JPS632055A

JPS632055A - 有機アゾ光導電体像形成部材

Info

Publication number: JPS632055A
Application number: JP62082809A
Authority: JP
Inventors: コック　イー　ロー; ジェイムズ　エム　ウェスコット
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1986-04-11
Filing date: 1987-04-03
Publication date: 1988-01-07
Also published as: US4713307A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】光凱公腎景本発明は新規なアゾ化合物およびその光導電性像形成部
材での光励起顔料としての用途に関する。

さらに詳細には、本発明は新規な２．７−ビスアゾ顔料
、およびこれら顔料および正孔移送層とからなる多層型
光導電性像形成部材に関する。本発明の１つの特定の実
施Ｂ様においては、多層型感光性像形成部材は新規な２
．７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナ
フトアニリド）ナフタレンおよびその誘導体、およびこ
れと接触したアリールアミン正孔移送層とからなる。こ
れらの像形成部材は静電写真像形成複写方法および装置
において特に有用であり、すぐれた解像力の高品質像を
得ることができ、またこれら部材はその低コストのため
に使い捨てとして分類できるものである。

多くの種々の静電複写光導電性部材、例えば、ガラス質
セレンのような単一材料の均質層または光導電性化合物
の分散体を含む複合多層型装置が公知である。複合静電
複写光導電性部材の１つのタイプの例は米国特許第３．
１２１．００６号に記載されており、電気絶縁性有機樹
脂バインダー中に分散させた光導電性無機化合物の微分
割粒子が開示されている。これらの部材は、例えば、紙
裏打材上にコーティングされた均一に分散された酸化亜
鉛を含むバインダー層を含んでいる。該米国特許に開示
されたバインダー材料にはポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂等の材料があり、これら
は光導電性粒子により励起された注入電荷キャリヤーを
何ら有意の距離移送させ得ないものである。従って、結
果として、光導電性粒子は、サイクル操作に必要な電荷
消散を行うためには、層全体を通じて実質的に連続した
粒子対粒子接触であらねばならない。

また、電荷キャリヤー励起機能と電荷キャリヤー移送機
能を別々の連続層で行う無機または有機材料からなる感
光体材料も公知である。さらに、電気絶縁性高分子材料
のオーバーコーテイング層を含む多層型感光体材料も従
来技術において開示されている。しかしながら、ゼログ
ラフィー技術は進歩し続けており、性能基準を増大させ
より高品質の像を得るためには、より厳格な要求がコピ
ー装置に合致するよう求められている。

最近、他の多層型感光性装置が開示されて来ており、例
えば、米国特許第４，２６５，９９０号に記載されてい
るような別々の励起層と移送層とからなる装置、および
正孔移送層でオーバーコーテイングしさらに光励起層の
オーバーコーテイングを有する正孔注入層および絶縁性
有機樹脂のトップコーティングとを含むオーバーコート
型感光性材料がある（米国特許第４，２５１，６１２号
参照）。これらの米国特許に開示されている光励起層の
例には、三方晶セレンおよびフタロシアニン類があり、
移送層の例には本明細書において述べるようなある種の
ジアミンがある。これらの米国特許、即ち、米国特許第
４，２６５，９９０号および第４，２５１，６１２号の
記載はすべて参考として本明細書に引用する。

励起用物質を含有する多層型装置を包含する感光性装置
を記載している他の多くの特許が存在しており、例えば
、米国特許第３，０４１，１６７号は伝導性基体、光導
電性層および電気絶縁性高分子材料のオーバーコーテイ
ング層とを含むオーバーコーテイング型像形成部材を開
示している。この部材は、例えば、この部材を先ず第１
極性の静電荷で帯電させ、像形成的に露光してその後現
像して可視像を形成できる静電潜像を形成させることに
より電子写真複写装置において用いる。。

さらにまた、米国特許第４，２３２，１０２号および第
４．２３３．３８３号においては、炭酸ナトリウム、亜
セレン酸ナトリウムでドーピングした三方晶セレン、お
よび炭酸バリウム、亜セレン酸バリウムまたはこれらの
混合物でドーピングした三方晶セレンからなる感光性像
形成部材が開示されている。さらに、米国特許第３，８
２４，０９９号には、ある種の感光性ヒドロキシスクア
ライン化合物が開示されている。この米国特許の記載に
よれば、ごれらスクアライン化合物は通常の静電写真像
形成システムにおいて感光性である。

