JPH10134938A

JPH10134938A - 接触加熱用ヒータ

Info

Publication number: JPH10134938A
Application number: JP28554696A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kurisu; 博史栗栖; Tatsuya Tokunaga; 辰也徳永; Hiroaki Sonoda; 博昭園田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-10-28
Filing date: 1996-10-28
Publication date: 1998-05-22
Anticipated expiration: 2016-10-28
Also published as: JP3512575B2

Abstract

(57)【要約】【課題】被加熱物と接触し加熱するようにしたヒータに
おいて、熱伝達性に優れ、昇温時間を速くできるととも
に、先端面の摩耗を防止できるとともに、発熱体の熱が
ホルダ側に逃げることを防止し、加熱効率を向上する。【解決手段】被加熱物と接触し発熱体の熱を伝えるため
のセラミックス製のヘッド１と、該ヘッド１を他部材に
結合するホルダ３とから構成し、上記ホルダ３よりもヘ
ッド１の熱伝導率を高くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ベアチップ
を基板上にダイレクトボンドする際に用いるボンディン
グ用ヒータヘッド等、被加熱物に接触して加熱するヒー
タに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ベアチップを基板上にダイレクト
ボンドする方法として、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹
脂系の接着材を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチ
チップモジュールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓ
ｎ、Ｐｂ−Ｓｎ等の低融点ロウを使用したフリップチッ
プ接続法等が行われている。

【０００３】例えば、フリップチップ接続法は、図６に
示すように、多層パッケージの基板２０上に半導体チッ
プ２１を載置して、その上面からボンディング用ヒータ
１０のヘッド１１で加熱しながら押圧することによっ
て、接合を行っている。この時、両者に備えた半田バン
プ２２によって、接合するとともにワイヤリングを行う
ことができる。

【０００４】このようなボンディング用ヒータ１０に求
められる特性としては、まず使用する接着材を軟化もし
くは溶融するための熱を半導体チップ２１を介して接着
材まで効率良く伝える必要がある。

【０００５】また、生産効率の点から、所要温度までの
昇温時間が短く、しかもボンディング終了後の接着材が
固化するまでの温度降下時間が短いことも重要である。

【０００６】さらに、半導体チップ２１を接合する際に
は、熱と同時に圧力も加えるため、ボンディング用ヒー
タ１０のヘッド１１には機械的強度や耐摩耗性、あるい
は靱性が要求される。

【０００７】このような点から、ボンディング用ヒータ
１０としては、チタンやモリブデン等の耐熱金属材を用
い、この金属材でヘッド１１を構成するとともに、それ
自体にパルス性大電流を流して発熱させるようにしたも
のがあった（金属式ヘッド）。

【０００８】また、近年は、熱伝導性の高い窒化アルミ
ニウム質セラミックスを用いたものも用いられている。
これは、図７に示すボンディング用ヒータ１０を窒化ア
ルミニウム質セラミックスからなる直方体で形成し、そ
の一方端面を半導体チップ２１と接触するヘッド１１と
し、他方側を他部材と結合するホルダ１３とし、側面に
Ａｇ−Ｐｄ、Ｐｔ−Ｐｄ等の発熱体（不図示）を厚膜印
刷の手法で印刷し焼き付けた後、カバーガラスペースト
等で覆ったものである（厚膜式セラミックヘッド）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の金属
式ヘッドでは、ヘッド１１自体が自己発熱することと、
半導体チップ２１との当接により、ヘッド１１の先端面
が変形したり摩耗しやすくなり、その結果半導体チップ
２１への熱伝導性が悪くなって充分なボンディングが行
えなくなるという問題があった。そのため、ヘッド１１
の交換や補修を頻繁に行う必要がある等の不都合があっ
た。

