JPS63202924A - 半導体装置製造用の急速加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置製造用の急速加熱装置に関し、
さらに詳しくは、半導体装置の製造に際して、処理ガス
を供給しながら半導体材料に対する熱処理を行なうため
の急速加熱装置９例えば、熱源としての加熱用ランプ群
を有して急速加熱をなし得るようにしたランプアニール
装置における処理室内部での温度分布の均一性を向上、
確保するための改良に係るものである。

〔従来の技術〕

従来例によるこの種のランプアニール装置の概要構成を
第２図に模式的に示しである。

すなわち、この第２図従来例構成において、符号１は内
部に加熱処理室、いわゆるチャンバ２を形成させ、かつ
−側部に開閉部３を配した筐体であって、チャンバ２内
には、熱処理しようとする半導体材料４を支持台５上に
載置して支持するようになっている。また、６は前記筐
体１の上、丁酉外部に配した熱源としての加熱用ランプ
群であり、さらに、７および８は前記チャンバ２内に対
し、処理ガスを導入、排出するためのガス導入管および
排出管、８は同処理ガスの導入量を調整するガス流量制
御装置である。

しかして、この従来例による装置構成の場合には、図示
態様のように、筐体ｌのチャンバ２内にあって、支持台
５」−に熱処理対象としての半導体材料４を載置支持さ
せた状態で、ガス流量制御装置９によって流量制御され
た処理ガスを、ガス導入管７からチャンバ２内に導入さ
せながら、加熱用ランプ群６により半導体材料４を急速
に加熱させ、かつこの処理ガスで所期の熱処理を行なう
ようにし、また、処理後のガスについては、順次にガス
排出管８から排出させるのであり、さらに、このように
して処理ガスを用いた熱処理完了後。

処理済みの半導体材料４をチャンバ２内から取り出して
終了するのである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、前記のように構成される従来例装置にお
いては、チャンバ２内で急速加熱されている半導体材料
４に対し、常温程度の処理ガスを導入供給させるように
しているために、半導体材料４に接する各部分での処理
ガスの温度分布の均一性が損なわれており、この半導体
材料４の処理ガスを用いた熱処理が均等になされないと
云う問題点があった。

この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであって、その目的とするところは、半導体
材料に対する処理ガスを用いた熱処理において、処理ガ
スの温度分布の均一性を向」ニジ得るようにした。この
種の半導体装置製造用の急速加熱装置を提供することで
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
製造用の急速加熱装置は、ガス導入管の途」−にガス加
熱装置を設け、このガス加熱装置により、導入される処
理ガスを、熱処理温度に対応して予備加熱し得るように
したものである。

〔作　　　用〕

すなわち、この発明装置においては、ガス流量制御装置
によって流量制御された処理ガスを、ガス導入管からチ
ャンバ内に導入させる過程で、ガス加熱装置により、熱
処理対象としての半導体材料の熱処理温度に対応して予
備加熱するようにしているために、チャンバ内での半導
体材料に対する処理ガスの温度分布の均一性を格段に向
上し得るのである。

〔実　施　例〕

以下、この発明に係る半導体装置製造用の急速加熱装置
の一実施例につき、第１図を参照して詳細に説明する。

第１図はこの実施例装置の概要構成を模式的に示す断面
説明図であり、この第１図実施例構成において、前記第
２図従来例構成と同一符号は同一または相当部分を示し
ている。

すなわち、この第１図実施例構成においても、この実施
例装置は、チャンバ２を内部に形成させて、−側部に開
閉部３を配した筐体１を有しており、チャンバ２内には
、熱処理しようとする半導体材料４を支持台５上に載置
して支持するようにすると共に、筐体１の上、丁酉外部
には、熱源としての加熱用ランプ群６を配しである。ま
た、前記チャンバ２内に対しては、処理ガスを導入、排
出するためのガス導入管７およびガス排出管８を接続さ
せ、ガス導入管７には、ガス流量制御装置９によって導
入量を調整した処理ガスを導入、供給させると共に、こ
のガス導入管７の途上に導入される処理ガスを、チャン
バ２内での熱処理温度に対応して予備加熱するガス加熱
装置１０を設けたものである。

従って、この実施例装置の構成においても、筐体ｌのチ
ャンバ２内にあって、支持台５上に熱処理対象としての
半導体材料４を載置支持させた状態で、ガス流量制御装
置９により流量制御された処理ガスを、ガス導入管７か
らチャンバ２内に導入させながら、加熱用ランプ群６に
より半導体材料４を急速に加熱させて、この処理ガスに
よる所期の熱処理を行なうが、この場合、ガス導入管７
からチャンバ２内に導入される処理ガスは、前記のよう
に、ガス流量制御装置９により流量制御されると共に、
一方で、ガス加熱装置１０によりチャンバ２内での熱処
理温度に対応して予備加熱されるために、半導体材料４
に対する処理ガスの温度分布を均一化できて、この処理
ガスによる所期の熱処理を効果的になし得るのであり、
また、処理後のガスについては、順次にガス排出管８か
ら排出され、このようにして処理ガスを用いた熱処理完
了後、処理済みの半導体材料４をチャンバ２内から取り
出して終了するのである。

なお、前記実施例においては、ガス加熱装置１０をガス
流量制御装置９の後流側に配した構成にしているが、必
要に応じて前流側に配しても良く、同様な作用、効果を
奏し得る。

〔発明の効果〕

以上詳述したようにこの発明によれば、半導体装置の製
造に際し、処理ガスを供給しながら半導体材料に対する
熱処理を行なうための急速加熱装置において、ガス導入
管の途上に、導入される処理ガスをチャンバ内での熱処
理温度に対応して予備加熱するガス加熱装置を設けて構
成したので、チャンバ内での半導体材料に対する処理ガ
スの温度分布の均一性を格段に向上、かつ確保させるこ
とができ、これによって半導体材料に対する所期の処理
ガスを用いた熱処理を効果的に行ない得るのであり、し
かも、従来例に比較するとき、単にガス導入管の途」二
にガス加熱装置を設けるだけの簡単な構造であるから、
極めて容易に実施できるなどの優れた特長を有するもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体装置製造用の急速加熱装
置の一実施例による概要構成を模式的に示す断面説明図
であり、また、第２図は従来例による同上急速加熱装置
の概要構成を模式的に示す断面説明図である。 １・・・・筐体、２・・・・チャンバ（加熱処理室）、
３・・・・開閉部、４・・・・熱処理対象としての半導
体材料、５・・・・支持台、６・・・・加熱用ランプ群
、７・・・・ガス導入管、８・・・・ガス排出管、９・
・・・ガス流量制御装置、１０・・・・ガス加熱装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　内部に熱処理対象としての半導体材料を支持するチャ
   ンバを形成させた開閉可能な筐体と、前記半導体材料を
   急速加熱する熱源と、前記チャンバ内にガス流量制御装
   置によつて導入量を調整した処理ガスを導入するガス導
   入管、およびチャンバ内から処理後のガスを排出するガ
   ス排出管と、前記ガス導入管の途上に設けられ、導入さ
   れる処理ガスをチャンバ内での熱処理温度に対応して予
   備加熱するガス加熱装置とを備えたことを特徴とする半
   導体装置製造用の急速加熱装置。