また、各種のスクアライン化合物を含む光導電性装置も
公知である。例えば、米国特許第４．５０８．８０３号
には、新規なベンジルフッ素化スクアライン化合物を含
む光導電性装置が開示されている。さらに詳しくは、こ
の′８０３号米国特許で例示された１つの実施態様にお
いては、支持基体、正孔ブロッキング層、任意構成成分
としての接着界面層、無機光励起層、ベンジルフッ素化
スクアライン化合物からなる光導電性化合物層、および
正孔移送層からなる改良された感光性装置が記載されて
いる。スクアライン成分を含む光導電性装置またはスク
アラインの製造方法を開示している他の特許には、米国
特許第４．５０７４０８号、第４．５５２，８２２号、
第４．５５９，２８６号、第４，５０７，４８０号、第
４，５２４，２２０号、第４，５２４，２１９号、第４
，５２４，２１８号、第４，５２５，５２９号、第４，
５５９，２８６号、第４，４１５，６３９号、第４，４
７１，０４１号および第４，４８６，５２０号がある。

また、公表された文献においても種々のアゾ化合物を含
む複合電子写真感光体材料が開示されている０例えば、
１９８５年４月１２日に公開されたリコーの日本特許公
開６０−６４３５４号には光導電性層の１つが例示され
た式のアゾ化合物を含む複合光導電体が開示されている
。本発明のアゾ光導電性化合物のあるものは上記化合物
に関する（特にＺがｐ　−ＣＪ４−１）−Ｃ６１１４−
ｐ−Ｃ６１１４即ち、１．５−ナフタレンである場合を
参照されたい）。

さらに、い（つかの米国特許において、アゾ、ビスアゾ
またはこれらの関連化合物を含む多層型電子写真光導電
体要素が例示されている。これら特許の例には、米国特
許第第４．４００．４５５号、第４．５５１．４０４号
、第４，３９０，６０８号、第４．３２７．１６８号、
第４．２９９□８９６号、第４，３１４，０１５号、第
４，４８６，５２２号、第４．４８６，５１９号、第４
．５５１．４０４号およびコニシロクの特開昭６０−１
１１２４７号がある。

本発明のアゾ化合物に類似の化合物を包含するアゾ化合
物を含む光導電性像形成部材は公知であるけれども、使
い捨て光導電性装置が求められている。さらに、ある種
のアゾ化合物を含む多層型感光性像形成部材であって、
受は入れ可能な高品質像を形成し装置環境即ち周囲条件
から劣化を受けることなしに多数回の像形成サイクルで
繰返し使用できる部材が求められている。さらにまた、
層の１つに用いたアゾ化合物がそのような部材の使用者
に実質的に無害である改良された多層型感光性像形成部
材が求められている。さらに、光導電体が低コストであ
り、高感度を有しかつ高サイクル安定性を有するアゾ化
合物含有多層型光導電体に対する主要な要求が存在して
いる。また、高パンクロ性を有するアゾ光導電体も求め
られている。

ｍυ１昨従って、本発明の目的はある種のアゾ化合物を含む感光
性像形成部材を提供することである。

本発明の別の目的は高感度とすぐれたサイクル安定性を
有する改良された光導電性像形成部材を提供することで
ある。

さらに本発明の別の目的は使い捨て光導電性像形成部材
を提供することである。

本発明のさらに別の目的は光励起層としてのある種のア
ゾ化合物およびアリールアミン正孔移送層とを含む使い
捨て有機多層型光導電性像形成部材を提供することであ
る。

本発明のさらに別の特定の目的は支持基体と７リ一ルア
ミン正孔移送層との間に置かれた、光励起層として機能
する後述のアゾ化合物を含む改良された多層型感光性装
置を提供することである。

さらに、本発明の別の目的においては、後述する改良さ
れた感光性像形成部材による像形成および複写方法が提
供される。

また、本発明の別の重要な目的においては、高パンクロ
性を有する使い捨てアゾ感光性像形成部材が提供される
。

光貝至盪底本発明の上記および他の目的はある種のアゾ化合物を含
む多層型光導電性像形成部材を提供することにより達成
される。さらに詳細には、本発明の多層型光導電性像形
成部材は光励起源として機能する特定のアゾ化合物およ
びこれと接触した好ましくはアリールジアミンからなる
正孔移送層とからなる。

従って、本発明の光導電性多層型像形成部材は、例えば
支持基体、アリールジアミン正孔移送層、および次式：（式中、Ａｒは芳香族または置換芳香族基である）のアゾ化合物（第１図参照）とからなる。

