JPS63205612A - 導波路形光分波器 - Google Patents
導波路形光分波器Info
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- JPS63205612A JPS63205612A JP3791687A JP3791687A JPS63205612A JP S63205612 A JPS63205612 A JP S63205612A JP 3791687 A JP3791687 A JP 3791687A JP 3791687 A JP3791687 A JP 3791687A JP S63205612 A JPS63205612 A JP S63205612A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長多重光通信の分野に用いる光分波器に関す
るものである。
るものである。
波長が異なる光信号を1本の元ファイバで双方向に伝送
する波長多重伝送方式罠おいては、波長が異なる光波を
分離する光分波器が必要となる。
する波長多重伝送方式罠おいては、波長が異なる光波を
分離する光分波器が必要となる。
光分波器は、回折格子形と誘電体多層膜フィルタ形とに
大別することができるが、fL*分離特性の点から誘電
体多層膜フィルタ形が主に使われる傾向にある。従来、
誘電体多層膜フィルタ形の光分波器は、第2図のよう忙
構成されていた。第2図において、1は共通基板カラス
、2α、2b、2cは結合プリズム、 5a 、 5k
、5cはロッドレンズ、4は誘電体多層膜フィルタ、
5α、 5b 、 5cは光ファイバ、6はレーザダイ
オード、7はホトダイオードである。レーザダイオード
6から出射した波長鳥の光信号は光ファイバ5aに入射
し、aラドレンズ5aで平行光束となり、結合プリズム
2cL1共通基板ガラス1を経て誘電体多層膜フィルタ
4に入射する。フィルタ4は波長4の元を反射する機能
を有しているため、4の光は再び共通基黴ガラスに入射
し、結合プリズム2j、aラドレンズ3bを経て元ファ
イバ54 K入射される。tファイバ5bは局側から加
入者(信号を受は取る備〕に通じており、加入者は4の
光信号を受は取ることができる。
大別することができるが、fL*分離特性の点から誘電
体多層膜フィルタ形が主に使われる傾向にある。従来、
誘電体多層膜フィルタ形の光分波器は、第2図のよう忙
構成されていた。第2図において、1は共通基板カラス
、2α、2b、2cは結合プリズム、 5a 、 5k
、5cはロッドレンズ、4は誘電体多層膜フィルタ、
5α、 5b 、 5cは光ファイバ、6はレーザダイ
オード、7はホトダイオードである。レーザダイオード
6から出射した波長鳥の光信号は光ファイバ5aに入射
し、aラドレンズ5aで平行光束となり、結合プリズム
2cL1共通基板ガラス1を経て誘電体多層膜フィルタ
4に入射する。フィルタ4は波長4の元を反射する機能
を有しているため、4の光は再び共通基黴ガラスに入射
し、結合プリズム2j、aラドレンズ3bを経て元ファ
イバ54 K入射される。tファイバ5bは局側から加
入者(信号を受は取る備〕に通じており、加入者は4の
光信号を受は取ることができる。
一方加入考側からは、波長もの光信号が光7アイバ5b
を通って伝送され、ロッドレンズ5に、結合プリズム2
α、共通基板ガラス1を経て、誘電体多層膜フィルタ4
に入射する。フィルタ4は1.波長への光を透過する機
能を有し、透過した鳥の光は、フィルタ用基板4α、結
合プリズム2Cを通過し、ロッドレンズ3Cで集光され
て光フアイバ5C内に入射した後、フォトダイオード7
に入ることになる。
を通って伝送され、ロッドレンズ5に、結合プリズム2
α、共通基板ガラス1を経て、誘電体多層膜フィルタ4
に入射する。フィルタ4は1.波長への光を透過する機
能を有し、透過した鳥の光は、フィルタ用基板4α、結
合プリズム2Cを通過し、ロッドレンズ3Cで集光され
て光フアイバ5C内に入射した後、フォトダイオード7
に入ることになる。
〔発明が解決しよ5とする問題点〕
上記従来技術は光合分波器を用いることにより、双方向
の光伝送が可能となる反面、その構成は複雑であり、多
数の光学部品の研磨やl!層が必要なこと、元ファイバ
やロッドレンズの位置合わせの工程に熟練と長時間の作
業が必要であるという問題点かありた。このため完成品
の価格はきわめて高価となり、双方向光通信の普及を妨
げる要因の一つとなっていた。
の光伝送が可能となる反面、その構成は複雑であり、多
数の光学部品の研磨やl!層が必要なこと、元ファイバ
やロッドレンズの位置合わせの工程に熟練と長時間の作
