JPS63201509A - 表面粗さ測定装置 - Google Patents
表面粗さ測定装置Info
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- JPS63201509A JPS63201509A JP3408287A JP3408287A JPS63201509A JP S63201509 A JPS63201509 A JP S63201509A JP 3408287 A JP3408287 A JP 3408287A JP 3408287 A JP3408287 A JP 3408287A JP S63201509 A JPS63201509 A JP S63201509A
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- XXXSILNSXNPGKG-ZHACJKMWSA-N Crotoxyphos Chemical compound COP(=O)(OC)O\C(C)=C\C(=O)OC(C)C1=CC=CC=C1 XXXSILNSXNPGKG-ZHACJKMWSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は超精密加工面などの被測定面を光走査してそ
の表面粗さを測定するための装置に関する。
の表面粗さを測定するための装置に関する。
(従来の技術とその問題点)
磁気ディスクや光ディスク、それに半導体ウェハなどに
おいては、その表面を超精密加工するとともに、加工後
の表面粗さを高精度で測定しておく必要がある。このよ
うな表面粗さの測定においては、通常、機械的な触針式
の粗さ計が用いられるが、被測定面が軟かい場合には測
定によって被測定面に傷が付いてしまうため、非接触式
の表面粗さ測定装置を使用することが望ましい。この種
の非接触式表面粗さ測定装置として代表的なものは光学
式の装置であるが、そのうちでミロー型干渉機構を利用
した装置の例を第11図に示す。同図において、光源1
から与えられた光しはハーフミラ−2で反射され、集光
レンズ3によって集光されて、ミロー型干渉機構4に到
達する。このミロー型干渉機構4は、透明板5の一部に
遮光部6を設け、さらに、この透明板5に平行にビーム
スプリッタ(ハーフミラ−)7を配設して形成されてい
る。
おいては、その表面を超精密加工するとともに、加工後
の表面粗さを高精度で測定しておく必要がある。このよ
うな表面粗さの測定においては、通常、機械的な触針式
の粗さ計が用いられるが、被測定面が軟かい場合には測
定によって被測定面に傷が付いてしまうため、非接触式
の表面粗さ測定装置を使用することが望ましい。この種
の非接触式表面粗さ測定装置として代表的なものは光学
式の装置であるが、そのうちでミロー型干渉機構を利用
した装置の例を第11図に示す。同図において、光源1
から与えられた光しはハーフミラ−2で反射され、集光
レンズ3によって集光されて、ミロー型干渉機構4に到
達する。このミロー型干渉機構4は、透明板5の一部に
遮光部6を設け、さらに、この透明板5に平行にビーム
スプリッタ(ハーフミラ−)7を配設して形成されてい
る。
そして、このミロー型反射機構4に入射した光のうちの
一部はそのまま図の下方へと進み、被測定物8の被測定
面9で反射されて反射光LSとなる。この反射光LSは
ミロー型反OA機構4を逆向き(上向き)に通って集光
レンズ3に到達する。
一部はそのまま図の下方へと進み、被測定物8の被測定
面9で反射されて反射光LSとなる。この反射光LSは
ミロー型反OA機構4を逆向き(上向き)に通って集光
レンズ3に到達する。
一方、集光レンズ3から透明板5を経てビームスプリッ
タ7に到達した光の残りの部分は、このビームスプリッ
タ7の表面で反射された後、透明板5の表面(基準面1
0)でも反射されて反射光LRとなる。そして、さらに
ビームスプリッタ7で反射された後に透明板5を透過し
、集光レンズ3に向かって進行する。
タ7に到達した光の残りの部分は、このビームスプリッ
タ7の表面で反射された後、透明板5の表面(基準面1
0)でも反射されて反射光LRとなる。そして、さらに
ビームスプリッタ7で反射された後に透明板5を透過し
、集光レンズ3に向かって進行する。
このため、集光レンズ3を通して図の上方に向う光Iは
、被測定面9で反射した光LSと基準面10で反射され
た光LRとの干渉光となる。そして、これらの2種類の
反射光LS、LRの光路差は、■ビームスプリッタ7と
基準面10との間の往復に要する距離と、■ビームスプ
リッタ7と被測定面9との間の往復に要する距離との差
となっている。したがって、これらの距離をそれぞれD
R,DSと書くと、(DR−O8)の値と照射光りの波
長λとの関係によって定まる位相差が2つの反射光LR
,LSの間に生じ、その位相差に応じて干渉光Iの強度