上記芳香族置換基の例にはフェニル、アンスリルおよび
ナフチルのような約６〜約２４個の炭素原子を有するも
のがある。これらの芳香族置換基はアルキル、ハロゲン
、ニトロ、アルコキシ等を含む種々の置換基を含み得る
。アルキル基にはメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル、およびデシルのような約１〜約２
０個の炭素原子を含むアルキル基があり、またアルコキ
シ基の例にはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、およびヘキソキシのような約１〜約１０個の炭素原
子を含むものがある。ハロゲンには塩素、フッ素、臭素
および沃素がある。

本発明の光導電性像形成部材に使用する特定のアゾ化合
物の具体的な例には、２．７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）ナフタレン、２
，７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナ
フト−ｐ−トルイジド）ナフタレン、２，７−ビス（１
′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｍ−）ル
イジド）ナフタレン、２．７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−０−クロロアニリド）ナ
フタレン、２．７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキ
シ−３′−ナフト−ｍ−クロロアニリド）ナフタレン、
２．７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−
ナフト−ｍ−フルオロアニリド）ナフタレン、２，７−
ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナフト−
０−ニトロアニリド）ナフタレン、２．７−ビス（１′
−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｐ−ニトロ
アニリド）ナフタレン、２．７−ビス（１′−アゾ−２
′−ヒドロキシ−３′−ナフト−〇−エチルアニリド）
ナフタレン、およびこれらの誘導体等がある。

本発明の光導電性像形成部材にさらに関しては、光励起
アゾ化合物は支持基体とアリールアミン正孔移送層との
間に置くことができ、また別法としてアリールアミン正
孔移送層を支持基体と上述の光励起アゾ化合物からなる
層との間に置くこともできる。

もう１つの特定の例示的実施態様においては、本発明の
改良された光導電性像形成部材は（１１支持基体、（２
）正孔ブロッキング層、（３）任意構成成分としての接
着界面層、（４）式Ｉのアゾ化合物からなる光励起層、
および（５）正孔移送層とからなる。従って、１つの重
要な実施態様における本発明の光導電性像形成部材は伝
導性支持基体、これと接触した正孔ブロッキング金属酸
化物層、接着層、この接着層上にオーバーコーテイング
した式Ｉのアゾ化合物からなる光励起層、およびトップ
層とじての樹脂バインダー中に分散させたある種のアリ
ールアミンからなる正孔移送層とからなる。

種々の公知方法が本発明の光導電性像形成部材を作製す
るのに用いることができ、各種のコーティング順序にお
けるプロセスパラメーターは所望する部材に依存する。

特に、例えば、１つの方法においては、アゾ光励起層を
真空昇華により支持基体上に付着させ、次いで、その上
に正孔移送層を溶液コーティングにより付着させる。他
の方法においては、多層型光導電性装置は任意構成成分
としての接着層中の正孔ブロッキング層を含む伝導性暴
体を用意し、これに溶媒コーティング法、ラミネーティ
ング法または他の方法によりアゾ光励起層と正孔移送層
を適用することにより作製できる。

１つの特定の作製順序においては、バードフィルムアプ
リケーターにより室温で接着剤例えば塩化メチレン−ト
リクロロエタン溶媒を含む４９．０００としてＥ、１．
デュポン社より入手できるものをコーティングし次いで
１００℃で乾燥させた厚さ約３ミル（約７６．２ミクロ
ン）の２０％透過性アルミニウム処理マイラー基体を用
意する。次いで、この接着層に式Ｉのアゾ光励起を適用
する。この適用もバードフィルムアプリケーターで行い
、１３５℃で熱処理し、続いてアミン移送層をコーティ
ングする。このアミン移送層は公知の溶液コーティング
法により５ミルバードフイルム７ブリケーターで適用じ
１３５℃で熱処理するもので、用いる溶液は約２０〜約
８０重量％のアミン移送分子と約８０〜約２０重量％の
ポリカーボネートのような樹脂バインダー材料とを含む
。

本発明の改良された光導電性像形成部材は静電複写像形
成法として周知のものを含む多くの像形成方法および装
置において使用できる。これらの方法においては、本発
明の像形成部材はその低コストのためにある回数の像形
成サイクルの後使い捨てできる。また、本発明の像形成
部材はパンクロ性である、即ち、本発明の像形成部材は
約４００〜約７００ｎｍの波長範囲において恣度を有す
る。

以下、本発明およびその特性をより一層良好に理解する
ために、種々の好ましい実施態様について詳細に説明す
る。

子ましい　族ζ様の説明好ましい実施態様を記載したアゾ化合物を含む特定の光
導電性像形成部材について説明するが、等価の化合物も
本発明の範囲に属することに注意されたい。