【００１０】また、厚膜式セラミックヘッドの場合、熱
伝導性の良い窒化アルミニウム質セラミックスを用いて
いるため、発熱体の熱がホルダ１３側に逃げやすく、ヘ
ッド１１側の加熱効率が悪いと言う問題があった。さら
に、厚膜式であるため発熱体とセラミックスとの密着性
が悪く、しかも熱膨張差があることから、昇温、降温の
熱サイクルを繰り返すうちに発熱体がセラミックスから
剥がれたり、頻繁に断線を生じる等の不都合があった。
また、ヘッド１１を成す窒化アルミニウム質セラミック
スは靱性が低いために欠けやすいという問題もあった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、被加熱
物と接触し発熱体の熱を伝えるためのヘッドと、該ヘッ
ドを他部材に結合するホルダとから構成され、上記ホル
ダよりもヘッドの熱伝導率を高くして接触加熱用ヒータ
を構成したことを特徴とする。

【００１２】また、上記ヘッドを成すセラミックスは、
熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、ビッカース硬度１０Ｇ
Ｐａ以上であることを特徴とする。

【００１３】さらに、上記ホルダを成すセラミックス
は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることを特徴と
する。

【００１４】

【作用】本発明によれば、被加熱物と接触するヘッドを
ホルダよりも高熱伝導のセラミックスで形成したため、
熱伝達性に優れた昇温時間を速くできるとともに、先端
面の摩耗を防止できる。また、ホルダをヘッドよりも低
熱伝導のセラミックスで形成したことによって、発熱体
の熱がホルダ側に逃げることを防止し、加熱効率を向上
できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態をボンディ
ング用ヒータを例にとって図により説明する。

【００１６】図１、２に示すボンディング用ヒータ１０
は、低熱伝導セラミックスからなるホルダ３に凹部３ｂ
を形成し、一方、発熱体２ａを埋設したセラミックヒー
タ２に高熱伝導セラミックスからなるヘッド１を接合し
ておいて、これらのセラミックヒータ２及びヘッド１を
上記ホルダ３の凹部３ｂに保持したものである。

【００１７】このボンディング用ヒータ１０を使用する
場合は、ホルダ３のホルダ面３ａを不図示の他部材に当
接させて保持し、発熱体２ａに通電発熱した状態で、図
２に示すようにヘッド１先端の当接面１ａを半導体チッ
プ２１に押し当てて、加熱しながら応力を加え、基板２
０上に半田バンプ２２で接合する。

【００１８】このとき、ヘッド１は高熱伝導セラミック
スからなるため、セラミックヒータ２の熱を良好に伝え
ることができ、急速昇温が可能となる。またヘッド１の
当接面１ａがセラミックスからなるため、耐摩耗性に優
れ、摩耗や変形することなく長期間使用することができ
る。しかも、ホルダ３は低熱伝導セラミックスからなる
ため、セラミックヒータ２の熱がホルダ３側から逃げる
ことを防止し、加熱効率を向上できる。

【００１９】なお、セラミックヒータ２とホルダ３の間
に空隙３ｃを形成してあることにより、さらにホルダ３
側への熱の逃げを防止できる。この空隙３ｃの幅は、セ
ラミックヒータ２の幅に対して５０％以上とし、ホルダ
３の全長にわたって形成することが好ましい。あるい
は、ホルダ３の一部に、さらに貫通孔を形成して断熱性
を高めることもできる。

【００２０】また、加熱時には、ホルダ３に圧縮応力が
加わるが、セラミックスからなるために弾性変形するこ
となく確実に応力を伝達することができる。しかも、ホ
ルダ面３ａと当接面１ａの間は優れた平行度とする必要
があるが、全ての部材がセラミックスからなるため、高
い平行度を維持することができる。

【００２１】さらに、発熱体２ａはセラミックヒータ２
に埋設され、しかもヘッド１とホルダ３間に挟み込まれ
ていることから、昇温、降温を繰り返して熱サイクルが
加わっても、発熱体２ａが剥離したり断線することを防
止できる。

【００２２】なお、図１に示すように、セラミックヒー
タ２の後端部はホルダ３から突出させておくことによ
り、使用時でもリード取出部２ｂ近傍が冷却されてリー
ド２ｃの断線等を防止することができる。

