは一点鎖線ｂ１飽和光最のときは
実線ａの様になる。

〔作用〕

本発明の固体撮像装置の信号読み出し方法では、埋め込
みラインを信号読み出しラインと同時に充電する。即ち
、埋め込みラインの接地に対して持つ容量をあらかじめ
充電するのである。その後、読み出す列の埋め込みライ
ンのみを垂直アドレスと同時に接地電位とすることによ
り読み出したい列のみバイアスさせることができ、同一
信号読み出しライン上の画素によるＶＳＬへの影響をお
さえることができる。従って大容量の２次元固体撮像装
置を安定に読み出すことができる。

〔実施例〕

本発明の固体撮像装置の信号読み出し方法の実施例を第
１図に、又−画素分のデバイス構造の一例を第４図に示
す。

第１図（ａ　）を参照して、まず、２次元固体躍像装置
の構成について説明する。

２次元マトリクス状に並べられたｎｘｎ＋個の画素の一
つＣｉｊは、一つの５ＩＰＴとゲートキャパシタＣ，か
らなる。この画素ＣｉｊのＳＩＰＴのドレインは信号読
み出しラインＳＬ、に、ソースは埋め込みラインＢＬｊ
に、ゲートはゲートキせバシタＣ９を介して垂直アドレ
スラインＧＬｊに接続している。ＢＬｊとＧＬｊは平行
でＳＬｉに直交している。信号読み出しラインＳＬｉは
プリチャージトランジスタＱＰ＋を通してプツチ１ｔ−
ジ電源Ｖ、に接続され、ＱＰｉのゲートは全て共通にな
されプリチャージパルスφ。が印加される。さらにＳＬ
、はトランスファートランジスタＱ□を通して、スイッ
チトランジスタＱ　に接続されている。Ｑ□１のゲート
は全て共通になされ、トランスファーパルスφ□が印加
される。キャパシタＣＳＬｉはＳＬ、の接地に対して持
つ容量を、ＣＴＬｉはトランスフ１−ラインＴＬｉが接
地に対して持つ容量をそれぞれ表わしている。ＧＬｊは
垂直シフトレジスタ１１に導かれ垂直アドレスパルスφ
６Ｉｊが印加される。スイッチトランジスタＱ３１のゲ
ートには水平シフトレジスタ１２に導かれ、読み出しパ
ルスφ３．が印加される。埋め込みラインＢＬ　は埋め
込みライン選択トランジスタＱＢＪを通して接地されて
いるとともに、スイットランジスタＱ　を介してプリチ
ャージ電源Ｖ、に接Ｊ続されている。Ｑ　ｅｉのゲートはＧＬｊに接続され、
φＧ、が印加される。ＱＨｊのゲートにはプリチャージ
パルスφＰが印加される。

第１図（ｂ）に読み出しパルスのタイミングチャートを
示す。垂直シフトレジスタは垂直アドレスパルスφＣｓ
１、・・・、φｈを順次出力するが、第１図（ｂ）では
ちまうどφｃｔＪとそれに続（φ６．ヤ、のどころを示
している。時刻ｔ１で、トランスファーパルスφ□が入
り、トランスファートランジスタφ□が導通状態になっ
た後、時刻ｔ２でプリチャージパルスφ、によってプリ
チャージトランジスタＱ、と埋め込みラインのスイッチ
トランジスタＱＨ，が導通状態になり、８１７．Ｃ５ｔ
ｔ及びＣＴＬｌ、８Ｌｊがプリチャージ電圧■ｐによっ
てプリチャージされる。

時刻ｔ３で垂直アドレスパルスφ町が入り、この時、埋
め込みラインは接地電位となって５ｆＰＴ１０はバイア
スされる。同時に５ＩＰＴ１０はゲートキャパシタＣＧ
４を通して垂直アドレスパルスがかわり、垂直アドレス
ラインＧＬ、上の各画素Ｃ１・　・・・、Ｃｎｊは入射
光量に応じｊ　ゝて、Ｃ３Ｌ１嶌””　ｓ　Ｃ３Ｌ＋　とＣ７Ｌ１％°”
　Ｎ　ＣＴＬｉをＭ電する。時刻ｔ４でφ１と同時にφ
（ｋｊが切れ、Ｃ１ｊ１・・・、Ｃｎｊの光情報はそれ
ぞれに対応するＣＴＬｌ、・・・、ＣＴＬｉに記憶され
る。φ□が切れた後、水平シフトレジスタは読み出しパ
ルスφ３７、・・・、φｓｈを発生させ、スイッチトラ
ンジスタＱＳ１、・・・、Ｑ　Ｓｎを順次導通させて、
負荷抵抗Ｒ，を通してビデオ電圧■７がＣ１を充電させ
、Ｃ，Ｊ、・・・、Ｃｎ３の出力が順次■。、Ａｔの電
位変化として出力される。こうして時刻ｔ８までにＣｔ
Ｊ　ｓ・・・、Ｃｎｊの水平１列の光情報が出力し終る
と、次にＣ１Ｊや１　、・・・、ＣｈＪ−Ｈの光情報を
読み出すべく同様の手順が繰り返される。

