JPS63202924A - 半導体装置製造用の急速加熱装置 - Google Patents
半導体装置製造用の急速加熱装置Info
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- JPS63202924A JPS63202924A JP3625687A JP3625687A JPS63202924A JP S63202924 A JPS63202924 A JP S63202924A JP 3625687 A JP3625687 A JP 3625687A JP 3625687 A JP3625687 A JP 3625687A JP S63202924 A JPS63202924 A JP S63202924A
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- Japan
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- gas
- chamber
- semiconductor material
- heat treatment
- rapid heating
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Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置製造用の急速加熱装置に関し、
さらに詳しくは、半導体装置の製造に際して、処理ガス
を供給しながら半導体材料に対する熱処理を行なうため
の急速加熱装置9例えば、熱源としての加熱用ランプ群
を有して急速加熱をなし得るようにしたランプアニール
装置における処理室内部での温度分布の均一性を向上、
確保するための改良に係るものである。
さらに詳しくは、半導体装置の製造に際して、処理ガス
を供給しながら半導体材料に対する熱処理を行なうため
の急速加熱装置9例えば、熱源としての加熱用ランプ群
を有して急速加熱をなし得るようにしたランプアニール
装置における処理室内部での温度分布の均一性を向上、
確保するための改良に係るものである。
従来例によるこの種のランプアニール装置の概要構成を
第2図に模式的に示しである。
第2図に模式的に示しである。
すなわち、この第2図従来例構成において、符号1は内
部に加熱処理室、いわゆるチャンバ2を形成させ、かつ
−側部に開閉部3を配した筐体であって、チャンバ2内
には、熱処理しようとする半導体材料4を支持台5上に
載置して支持するようになっている。また、6は前記筐
体1の上、丁酉外部に配した熱源としての加熱用ランプ
群であり、さらに、7および8は前記チャンバ2内に対
し、処理ガスを導入、排出するためのガス導入管および
排出管、8は同処理ガスの導入量を調整するガス流量制
御装置である。
部に加熱処理室、いわゆるチャンバ2を形成させ、かつ
−側部に開閉部3を配した筐体であって、チャンバ2内
には、熱処理しようとする半導体材料4を支持台5上に
載置して支持するようになっている。また、6は前記筐
体1の上、丁酉外部に配した熱源としての加熱用ランプ
群であり、さらに、7および8は前記チャンバ2内に対
し、処理ガスを導入、排出するためのガス導入管および
排出管、8は同処理ガスの導入量を調整するガス流量制
御装置である。
しかして、この従来例による装置構成の場合には、図示
態様のように、筐体lのチャンバ2内にあって、支持台
5」−に熱処理対象としての半導体材料4を載置支持さ
せた状態で、ガス流量制御装置9によって流量制御され
た処理ガスを、ガス導入管7からチャンバ2内に導入さ
せながら、加熱用ランプ群6により半導体材料4を急速
に加熱させ、かつこの処理ガスで所期の熱処理を行なう
ようにし、また、処理後のガスについては、順次にガス
排出管8から排出させるのであり、さらに、このように
して処理ガスを用いた熱処理完了後。
態様のように、筐体lのチャンバ2内にあって、支持台
5」−に熱処理対象としての半導体材料4を載置支持さ
せた状態で、ガス流量制御装置9によって流量制御され
た処理ガスを、ガス導入管7からチャンバ2内に導入さ
せながら、加熱用ランプ群6により半導体材料4を急速
に加熱させ、かつこの処理ガスで所期の熱処理を行なう
ようにし、また、処理後のガスについては、順次にガス
排出管8から排出させるのであり、さらに、このように
して処理ガスを用いた熱処理完了後。
処理済みの半導体材料4をチャンバ2内から取り出して
終了するのである。
終了するのである。
しかしながら、前記のように構成される従来例装置にお
いては、チャンバ2内で急速加熱されている半導体材料
4に対し、常温程度の処理ガスを導入供給させるように
しているために、半導体材料4に接する各部分での処理
ガスの温度分布の均一性が損なわれており、この半導体
材料4の処理ガスを用いた熱処理が均等になされないと
云う問題点があった。
いては、チャンバ2内で急速加熱されている半導体材料
4に対し、常温程度の処理ガスを導入供給させるように
しているために、半導体材料4に接する各部分での処理
ガスの温度分布の均一性が損なわれており、この半導体
材料4の処理ガスを用いた熱処理が均等になされないと
云う問題点があった。
この発明は従来のこのような問題点を解消するためにな
されたものであって、その目的とするところは、半導体
材料に対する処理ガスを用いた熱処理において、処理ガ
スの温度分布の均一性を向」ニジ得るようにした。この
種の半導体装置製造用の急速加熱装置を提供することで
ある。
されたものであって、その目的とするところは、半導体
材料に対する処理ガスを用いた熱処理において、処理ガ
スの温度分布の均一性を向」ニジ得るようにした。この
