JPS6320451A - イオンプレ−テイング - Google Patents
イオンプレ−テイングInfo
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- JPS6320451A JPS6320451A JP16355286A JP16355286A JPS6320451A JP S6320451 A JPS6320451 A JP S6320451A JP 16355286 A JP16355286 A JP 16355286A JP 16355286 A JP16355286 A JP 16355286A JP S6320451 A JPS6320451 A JP S6320451A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野〕
この発明は例えば機械部品の表面に金属又はセラミック
の被膜を蒸着形成させるイオンプレーティング、特に部
品のエツジ部への蒸着技術の改良に関するものである。
の被膜を蒸着形成させるイオンプレーティング、特に部
品のエツジ部への蒸着技術の改良に関するものである。
[従来の技術]
第1図はイオンプレーティング装置を示す説明図であり
、図において1はホローカソードガン、2はホローカソ
ードガン1の上方に設けられたコーティング対象部品(
被処理物品)支持用の冶具、3はホローカソードガン1
と治具2との間に設けられたシャッタ、4はホローカソ
ードガン1と治具2とを取り囲む真空容器、5は真空容
器4の内側に設けられた複数の予熱ヒータ、6は真空容
器4内に反応ガスを導入するガスチューブである。ホロ
ーカソードガン1は、第2図に示すように、内部に金属
Tiを入れた水冷Cuルツボ製のハース7と、このハー
ス内のTiにArガスを吹き付けるTaチューブ8とか
らなり、ハース7とTaチューブ8との間には、ハース
7がプラス、Taチューブ8がマイナスとなるように電
圧が印加されている。
、図において1はホローカソードガン、2はホローカソ
ードガン1の上方に設けられたコーティング対象部品(
被処理物品)支持用の冶具、3はホローカソードガン1
と治具2との間に設けられたシャッタ、4はホローカソ
ードガン1と治具2とを取り囲む真空容器、5は真空容
器4の内側に設けられた複数の予熱ヒータ、6は真空容
器4内に反応ガスを導入するガスチューブである。ホロ
ーカソードガン1は、第2図に示すように、内部に金属
Tiを入れた水冷Cuルツボ製のハース7と、このハー
ス内のTiにArガスを吹き付けるTaチューブ8とか
らなり、ハース7とTaチューブ8との間には、ハース
7がプラス、Taチューブ8がマイナスとなるように電
圧が印加されている。
イオンプレーティング装置は上記のように構成され、従
来のイオンプレーティングは次のようにして行なわれて
いた。すなわち、真空容器4内の圧力を例えば0.02
〜0.005Torr程度のアルゴンガス雰囲気に保ち
、金属の蒸発源であるホローカソードガン1の上部に、
コーティング対象部品を治具2を介してセットし、部品
に対して該蒸発源との間に負の電圧をかけると、部品と
周囲との間でグロー放電が発生して、部品のまわりに強
い電界ができる。この状態で該蒸発源から金属(Ti)
を蒸発させると、蒸発原子はグロー放電のプラズマ中で
電離されてイオンになり、このイオン化された蒸発原子
はガスイオンと共に電界で加速されて対象部品に衝撃的
に入射し、その結果、対象部品の表面に被膜が形成され
る。
来のイオンプレーティングは次のようにして行なわれて
いた。すなわち、真空容器4内の圧力を例えば0.02
〜0.005Torr程度のアルゴンガス雰囲気に保ち
、金属の蒸発源であるホローカソードガン1の上部に、
コーティング対象部品を治具2を介してセットし、部品
に対して該蒸発源との間に負の電圧をかけると、部品と
周囲との間でグロー放電が発生して、部品のまわりに強
い電界ができる。この状態で該蒸発源から金属(Ti)
を蒸発させると、蒸発原子はグロー放電のプラズマ中で
電離されてイオンになり、このイオン化された蒸発原子
はガスイオンと共に電界で加速されて対象部品に衝撃的
に入射し、その結果、対象部品の表面に被膜が形成され
る。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来のイオンプレーティングでは、カミソ