、　第２図においては、支持基体１、樹脂バインダー組
成物４中に必要に応じて分散させた式Ｉで示される化合
物からなる群から選ばれたアゾ顔料好ましくは２，７−
ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナフトア
ニリド）ナフタレンからなる光励起層３、および不活性
樹脂バインダー組成物９中に分散させた電荷キャリヤー
正孔移送層５とからなる本発明の光導電性像形成部材が
例示される。

第３図においては、第２図で示したのと本質的に同じで
ある部材が例示されるが、正孔移送層が支持基体と光励
起層との間に存在する。さらに詳しくは、この図面にお
いては、支持基体２１、不活性樹脂バインダー組成物２
５中に分散させた正孔移送層２３、および樹脂バインダ
ー組成物２９中に必要に応じて分散させた式■のアゾ化
合物からなる光励起層２７とからなる光導電性像形成部
材が示されている。

第４図においては、支持基体３１、正孔プロ・７キング
層３３、任意構成成分としての接着層３５、式Ｉのアゾ
化合、物からなるアゾ光励起層３７および電荷キャリヤ
ー即ち正孔移送層３９とからなる本発明の光導電性像形
成部材が示されている。光励起層は一般に樹脂バインダ
ー組成物中に必要に応じて分散させたアゾ化合物からな
り、また同時に、アリールアミンのような電荷移送層も
不活性樹脂バインダー材料中に分散させる。

具体的に例示していないがアゾ化合物が具体的に示した
ものと実質的に等価であるものを含む他の光導電性像形
成部材も本発明の範囲に属する。

第２〜４図に関しては、さらに、基体は商業的に入手で
きるポリマーであるマイラーを含む無機または有機高分
子材料のような絶縁性材料の層；表面にインジウムスズ
酸化物またはアルミニウムのような半導電性表面を有す
る有機または無機材料の層；または例えばアルミニウム
、クロム、ニッケル、黄銅等の伝導性材がある。基体は
軟質または硬質でもよく、例えばプレート、円筒状ドラ
ム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等のような多
くの種々の形状を有し得る。好ましいのは、基体はエン
ドレス可撓性ベルトの形である。°ある場合には、特に
、基体が有機高分子材料である場合には、基体の裏面に
抗カール層例えばマクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ）とし
て商業的に入手できるポリカーボネート材料をコーティ
ングすることが好ましい。

基体の厚さは経済性を含む多くの要因による、即ち、こ
の基の厚さは例えば１００ミル（２，５４飄識）以上の
実質的厚さであってもよく、装置に悪影響を与えない限
り最小の厚さであってもよい。

１つの好ましい実施態様においては、この層の厚さは約
３ミル〜約ＩＯミル（約７６．２ミクロン−約２５４ミ
クロン）である。

また、正孔ブロッキング金属酸化物層は酸化アルミニウ
ムおよびその他を含む種々の適当な公知材料からなり得
る。この層の主目的は正孔ブロッキングを与えること、
即ち荷電中および荷電後に基体からの正孔注入を防止す
ることである。典型的には、この層は５０オングストロ
ーム以下の厚さを有する。

接着層は、典型的には、ポリエステル、ポリビニルブチ
ラール、ポリビニルピロリドン等を包含する高分子材料
からなる。典型的には、この層は約０．６ミクロン以下
の厚さを有する。

光励起層の例は前述したようなアゾ化合物である。−般
に、この層は約０．０５５ミフロン〜１０ミクロンまた
はそれ以上の厚さを有し、好ましくは約０．１ミクロン
−約３ミクロンの厚さを有するが、この層の厚さは、主
として、約５〜１００％で変化し得る光励起化合物の含
有量に依存する。

−般に、この層は像形成または複写露光段階においてこ
の層に照射する照射量の約９０％以上を吸収するのに十
分な厚さで調製することが望ましい。

この層の最大厚は、主として、機械的考察（例えば可撓
性の光導電性像形成部材が所望されるがどうか）、他の
層の厚さおよび用いる特定のアゾ化合物による。

種々の適当な電荷移送層を本発明の光導電性像形成部材
に用いることができ、この層は約５ミフロン〜約５０ミ
クロンの厚さを有し、好ましくは約１０ミフロン〜約４
０ミクロンの厚さを有する。

好ましい実施態様においては、この移送層は高絶縁性の
透明有機樹脂バインダー中に分散させた次式：〔式中、Ｘは（オルソ）ＣＨ：ｌ、（メタ）ＣＨ，、（
パラ）ＣＨ３、（オルソ）ＣＩ、（メタ）Ｃ１゜（パラ
）ＣＩからなる群から選ばれる〕を有するアリールアミ
ン分子からなる。高絶縁性樹脂は、少なくとも１０′２
オーム−〇の抵抗値を有して不当な暗減衰を防止するも
のであり、必然的に正孔の注入を支持することのできな
い材料である。しかしながら、この絶縁性樹脂は約１０
〜７５重量％の上記式に相当する置換Ｎ、Ｎ、Ｎ’。