【００２３】ここでヘッド１を成す高熱伝導セラミック
スとは、ホルダ３よりも熱伝導率の高いセラミックスで
あれば良く、好ましくは常温での熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以上のものを用いる。なお、本発明における熱伝導
率は常温での値であり、レーザーフラッシュ法によりに
より求めたものである。

【００２４】また、ヘッド１の当接面１ａは半導体チッ
プ２１等の被加熱物と接触することから、耐摩耗を高め
るために、ヘッド１の材質として荷重５００ｇでのビッ
カース硬度が１０ＧＰａ以上のセラミックスを用いるこ
とが好ましい。さらに、当接面１ａの欠けを防止するた
めには、ＪＩＳに規定する３点曲げ強度が３００ＭＰａ
以上、圧痕法で測定した靱性値（Ｋ_1C）が４ＭＰａ・ｍ
^1/2以上のセラミックスを用いることが好ましい。

【００２５】これらを満足するセラミックスとしては、
表１に示すように、高熱伝導窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、炭化珪素等のセラミックスがある。高熱伝導窒化珪
素質セラミックスは、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）を主成分
とし、周期律表第３ａ族元素（ＲＥ）を酸化物（ＲＥ₂
Ｏ₃）換算で３〜５モル％、アルミニウムが酸化物換算
で０．２重量％以下の組成からなり、窒化珪素結晶の平
均粒径を５μｍ以上と大きくするとともに、粒界に周期
律表第３ａ族元素、珪素、及び酸素を含む結晶相を形成
することにより、熱伝導率を５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした
ものである。

【００２６】また、窒化アルミニウム質セラミックス
は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とし、焼結助
剤として希土類元素酸化物等を含有するものである。さ
らに炭化珪素質セラミックスは、炭化珪素（ＳｉＣ）を
主成分とし、Ｂ、Ｃ又はＡｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃等の焼結
助剤を含有するものである。

【００２７】これらの高熱伝導セラミックスの中でも、
特にビッカース硬度が１０ＧＰａ以上、曲げ強度が３０
０ＭＰａ以上、靱性値が４ＭＰａ・ｍ^1/2以上のものを
用いれば、当接面１ａの欠け等を防止する効果を高くで
き、具体的には高熱伝導窒化珪素質セラミックスが最適
である。

【００２８】

【表１】

【００２９】また、ヘッド１の当接面１ａは被加熱物と
密着し均一に熱を加えるために平坦な面とする必要があ
る。具体的には、当接面１ａは、表面粗さ（中心線平均
粗さ：Ｒａ）０．５μｍ以下、平坦度１〜５μｍとし、
ホルダ面３ａとの間の平行度を２〜５μｍとすることが
好ましい。

【００３０】さらに、ヘッド１の厚みｔは０．５〜５ｍ
ｍとすることが好ましい。これは、厚みｔが５ｍｍを越
えると昇温特性が悪くなり、一方０．５ｍｍ未満である
と均熱性が維持しにくくなるためである。

【００３１】次に、ホルダ３を成す低熱伝導セラミック
スとは、ヘッド１よりも熱伝導率の低いセラミックスで
あれば良く、好ましくは常温での熱伝導率が５０Ｗ／ｍ
・Ｋ以下のものを用いる。

【００３２】具体的には、表２に示すように、低熱伝導
窒化珪素、アルミナ、ジルコニア等を用いることがで
き、その他さまざまなセラミックスを用いることができ
る。

【００３３】低熱伝導窒化珪素質セラミックスは、窒化
珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）を主成分とし、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ
₃等を焼結助剤として含有するものである。またアルミ
ナセラミックスは、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、Ｓｉ
Ｏ₂、ＭｇＯ、ＣａＯ等を焼結助剤として含有するもの
である。さらにジルコニアセラミックスは、ＺｒＯ₂を
主成分とし、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ₂等を
安定化剤として含有するものである。

