JPS63206364A - SiCセラミツクスの嵌合方法 - Google Patents
SiCセラミツクスの嵌合方法Info
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- JPS63206364A JPS63206364A JP3804187A JP3804187A JPS63206364A JP S63206364 A JPS63206364 A JP S63206364A JP 3804187 A JP3804187 A JP 3804187A JP 3804187 A JP3804187 A JP 3804187A JP S63206364 A JPS63206364 A JP S63206364A
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- ceramics
- sic
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- sic ceramics
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(発明の技術分野)
本発明は、セラミックスの嵌合方法に関するもので、特
に高温構造用SiCセラミックス同士の嵌合方法に関す
るものである。
に高温構造用SiCセラミックス同士の嵌合方法に関す
るものである。
(従来の技術)
炭化珪素(S i C) 、窒化珪素(Si2N3)。
窒化アルミニウム(AlN>、サイアロン、ジルコニア
(Zr02>、アルミナ(Al2O2>等で代表される
高温構造用ファインセラミックスについては、高温強度
特性、高温疲労特性等の要求される性能が極めて高度な
ものであるため、大型のものを作ることが非常に難しく
、小型のものを作って、それを嵌合して用いている。
(Zr02>、アルミナ(Al2O2>等で代表される
高温構造用ファインセラミックスについては、高温強度
特性、高温疲労特性等の要求される性能が極めて高度な
ものであるため、大型のものを作ることが非常に難しく
、小型のものを作って、それを嵌合して用いている。
高温構造用ファインセラミックスの嵌合に当って、要求
される性能としては、嵌合部の耐熱性。
される性能としては、嵌合部の耐熱性。
高温疲労特性等が優れていることが挙げられる。
(発明が解決しようとする問題点)
セラミックス同士の嵌合方法としては例えば。
第2図に示した様に、セラミックス3,4を直接嵌合し
たものが考えられている。この場合1両者共セラミック
スであるので耐熱性に関しては問題となることはないが
、セラミックスとしてSiCセラミックスを用いた場合
、圧力が加わると低温でもSICセラミックス同士が融
着することがある。
たものが考えられている。この場合1両者共セラミック
スであるので耐熱性に関しては問題となることはないが
、セラミックスとしてSiCセラミックスを用いた場合
、圧力が加わると低温でもSICセラミックス同士が融
着することがある。
本発明は、上述の様な従来のSiCセラミックスの嵌合
方法の問題点を解消するために提案されたもので、その
目的は、耐熱性に極めて優れ、かつ、SiCセラミック
ス同士が融着しないSiCセラミックスの嵌合方法を提
供することにある。
方法の問題点を解消するために提案されたもので、その
目的は、耐熱性に極めて優れ、かつ、SiCセラミック
ス同士が融着しないSiCセラミックスの嵌合方法を提
供することにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段とその作用)本発明のS
iCセラミックスの嵌合方法は、少なくとも一方のSi
CセラミックスをAlNを焼結助剤として用いたSiC
セラミックスにすることにより、高温で圧力が加わって
もSiCセラミックス同士が融着することがないSiC
セラミックスの嵌合方法を提供することができる。
iCセラミックスの嵌合方法は、少なくとも一方のSi
CセラミックスをAlNを焼結助剤として用いたSiC
セラミックスにすることにより、高温で圧力が加わって
もSiCセラミックス同士が融着することがないSiC
セラミックスの嵌合方法を提供することができる。
(実施例)
以下、゛本発明の一実施例を第1図及び第1表に基づい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
*構成*
本実施例においては、第1図に示すように3iCセラミ
ックス1,2を嵌合する際に、その少なくとも一方のS
iCセラミックスがAlNを焼結助剤として用いたSi
Cセラミックス1である。
ックス1,2を嵌合する際に、その少なくとも一方のS
iCセラミックスがAlNを焼結助剤として用いたSi
Cセラミックス1である。
*作用*
この様に構成された本実施例の融着試験結果を第1表に
示す。
示す。
第1表
◎:融着しない
O:外力を加えるととれる
試験は1200〜1400℃の温度で0〜4kg7mm
2の圧力を上下方向(第1図の矢印方向)に加えて1時
間保持した後融着状況を調べた。
2の圧力を上下方向(第1図の矢印方向)に加えて1時
間保持した後融着状況を調べた。
第1表から明らかなように、圧力が加わらない場合はど
んな嵌合の組み合わせでもSiCセラミックス同士は融
着しないが、圧力が少しでも加わるとB、Cを焼結助剤
として用いたSiCセラミックスの組み合わせは融着し
、AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミックスを
嵌合の相手に用いた場合はSiCセラミックス同士は融
着しない。
んな嵌合の組み合わせでもSiCセラミックス同士は融
着しないが、圧力が少しでも加わるとB、Cを焼結助剤
として用いたSiCセラミックスの組み合わせは融着し
、AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミックスを
嵌合の相手に用いた場合はSiCセラミックス同士は融
着しない。
尚2本実施例においては少なくとも一方の3iCセラミ
ツクスがAlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クスついてに述べたが、第1表から明らかなようにAl
Nを焼結助剤として用いたSiCセラミックス同士の嵌
合も同様の結果が得られることがわかる。
ツクスがAlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クスついてに述べたが、第1表から明らかなようにAl
Nを焼結助剤として用いたSiCセラミックス同士の嵌
合も同様の結果が得られることがわかる。
*応用例*
また1本発明は高温(1200〜1400℃)で使用す
るSiCセラミックスのピンにも適用できる。例えば、
ファインセラミックスの曲げ試験を高温で行なう際゛、
金金属SUS等)製の試験治具が使用できないため、第
3図に示すような3iCセラミツクス製治具を製作しな
ければならない。
るSiCセラミックスのピンにも適用できる。例えば、
ファインセラミックスの曲げ試験を高温で行なう際゛、
金金属SUS等)製の試験治具が使用できないため、第
3図に示すような3iCセラミツクス製治具を製作しな
ければならない。
試験片5の曲げ試験を行なうために、SaCセラミック
ス製治具7,8.9を製作し、治具7,8はSiCセラ
ミックス製ピン6出つなぐ。このピン6をAlNを焼結
助剤として用いたSiCセラミックスで製作することに
より、治具7,8とピン6とが融着することなく、正確
な曲げ試験の結果が得られる。
ス製治具7,8.9を製作し、治具7,8はSiCセラ
ミックス製ピン6出つなぐ。このピン6をAlNを焼結
助剤として用いたSiCセラミックスで製作することに
より、治具7,8とピン6とが融着することなく、正確
な曲げ試験の結果が得られる。
[発明の効果]
以上述べた通り1本発明によれば、SaCセラミックス
同士の嵌合において少なくとも一方のSiCセラミック
スをAlNを焼結助剤として用いたSiCセラミックス
を用いることにより、耐熱性に極めて優れ、かつ、Si
Cセラミックス同士が融着しないSICセラミックスの
嵌合方法を提供できる。
同士の嵌合において少なくとも一方のSiCセラミック
スをAlNを焼結助剤として用いたSiCセラミックス
を用いることにより、耐熱性に極めて優れ、かつ、Si
Cセラミックス同士が融着しないSICセラミックスの
嵌合方法を提供できる。
第1図は本発明のSiCセラミックスの嵌合方法の実施
例を示す断面図、第2図は従来のセラミックスの嵌合方
法を示す断面図、第3図は本発明の詳細な説明するため
の曲げ試験状況を示す図である。 1・・・AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス 2・・・B、Cを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス 3.4・・・セラミックス 5・・・試験片 6・・・AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス製ピン 7.8.9・・・SiCセラミックス製曲げ試験治具
例を示す断面図、第2図は従来のセラミックスの嵌合方
法を示す断面図、第3図は本発明の詳細な説明するため
の曲げ試験状況を示す図である。 1・・・AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス 2・・・B、Cを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス 3.4・・・セラミックス 5・・・試験片 6・・・AlNを焼結助剤として用いたSiCセラミッ
クス製ピン 7.8.9・・・SiCセラミックス製曲げ試験治具
Claims (1)
- SiCセラミックス同士を嵌合する方法において、Al
Nを焼結助剤としたSiCセラミックスを少なくとも一
方に用いて嵌合することを特徴とするSiCセラミック
スの嵌合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3804187A JPS63206364A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | SiCセラミツクスの嵌合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3804187A JPS63206364A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | SiCセラミツクスの嵌合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63206364A true JPS63206364A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12514448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3804187A Pending JPS63206364A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | SiCセラミツクスの嵌合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63206364A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007131483A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 大型セラミックス構造体、その製造方法及びセラミックス部材 |
JP2007238366A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 中空セラミック構造体及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP3804187A patent/JPS63206364A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007131483A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 大型セラミックス構造体、その製造方法及びセラミックス部材 |
JP2007238366A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 中空セラミック構造体及びその製造方法 |
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