Ｎ′−テトラフェニル（１，１−ビフェニル）−４，４
′−ジアミンを含有するとき電気的に活性となる。

上記式に相当する化合物には、例えば、Ｎ、Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−（１，
１−ビフェニル）−４，４’−ジアミンであり、そのア
ルキル基は２−メチル、３−メチルおよび４−メチルの
ようなメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル等
からなる群より選ばれる。ハロ置換において、上記アミ
ンはＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（ハロフェ
ニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ンであり、こ＼にハロは２−クロロ、３−クロロまたは
４−クロロである。

電気的に不活性な樹脂中に分散させて正孔を移送する層
を形成することのできる他の電気的に活性な小分子には
、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）フ
ェニルメタン、４′、４“−ビス（ジエチルアミノ）−
２”、２“−ジメチルトリフェニルメタン、ビス−４−
（ジメチルアミノフェニル）フェニルメタン、および４
，４′−ビス（ジエチルアミノ）−２，２’−ジメチル
トリフェニルメタンがある。

本発明の目的が達成される限り、Ｘが他のアルキルまた
はハロゲン置換基であるものを含む他の電荷キャリヤー
移送分子も本発明の光導電性装置に使用できる。

移送層相の高絶縁性で透明樹脂材料即ち不活性バインダ
ー樹脂材料の例には米国特許第３，１２１．００６号に
記載されているような材料がある（該米国特許の記載は
すべて参考として本明細書に引用する）。

有機樹脂材料の具体的例には、ポリカーボネート、アク
リレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマ
ー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリ
ウレタン、エポキシおよびこれらのブロック、ランダム
または交互コポリマーがある。好ましい電気的に不活性
なバインダー材料は分子量（Ｍｗ）約２０．０００〜約
１００，０００を有するポリカーボネート樹脂であり、
分子量約５０．０００〜約１００，０００のものは特に
好ましい。−般には、樹脂バインダーは約１０〜約７５
ｆｉ量％好ましくは約３５〜約５０重量％の上記式に相
当する活性物質を含む。

米国特許第３．１２１，００６号に開示されたものを包
含する同様なバインダー材料をアゾ光励起層用に用いる
ことができる（該米国特許の記載は参考としてすべて本
明細書に引用する）。アゾ光励起層用の好ましいバイン
ダー材料はポリ　（ビニルアセクール）である。

また、本発明の範囲には、上述した感光性装置による像
形成方法も包含される。これらの像形成方法は、−般に
、像形成部材上に静電潜像を形成し、次いでこの潜像を
公知の揖像剤組成物で現像し、その後像を適当な基体に
転写しその基体に永次的に定着させることを含む。

一船人■のアゾ化合物は、−般には、最初２゜７−ジア
ミノナフタレンを過剰量の金属チン化物例えば亜硝酸ナ
トリウムでもって約−１０〜２０℃で塩酸含有水溶液中
でテトラゾ化することにより調製する。形成したテトラ
ゾニウム塩は通常フルオロはう酸塩またはへキサフルオ
ロりん酸塩として単離するが、これはＨＢ　Ｆ　、また
はＨＰＦ、を上記テトラゾ化塩溶液に添加することによ
って行う。次いで、得られた塩をＯ℃〜３０℃でジメチ
ルホルムアミド（ＤＭＦ）中に溶解し、同温度にて２−
ヒドロキシナフトテニリドのようなアゾカップリング剤
２当量と反応せしめる。その後、所望のアゾ顔料を約２
当量の酢酸ナトリウムのような塩基を加えて溶解から沈
澱させる。その後、アゾ顔料を濾過して単離し繰返しの
溶媒洗浄により精製する。得られるアゾ生成物は元素分
析、融点および！Ｒ分光分析により特性付する。