業が必要であるという問題点かありた。このため完成品
の価格はきわめて高価となり、双方向光通信の普及を妨
げる要因の一つとなっていた。
本発明の目的は、構成部品数が少なく組立11調整時間
の短縮を図った導波路形光分波器を提出することにある
。
の短縮を図った導波路形光分波器を提出することにある
。
上記目的は、光分波器に光導波路構造を取り入れるとと
もに、光導波路端面VCM接誘接体電体多層膜フィルタ
成することにより、必要な光学部品数の低減と調整工程
の簡便化を達成するものである。
もに、光導波路端面VCM接誘接体電体多層膜フィルタ
成することにより、必要な光学部品数の低減と調整工程
の簡便化を達成するものである。
本発明に係る光分波器は誘電体多層膜フィルタにフォト
ダイオードを接合しまた他端面にレーザダイオードおよ
び光ファイバを接合することにより成る構造であるため
、部品点数が少なくかつ接合も高分子接着剤等により容
易にすることができる。
ダイオードを接合しまた他端面にレーザダイオードおよ
び光ファイバを接合することにより成る構造であるため
、部品点数が少なくかつ接合も高分子接着剤等により容
易にすることができる。
以下、本発明に係る光分子BL器及びその製造方法を図
に基づいて説明する。篤1図は、本発明の構成を示す図
でありて、第1図(α)は平面図、第1図IA)は断面
図、第1図(C1は斜視図である。基板8に光導波路9
が形成されており、2不の光導波路が交差する南面に誘
電体多層膜フィルタ10が形成されている。上記誘電体
多層膜フィルタには直接フォトダイオード11が接読さ
れている。また光導波のその他の端面には、光ファイバ
12と、レーザダイオード13が連結されている。ここ
でレーザダイオードから出射した波長4の光信光は、光
導波路で導かれて誘電体多層膜フィルタで反射して、再
び光導波路に導かれて光フアイバ内に入射する。
に基づいて説明する。篤1図は、本発明の構成を示す図
でありて、第1図(α)は平面図、第1図IA)は断面
図、第1図(C1は斜視図である。基板8に光導波路9
が形成されており、2不の光導波路が交差する南面に誘
電体多層膜フィルタ10が形成されている。上記誘電体
多層膜フィルタには直接フォトダイオード11が接読さ
れている。また光導波のその他の端面には、光ファイバ
12と、レーザダイオード13が連結されている。ここ
でレーザダイオードから出射した波長4の光信光は、光
導波路で導かれて誘電体多層膜フィルタで反射して、再
び光導波路に導かれて光フアイバ内に入射する。
元ファイバは例えば局側から加入者に通じており、加入
者は40波長の光で送られてきた光信号を受けとること
ができる。一方加入者側からは、波長人の光信号は同一
の元ファイバを通して伝送され、Ii&上に形成した光
導波路内に導かれる。誘電体多層誤フィルタは、4の光
を透過する機能を有しており、透過した光はフォトダイ
オード11に入射した後光信号は各種の情報に変換され
る。
者は40波長の光で送られてきた光信号を受けとること
ができる。一方加入者側からは、波長人の光信号は同一
の元ファイバを通して伝送され、Ii&上に形成した光
導波路内に導かれる。誘電体多層誤フィルタは、4の光
を透過する機能を有しており、透過した光はフォトダイ
オード11に入射した後光信号は各種の情報に変換され
る。
基板8としては、石英あるいはシリカ系のガラス、Si
、 GaAz 、 InPなどの半導体、Li7’/
bOa eL& 7’aOsなどの誘電体結晶が用いら
れる。
、 GaAz 、 InPなどの半導体、Li7’/
bOa eL& 7’aOsなどの誘電体結晶が用いら
れる。
光導波路9としては、高分子材料、イオン拡散法を作製
した多成分ガラス、5zC14を主成分とするガラス形
成原料ガスを用い、熱酸化や火炎加水分解等の気相化学
反応で作製した石英ガラス系材料が用いられる。これら
の中では光が導波路を通過する際の損失また光ファイバ
に入射する時の反射損失が少ないことを考慮して、石英
ガラス系材料が最も優れており、その製法は例えば河内
他、特開昭58−105111号に記載されている方法
で製造される。本発明の三次元の光導波路は、上記文献
で形成した膜に、フォトリソグラライによりレジストパ
ターンをするか、またはリフトオフ法によりメタル薄[
、<ターン形成した後、このレジストパターンまたはメ
タル薄膜パターンをマスクにして反応性イオンエツチン
グ法により、余分な箇所を削り取ることにより形成する
ことができる。
した多成分ガラス、5zC14を主成分とするガラス形
成原料ガスを用い、熱酸化や火炎加水分解等の気相化学
反応で作製した石英ガラス系材料が用いられる。これら