【００３４】

【表２】

【００３５】次に、セラミックヒータ２は、一般的なも
のを用いれば良く、具体的にはアルミナ、窒化珪素、窒
化アルミニウム等のセラミックス中に、タングステン
（Ｗ）モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属の単体あるい
は炭化物、窒化物等からなる発熱体２ａを埋設したもの
を用いる。

【００３６】また、これらヘッド１、セラミックヒータ
２、ホルダ３のそれぞれの接合構造としては、接着剤等
を用いた接合、機械的な接合、焼成収縮を利用した接合
等さまざまな手段をとることができる。

【００３７】例えば、図１、２の例では、セラミックヒ
ータ２とヘッド１の間は、接着剤４を用いて接合してい
る。この接着剤４としては、ガラス成分を用いることが
好ましい。具体的には、窒化珪素、窒化アルミニウム、
アルミナ、酸化珪素、ジルコニア、アルカリ土類酸化
物、希土類酸化物のいずれかの組合せからなる組成で、
融点が１５００〜１８００℃の高融点ガラスを用いる。

【００３８】例えばＹ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃系として、Ｙ
₂Ｏ₃：Ａｌ₂Ｏ₃＝６０：４０（重量％）で融点が１
７６０℃のガラス成分を用いる。あるいは、Ｓｉ₃Ｎ₄
−Ｙ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃系として、上記Ｙ₂Ｏ₃−Ａｌ
₂Ｏ₃の組成にＳｉ₃Ｎ₄を５モル％加えることによっ
て、融点を下げた組成のガラス成分を用いることもでき
る。さらに、Ｓｉ₃Ｎ₄−ＳｉＯ₂−ＲＥ₂Ｏ₃（ＲＥ
は希土類元素）系として、Ｓｉ₃Ｎ₄：（ＳｉＯ₂＋Ｙ
₂Ｏ₃）＝５：９５（モル％）でＳｉＯ₂：Ｙ₂Ｏ₃＝
２：１（モル％）となるように調合したガラス成分を用
いることもできる。

【００３９】さらに、これらのガラス成分からなる接着
剤４をヘッド１やホルダ３を成すセラミックス中に拡散
させることによって、より接合強度を高めることができ
る。

【００４０】あるいは、上記ガラス成分からなる接着剤
４中に、ＡｌＮ等の高融点で熱伝導率の高い粒子を混入
させることもできる。このようにすれば、ＡｌＮ等の粒
子がセラミックヒータ２とヘッド１間に存在して、両者
間の熱伝導性を向上させるとともに、熱膨張差による界
面応力はガラス成分で緩和することができる。

【００４１】また、接着剤４として金属アルミニウムを
用いることもできる。例えば、アルミニウム箔を挟んで
熱処理すれば、ヘッド１又はセラミックヒータ２を構成
するＳｉ₃Ｎ₄、あるいは雰囲気の窒素ガスと反応して
ＡｌＮ系サイアロンを形成することにより、接合するこ
とができる。

【００４２】なお、以上のような接着剤４の厚みは１〜
２００μｍの範囲とすることが好ましい。

【００４３】また、ホルダ３とセラミックヒータ２の間
は、焼成収縮を利用した接合としてある。具体的には、
セラミックヒータ２及びヘッド１側を通常焼成した後熱
間静水圧加圧（ＨＩＰ）処理しておき、通常焼成した後
のホルダ３の凹部３ｂに上記のセラミックヒータ２とヘ
ッド１を配置し、全体をＨＩＰ処理すれば、ホルダ３側
が収縮してセラミックヒータ２とヘッド１を挟み込んで
強固に保持することができる。

【００４４】この場合、ヒータ２とヘッド１を挟まずに
ホルダ３のＨＩＰ処理を施した場合の凹部３ｂの幅と、
ヒータ２及びヘッド１の幅との差が、ＨＩＰ収縮による
挟みしろとなるが、この挟みしろが２００μｍ以下とな
るように設定しておくことが好ましい。より好適には、
ホルダ３側のＨＩＰ処理時の収縮量を９５〜９９．８％
とし、上記挟みしろが１０〜５０μｍとなるように設定
しておくことが最適である。