以下、本発明をその特定の好ましい実施態様により詳細
に説明するが、これらの実施例は単に例示を目的とする
ものであることを理解されたい。

また、本発明を実施例中に示した材料、条件およびプロ
セスパラメーターに限定する積りはなく、すべての部お
よびパーセントは特に断らない限り　　　　゛重量によ
る。

大施炭上２．７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−
ナフトアニリド）ナフタレンを、０．８ｇ（５ミリモル
）の２．７−ジアミノナフタレンの一５℃〜０℃での１
８％塩酸溶液２０ｍｌ中でのテトラゾ化により調製した
。このテトラゾ化は１ｇの亜硫酸ナトリウムを含む水溶
液２．５ｍＡで行った。ジアミン化合物の溶解後、未反
応１，５−ジアミノナフタレンを濾過して除去した。そ
の後、２０１ＩＩｌのＨＰＦ、溶液（６０重量％）を濾
液に加えた。続いて、得られた明オレンジ色沈澱を濾過
により集収し、冷水、アルコールおよびエーテルによる
洗浄後、得られたテトラゾ化塩を風乾させた。その後、
この塩〜２．３ｇを４０１１１１の水浴中での氷冷Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド中に溶解した。続いて、２５
０ｍβＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中の２．８９　ｇ
のアゾカブプリング剤２−ヒドロキシ−３−ナフトアニ
リドを上記テトラゾ化塩溶液中にゆっくり添加した。こ
の溶液は赤色から暗赤色に変った。次いで、この暗赤色
溶液に５ｇの酢酸ナトリウム含有水溶液７５ｍＡを加え
た。続いて、ジスアゾ化合物の生成物が直ちに形成され
、この生成物を室温で３時間以上撹拌した。

濾過したあと、生成物をＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
（３Ｘ２５０ｎ／り、水（２Ｘ　２５０＋＋１）、アセ
トン（Ｉ　Ｘ　２５０ｍ１）およびジエチルエーテル（
Ｉ　Ｘ　２５０ｍ１）で洗浄して所望生成物２゜７−ビ
ス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′−ナフトアニ
リド）ナフタレン２．４ｇ（６７％収量）を得た。

実施±１光励起アゾ化合物として、実施例の方法に従って調製し
た２、７−ビス（１′−アゾ−２′−ヒドロキシ−３′
−ナフトアニリドを含む光導電性像形成部材を作製した
。光励起顔料分散体は先ず１オンス褐色ビン中で１０ｍ
Ａのテトラヒドロフラン中に５２．８ｍｇのポリ（ビニ
ルホルマール）を溶解することにより調製した。上記ア
ゾ化合物２１１．２ｍｇおよび〜９０ｇのスチール球（
＋へインチ即ち３．１８　ｘ＊直径、′３０２グレード
）をポリマー溶液に加えた。次いで、褐色ビンをレッド
デビルペイントコンデショナ−（モデル５１００Ｘ）中
に入れ３０分間振とうした。得られた分散液を７．５イ
ンチ×１０インチ（１９，０５ｃｍ　Ｘ２５．４ｃ＋ａ
）アルミニウム基体上に６インチ（１５，２ｃｍ）幅の
バードフィルムアプリケーター（５ミルウエツトギヤツ
プ）を湿度調整グローブボックス内に備えたガードナー
メカニカルドライブフィルムアプリケーションを用いて
コーティングした。グローブボックス内の相対湿度は乾
燥空気で調節し得られたコーティングすべてに対しく２
５％であった。得られたキャリヤー励起層（ＣＧＬ）は
〜３０分間風乾し次のコーティングの前に１００℃で〜
１時間真空乾燥させた。ＣＧＬの厚さはＴＥＭ顕微鏡写
真より測定したとき〜０．５μｍであることが判った。

４０ｉ１％のＮ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）〜
１，１′−ビフェニルー４，４′−ジアミンと混合した
約６０重量％マクロロンポリカーボネート樹脂（バイエ
ルＡＣより入手できる）からなる移送層を調製した。４
６２ｇのマクロロン、２．８ｇの上記ジアミンおよび３
１１Ｉｌｌの塩化メチレンとからなる溶液をこはくビン
中に入れて溶解させた。電荷移送層はこのジアミン溶液
を上記のアゾ光励起層上に５ミル（１２７ミクロン）ウ
ェットギャップバードフィルムアプリケーターを用いて
コーティングすることにより得られた。この移送層の厚
さは〜２７μｍであった。得られた光導電性像形成部材
を１時間風乾し６時間以上真空乾燥させた。この装置の
静電複写特性をフラットプレートスキャンチー試験装置
上で試験した。結果は次のとおりである。

Ｖｄｄｐ　（ボルト）　　　　　　　　　　　　　−９
６０（暗現像電位）暗減衰（ボルト７秒）−７５６００１１でのＥｏ、ｓ　ａａｐ　（、エルグ／ｃｍ２
）　　　５．０（電位の放電のためのエネルギー）大丘開ユ式Ｉの他のアゾ光励起顔料（第１−１図〜第１−２２図
参照）を用いた以外は実施例２の手順を繰返して他の光
導電性像形部材を作製した。次に、これら像形成部材の
静電複写特性をフラノトプレートスキャンナー試験装置
上で評価した。結果は第１Ａ図および第１Ｂ図の各表の
とおりである。

