JPS63213960A - カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサInfo
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- JPS63213960A JPS63213960A JP62048267A JP4826787A JPS63213960A JP S63213960 A JPS63213960 A JP S63213960A JP 62048267 A JP62048267 A JP 62048267A JP 4826787 A JP4826787 A JP 4826787A JP S63213960 A JPS63213960 A JP S63213960A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14667—Colour imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラーイメージセンサ′に閏するものである。
一次元密着イメージセンザは、原稿と同一・す°イズの
センーリ゛長を持つので縮少光学系を必要とせず、ファ
クシミリやイメーシスートヤづの小型化、低価格化に大
きく寄与する。このため、近年その開発が活発化してお
り、第１６凹円体：１／ファレンス論文集（１０８４）
ｒ）、５５５に示すように、光電変換素子と、これを駆
動する走査回路とを同一の石英基板上に集積化した密４
′１イメージセ／すが開発・実用化されている。
センーリ゛長を持つので縮少光学系を必要とせず、ファ
クシミリやイメーシスートヤづの小型化、低価格化に大
きく寄与する。このため、近年その開発が活発化してお
り、第１６凹円体：１／ファレンス論文集（１０８４）
ｒ）、５５５に示すように、光電変換素子と、これを駆
動する走査回路とを同一の石英基板上に集積化した密４
′１イメージセ／すが開発・実用化されている。
従来、固体撮像素子をカラー化する際には、カラーフィ
ルタに透明ゼラチンを染１−１で染色したらのを使うこ
とが多かった６透明ピラチ／はパタニングが容易で、し
かも染ｔ−１溶液中に浸すだけで染色でき、［程が簡！
１１−であるきいう利点を［ｌｊつ。
ルタに透明ゼラチンを染１−１で染色したらのを使うこ
とが多かった６透明ピラチ／はパタニングが容易で、し
かも染ｔ−１溶液中に浸すだけで染色でき、［程が簡！
１１−であるきいう利点を［ｌｊつ。
しかし、染「［を用いたカラーフィルタはｒＩＩｆＡｖ
ｌ。
ｌ。
がないため、カラーフィルタ形成後の工程で高熱（１５
０°Ｃ以上）がかからないようにする必要がある、即ち
、素子の保護膜によく用いられるポリイミドはキュア温
度が２００°Ｃ以上必要なので、染ｆ′１１カラーフィ
ルタの」二部保護膜には使えない。また、染ｒ［は耐熱
性と同様に耐候性も弱く、長時間１」光にさらずと退色
するものが多かった。
０°Ｃ以上）がかからないようにする必要がある、即ち
、素子の保護膜によく用いられるポリイミドはキュア温
度が２００°Ｃ以上必要なので、染ｆ′１１カラーフィ
ルタの」二部保護膜には使えない。また、染ｒ［は耐熱
性と同様に耐候性も弱く、長時間１」光にさらずと退色
するものが多かった。
本発明は以−にの問題点を解決するもので、その［１的
は耐熱性、耐候性に優れたカラーフィルタを作成し、従
来の染料カラーフィルタでは実現できなかったセッサ構
造を採用するこきによって、高性能、低コストのカラー
イメージセンザを提供することにある。
は耐熱性、耐候性に優れたカラーフィルタを作成し、従
来の染料カラーフィルタでは実現できなかったセッサ構
造を採用するこきによって、高性能、低コストのカラー
イメージセンザを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のカラーイメジセ／りは、光重変換Ｈ：子と、そ
れを駆動する走査回路とを絶縁ノ、１、仮りに集積した
カラーイメージ廿フリーにおいて、＋’＋ｉｉ記光市変
換素子の上部にカラーフィルタを形成（７、前記光電変
換素子と前記カラーフィルタの間よｊｌ：は前記カラー