の中では光が導波路を通過する際の損失また光ファイバ
に入射する時の反射損失が少ないことを考慮して、石英
ガラス系材料が最も優れており、その製法は例えば河内
他、特開昭58−105111号に記載されている方法
で製造される。本発明の三次元の光導波路は、上記文献
で形成した膜に、フォトリソグラライによりレジストパ
ターンをするか、またはリフトオフ法によりメタル薄[
、<ターン形成した後、このレジストパターンまたはメ
タル薄膜パターンをマスクにして反応性イオンエツチン
グ法により、余分な箇所を削り取ることにより形成する
ことができる。
好ましい光導波は、第3図に示した様な構造になってい
る。すなわち、光導波路は、元パワーの大部分が通過す
るコア層10とバッファ層9および保護層11から構成
される。バッファ層および保膜層11は、コア層からは
み出した光パワーの損失をおこさないよう忙、また伝送
モードが単一モードの光波となるよ5に形成するもので
ある。コア層は、バッファ層、保護層に比べて比屈折率
差が約1チ高くなるようKする。これは、コア層のガラ
ス組成を5i01 rio、 P2O5Elogと
し、バッファ層、保護層のカラス組成をSin、−P、
0.− B、 Osとすることにより達成できる。即
ちカラス組成KTiO,を配合することにより屈折率が
高くなり、その配合量を適正化することKより、比屈折
率差を約1%にすることができる。その他覚導波路の形
成法としては、S*Ot系ガラスの蒸着、スパッタリン
グによる成膜方法、別の熱酸化によるSi偽の形成ある
いは、シラノールの加水分解を利用したスピンコード成
膜法がある。いずれの方法でも、光通過損失を最少とす
るために、コア層に対して、屈折率が若干小さいバッフ
7層と保護層を形成するのが必要である。光導波の幅は
、約10μm、コア層の厚みは8〜10μ簿、バッツァ
層、保護層の厚みは約2μm程度が適正である。
る。すなわち、光導波路は、元パワーの大部分が通過す
るコア層10とバッファ層9および保護層11から構成
される。バッファ層および保膜層11は、コア層からは
み出した光パワーの損失をおこさないよう忙、また伝送
モードが単一モードの光波となるよ5に形成するもので
ある。コア層は、バッファ層、保護層に比べて比屈折率
差が約1チ高くなるようKする。これは、コア層のガラ
ス組成を5i01 rio、 P2O5Elogと
し、バッファ層、保護層のカラス組成をSin、−P、
0.− B、 Osとすることにより達成できる。即
ちカラス組成KTiO,を配合することにより屈折率が
高くなり、その配合量を適正化することKより、比屈折
率差を約1%にすることができる。その他覚導波路の形
成法としては、S*Ot系ガラスの蒸着、スパッタリン
グによる成膜方法、別の熱酸化によるSi偽の形成ある
いは、シラノールの加水分解を利用したスピンコード成
膜法がある。いずれの方法でも、光通過損失を最少とす
るために、コア層に対して、屈折率が若干小さいバッフ
7層と保護層を形成するのが必要である。光導波の幅は
、約10μm、コア層の厚みは8〜10μ簿、バッツァ
層、保護層の厚みは約2μm程度が適正である。
誘電体多層膜フィルタは、従来の方法すなわちSin、
とrio、の薄膜を交互に電子ビーム蒸着することによ
り形成される。例えば波長鳥の光を反射す成され、る。
とrio、の薄膜を交互に電子ビーム蒸着することによ
り形成される。例えば波長鳥の光を反射す成され、る。
光導波路の端面にフィルタを形成するには、複数枚の光
導波路付基板重ねて光導波路端面が下に向く様にそろえ
、下方から5zO,$ 7’z□−’端面に垂直に蒸着
するようにすれば良い。このとき基板の端面にも誘電体
多層膜フィルタが形成されるが、形成されても実用上、
特性には何ら影響を与えない。
導波路付基板重ねて光導波路端面が下に向く様にそろえ
、下方から5zO,$ 7’z□−’端面に垂直に蒸着
するようにすれば良い。このとき基板の端面にも誘電体
多層膜フィルタが形成されるが、形成されても実用上、
特性には何ら影響を与えない。
上記方法で形成した誘電体多層膜フィルタにフォトダイ
オードを接合し、また他の光導波路端面にレーザダイオ
ードおよび光ファイバを接合することKより本発明の光
分波器が製造できる。上記接合は、高分子接着剤により
容易に行うことができる。
オードを接合し、また他の光導波路端面にレーザダイオ
ードおよび光ファイバを接合することKより本発明の光
分波器が製造できる。上記接合は、高分子接着剤により
容易に行うことができる。
更に具体的な1本発明の実施例を以、下に示す。
(実施例1)
Siを基板8とし、第1図に示した光分波器を製造した
