JPS5998518A - ランプ・アニ−ル装置 - Google Patents
ランプ・アニ−ル装置Info
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- JPS5998518A JPS5998518A JP20740582A JP20740582A JPS5998518A JP S5998518 A JPS5998518 A JP S5998518A JP 20740582 A JP20740582 A JP 20740582A JP 20740582 A JP20740582 A JP 20740582A JP S5998518 A JPS5998518 A JP S5998518A
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- JP
- Japan
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- sample
- heating
- heater
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- Pending
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はランプ・アニール装置構造に関する。
従来、ランプ・アニール装置は、ハロゲン・ランプを用
いて、均一な赤外線を試料表面に照射する構造となって
いた。
いて、均一な赤外線を試料表面に照射する構造となって
いた。
しかし、上記従来技術では、例えば８１半導体ウェーハ
をランプ・アニールする場合ニ、ウェーハ端部に於てア
ニール温度が２００℃程度低くなり、アニールがウェー
ハ端部において充分に施されず、かつ、熱処理歪が発生
するという欠点があった。
をランプ・アニールする場合ニ、ウェーハ端部に於てア
ニール温度が２００℃程度低くなり、アニールがウェー
ハ端部において充分に施されず、かつ、熱処理歪が発生
するという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、アニール処
理を試料表面に於て均一に且つ熱処理歪のないランプ・
アニール装置を提供することを目的とする。
理を試料表面に於て均一に且つ熱処理歪のないランプ・
アニール装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、２
ンブ・アニール装置において、部分的に付加的に加熱温
度を変化させる加熱ランプまたは加熱ヒーター６を具備
することを特徴とする。
ンブ・アニール装置において、部分的に付加的に加熱温
度を変化させる加熱ランプまたは加熱ヒーター６を具備
することを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明によるランプ・アニール装置の構成の一
例を模式的に示した図である。石英チューブ１には窒素
ガスが導入され、ハロゲン・ランプ２からの光は反射鏡
３等を反射したりして、石英チューブ１内に設置された
試料４の表面がらランプ・アニール処理を施す。試料４
は石英支持台に支えられ、該試料４の周辺は、支持台５
内に埋込まれたヒーター５により２００ ’Ｃ程度に予
め加熱される。
例を模式的に示した図である。石英チューブ１には窒素
ガスが導入され、ハロゲン・ランプ２からの光は反射鏡
３等を反射したりして、石英チューブ１内に設置された
試料４の表面がらランプ・アニール処理を施す。試料４
は石英支持台に支えられ、該試料４の周辺は、支持台５
内に埋込まれたヒーター５により２００ ’Ｃ程度に予
め加熱される。
第２図は本発明の他の実施例であり、石英チェープ１１
内には窒素ガスが導入され、ハロゲン・ランプ１２およ
び反射鏡１３等からの表面光と、ハロゲン・ランプ１４
および反射鏡１５等がらの部分光により試料支持台１７
上の試料１６は端部が裏面光により２００℃程度に高く
保たれながら、表面光によりランプ・アニールされる。
内には窒素ガスが導入され、ハロゲン・ランプ１２およ
び反射鏡１３等からの表面光と、ハロゲン・ランプ１４
および反射鏡１５等がらの部分光により試料支持台１７
上の試料１６は端部が裏面光により２００℃程度に高く
保たれながら、表面光によりランプ・アニールされる。
このように、ウェーハ端部を高い温度に保つ構造を具備
することにより、ウェーハ等の端部におけるアニール不
均一や熱歪を避けることができる効果がある。
することにより、ウェーハ等の端部におけるアニール不
均一や熱歪を避けることができる効果がある。
第１図および第２図は本発明によるランプ・アニール装
置の実施例を示す模式図である。 １．１１・・・・・・石英チューブ ２．１２．１４・・・・・・ハロゲン０２ンブ３．１３
．１５・・・・・・反射鏡 ４．１６・・・・・・試 料 ６・・・・→−ヒーター ５．１７・・・・・・支持台 以上
置の実施例を示す模式図である。 １．１１・・・・・・石英チューブ ２．１２．１４・・・・・・ハロゲン０２ンブ３．１３
．１５・・・・・・反射鏡 ４．１６・・・・・・試 料 ６・・・・→−ヒーター ５．１７・・・・・・支持台 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ハロゲン・ランプによる試料加熱装置において、
部分的に付加的に加熱温度を変化させる加熱ランプまた
は加熱ヒーターを具備することを特徴とするランプ・ア
ニール装置。 Ｚ ウェーハ状試料の周辺端部を付加的に加熱する加熱
ランプまたはヒーターを具備することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のランプ・アニール装置。 五 半導体ウェーへの周辺端部を付加的に加熱する加熱
ランプまたはヒーターを具備することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のランプ・アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740582A JPS5998518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ランプ・アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20740582A JPS5998518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ランプ・アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998518A true JPS5998518A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16539191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20740582A Pending JPS5998518A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | ランプ・アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004211948A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Showa Shinku:Kk | アニール処理、装置及びシステム |
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175826A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-10-15 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
| JPS58194332A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-11-12 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20740582A patent/JPS5998518A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175826A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-10-15 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
| JPS58194332A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-11-12 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
| JP2004211948A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Showa Shinku:Kk | アニール処理、装置及びシステム |
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