フィルタの上部に透明傑護膜を形成ｊ７、ｎｉｉ記カラ
ーフィルタの主成分にｌ＋Ｉ ｎを用いたことを特徴と
する。
れを駆動する走査回路とを絶縁ノ、１、仮りに集積した
カラーイメージ廿フリーにおいて、＋’＋ｉｉ記光市変
換素子の上部にカラーフィルタを形成（７、前記光電変
換素子と前記カラーフィルタの間よｊｌ：は前記カラー
フィルタの上部に透明傑護膜を形成ｊ７、ｎｉｉ記カラ
ーフィルタの主成分にｌ＋Ｉ ｎを用いたことを特徴と
する。
〔実施例１〕
第１図に本発明のカラーイメージセン−りの実施例を示
す。■が絶縁基板、２が層間絶縁膜、３が下部電極、４
が光電変換索子、５が透明導電膜、６が駆動回路を（１
が成する薄膜トランジスタ（Ｔ。
す。■が絶縁基板、２が層間絶縁膜、３が下部電極、４
が光電変換索子、５が透明導電膜、６が駆動回路を（１
が成する薄膜トランジスタ（Ｔ。
ＩＦ、Ｔ）であり、ここではｆ５ｆ ！Ｆ−のため代表
して１個だけＴ、Ｆ、Ｔ１を描いである。
して１個だけＴ、Ｆ、Ｔ１を描いである。
第３図で実施例を工程を追いながら説明する。
第３．４図ではＴ、Ｆ、Ｔ、部分は直−や本発明に関わ
りがないため、省略しである。まず、絶縁基板１である
石英基板上にＴｌＦＸＴ、を形成後、層間絶縁膜２とな
るＳ ：Ｏｔ ’１１２をＣＶＤ法で約０．８μｍ成膜
する。この上に下部電極３のＡｌ−３ｉ−Ｃｕ合金を約
０．７１ｚｍスパッタし、パタニングする（第３図−（
ａ））。このＬに、光電変換、÷；子４となる非晶質シ
リ；１ンをプラズマＣｖ１〕１ノ、て約Ｉ ＩＩ ｍ形
成し、続けて、透明導電１１２５となる＋Ｔｏｃを０．
２Ｉｚｍスパックする（第３図−（ｂ））。次にＩＴＯ
と非晶質シリ＝ｌ／をこの順序でパタニングする（第３
図−（Ｃ））。ここまでで光電変換素子部が完成し、こ
れ以降はカラーフィルタの形成となる。
りがないため、省略しである。まず、絶縁基板１である
石英基板上にＴｌＦＸＴ、を形成後、層間絶縁膜２とな
るＳ ：Ｏｔ ’１１２をＣＶＤ法で約０．８μｍ成膜
する。この上に下部電極３のＡｌ−３ｉ−Ｃｕ合金を約
０．７１ｚｍスパッタし、パタニングする（第３図−（
ａ））。このＬに、光電変換、÷；子４となる非晶質シ
リ；１ンをプラズマＣｖ１〕１ノ、て約Ｉ ＩＩ ｍ形
成し、続けて、透明導電１１２５となる＋Ｔｏｃを０．
２Ｉｚｍスパックする（第３図−（ｂ））。次にＩＴＯ
と非晶質シリ＝ｌ／をこの順序でパタニングする（第３
図−（Ｃ））。ここまでで光電変換素子部が完成し、こ
れ以降はカラーフィルタの形成となる。
カラーフィルタの形成にはＴＴ ａ Ｑｎ １４の電着
形成法を用いる。電谷形成法とは、絶縁基板」ユにパタ
ニングされた透明導電膜にプラス、対極にマイナスの電
圧を印加し、赤・緑・前古電着液中で電気泳動法により
各色のカラーフィルタを透明導電膜」−に形成する方法
を言う。第３図−（ｃ）で形成したＩＴＯを電着時のプ
ラス電極として電着を行なえば、光電変換素子上に直接
カラーフィルタを形成できる。ただし、第３図−（Ｃ）
の状部でＩＴＯに通電するとＩＴＯ全面カラーフィルタ
が（・１゛着してしまうので、＋１’Ｏバッド部等の、
カラーフィルタが付着してはいけない部分をレジストで
おおう（第３図−（ｄ））。この状態で、イ１゛機顔ｆ
’）溶液（ミントーチミトロン！！Ａ）に浸して電着を
行う。電４１トされるカラーフィルタの瞑１′７は、電
ｉ′を時間を調整することにより〔１山に制御できるが
カラーフィルタの分光特性を出すため、膜厚は１゜５μ
ｍとする。この状態で電８液から引き−１−げ、９０°
Ｃで３０分間Ｎ、ガス中で仮硬化させてレジストをはく
すする（第３図−（Ｃ））。１（１１Ｇ・Ｔ３の３色で
色分解をする場合は、第３図−（ｃｌ）から第３図−（
ｅ）まての工Ｆ’１．を３回繰り返すことになる。この
ようにして（′１成したカラーフィルタを２００°Ｃで
１時間Ｎ、ガス中で本硬化させる。
形成法を用いる。電谷形成法とは、絶縁基板」ユにパタ
ニングされた透明導電膜にプラス、対極にマイナスの電
圧を印加し、赤・緑・前古電着液中で電気泳動法により
各色のカラーフィルタを透明導電膜」−に形成する方法