。光導波路の製造を第4図に示した。すなわちSi基板
を熱酸化することKよりSin!/’ツファ層14を約
1μ簿形成した。この上に5iCj4. TiCl4゜
plj、、 、 B、H4を原料ガスに用い火炎加水分
解法によりSin、−TiOHPtO2BtOsガラス
から成るコア層158μ簿を形成しさらにその上にスパ
ッタリング法によりSin、ガラスからなる保護層16
1.5岬を形成した。バッファ層および保護鳥の屈折率
は、1A6.コア層の屈折率は1.47であった。上記
基板にポジ温ホトレジスト17を撒布して第1図に示し
た様な光導波路をパターニングした後、リフトオフ法す
なわちCr薄膜18を電子ビーム蒸溜法により0.3μ
m形成し、有機溶剤によりレジストを溶解し。
。光導波路の製造を第4図に示した。すなわちSi基板
を熱酸化することKよりSin!/’ツファ層14を約
1μ簿形成した。この上に5iCj4. TiCl4゜
plj、、 、 B、H4を原料ガスに用い火炎加水分
解法によりSin、−TiOHPtO2BtOsガラス
から成るコア層158μ簿を形成しさらにその上にスパ
ッタリング法によりSin、ガラスからなる保護層16
1.5岬を形成した。バッファ層および保護鳥の屈折率
は、1A6.コア層の屈折率は1.47であった。上記
基板にポジ温ホトレジスト17を撒布して第1図に示し
た様な光導波路をパターニングした後、リフトオフ法す
なわちCr薄膜18を電子ビーム蒸溜法により0.3μ
m形成し、有機溶剤によりレジストを溶解し。
Cr薄膜のパターン18′を形成した。次にCr薄膜パ
ターン18′をマスクにして反応性イオンエツチングに
より保護層、コア層、クラッド層をエツチングし、次に
Crをウェットエツチングしてに1図。
ターン18′をマスクにして反応性イオンエツチングに
より保護層、コア層、クラッド層をエツチングし、次に
Crをウェットエツチングしてに1図。
第3図に示した三次元光導波路9を形成した。光導波路
の幅は8声であった。次に上記基板を10枚重ね、これ
を垂直に立てて、光導波路の端面に電子ビーム蒸着法で
sio、とTie、薄膜から成る誘電体多層膜フィルタ
を形成した。この誘電体多層膜フィルタは、1.3μ鶏
の光を反射し、1.5μの光を透過するよう、7’ *
0!とSin、の膜厚をそれぞれ約0.13声、約0
.22μ鶏に14贅したもので、1□zOt、 Ssへ
薄膜をそれぞれ10層形成したものである。これに7オ
トダイオ一ド119エポキシ系接層剤で接合し−1また
光導波路の他の端面にレーザダイオード13(発振成長
: 1.5−)とコア径8μのシングルモード光ファイ
バ12を第1図に示したINK接続して光分波器を製造
した。1.3Pのレーザダイオードを発振させて光ファ
イバ12(長さ約5Qcm )の湖面で光パワーを測定
したところ損失は1.5dB以下と小さな値を示した。
の幅は8声であった。次に上記基板を10枚重ね、これ
を垂直に立てて、光導波路の端面に電子ビーム蒸着法で
sio、とTie、薄膜から成る誘電体多層膜フィルタ
を形成した。この誘電体多層膜フィルタは、1.3μ鶏
の光を反射し、1.5μの光を透過するよう、7’ *
0!とSin、の膜厚をそれぞれ約0.13声、約0
.22μ鶏に14贅したもので、1□zOt、 Ssへ
薄膜をそれぞれ10層形成したものである。これに7オ
トダイオ一ド119エポキシ系接層剤で接合し−1また
光導波路の他の端面にレーザダイオード13(発振成長
: 1.5−)とコア径8μのシングルモード光ファイ
バ12を第1図に示したINK接続して光分波器を製造
した。1.3Pのレーザダイオードを発振させて光ファ
イバ12(長さ約5Qcm )の湖面で光パワーを測定
したところ損失は1.5dB以下と小さな値を示した。
また光ファイバ12から1.5岬の光を導入し、ホトダ
イオード11でその元パワーを受けたところ損失は約2
dBと小さな僅が得られた。また誘電体多層膜を通過す
る1、5−の光を測定したところ光パワーは50dB以
上であり、上記光分波器は良好なアイソレージ曹ン特性
〔波長分子IIL%性)を示した。
イオード11でその元パワーを受けたところ損失は約2
dBと小さな僅が得られた。また誘電体多層膜を通過す
る1、5−の光を測定したところ光パワーは50dB以
上であり、上記光分波器は良好なアイソレージ曹ン特性
〔波長分子IIL%性)を示した。
(実施例2)
石英ガラス基板を用い第1図に示した光分波器を製造し
た。製造工程を第4図に示した。すなわち石英基板8上
K S”’+ * PHs s #1ff4ヲ原料カス
として火炎加水分解法により、Sin、−PzO,−B