種の半導体装置製造用の急速加熱装置を提供することで
ある。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
製造用の急速加熱装置は、ガス導入管の途」−にガス加
熱装置を設け、このガス加熱装置により、導入される処
理ガスを、熱処理温度に対応して予備加熱し得るように
したものである。
製造用の急速加熱装置は、ガス導入管の途」−にガス加
熱装置を設け、このガス加熱装置により、導入される処
理ガスを、熱処理温度に対応して予備加熱し得るように
したものである。
すなわち、この発明装置においては、ガス流量制御装置
によって流量制御された処理ガスを、ガス導入管からチ
ャンバ内に導入させる過程で、ガス加熱装置により、熱
処理対象としての半導体材料の熱処理温度に対応して予
備加熱するようにしているために、チャンバ内での半導
体材料に対する処理ガスの温度分布の均一性を格段に向
上し得るのである。
によって流量制御された処理ガスを、ガス導入管からチ
ャンバ内に導入させる過程で、ガス加熱装置により、熱
処理対象としての半導体材料の熱処理温度に対応して予
備加熱するようにしているために、チャンバ内での半導
体材料に対する処理ガスの温度分布の均一性を格段に向
上し得るのである。
以下、この発明に係る半導体装置製造用の急速加熱装置
の一実施例につき、第1図を参照して詳細に説明する。
の一実施例につき、第1図を参照して詳細に説明する。
第1図はこの実施例装置の概要構成を模式的に示す断面
説明図であり、この第1図実施例構成において、前記第
2図従来例構成と同一符号は同一または相当部分を示し
ている。
説明図であり、この第1図実施例構成において、前記第
2図従来例構成と同一符号は同一または相当部分を示し
ている。
すなわち、この第1図実施例構成においても、この実施
例装置は、チャンバ2を内部に形成させて、−側部に開
閉部3を配した筐体1を有しており、チャンバ2内には
、熱処理しようとする半導体材料4を支持台5上に載置
して支持するようにすると共に、筐体1の上、丁酉外部
には、熱源としての加熱用ランプ群6を配しである。ま
た、前記チャンバ2内に対しては、処理ガスを導入、排
出するためのガス導入管7およびガス排出管8を接続さ
せ、ガス導入管7には、ガス流量制御装置9によって導
入量を調整した処理ガスを導入、供給させると共に、こ
のガス導入管7の途上に導入される処理ガスを、チャン
バ2内での熱処理温度に対応して予備加熱するガス加熱
装置10を設けたものである。
例装置は、チャンバ2を内部に形成させて、−側部に開
閉部3を配した筐体1を有しており、チャンバ2内には
、熱処理しようとする半導体材料4を支持台5上に載置
して支持するようにすると共に、筐体1の上、丁酉外部
には、熱源としての加熱用ランプ群6を配しである。ま
た、前記チャンバ2内に対しては、処理ガスを導入、排
出するためのガス導入管7およびガス排出管8を接続さ
せ、ガス導入管7には、ガス流量制御装置9によって導
入量を調整した処理ガスを導入、供給させると共に、こ
のガス導入管7の途上に導入される処理ガスを、チャン
バ2内での熱処理温度に対応して予備加熱するガス加熱
装置10を設けたものである。
従って、この実施例装置の構成においても、筐体lのチ
ャンバ2内にあって、支持台5上に熱処理対象としての
半導体材料4を載置支持させた状態で、ガス流量制御装
置9により流量制御された処理ガスを、ガス導入管7か
らチャンバ2内に導入させながら、加熱用ランプ群6に
より半導体材料4を急速に加熱させて、この処理ガスに
よる所期の熱処理を行なうが、この場合、ガス導入管7
からチャンバ2内に導入される処理ガスは、前記のよう
に、ガス流量制御装置9により流量制御されると共に、
一方で、ガス加熱装置10によりチャンバ2内での熱処
理温度に対応して予備加熱されるために、半導体材料4
に対する処理ガスの温度分布を均一化できて、この処理
ガスによる所期の熱処理を効果的になし得るのであり、
また、処理後のガスについては、順次にガス排出管8か
ら排出され、このようにして処理ガスを用いた熱処理完
了後、処理済みの半導体材料4をチャンバ2内から取り
出して終了するのである。
ャンバ2内にあって、支持台5上に熱処理対象としての
半導体材料4を載置支持させた状態で、ガス流量制御装
置9により流量制御された処理ガスを、ガス導入管7か
らチャンバ2内に導入させながら、加熱用ランプ群6に
より半導体材料4を急速に加熱させて、この処理ガスに
よる所期の熱処理を行なうが、この場合、ガス導入管7
からチャンバ2内に導入される処理ガスは、前記のよう
に、ガス流量制御装置9により流量制御されると共に、
一方で、ガス加熱装置10によりチャンバ2内での熱処
理温度に対応して予備加熱されるために、半導体材料4
に対する処理ガスの温度分布を均一化できて、この処理
ガスによる所期の熱処理を効果的になし得るのであり、
また、処理後のガスについては、順次にガス排出管8か
ら排出され、このようにして処理ガスを用いた熱処理完
了後、処理済みの半導体材料4をチャンバ2内から取り
出して終了するのである。
なお、前記実施例においては、ガス加熱装置10をガス
流量制御装置9の後流側に配した構成にしているが、必
要に応じて前流側に配しても良く、同様な作用、効果を
奏し得る。
流量制御装置9の後流側に配した構成にしているが、必
要に応じて前流側に配しても良く、同様な作用、効果を
奏し得る。
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体装置の製
造に際し、処理ガスを供給しながら半導体材料に対する
熱処理を行なうための急速加熱装置において、ガス導入