“オルガニックアゾフオトコンダクターイメージングメ
ンバーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ａｚｏ　Ｐｈｏｔｏｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒＩｍａｇｉｎｇ　Ｍｅｍｂｅｒｓ）なる名
称の関連する米国特許第Ｄ／８６０３２号の記載はすべ
て参考として本明細書に引用する。

さらに、式Ｉのアゾ化合物に関しては、ヒドロキシフェ
ニル置換基に結合しているフェニル環は他の適当な基例
えばカルバゾール、ナフチルおよ−びアンスリルで置換
できる。

上記のフラットプレート試験において、光導電性装置は
−５，７キロボルトの電圧に維持したコロトロンにより
荷電させた。暗現像電位および暗減衰値はすべての場合
においてエレクトロメータープローブにより測定し、感
光度は現像電位の２を放電するのに必要なエネルギーで
あった。

また、他のアゾ化合物は実施例１の手順を繰返して調製
したが、アゾカップリング剤として、２−ヒドロキシ−
３−ナフト−ｐ−）ルイド、２−ヒドロキシ−３−ナフ
ト−ｍ−クロロアニリド、２−ヒドロキシ−３−ナフト
−ｐ−フルオロアニリド、２−ヒドロキシ−３−ナフト
−０−ニトロアニリド、２−ヒドロキシ−３−ナフト−
０−ニトロアニリド、２−ヒドロキシ−３−ナフト−ｍ
−アニシジド、２−ヒドロキシ−Ｎ−２−ナフチル−２
−ナフトアミドおよび他の同様なアゾカップリング剤を
用いた。