第１図＜ａ　）にｉｌｌ’では、Ｑ、、ＱＴ、ＱＳ、Ｑ
、１、Ｑｌ、ｌとして全てＭＯＳトランジスタとして表
示しであるが、これらはいずれも全てＭＯＳトランジス
タである必要はなく、ＳＩＴ、バイポーラトランジスタ
、Ｊ　ＦＥＴなどであってもよい。

第４図（ａ　’）、（ｂ　）、（０＞、（（１’）は一
画素部分のデバイス構造の一例を示す。第４図（ｅ）、
（ｆ）は２×２のマトリックスを例に５ｆＰＴの正立、
倒立両動作によって２通りのマトリックスの構成方法が
あることを説明するための回路図である。

第４因（ａ）、（ｂ）は、それぞれ一画素部分のデバイ
スに倒立型５ＩＰＴを利用する場合の表面構造を、（ａ
　）のＡ−Ａ’で示される線での断面構造を模式的に示
しである。ここに示したデバイス構造例では、ｐ型３ｉ
基板４１８上につくられた倒立型ｎチャンネル５ＩＰＴ
と、ポリシリコンなどの透明電極４１１とＳｉＯ２など
の透明絶縁膜４１２が５ＩＰＴのｐ　ゲート４１６によ
って構成されるＭＯＳキャパシタによって一画素が構成
されている。

第４図（ｂ）におイテ、ｎ”ａｌ＃１４ｉ４はＳ■下の
ドレイン領域、ｎ”ｌ域４１５は５ＩＰＴのソース領域
、ｎ−領域４１７は５ＩＰＴのチャンネル領域、領域４
１３は分離領域で各画素を分離している。図では示され
ていないが、第４図（ａ）にＪ３いて縦に隣り合う画素
も同様に分離されている。ドレイン領域４１４はポリシ
リコンなどの０２性透明電極４１９によって電極がとら
れている。埋め込まれたソース領域４１５は表面から電
極４４がとられている。ゲートキャパシタの電極４１１
は同一の物質で構成される垂直アドレスライン４５に接
続され、４５の上には高い導電性の物質４６（例えばへ
２−８ｉ等）によって抵抗を減少させである。

第４図（ａ　）の中には画素ＣＩに相当する部分が一点
鎖線で示しである。４５は垂直アドレスラインＧＬ、４
４は埋め込みラインＢＬｊ、４９は信号読み出しライン
ＳＬｉである。ＢＬＪ４４とＧＬｊ４５は平行に、そし
てＳＬ。

４９には直交している。交差部分は３ｉ　０ｚやＰＳＧ
などの絶縁物質によって絶縁されている。４２．４８．
４１０は４６と同様の物質でそれぞれＳＬ、−，４１、
ＧＬｊや、４７、ＳＬ、４つの抵抗を減少させるために
設けられたものである。

上）ホしたように画素の構成は、全ての配線が表面でと
られているので、読み出しのためのプリチャージトラン
ジスタ、トランスファートランジスタ、埋め込みライン
選択トランジスタ、スイッチトランジスタを同一チップ
上に製作することは容易である。

第４図（Ｃ）、（ｄ　）は一画素を構成する５ＩＰＴが
正立型の場合で、（Ｃ）はその表面構造を、（ｄ　）は
八−△′で示される線での断面構造を模式的に示しであ
る。ここに示したデバイス構造例ではｐ型Ｓｉ基板４３
８上につくられた正立型ロチヤンネル５ＩＰＴと、ポリ
シリコンなどの透明電極４３１と３ｉ０２などの透明絶
縁膜４３２が５ＩＰＴのｐ＋ゲート４３６によって構成
されるＭＯＳキャパシタによって一画素が構成されてい
る点は第４図＜ａ）、（ｂ）と同様である。この構造は
表面ｎ中領域４３４は５ＩＰＴのソース領域、埋め込み
ｎ　＋領域４３５４．ｔｓＩＰＴのドレインになる点が
第４図（ａ）、（ｂ）とは異なる。ｎ−領域４３７は５
ＩＰＴのチャンネル領域、４３３は分離領域、４２３．
４２４は埋め込み領域の電極、垂直アドレスラインＧＬ
ｊ４２５の上には高い導電性の物質（例えばＡｚ−ｓｔ
等）４２６によって抵抗を減少させである。４２３は埋
め込みライン８ｍ・、４２２は信号読み出しラインＳＬ
ｌである。４３０．４２８．４２２は４２６と同様の物
質でそれぞれＳＬｊ、−，４２９、ＧＬｊ＋、　４２７
．８ｌ−ｊ４２１の抵抗を減少させるために設けられた
ものである。