、0゜ガラスからなるバッファ層14厚み2−を形成し
、その上K S*CI4 a 7’zに’j4# PH
I t BJ4を原料カスとして火炎加水分解法により
Sin、−TiO,−PzO,−B、01ガラスからコ
ア層15厚み8μmを形成し、さらにその上にバッファ
層と同一組成、同一方法で保護層16厚み2μmを形成
した。バッファ層14および保護層16の屈折率は、1
.47 、コア層15の屈折率は1A、8であった。以
下実施例1に記載した方法で三次元光導波路9および誘
電体多層膜フィルタ10を形成した。誘電体長N膜フィ
ルタは、1.5urnO元を反射し、1.3μ鵠の光を
透過する様に設計したもので7’L Oxとsio、の
膜厚はそれぞれ約0.15μm。
た。製造工程を第4図に示した。すなわち石英基板8上
K S”’+ * PHs s #1ff4ヲ原料カス
として火炎加水分解法により、Sin、−PzO,−B
、0゜ガラスからなるバッファ層14厚み2−を形成し
、その上K S*CI4 a 7’zに’j4# PH
I t BJ4を原料カスとして火炎加水分解法により
Sin、−TiO,−PzO,−B、01ガラスからコ
ア層15厚み8μmを形成し、さらにその上にバッファ
層と同一組成、同一方法で保護層16厚み2μmを形成
した。バッファ層14および保護層16の屈折率は、1
.47 、コア層15の屈折率は1A、8であった。以
下実施例1に記載した方法で三次元光導波路9および誘
電体多層膜フィルタ10を形成した。誘電体長N膜フィ
ルタは、1.5urnO元を反射し、1.3μ鵠の光を
透過する様に設計したもので7’L Oxとsio、の
膜厚はそれぞれ約0.15μm。
o、254でそれぞれ15層形成した。これにフォトダ
イオード11をエポキシ系接着剤で接合し、また光導波
路の他の端面にレーザダイオード13(発振波長: 1
,5PL)とコア径8μmのシングルモード光ファイバ
12を第1図に示した様に接読して光分波器を製造した
。1.5μmのレーザダイオードを発振させて光ファイ
バ12(長さ約5Q am )の端面で光パ゛ワーを測
定したところ損失は1.5tLB以下と小さな値を示し
た。また光ファイバ12から1.3μの光を導入し、ホ
トダイオード11でその光パワーを受けたところ損失は
約2dBと小さな値が得られた。
イオード11をエポキシ系接着剤で接合し、また光導波
路の他の端面にレーザダイオード13(発振波長: 1
,5PL)とコア径8μmのシングルモード光ファイバ
12を第1図に示した様に接読して光分波器を製造した
。1.5μmのレーザダイオードを発振させて光ファイ
バ12(長さ約5Q am )の端面で光パ゛ワーを測
定したところ損失は1.5tLB以下と小さな値を示し
た。また光ファイバ12から1.3μの光を導入し、ホ
トダイオード11でその光パワーを受けたところ損失は
約2dBと小さな値が得られた。
また誘電体多層膜を通過する1、5μの光の光を測定し
たところ元パワーはso tlB以上であり、上記光分
波器は良好なアイソレージ目ン特性(波長分波特性)を
示した。
たところ元パワーはso tlB以上であり、上記光分
波器は良好なアイソレージ目ン特性(波長分波特性)を
示した。
以上述べた様に1本発明の光合波器は三次元導波路構造
を用いていること、また導波路端面に直接波長分波特性
を有する誘電体多層膜フィルタを形成する方式であるこ
とから、構成部品数の低減。
を用いていること、また導波路端面に直接波長分波特性
を有する誘電体多層膜フィルタを形成する方式であるこ
とから、構成部品数の低減。
研繍や貼り合わせ工数の低減1組豆調整時間の短縮2部
品の小型化が達成できる。またこの方式は、半導体のプ
ロセス技術を利用できることから、一度の多数の素子1
部品が形成でき、価格の大幅な低減が可能となり、加入
者系光通信の普及に貢献できる。
品の小型化が達成できる。またこの方式は、半導体のプ
ロセス技術を利用できることから、一度の多数の素子1
部品が形成でき、価格の大幅な低減が可能となり、加入
者系光通信の普及に貢献できる。
第1図(α[1(clはそれぞれ本発明に係る光合波器
の一実施例の構成−を示す平面図、断面図および斜視図
、第2図は従来の光分波器を示す構成図、第3図は本発
明の光分波器の断面図、第4図は本発明の光分波器を形
成するための工程図である。 1・・・共通基板ガラス 2・・・結合プリズム3・
・・Ωラドレンズ 4および10・・・誘電体多層膜フィルタ5および12
・・・元ファイバ 6および13・・・レーザダイオード 7および$1・・・フォトダイオード 8・・・基板 9・・・光導波路14・・
・バッファ層 15・・・コア層16・・・保護