【００４５】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００４６】図３に示すボンディング用ヒータ１０は、
高熱伝導セラミックスからなるヘッド１の両側面に２本
のセラミックヒータ２を挟み込んで、低熱伝導セラミッ
クスからなるホルダ３と接合したものである。この実施
形態では、セラミックヒータ２を２本使用していること
から、発熱量を多くすることができる。なお、この実施
形態でも、セラミックヒータ２の後端部をホルダ３から
突出させて、リード取出部２ｂが冷却されやすいように
してある。

【００４７】また、図４に示すボンディング用ヒータ１
０は、高熱伝導セラミックスからなるヘッド１中に発熱
体２ａを埋設して、低熱伝導セラミックスからなるホル
ダ３と接合したものである。この実施形態では、ヘッド
１がセラミックヒータを兼用しており、２つの部材から
構成されるために、より簡単な構造とすることができ
る。

【００４８】さらに、図５に示すボンディング用ヒータ
１０は、高熱伝導セラミックスからなるヘッド１と低熱
伝導セラミックスからなるホルダ３の間に、発熱体２ａ
を挟み込んで、全体を一体焼成したものである。このよ
うにすれば、ヘッド１、ホルダ３、及びセラミックヒー
タを全て一体化することができ、極めてコンパクトな構
造とすることができる。

【００４９】なお、図５の実施例の場合、一体焼成する
ためには、ヘッド１とホルダ３が同種材質であることが
好ましい。そのため、ヘッド１として高熱伝導窒化珪素
質セラミックスを用い、ホルダ３として低熱伝導窒化珪
素質セラミックスを用いることが好ましい。

【００５０】以上の実施形態では、半導体チップの接合
に用いるボンディング用ヒータを例にとって説明した
が、本発明の接触加熱用ヒータはこの用途に限るもので
はない。即ち、被加熱物に接触し加熱するようなヒータ
であればさまざまな用途に適用することができ、具体的
にはＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔＣａｂｌ
ｅ）等の半田接続、半導体パッケージキャップのシー
ル、レーザーヘッド等の光学系ヘッドのキャンシール、
チップ接続のリワーク等に用いることができる。

【００５１】

【実施例】実施例１本発明実施例として、図１、２に示すボンディング用ヒ
ータ１０を試作した。

【００５２】ヘッド１の材質として表１の高熱伝導窒化
珪素３を用い、寸法は幅５ｍｍ、厚み３ｍｍ、長さ２５
ｍｍとした。また、ホルダ３の材質として表２の低熱伝
導窒化珪素１を用い、幅３ｍｍ、長さ２４ｍｍの空隙３
ｃを形成したものとしないものの２種類を用意した。さ
らにセラミックヒータ２として、窒化珪素質セラミック
ス中にＷ、ＷＣ等からなる発熱体２ａを埋設し、幅５ｍ
ｍ、厚み１ｍｍのものを用意した。これらを上述したよ
うに接合して本発明実施例のボンディング用ヒータ１０
を得た。

【００５３】一方比較例として、ヘッド１とホルダ３を
いずれも高熱伝導率窒化珪素質セラミックスで形成した
ボンディング用ヒータ１０を用意した。

【００５４】それぞれについて、５００〜２０００Ｗの
突入電力を加えた時の昇温特性を調べたところ、図７に
示す通りであった。

【００５５】この結果より、図７（ｃ）に示す比較例に
比べ、図７（ａ）（ｂ）に示す本発明実施例は、空隙３
ｃの有無に関わらずに昇温時間を短くできることがわか
る。

【００５６】これは、比較例では、熱がホルダ１３側か
ら逃げやすいのに対し、本発明実施例ではホルダ３とし
て低熱伝導セラミックスを用いているために、熱の逃げ
が少ないことによるものである。