第４図（ｅ　）は第１図の実施例のマトリックス構成と
同様に表面ｎ＋領領域１４をドレイン領域、ｎ＋埋め込
み領域４１５をソース領域として形成する場合のマトリ
ックス構成を示している。第４図（ｆ）は表面ｎ＋領領
域１４をソース領域、ｎ　埋め込み領域４１５をドレイ
ン領域として形成する場合のマトリックス構成を示して
いる。この場合には埋め込みラインＢＬｉ％Ｅ３Ｌ、や
５等が信号読み出しラインとなり、ソース領域を共通に
接続したラインＳＬｊ、ＳＬＪヤ１等はソースラインと
なる。アドレスゲートラインＧＬＪ　１ＧＬｊ＋１等は
信号読み出しラインＢ　Ｌ　ｉ　ＳＢ　Ｌ　’ｌ＋１等
と直交することになる第４図（ｆ　’）の構成方法を２
次元固体躍像装置に応用した実施例を第５図に示す。こ
の２次元固体躍像装置の画素を構成する５ＩＰＴは正立
動作の５ｒＰＴを用いることができるため、第１図の実
施例に比べさらに高感度となる。これはデバイス動作１
、ソースから注入された電子のドレインへの到達率が逆
動作（（！立動作）の場合に比べ大きくすることができ
るからである。ゲート電位の変化が及ぼすソース・トレ
イン間電流への変化率（Ｇ１．、）の値も大きくとれる
。第５図の２次元固体撮ｌＩ！装置の読み出し動作は基
本的には第１図の実施例と同様である。

〔発明の効果〕

本発明の固体１Ｉｉｉ像装置の信号読み出し方法は、埋
め込みラインの接地に対して持つ容量をあらかじめ信号
読み出しラインと同時に充電すること、その後読み出す
列の埋め込みラインのみを垂直アドレスと同時に接地電
位とすることにより読み出したい列にのみバイアスする
ことによって、例えば飽和光量に近い入射光があった場
合でも、選択されない画素による信号読み出しラインの
電位への影響をおさえることができる。従って大容量の
２次元固体搬巖装置をより安定に読み出すことができる
。

第６図は本発明の効果を示すための図で、第４図（ａ）
に示した構造の画素を第１図に示したときの一画素の光
電変換特性の例を示している。一画素の寸法は、６５μ
ｍ×６５μｍである。Ｎ源ｍ［Ｖ、−Ｖ、−０，５Ｖ、
負荷抵抗ＲＬ＝１０にΩ、光積分時間Ｔ、−１１ｍ５で
波長６５５ｎｌｌ！（赤）の光を照射しており、横軸は
その入射光ｍｐｉ　　（μＷ１０ｉｌ）、縦軸は暗状態
との出力電圧ＶＣ）ＬＬｔの差△Ｖｏ鴎（ｍＶ）を示し
ている。φ。を１．６■、１．８Ｖ、２Ｖとした時の充
電変換特性である。入射光ＦＪｉＰ。