リ或いはビン状の被処理物品を処理した場合、そのエツ
ジ部にイオンが集中して局部的に大電流が流れ、その部
分の温度が上昇し、被処理物品に熱影響が極度に大きく
現われるか、場合によっては溶融してその部分の形状が
、第3図〜第5図の破線に示すように変化するという問
題点があった。
リ或いはビン状の被処理物品を処理した場合、そのエツ
ジ部にイオンが集中して局部的に大電流が流れ、その部
分の温度が上昇し、被処理物品に熱影響が極度に大きく
現われるか、場合によっては溶融してその部分の形状が
、第3図〜第5図の破線に示すように変化するという問
題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、エツジ部にイオンが系中しても、その部分の温度
が上昇しないようにしたイオンプレーティングを得るこ
とを目的とする。
ので、エツジ部にイオンが系中しても、その部分の温度
が上昇しないようにしたイオンプレーティングを得るこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係るイオンプレーティングは、負の電圧が印
加された被処理物品に、正電荷が与えられたガス状の金
属又は金属化合物を照射して、該被処理物品の表面を該
金属又は金属化合物で被覆するイオンプレーティングに
おいて、前記被処理物品のエツジ部に冷却ガスを吹き付
けつつ前記金属又は金属化合物を照射するようにしたこ
とを特徴とするものである。
加された被処理物品に、正電荷が与えられたガス状の金
属又は金属化合物を照射して、該被処理物品の表面を該
金属又は金属化合物で被覆するイオンプレーティングに
おいて、前記被処理物品のエツジ部に冷却ガスを吹き付
けつつ前記金属又は金属化合物を照射するようにしたこ
とを特徴とするものである。
[作用]
この発明においては、被処理物品のエツジ部に冷却ガス
を吹き付けつつ前記金属又は金属化合物を照射するよう
にしたから、被処理物品のエツジ部における発生熱が除
去され、そのエツジ部における過熱が抑制される。
を吹き付けつつ前記金属又は金属化合物を照射するよう
にしたから、被処理物品のエツジ部における発生熱が除
去され、そのエツジ部における過熱が抑制される。
【実施例]
この発明に係るイオンプレーティングは、被処理物品1
0のエツジ部11に冷却ガスを吹き付けつつ金属又は金
属化合物を照射するようにしたものである。冷却ガスと
しては、炉内に存在するのと同種のガス(例えば、金属
化合物がTiNではN2ガス、金属化合物がTiCでは
アセチレン)又は不活性ガス(Ar%He)を使用する
。
0のエツジ部11に冷却ガスを吹き付けつつ金属又は金
属化合物を照射するようにしたものである。冷却ガスと
しては、炉内に存在するのと同種のガス(例えば、金属
化合物がTiNではN2ガス、金属化合物がTiCでは
アセチレン)又は不活性ガス(Ar%He)を使用する
。
上記のようにして行なうイオンプレーティングにおいて
は、冷却ガスが被処理物品10のエツジ部11で発生す
る熱を除去するので、エツジ部11における過熱が抑制
され、被処理物品10の変形が防止されることになる。
は、冷却ガスが被処理物品10のエツジ部11で発生す
る熱を除去するので、エツジ部11における過熱が抑制
され、被処理物品10の変形が防止されることになる。
実験例
0.5s+s角(コーナーR:Q、2 μn) X長さ
50mmの金型用突き出しビンにイオンプレーティング
によりTiN膜のコーティングを行なったところ、Ti
Nイオンが蒸着されることにより発生したジュール熱の
ために、ビンのコーナーが局所的に溶融し、またビン先
端も丸く溶融した。そこで、2虐綱φノズルをビン付近
に設け、Arガスを吹き込み、ビンを冷却しつつ上と同
じ条件にてTiN蒸着を行なフたところ、溶融させるこ
となく蒸着することが出来た。この場合、冷却ガス量は
多いほど、またビン付近での線速度が大きいほど冷却効
果が大であるが、多すぎると冷却ガス分子が製品周囲で
過剰になり、TiNイオンがスムーズにビンに到達する
のが妨げられて、希望する膜の密着度、膜厚が得られな
かった。製品の急激な温度上昇を防ぐには、発生するジ
ュール熱とビンの特性(熱容量や熱伝導率等の物性)に
決まる温度上昇を補償するガス量で充分である。今回の
実験例では、製品に当たるArガスの線速度として0.