が変化する。このため、干渉光Iの強度を光センサ11
で検出すれば、ビームスプリッタ7と被測定面9との間
の距離、したがって被測定面9のうち光照射を行なって
いる部分の高さがわかる。そして、被測定物8を図の水
平方向に並進移動させ、それによって被測定面9の全体
を光走査することによって、被測定面9の粗さが測定さ
れる。
、被測定面9で反射した光LSと基準面10で反射され
た光LRとの干渉光となる。そして、これらの2種類の
反射光LS、LRの光路差は、■ビームスプリッタ7と
基準面10との間の往復に要する距離と、■ビームスプ
リッタ7と被測定面9との間の往復に要する距離との差
となっている。したがって、これらの距離をそれぞれD
R,DSと書くと、(DR−O8)の値と照射光りの波
長λとの関係によって定まる位相差が2つの反射光LR
,LSの間に生じ、その位相差に応じて干渉光Iの強度
が変化する。このため、干渉光Iの強度を光センサ11
で検出すれば、ビームスプリッタ7と被測定面9との間
の距離、したがって被測定面9のうち光照射を行なって
いる部分の高さがわかる。そして、被測定物8を図の水
平方向に並進移動させ、それによって被測定面9の全体
を光走査することによって、被測定面9の粗さが測定さ
れる。
ところで、このような表面粗さ測定装置では、ビームス
プリッタ7と被測定面9との間の距離DSに対する干渉
光Iの強度変化が照射光りの波長λを距離周期とする周
期的変化となるため、粗さの測定上限値は波長λの17
2(可視光では0.3μm程度)となる。また、干渉光
の検出精度は強度変化の1/20〜1/30であるため
、結局0.03〜0.015μmが検出精度の限界とな
る。
プリッタ7と被測定面9との間の距離DSに対する干渉
光Iの強度変化が照射光りの波長λを距離周期とする周
期的変化となるため、粗さの測定上限値は波長λの17
2(可視光では0.3μm程度)となる。また、干渉光
の検出精度は強度変化の1/20〜1/30であるため
、結局0.03〜0.015μmが検出精度の限界とな
る。
そこで、この限界を超えた高い精度で測定を行なうため
に、PZT (ピエゾ素子)などを利用してミロ−干渉
機構4の全体を上下方向にλ/4に応じた距離ずつ移動
させ、位相差を当初のものからそれぞれ90” 、18
0°、270’だけ増加させて、おのおのについての測
定を行なうという技術が提案されている。この場合、当
初の位置関係での検出強度をF。とじ、上記各位相差を
付加した侵の検出強度をそれぞれF、F、F2O180
27 0とすると、 F □ = G 1+ G 2 CO3φ
・(1)F9o=G1+G2 C08(φ+90°)
=G1G2 sinφ −(2)F
=G−G2cosφ ・・・(3)F =
G 1+ G 2 sinφ270
・・・(4)が成立する。ただし、
φは当初の位相差であり、G1.G2はそれぞれ直流成
分、交流成分である。
に、PZT (ピエゾ素子)などを利用してミロ−干渉
機構4の全体を上下方向にλ/4に応じた距離ずつ移動
させ、位相差を当初のものからそれぞれ90” 、18
0°、270’だけ増加させて、おのおのについての測
定を行なうという技術が提案されている。この場合、当
初の位置関係での検出強度をF。とじ、上記各位相差を
付加した侵の検出強度をそれぞれF、F、F2O180
27 0とすると、 F □ = G 1+ G 2 CO3φ
・(1)F9o=G1+G2 C08(φ+90°)
=G1G2 sinφ −(2)F
=G−G2cosφ ・・・(3)F =
G 1+ G 2 sinφ270
・・・(4)が成立する。ただし、
φは当初の位相差であり、G1.G2はそれぞれ直流成
分、交流成分である。
すると (1)〜(4)式より、
φ= jan” F ・・・(
5)FE(F −F )/(F −F )
・・・(6) が得られるが、(5)、(6)式は4つの検出強度値か
ら位相差φ(したがって被測定面9の高さ)を求める式
となっているため、統計的に誤差は減少し、測定精度を
向上させることができる。
5)FE(F −F )/(F −F )
・・・(6) が得られるが、(5)、(6)式は4つの検出強度値か
ら位相差φ(したがって被測定面9の高さ)を求める式
となっているため、統計的に誤差は減少し、測定精度を
向上させることができる。
このようにして第11図の装置の測定精度を向上させる
ことができるが、それは測定装置(特に光学系)と被測
定物8との位置関係が不変であることを前提としている
。ところが、実際には外部からの種々の撮動によって被
測定物8と装置との位置関係(間隔)は時間的に変動す
る。そして、これを防止するためには大きな防振台を設
けねばならず、装置の設置場所に制限が生じてしまう。
ことができるが、それは測定装置(特に光学系)と被測
定物8との位置関係が不変であることを前提としている
。ところが、実際には外部からの種々の撮動によって被