＝６．５ｘｌＯμＷ／ａｍ　　で出力電圧１ｍＶと非常
に高感度な読み出しができている。

【図面の簡単な説明】

Claims

【特許請求の範囲】

（１）静電誘導ホトトランジスタとゲートキャパシタか
ら構成された画素Ｃ＿ｉ＿ｊをｎ×ｍのマトリックスに
構成し、垂直アドレスゲートラインＧＬ＿ｊ（ｊ＝１〜
ｍ）は前記画素Ｃ＿ｉ＿ｊ（ｉ＝１〜ｎ）を構成する前
記静電誘導ホトトランジスタのゲートに前記ゲートキャ
パシタを介して共通に接続され、信号読み出しラインＳ
Ｌ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は前記画素Ｃ＿ｉ＿ｊ（ｊ＝１〜
ｍ）を構成する前記静電誘導ホトトランジスタのドレイ
ンに共通に接続され、さらに前記信号読み出しラインＳ
Ｌ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は接地電位との間に所定のキャパ
シタＣ＿Ｓ＿Ｌを持ち、かつ前記信号読み出しラインＳ
Ｌ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）はプリチャージトランジスタＱ＿
Ｐ＿ｉを介して所定のプリチャージ電源Ｖ＿Ｐ端子に共
通に接続されており、さらに前記各信号読み出しライン
ＳＬ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は二つの直列に接続されたトラ
ンスファトランジスタＱ＿Ｔ＿ｉ及びスイッチトランジ
スタＱ＿Ｓ＿ｉを介してビデオ出力ラインに共通に接続
され、前記ビデオ出力ラインには負荷抵抗Ｒ＿Ｌを介し
てビデオ電源Ｖ＿Ｖが直列に接地電位と接続され、さら
に前記トランスファトランジスタＱ＿Ｔ＿ｉのドレイン
端子は接地電位との間に所定のキャパシタＣ＿Ｔ＿Ｌ＿
ｉを持ち、さらに埋め込みラインＢＬ＿ｊ（ｊ＝１〜ｍ
）は前記各画素Ｃ＿ｉ＿ｊ（ｉ＝１〜ｎ）を構成する前
記静電誘導ホトトランジスタのソースに共通に接続され
、前記埋め込みラインＢＬ＿ｊ（ｊ＝１〜ｍ）には二つ
のスイッチトランジスタＱ＿Ｂ＿ｊ及びＱ＿Ｈ＿ｊが接
続され、さらに前記スイッチトランジスタＱ＿Ｂ＿ｊは
接地され、かつ前記スイッチトランジスタＱ＿Ｂ＿ｊの
ゲートは前記垂直アドレスラインＧＬ＿ｊに接続され、
さらに前記スイッチトランジスタＱ＿Ｈ＿ｊのドレイン
には前記プリチャージ電源Ｖ＿Ｐ端子に接続されており
、かつ前記スイッチトランジスタＱ＿Ｈ＿ｊのゲートは
前記プリチヤージトランジスタＱ＿Ｐ＿ｉの駆動パルス
φ＿Ｐに共通に接続された２次元固体撮像装置において
、前記スイッチトランジスタＱ＿Ｔ＿ｉ（ｉ＝１〜ｎ）
が導通状態のときに前記プリチャージトランジスタＱ＿
Ｐ＿ｉによつて前記信号読み出しラインＳＬ＿ｉ及び前
記キャパシタＣ＿Ｔ＿Ｌ＿ｉを前記スイッチトランジス
タＱ＿Ｈ＿ｊ（ｊ＝１、・・・、ｍ）によって前記埋め
込みラインＢＬ＿ｊと同時に同電位にプリチャージした
後に前記垂直アドレスラインの一つＧＬ＿ｊ（ｊ＝ P〜ｍ）に垂直アドレスパルスを入力して前記スイッチ
トランジスタＱ＿Ｂ＿ｊによつて前記埋め込みラインＢ
Ｌ＿ｊの電位を接地電位にすると同時に前記垂直アドレ
スパルスによつて画素Ｃ＿ｉ＿ｊが選択され、前記画素
Ｃ＿ｉ＿ｊの光情報に応じて前記信号読み出しラインＳ
Ｌ＿ｉと共に前記キャパシタＣ＿Ｓ＿Ｌ＿ｉ、Ｃ＿Ｔ＿
Ｌ＿ｉを放電し前記トランスファトランジスタＱ＿Ｔ＿
ｉを遮断状態にした後、前記スイッチトランジスタＱ＿
Ｓ＿ｉを順次導通させて前記キャパシタＣ＿Ｔ＿Ｌ＿ｉ
を前記ビデオ電源Ｖ＿Ｖにより充電することによる前記
負荷抵抗Ｒ＿Ｌの電圧効果によつて出力端子に現れる電
位変化を一列の前記画素Ｃ＿ｉ＿ｊ（ｉ＝１〜ｎ）の光
情報として読み出すことを特徴とする固体撮像装置の信
号読み出し方法。
（２）前記特許請求の範囲第１項記載の各画素を構成す
る静電誘導ホトトランジスタが、正立型であることを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置
の信号読み出し方法。
（３）前記特許請求の範囲第１項記載の各画素を構成す
る静電誘導ホトトランジスタが、倒立型であることを特
徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置
の信号読み出し方法。