JPS63204780A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63204780A JPS63204780A JP3824387A JP3824387A JPS63204780A JP S63204780 A JPS63204780 A JP S63204780A JP 3824387 A JP3824387 A JP 3824387A JP 3824387 A JP3824387 A JP 3824387A JP S63204780 A JPS63204780 A JP S63204780A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008719 thickening Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は１元ディスクなどの元情報処理機器の光源とし
て利用される半導体レーザ装置に関するものである。
て利用される半導体レーザ装置に関するものである。
（ｏｌ 従来の技術
電極ストライプレーザに代表される利得導波型レーザレ
ーザは水平横モードが不安定で、光出力、ＴＩＬ流特性
にキングが発生しやすいという欠点を有している。
ーザは水平横モードが不安定で、光出力、ＴＩＬ流特性
にキングが発生しやすいという欠点を有している。
これを解決すべく、レーザ装置の表面中央部の電鳳幅を
広くシ、共振器端面側に近づくにつれてｔｉ＠ｔ−狭く
する、いわゆるテーパストライプ構造が１）発された（
例えばＪ−Ａｐｌ）ムｐｈｙｓ−５４（８＋、 Ａｕｇ
ｕｓ１９８３．ｐ、４３０２参照）。
広くシ、共振器端面側に近づくにつれてｔｉ＠ｔ−狭く
する、いわゆるテーパストライプ構造が１）発された（
例えばＪ−Ａｐｌ）ムｐｈｙｓ−５４（８＋、 Ａｕｇ
ｕｓ１９８３．ｐ、４３０２参照）。
この構造では、テーパストライプの寸法を適当に設定す
ることにより、水平横モードが安定し、ビームスポット
のサイズや波面の曲率を調整できる。
ることにより、水平横モードが安定し、ビームスポット
のサイズや波面の曲率を調整できる。
然るに上記テーパストライプ構造では、キャップ層とオ
ーミック接触する祇極面櫨がレーザし型表面の一部に限
定されるため、斯るｖＬ極の接触抵抗が大きくなる。
ーミック接触する祇極面櫨がレーザし型表面の一部に限
定されるため、斯るｖＬ極の接触抵抗が大きくなる。
し罎 発明が解決しようとする問題点
本発明は、テーパストライプ構造を用いることなく、利
得導波型レーザの水平横モードを安定にすると共に、ビ
ームスポットのサイズや波面の曲率を調整し得る構造を
提供するものである。
得導波型レーザの水平横モードを安定にすると共に、ビ
ームスポットのサイズや波面の曲率を調整し得る構造を
提供するものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明の半導体レーザ装置は、第１因に示す如く光軸に
清うストライプ溝ａＤを備えた基板Ｏα上にブロックＭ
Ｑ２１．Ｍ１クラクド禎住阻活性層Ｉ、第２クラッド層
ｔｔｓを順次積層したインナーストライプ型半導体レー
ザ装置において、上記第１ククツド胸αＪの平担部の厚
み（ｗ、Ｗ）が１両共振器端面（１ｊ■より内側に入っ
た中央部において犬（ｗ＜Ｗ）であることを特徴とする
。
清うストライプ溝ａＤを備えた基板Ｏα上にブロックＭ
Ｑ２１．Ｍ１クラクド禎住阻活性層Ｉ、第２クラッド層
ｔｔｓを順次積層したインナーストライプ型半導体レー
ザ装置において、上記第１ククツド胸αＪの平担部の厚
み（ｗ、Ｗ）が１両共振器端面（１ｊ■より内側に入っ
た中央部において犬（ｗ＜Ｗ）であることを特徴とする
。
（ホ）作 用
第１ククツド層の中央の厚みの大なる（司領域は利得導
波の領域となり、共振器端面付近の厚みの小なる１ｗｌ
領域は屈折率４匝の領域となる。後者の屈折率４波領域
では、ブロック＋ｍの光吸収効果によシ水畢横モードが
安定化；する。父、前者の利得導披饋域の存社によ＃）
縦マルチモード動作が得らｎ、かつその領域の光軸方向
の長さｔ−適当に設定することにより、波面の曲率を調
整でき、非点収差を小さくできる。
波の領域となり、共振器端面付近の厚みの小なる１ｗｌ
領域は屈折率４匝の領域となる。後者の屈折率４波領域
では、ブロック＋ｍの光吸収効果によシ水畢横モードが
安定化；する。父、前者の利得導披饋域の存社によ＃）
縦マルチモード動作が得らｎ、かつその領域の光軸方向
の長さｔ−適当に設定することにより、波面の曲率を調
整でき、非点収差を小さくできる。
（へ）実施例
第１図の本発明実施例の半導体レーザ装置において、各
部の構成は次の通りである。
部の構成は次の通りである。
第１クウツド層ｕ３の中央の厚みの大なる領域の光軸に
沿う長さＺＷは約１５０μｍであり、厚みの小なる領域
の向長さＺＷは約５０μｍである。
沿う長さＺＷは約１５０μｍであり、厚みの小なる領域
の向長さＺＷは約５０μｍである。
父、ストライプ溝（１）１の幅は約５μｍ、深さは約２
μｍ、長さは約２５０μｍである。基叔ａ■の表面及び
ギャップ１）αθの表面には夫々オーミック電極α″７
）Ｑｌｌｌが被着されている。
μｍ、長さは約２５０μｍである。基叔ａ■の表面及び
ギャップ１）αθの表面には夫々オーミック電極α″７
）Ｑｌｌｌが被着されている。
上記装置の製造工程を簡単に説明するに、まず第２図に
示す如く、基板（１（ｌの表面中央部に深さ約α６μｍ
の凹所（２ｉｌｔ−光軸方向＜１００＞と直父的に形成
し１次いで第５図に示す如く、斯る基板表面に液相エピ
タキシャル成長（ＬＰＲ）法によジブロック層ｔｔａを
設ける。このとき、上記凹所の深さ０．３μｍはほぼそ
のま＼ブロック層１）ｚの凹所のの深さとなる。第４図