を言う。第３図−（ｃ）で形成したＩＴＯを電着時のプ
ラス電極として電着を行なえば、光電変換素子上に直接
カラーフィルタを形成できる。ただし、第３図−（Ｃ）
の状部でＩＴＯに通電するとＩＴＯ全面カラーフィルタ
が（・１゛着してしまうので、＋１’Ｏバッド部等の、
カラーフィルタが付着してはいけない部分をレジストで
おおう（第３図−（ｄ））。この状態で、イ１゛機顔ｆ
’）溶液（ミントーチミトロン！！Ａ）に浸して電着を
行う。電４１トされるカラーフィルタの瞑１′７は、電
ｉ′を時間を調整することにより〔１山に制御できるが
カラーフィルタの分光特性を出すため、膜厚は１゜５μ
ｍとする。この状態で電８液から引き−１−げ、９０°
Ｃで３０分間Ｎ、ガス中で仮硬化させてレジストをはく
すする（第３図−（Ｃ））。１（１１Ｇ・Ｔ３の３色で
色分解をする場合は、第３図−（ｃｌ）から第３図−（
ｅ）まての工Ｆ’１．を３回繰り返すことになる。この
ようにして（′１成したカラーフィルタを２００°Ｃで
１時間Ｎ、ガス中で本硬化させる。
以」二の工程からもわかるように、カラーフィルタ作Ｉ
戊のためのパタニングは電管用Ｉ ＴＯＪ−のレジスト
形成の１工程だけでよい。透明ゼラチ／をパタニングし
、染料で染色するタイプのカラーフィルタでは、３Ｉｌ
！！、で色分解する場合は３回はバタ二／グ工程か必要
であることと比較すると、電ｆ？カラーフィルタは大幅
に工程の［バ１略化が不１１１であることがわかる。
戊のためのパタニングは電管用Ｉ ＴＯＪ−のレジスト
形成の１工程だけでよい。透明ゼラチ／をパタニングし
、染料で染色するタイプのカラーフィルタでは、３Ｉｌ
！！、で色分解する場合は３回はバタ二／グ工程か必要
であることと比較すると、電ｆ？カラーフィルタは大幅
に工程の［バ１略化が不１１１であることがわかる。
こうして作成したカラーフィルタは、顔４″［のバイン
ダーに熱硬化性樹脂を用いていることから耐熱ｔ′１．
・耐候ｔ１１．に侵れ、２００°Ｃ１・１時間の加熱、
−り゛／７ヤイン争ウェザオメーク（ＵＶノノソトなし
）２００時間照Ｑ４の山梨（ｊｌＦでも色調、外観）（
に変化しない。このため従来の染料ツノシーフィルタで
は用いるこ吉のできなかった１′す・（ミド等の透明保
護膜をカラーフィルタの上部１′４′、護膜として採用
することができる。そこでｉ３１λｌ−（ｃ）の状態で
硬化さ佳たカラーフィルタの−１−にセンサのｉｔｊす
性を向」ニさせるため、Ｓ ｉ Ｏ＊臆を０．２〜０．
６μｍスバフクする。この５ｉＯＵだけで透明（’Ａ護
膜己してもよいが、これで不十分なＪ↓）合はこの」二
に更に透明ポリイミド（デュポン製！）■−２５６６等
）を約１μｍを舟布し、２００°Ｃ１時間で牟ニアをす
れば完全である（第３図−（ｆ））。
ダーに熱硬化性樹脂を用いていることから耐熱ｔ′１．
・耐候ｔ１１．に侵れ、２００°Ｃ１・１時間の加熱、
−り゛／７ヤイン争ウェザオメーク（ＵＶノノソトなし
）２００時間照Ｑ４の山梨（ｊｌＦでも色調、外観）（
に変化しない。このため従来の染料ツノシーフィルタで
は用いるこ吉のできなかった１′す・（ミド等の透明保
護膜をカラーフィルタの上部１′４′、護膜として採用
することができる。そこでｉ３１λｌ−（ｃ）の状態で
硬化さ佳たカラーフィルタの−１−にセンサのｉｔｊす
性を向」ニさせるため、Ｓ ｉ Ｏ＊臆を０．２〜０．
６μｍスバフクする。この５ｉＯＵだけで透明（’Ａ護
膜己してもよいが、これで不十分なＪ↓）合はこの」二
に更に透明ポリイミド（デュポン製！）■−２５６６等
）を約１μｍを舟布し、２００°Ｃ１時間で牟ニアをす
れば完全である（第３図−（ｆ））。
〔実施例２〕
第２図に、本発明のカラーイメージヒノ′すの実施例を
示すつ第２図の１〜８よでは第１図上回じである。、９
は電着用＋Ｇ 極であろう第４図で本実施例を工（）１
を追いなから説明する。工程の初めの段階は第３図−（
１）〜第３図−（Ｃ）を全く同ｔ、１なので省略する。
示すつ第２図の１〜８よでは第１図上回じである。、９
は電着用＋Ｇ 極であろう第４図で本実施例を工（）１
を追いなから説明する。工程の初めの段階は第３図−（
１）〜第３図−（Ｃ）を全く同ｔ、１なので省略する。