管の途上に、導入される処理ガスをチャンバ内での熱処
理温度に対応して予備加熱するガス加熱装置を設けて構
成したので、チャンバ内での半導体材料に対する処理ガ
スの温度分布の均一性を格段に向上、かつ確保させるこ
とができ、これによって半導体材料に対する所期の処理
ガスを用いた熱処理を効果的に行ない得るのであり、し
かも、従来例に比較するとき、単にガス導入管の途」二
にガス加熱装置を設けるだけの簡単な構造であるから、
極めて容易に実施できるなどの優れた特長を有するもの
である。
造に際し、処理ガスを供給しながら半導体材料に対する
熱処理を行なうための急速加熱装置において、ガス導入
管の途上に、導入される処理ガスをチャンバ内での熱処
理温度に対応して予備加熱するガス加熱装置を設けて構
成したので、チャンバ内での半導体材料に対する処理ガ
スの温度分布の均一性を格段に向上、かつ確保させるこ
とができ、これによって半導体材料に対する所期の処理
ガスを用いた熱処理を効果的に行ない得るのであり、し
かも、従来例に比較するとき、単にガス導入管の途」二
にガス加熱装置を設けるだけの簡単な構造であるから、
極めて容易に実施できるなどの優れた特長を有するもの
である。
第1図はこの発明に係る半導体装置製造用の急速加熱装
置の一実施例による概要構成を模式的に示す断面説明図
であり、また、第2図は従来例による同上急速加熱装置
の概要構成を模式的に示す断面説明図である。 1・・・・筐体、2・・・・チャンバ(加熱処理室)、
3・・・・開閉部、4・・・・熱処理対象としての半導
体材料、5・・・・支持台、6・・・・加熱用ランプ群
、7・・・・ガス導入管、8・・・・ガス排出管、9・
・・・ガス流量制御装置、10・・・・ガス加熱装置。
置の一実施例による概要構成を模式的に示す断面説明図
であり、また、第2図は従来例による同上急速加熱装置
の概要構成を模式的に示す断面説明図である。 1・・・・筐体、2・・・・チャンバ(加熱処理室)、
3・・・・開閉部、4・・・・熱処理対象としての半導
体材料、5・・・・支持台、6・・・・加熱用ランプ群
、7・・・・ガス導入管、8・・・・ガス排出管、9・
・・・ガス流量制御装置、10・・・・ガス加熱装置。
Claims (1)
- 内部に熱処理対象としての半導体材料を支持するチャ
ンバを形成させた開閉可能な筐体と、前記半導体材料を
急速加熱する熱源と、前記チャンバ内にガス流量制御装
置によつて導入量を調整した処理ガスを導入するガス導
入管、およびチャンバ内から処理後のガスを排出するガ
ス排出管と、前記ガス導入管の途上に設けられ、導入さ
れる処理ガスをチャンバ内での熱処理温度に対応して予
備加熱するガス加熱装置とを備えたことを特徴とする半
導体装置製造用の急速加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3625687A JPS63202924A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置製造用の急速加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3625687A JPS63202924A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置製造用の急速加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63202924A true JPS63202924A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12464691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3625687A Pending JPS63202924A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体装置製造用の急速加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63202924A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06104198A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Nec Yamagata Ltd | ランプアニール装置 |
CN104217982A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-12-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种快速热过程机台反应气体的预热系统 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3625687A patent/JPS63202924A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06104198A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Nec Yamagata Ltd | ランプアニール装置 |
CN104217982A (zh) * | 2014-08-15 | 2014-12-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种快速热过程机台反应气体的预热系统 |
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