【００５７】実施例２次に、ヘッド１の寸法を幅５ｍｍ、厚み３ｍｍ、長さ２
５ｍｍとし、ホルダ３の寸法を幅１２ｍｍ、厚み１５ｍ
ｍ、長さ２５ｍｍとして、表３、４に示すようにヘッド
１とホルダ３の材質の熱伝導率を種々に組み合わせて図
１、２に示すボンディング用ヒータ１０を得た。

【００５８】それぞれ、セラミックヒータ２に１ｋＷの
電圧を印加し、１〜３秒後のヘッド１の当接面１ａの温
度を測定するとともに、３秒後の到達温度が２５０℃以
上となるかどうかで評価を行った。

【００５９】結果は表３、４に示す通りである。この結
果より、ヘッド１の熱伝導率をホルダ３よりも高くした
ものは、昇温速度が速かった。特にヘッド１の熱伝導率
を５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、ホルダ３の熱伝導率を５０Ｗ／
ｍ・Ｋ以下としたものは、優れた昇温特性が得られるこ
とがわかった。

【００６０】

【表３】

【００６１】

【表４】

【００６２】実施例３次に、図１、２に示すボンディング用ヒータ１０におい
て、ホルダ３と、ヘッド１及びセラミックヒータ２の間
を焼成収縮を利用して接合する実験を行った。

【００６３】それぞれの材質、寸法は実施例１と同様に
し、ホルダ１及びセラミックヒータ２の幅から、ホルダ
３をＨＩＰ処理した後の幅を引いた値を挟みしろとし
て、この挟みしろの値を種々に変化させた。

【００６４】それぞれ、得られたボンディング用ヒータ
１０を表４に示す試験温度まで加熱した後、２５℃の水
中に投下し、蛍光探傷法により接合面からのクラックの
有無を確認した。結果を表５に示すように、挟みしろを
２００μｍ以下としておけば、ΔＴが５００℃以下の範
囲でクラックが発生せず、耐熱衝撃性に優れていること
がわかった。

【００６５】

【表５】

【００６６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、被加熱物
と接触し発熱体の熱を伝えるためのセラミックス製のヘ
ッドと、該ヘッドを他部材に結合するセラミックス製の
ホルダとから成り、上記ホルダよりもヘッドの熱伝導率
を高くして接触加熱用ヒータを構成したことによって、
熱伝達性に優れ、昇温時間を速くできるとともに、先端
面の摩耗を防止できるとともに、発熱体の熱がホルダ側
に逃げることを防止し、加熱効率を向上できる。さら
に、長期間使用しても発熱体発熱体の剥離や断線を防止
することができる。

【００６７】したがって、半導体チップを接合するボン
ディング用ヒータ等に適用すれば、生産効率を高め、長
期間良好に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるボンディング用ヒー
タを示す斜視図である。

【図２】図１のボンディング用ヒータの使用状態を示す
断面図である。

【図３】本発明の他の実施形態を示す斜視図である。

【図４】本発明の他の実施形態を示し、（ａ）は斜視
図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。

【図５】本発明の他の実施形態を示し、（ａ）は斜視
図、（ｂ）はＸ−Ｘ線断面図である。

【図６】ボンディング用ヒータの使用状態を示す側面図
である。

【図７】本発明及び比較例の昇温特性を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１：ヘッド１ａ：当接面２：セラミックヒータ２ａ：発熱体３：ホルダ３ａ：ホルダ面３ｂ：凹部３ｃ：空隙４：接着剤１０：ボンディング用ヒータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加熱物と接触し、発熱体の熱を伝えるた
めのセラミックス製のヘッドと、該ヘッドを他部材に結
合するセラミックス製のホルダとから構成され、上記ホ
ルダよりもヘッドの熱伝導率を高くしたことを特徴とす
る接触加熱用ヒータ。
【請求項２】上記ヘッドを成すセラミックスは、熱伝導
率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、ビッカース硬度１０ＧＰａ以
上であることを特徴とする請求項１記載の接触加熱用ヒ
ータ。
【請求項３】上記ホルダを成すセラミックスは、熱伝導
率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることを特徴とする請求項
１記載の接触加熱用ヒータ。