〔実施例１〕では、ｍ３ｃ＜Ｉ−（ｃ）の段階でカラー
フィルタを作成する］二程に入ったが、本実施例では、
第３図−（ｃ）の状態の上部に透明保護膜を形成する。
フィルタを作成する］二程に入ったが、本実施例では、
第３図−（ｃ）の状態の上部に透明保護膜を形成する。
透明保護膜にはセンサの耐湿性を向−１−させるため、
３ ｉ ０ ！膜ヲ０ 、 ２〜Ｏ、Ｇ ／１Ｉ１１７
． ／＜ ノ９したものを用いる。この５ｉＯｚＵたけ
て不十分な場合には、この上に更に透明ポリ・（ミド（
デュポン製ＰＴ−２５Ｅ３Ｇ等）を１ ｔｔ ｒｎ 塗
布し、２００゛Ｃでｌ １１，１′間小ニアをする（第
４図−（ａ））。この−Ｌにカラーフィルタ電４Ｔ川電
（阪工９となるＩＴＯを約５００ｔスパツクし、パタニ
ングする（第４図−（ｂ）’） 。こ０） ヨ’） ’
、ｉ （７１ｒＩ造ニする利点は、〔実施例１〕の場合
と異なり、透明型ｖ、５のバッドレイアウト笠の制御膜
を受りずに、カラーフィルタのバタ／を［１山に設旧て
きる点である。また、素子面を保護膜でおおってから雷
管液にｉ、２ずので、電イｌ液中の不純物の影ツマも受
けずにすむ、という利点もある。第４図−（１））の状
部て電着液に浸し、〔実施例１〕で述べた方？ｈと同様
の方法によってカラーフィルタを形成する（第・・１図
−（Ｃ））。必要ならばこの−１，に史に５ｉＯ１やｉ
６明ポリイミドを形成して７７７ 掲Ｊ、 ｆ’ｌの向
−１−をはかることもできる。
３ ｉ ０ ！膜ヲ０ 、 ２〜Ｏ、Ｇ ／１Ｉ１１７
． ／＜ ノ９したものを用いる。この５ｉＯｚＵたけ
て不十分な場合には、この上に更に透明ポリ・（ミド（
デュポン製ＰＴ−２５Ｅ３Ｇ等）を１ ｔｔ ｒｎ 塗
布し、２００゛Ｃでｌ １１，１′間小ニアをする（第
４図−（ａ））。この−Ｌにカラーフィルタ電４Ｔ川電
（阪工９となるＩＴＯを約５００ｔスパツクし、パタニ
ングする（第４図−（ｂ）’） 。こ０） ヨ’） ’
、ｉ （７１ｒＩ造ニする利点は、〔実施例１〕の場合
と異なり、透明型ｖ、５のバッドレイアウト笠の制御膜
を受りずに、カラーフィルタのバタ／を［１山に設旧て
きる点である。また、素子面を保護膜でおおってから雷
管液にｉ、２ずので、電イｌ液中の不純物の影ツマも受
けずにすむ、という利点もある。第４図−（１））の状
部て電着液に浸し、〔実施例１〕で述べた方？ｈと同様
の方法によってカラーフィルタを形成する（第・・１図
−（Ｃ））。必要ならばこの−１，に史に５ｉＯ１やｉ
６明ポリイミドを形成して７７７ 掲Ｊ、 ｆ’ｌの向
−１−をはかることもできる。
このようにして作成した本発明のカラーイメージセンサ
は、従来の染料カラーフィルタを用いたカラーイメージ
センサと比較すると。
は、従来の染料カラーフィルタを用いたカラーイメージ
センサと比較すると。
ｊ） 工Ｒ４が簡略化される。
Ｉｉ）耐熱性、耐候性、耐湿性が署しく向」二するつ
という大きな利点を持ち、カラーイメージセンサのコス
ト低減、性能向上に多大の効宋をｆＩ゛する。
ト低減、性能向上に多大の効宋をｆＩ゛する。
第１図は本発明のカラーイメージレノリ゛〔実馳例１〕
の断面図。 第２図は本発明のカラーイメージセノリ″〔実施例２〕
の断面図。 第３図（ａ）〜（「）は本発明のカラーイメージセンサ
〔実施例１〕の工程図。 第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のカラーイメージセンサ
〔実施例２〕の工程図。 １・・・絶縁基板 ２・・・層間絶縁膜 ３・・・下部電極 ４・・・光電変換素子 ５・・・透明導電膜 ６・・・薄膜トランジスタ（Ｔ、ＩＦ、Ｔ、）７・・・
透明保護膜 ８・・・カラーフィルタ ９・・・電４？用電極 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 １跪攪−６話 第１図 第２囚 第３図 第３図 第４図
の断面図。 第２図は本発明のカラーイメージセノリ″〔実施例２〕
の断面図。 第３図（ａ）〜（「）は本発明のカラーイメージセンサ
〔実施例１〕の工程図。 第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のカラーイメージセンサ