1〜2QOm/secが適正であった。また、ノズルか
らのガス吐出方向を、蒸着を行なう真空炉に取り付けた
排気口の方向に向けた方が、炉内のTiNイオン分布等
を乱さず良好であった。
50mmの金型用突き出しビンにイオンプレーティング
によりTiN膜のコーティングを行なったところ、Ti
Nイオンが蒸着されることにより発生したジュール熱の
ために、ビンのコーナーが局所的に溶融し、またビン先
端も丸く溶融した。そこで、2虐綱φノズルをビン付近
に設け、Arガスを吹き込み、ビンを冷却しつつ上と同
じ条件にてTiN蒸着を行なフたところ、溶融させるこ
となく蒸着することが出来た。この場合、冷却ガス量は
多いほど、またビン付近での線速度が大きいほど冷却効
果が大であるが、多すぎると冷却ガス分子が製品周囲で
過剰になり、TiNイオンがスムーズにビンに到達する
のが妨げられて、希望する膜の密着度、膜厚が得られな
かった。製品の急激な温度上昇を防ぐには、発生するジ
ュール熱とビンの特性(熱容量や熱伝導率等の物性)に
決まる温度上昇を補償するガス量で充分である。今回の
実験例では、製品に当たるArガスの線速度として0.
1〜2QOm/secが適正であった。また、ノズルか
らのガス吐出方向を、蒸着を行なう真空炉に取り付けた
排気口の方向に向けた方が、炉内のTiNイオン分布等
を乱さず良好であった。
[発明の効果]
この発明は以上説明したとおり、被処理物品のエツジ部
に冷却ガスを吹き付けるようにしたので、エツジ部で発
生した熱はこの冷却ガスによって除去され、その結果、
熱影響によるエツジ部の変形が防止されるという効果が
ある。
に冷却ガスを吹き付けるようにしたので、エツジ部で発
生した熱はこの冷却ガスによって除去され、その結果、
熱影響によるエツジ部の変形が防止されるという効果が
ある。
第1図はイオンプレーティング装置の説明図、第2図は
ホローカソードガンの説明図、第3図〜第5図は被処理
物品のエツジの形状変化を示す説明図である。 図において、1はホローカソードガン、2は治具、3は
シャッタ、4は真空容器、5は予熱ヒータ、6はガスチ
ューブ、7はハース、8はTaチューブ、10は被処理
物品、11はエツジ部である なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第1図 第2図 第3図
ホローカソードガンの説明図、第3図〜第5図は被処理
物品のエツジの形状変化を示す説明図である。 図において、1はホローカソードガン、2は治具、3は
シャッタ、4は真空容器、5は予熱ヒータ、6はガスチ
ューブ、7はハース、8はTaチューブ、10は被処理
物品、11はエツジ部である なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 負の電圧が印加された被処理物品に、正電荷が与えられ
たガス状の金属又は金属化合物を照射して、該被処理物
品の表面を該金属又は金属化合物で被覆するイオンプレ
ーティングにおいて、前記被処理物品のエッジ部に冷却
ガスを吹き付けつつ前記金属又は金属化合物を照射する
ようにしたことを特徴とするイオンプレーティング。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16355286A JPS6320451A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | イオンプレ−テイング |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16355286A JPS6320451A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | イオンプレ−テイング |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6320451A true JPS6320451A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15776064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16355286A Pending JPS6320451A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | イオンプレ−テイング |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6320451A (ja) |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16355286A patent/JPS6320451A/ja active Pending
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