層 17・・・レジスト42図 閑さ図
の一実施例の構成−を示す平面図、断面図および斜視図
、第2図は従来の光分波器を示す構成図、第3図は本発
明の光分波器の断面図、第4図は本発明の光分波器を形
成するための工程図である。 1・・・共通基板ガラス 2・・・結合プリズム3・
・・Ωラドレンズ 4および10・・・誘電体多層膜フィルタ5および12
・・・元ファイバ 6および13・・・レーザダイオード 7および$1・・・フォトダイオード 8・・・基板 9・・・光導波路14・・
・バッファ層 15・・・コア層16・・・保護
層 17・・・レジスト42図 閑さ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に形成された三次元光導波路の端面に、誘電
体多層膜フィルタを形成してしたことを特徴とする導波
路形光合分波器。 2、三次元光導波路が石英系ガラスからなり、その端面
に誘電体多層膜フィルタを形成し、この誘電体多層膜フ
ィルタに直接フォトダイオードを接続したことを特徴と
する導波路形光合分波器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3791687A JPS63205612A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 導波路形光分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3791687A JPS63205612A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 導波路形光分波器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63205612A true JPS63205612A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12510867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3791687A Pending JPS63205612A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 導波路形光分波器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63205612A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6480647B1 (en) | 1998-06-04 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Waveguide-type wavelength multiplexing optical transmitter/receiver module |
JP2017116934A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 波長分割多重デバイス、波長分割多重システム、および波長分割多重デバイスを形成する方法 |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP3791687A patent/JPS63205612A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6480647B1 (en) | 1998-06-04 | 2002-11-12 | Nec Corporation | Waveguide-type wavelength multiplexing optical transmitter/receiver module |
JP2017116934A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 波長分割多重デバイス、波長分割多重システム、および波長分割多重デバイスを形成する方法 |
US10739518B2 (en) | 2015-12-21 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Optical components for wavelength division multiplexing with high-density optical interconnect modules |
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