本発明を特定の好ましい実施態様について説明して来た
けれども、これらに限定するものではなく、むしろ当業
者ならば本発明の精神および特許請求の範囲内において
多くの変形および修正がなされ得ることを理解するであ
ろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアゾ光励起顔料の例を示し；第２図、
第３図および第４図は本発明の光導電性部材の部分略断
面図である。１．２１．３１・・・・・・支持基体、３．２７．３７
・・・・・・アゾ光励起層、５．２３．３９・・・・・
・正孔移送層、３３・・・・・・正孔ブロッキング層、
３５・・・・・・接着層。＜　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｑ！
−Ｑ！−〇ＦＩＧ、　　２ＦＩＧ、　　３ＩＦＩＧ、　　４手続補正書（方式）３、補正をする者事件との関係　　出願人名称　　　　　セ°ロツクス　コーポレーション４、復
代理人５、＠正命令の日付　　　昭和６２年６月３０日６、補
正の対象　　　　　明細書の図面の簡単な説明の關７、
？＊″ＥＯ内８　　　　　　　　　　　　　４おへ明細
書第３８頁第４行目の“第１図は本発明のアゾ光励起顔
料の例を示し；”を、「第１図は、本発明の像形成部材
に用いられるアゾ化合物の一般式、第１−１図ないし１
−２２図は、その具体例を示す構造式である。第１Ａ図
および第１Ｂ図は、実施例における像形成部材の静電複
写特性の評価結果を示す表である。」と補正する。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持基体、次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒは芳香族または置換芳香族基である）のアゾ化合物を含む光励起顔料、および正孔移送層とか
らなる像形成部材。
（２）アリール置換基が約６〜約２４個の炭素原子を含
む特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
（３）アリール置換基がフェニルである特許請求の範囲
第（１）項記載の像形成部材。
（４）アリール置換基がアルキル、アルコキシ、ハロゲ
ン、またはニトロで置換されている特許請求の範囲第（
１）項記載の像形成部材。
（５）アルキル置換基が約１〜約２４個の炭素原子を含
む特許請求の範囲第（４）項記載の像形成部材。
（６）アルキル置換基がメチルである特許請求の範囲第
（４）項記載の像形成部材。
（７）アルコキシ置換基が約１〜約２４個の炭素原子を
含む特許請求の範囲第（４）項記載の像形成部材。
（８）アルコキシ置換基がメトキシである特許請求の範
囲第（４）項記載の像形成部材。
（９）ハロゲンが塩素、臭素、フッ素または沃素である
特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
（１０）アゾ顔料が２，７−ビス（１′−アゾ−２′−
ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）ナフタレンである
特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
（１１）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｐ−トルイジド）ナフタ
レンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材
。
（１２）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｍ−トルイジド）ナフタ
レンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材
。
（１３）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｏ−クロロアニリド）ナ
フタレンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
部材。
（１４）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｍ−クロロアニリド）ナ
フタレンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
部材。
（１５）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｍ−フルオロアニリド）
ナフタレンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形
成部材。
（１６）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｏ−ニトロアニリド）ナ
フタレンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
部材。
（１７）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｐ−ニトロアニリド）ナ
フタレンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
部材。
（１８）アゾ化合物が２，７−ビス（１′−アゾ−２′
−ヒドロキシ−３′−ナフト−ｏ−ｏ−エチルアニリド
）ナフタリンである特許請求の範囲第（１）項記載の像
形成部材。
（１９）正孔移送化合物が式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｘはアルキルおよびハロゲンからなる群より選ばれる
）のアリールジアミンである特許請求の範囲第（１）項記
載の像形成部材。
（２０）Ｘがオルソ（ＣＨ＿３）、メタ（ＣＨ＿３）、
パラ（ＣＨ＿３）、オルソ（Ｃｌ）、メタ（Ｃｌ）また
はパラ（Ｃｌ）である特許請求の範囲第（１９）項記載
の像形成部材。
（２１）支持基体がアルミニウムである特許請求の範囲
第（１）項記載の像形成部材。
（２２）支持基体が高分子有機化合物からなる特許請求
の範囲第（１）項記載の像形成部材。
（２３）（１）支持基体；（２）金属酸化物正孔ブロキ
ッング層；（３）特許請求の範囲第（１）項記載のアゾ
化合物からなるアゾ励起層；および（４）正孔移送層と
からなる像形成部材。
（２４）アリール置換基が約６〜約２４個の炭素原子を
含む特許請求の範囲第（２３）項記載の像形成部材。
（２５）アリール置換基がフェニルである特許請求の範
囲第（２３）項記載の像形成部材。
（２６）アリール置換基がアルキル、アルコキシ、ハロ
ゲンまたはニトロで置換されている特許請求の範囲第（
２３）項記載の像形成部材。
（２７）アルキル置換基が約１〜約２４個の炭素原子を
含む特許請求の範囲第（２６）項記載の像形成部材。
（２８）アルキル置換基がメチルである特許請求の範囲
第（２６）項記載の像形成部材。
（２９）アルコキシ置換基が約１〜約２４個の炭素原子
を含む特許請求の範囲第（２６）項記載の像形成部材。
（３０）アルコキシ置換基がメトキシである特許請求の
範囲第（２６）項記載の像形成部材。
（３１）ハロゲンが塩素、臭素、フッ素または沃素であ
る特許請求の範囲第（２３）項記載の像形成部材。
（３２）アゾ顔料が２，７−ビス（１′−アゾ−２′−
ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）ナフタレンである
特許請求の範囲第（２３）項記載の像形成部材。
（３３）静電潜像を特許請求の範囲第（１）項記載の光
導電性像形成部材上に励起し、次いでこの像で現像し、
その後現像した像を適当な基層に転写することからなる
像形成方法。
（３４）アリール置換基が約６〜約２４個の炭素原子を
含む特許請求の範囲第（３３）項の像形成方法。
（３５）アリール置換基がフェニルである特許請求の範
囲第（３３）項記載の像形成方法。
（３６）アリール置換基がアルキル、アルコキシ、ハロ
ゲンまたはニトロで置換されている特許請求の範囲第（
３３）項記載の像形成方法。
（３７）アルキル置換基が約１〜約２４個の炭素原子を
含む特許請求の範囲第（３６）項記載の像形成方法。
（３８）アルキル置換基がメチルである特許請求の範囲
第（３６）項記載の像形成方法。
（３９）アルコキシ置換基が約１〜約２４個の炭素原子
を含む特許請求の範囲第（３６）項記載の像形成方法。
（４０）アルコキシ置換基がメトキシである特許請求の
範囲第（３６）項記載の像形成方法。
（４１）ハロゲンが塩素、臭素、フッ素または沃素であ
る特許請求の範囲第（３６）項記載の像形成方法。
（４２）アゾ顔料が２，７−ビス（１′−アゾ−２′−
ヒドロキシ−３′−ナフトアニリド）ナフタレンである
特許請求の範囲第（３３）項の像形成方法。
（４３）正孔ブロキッング層が酸化アルミニウムである
特許請求の範囲第（２３）項記載の像形成部材。
（４４）部材がさらに接着層を含む特許請求の範囲第（
２３）項記載の像形成部材。
（４５）次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒは芳香族または置換芳香族置換基である）のアゾ化合物。