に示す続く工程では、光軸に沿うストライプ溝σＢがブ
ロックＩＩＩ（１２１から基板住Ｑにかけて形成され、
その後斯る溝内を含めブロックｍａｚの表面に、第１ク
クツド層（１３１，活性層Ｉ。
示す如く、基板（１（ｌの表面中央部に深さ約α６μｍ
の凹所（２ｉｌｔ−光軸方向＜１００＞と直父的に形成
し１次いで第５図に示す如く、斯る基板表面に液相エピ
タキシャル成長（ＬＰＲ）法によジブロック層ｔｔａを
設ける。このとき、上記凹所の深さ０．３μｍはほぼそ
のま＼ブロック層１）ｚの凹所のの深さとなる。第４図
に示す続く工程では、光軸に沿うストライプ溝σＢがブ
ロックＩＩＩ（１２１から基板住Ｑにかけて形成され、
その後斯る溝内を含めブロックｍａｚの表面に、第１ク
クツド層（１３１，活性層Ｉ。
第２ククツドｍｔｔ５１．キャップ層（１６１が順次Ｌ
ＰＥ法により堆積される。この第１クラツドＩ！＊（１
３の成長時、成長表面の平担化が起こ夛、その結果第１
ククツドｍａ：ｓの厚みに大小（Ｗ、ｗ）が生じる。
ＰＥ法により堆積される。この第１クラツドＩ！＊（１
３の成長時、成長表面の平担化が起こ夛、その結果第１
ククツドｍａ：ｓの厚みに大小（Ｗ、ｗ）が生じる。
上記装置において、Ｗの領域は屈折率導波型となシＷの
領域は利得導波型となるが、０．１μｍ≦Ｗ≦０．２５
／Ａｍ、０．３５／Ｊｍ≦Ｗ≦０．５ ／Ｊ ｍの範囲
でも同様である。尚、０．５μｍ（Ｗでは、横モードマ
ルチとなり好ましくない。又Ｗの領域の光軸方向の長さ
７ｗとしては、１０μｍ〜５０μｍが好適である。
領域は利得導波型となるが、０．１μｍ≦Ｗ≦０．２５
／Ａｍ、０．３５／Ｊｍ≦Ｗ≦０．５ ／Ｊ ｍの範囲
でも同様である。尚、０．５μｍ（Ｗでは、横モードマ
ルチとなり好ましくない。又Ｗの領域の光軸方向の長さ
７ｗとしては、１０μｍ〜５０μｍが好適である。
（ト１ 発明の効果
本発明の半導体レーザ装置では、共振器端面附近で屈折
率導波型となるので、水平横モードの安定化が因られ、
又内部で利得導波型となるので。
率導波型となるので、水平横モードの安定化が因られ、
又内部で利得導波型となるので。
その領域の光軸方向の長さＪｗを調整することにより波
面の曲率を調整して、非点収差を小さくでき、かつ利得
導波型の特性である縦マルチモード動作が得られる。
面の曲率を調整して、非点収差を小さくでき、かつ利得
導波型の特性である縦マルチモード動作が得られる。
第１図は本発明実施例の半導体レーザ装置を示し、同図
Ａは側面図、向１／Ｂは正面図、同図Ｏは第１）１Ａに
おけるａ−Ｏ断面図である。第２図乃至第４図は第１図
に至る製造工程別斜視因である。 （ＩＧ・・・基板、αり・・・ブロック層、（１３１・
・・第１クラッド＃Ｉ、α４・・・活性層、α９・・・
第２クラッド層。
Ａは側面図、向１／Ｂは正面図、同図Ｏは第１）１Ａに
おけるａ−Ｏ断面図である。第２図乃至第４図は第１図
に至る製造工程別斜視因である。 （ＩＧ・・・基板、αり・・・ブロック層、（１３１・
・・第１クラッド＃Ｉ、α４・・・活性層、α９・・・
第２クラッド層。
Claims (1)
- （１）光軸に沿うストライプ溝を備えた基板上に、ブロ
ック層、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を順
次積層したインナーストライプ型半導体レーザ装置にお
いて、上記第１クラッド層の平担部の厚みが、両共振器
端面より内側に入つた中央部において大であることを特
徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038243A JP2547558B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038243A JP2547558B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204780A true JPS63204780A (ja) | 1988-08-24 |
| JP2547558B2 JP2547558B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=12519864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62038243A Expired - Fee Related JP2547558B2 (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2547558B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135184A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63202986A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62038243A patent/JP2547558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135184A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63202986A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2547558B2 (ja) | 1996-10-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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