〔実施例２〕の工程図。 １・・・絶縁基板 ２・・・層間絶縁膜 ３・・・下部電極 ４・・・光電変換素子 ５・・・透明導電膜 ６・・・薄膜トランジスタ（Ｔ、ＩＦ、Ｔ、）７・・・
透明保護膜 ８・・・カラーフィルタ ９・・・電４？用電極 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 １跪攪−６話 第１図 第２囚 第３図 第３図 第４図
Claims (5)
- （１）光電変換素子と、それを駆動する走査回路とを絶
縁基板上に集積化したカラーイメージセンサにおいて、
前記光電変換素子の上部にカラーフィルタを形成したこ
とを特徴とするカラーイメージセンサ。 - （２）前記光電変換素子と前記カラーフィルタが透明導
電膜をはさんで接していることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のカラーイメージセンサ。 - （３）前記光電変換素子と前記カラーフィルタの間に透
明保護膜が存在することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のカラーイメージセンサ。 - （４）前記光電変換素子と前記カラーフィルタの上部に
透明保護膜が存在することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のカラーイメージセンサ。 - （５）前記カラーフィルタに顔料を主成分とするカラー
フィルタを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のカラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048267A JPS63213960A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048267A JPS63213960A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213960A true JPS63213960A (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=12798661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048267A Pending JPS63213960A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168689B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-05-01 | Industrial Technology Research Institute | High optical contrast pigment and colorful photosensitive composition employing the same and fabrication method thereof |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62048267A patent/JPS63213960A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168689B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-05-01 | Industrial Technology Research Institute | High optical contrast pigment and colorful photosensitive composition employing the same and fabrication method thereof |
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