測定物8と装置との位置関係(間隔)は時間的に変動す
る。そして、これを防止するためには大きな防振台を設
けねばならず、装置の設置場所に制限が生じてしまう。
また、走査を行なうために被測定物8を並進移動させる
ための機構(たとえばスライド機構)の真直度に応じて
被測定物8が微小に上下動すると、この振動が謂定結采
の中に反映されてしまう。
ための機構(たとえばスライド機構)の真直度に応じて
被測定物8が微小に上下動すると、この振動が謂定結采
の中に反映されてしまう。
このため、nmオーダーの粗さ測定のような場合におい
て、既述したような精度向上に関する改良を加えても、
実際には、種々の振動などによって被測定面と測定系と
の間の間隔が変化するため、高精度の粗さ測定を行なう
ことが困難であるという問題があった。
て、既述したような精度向上に関する改良を加えても、
実際には、種々の振動などによって被測定面と測定系と
の間の間隔が変化するため、高精度の粗さ測定を行なう
ことが困難であるという問題があった。
(発明の目的)
この発明は従来技術における上述の問題の克服を意図し
ており、被測定面と測定系との間の間隔が変動しても高
精度の粗さ測定を行なうことができる表面粗さ測定装置
を提供することを目的とする。
ており、被測定面と測定系との間の間隔が変動しても高
精度の粗さ測定を行なうことができる表面粗さ測定装置
を提供することを目的とする。
(目的を達成するための手段)
上述の目的を達成するため、この発明は、被測定面を走
査して前記被測定面の表面粗さを測定する表面粗さ測定
装置を対象として、(a)所定箇所に位置決めされたセ
ンサ筒を有し、その時点における前記被測定面上の被走
査領域の中心部と前記センサ筒との間の相対的距離関係
を光学的に検出する第1の距離センサと、(b)前記第
1の距離センサのセンサ面に対して所定の位置関係にあ
る箇所に位置決めされた別のセンサ筒を有し、前記中心
部の近傍領域と前記別のセンサ面との間の平均的な相対
的距離関係を光学的に検出する第2の距離センサと、(
C)前記第1と第2の距離センサのそれぞれの検出結果
に基いて、前記中心部と前記近傍領域との間の相対的凹
凸関係を演算して求める演算手段とを設け、首記相対的
凹凸関係に基いて前記被測定面の表面粗さを求める。
査して前記被測定面の表面粗さを測定する表面粗さ測定
装置を対象として、(a)所定箇所に位置決めされたセ
ンサ筒を有し、その時点における前記被測定面上の被走
査領域の中心部と前記センサ筒との間の相対的距離関係
を光学的に検出する第1の距離センサと、(b)前記第
1の距離センサのセンサ面に対して所定の位置関係にあ
る箇所に位置決めされた別のセンサ筒を有し、前記中心
部の近傍領域と前記別のセンサ面との間の平均的な相対
的距離関係を光学的に検出する第2の距離センサと、(
C)前記第1と第2の距離センサのそれぞれの検出結果
に基いて、前記中心部と前記近傍領域との間の相対的凹
凸関係を演算して求める演算手段とを設け、首記相対的
凹凸関係に基いて前記被測定面の表面粗さを求める。
(実施例)
A、実施例の構成
第1図は、この発明の一実施例である表面粗さ測定装置
100を示す図である。この装置100は、被測定物8
を支持・移動させるための支持機構20と、後述する光
学系や検出系を含んだセンサヘッド30とを備えている
。このうち、支持機構20は、固定台21上を図のX方
向に並進移動する電動スライドテーブル22を有してお
り、この電動スライドテーブル22は、リニアアクチュ
エータ23の駆動力によって上記並進移動を行なう。
100を示す図である。この装置100は、被測定物8
を支持・移動させるための支持機構20と、後述する光
学系や検出系を含んだセンサヘッド30とを備えている
。このうち、支持機構20は、固定台21上を図のX方
向に並進移動する電動スライドテーブル22を有してお
り、この電動スライドテーブル22は、リニアアクチュ
エータ23の駆動力によって上記並進移動を行なう。
電動スライドテーブル22上には、3個のPZT24a
〜24Cがほぼ正三角形状に固定配置されており、この
PZT24a〜24C上にサンプル台25が取付けられ
ている。被測定物(サンプル)8はこのサンプル台25
上に載置されている。
〜24Cがほぼ正三角形状に固定配置されており、この
PZT24a〜24C上にサンプル台25が取付けられ
ている。被測定物(サンプル)8はこのサンプル台25
上に載置されている。
PZT24a〜24CはPZT:Iシトローラ52から
与えられるp z−r制御信号によって図の2方向に個
別に伸縮する。その結果、サンプル台25(したがって
被測定物8の被測定面9)は、その面の姿勢と法線方向
nについての位置(図示例では2方向の高さ)とが可変
となっている。このため、これらのPZT24a〜24
C等によって、被測定面9の姿勢および法線方向の位置
を変化させる可変移動機構が構成されていることになる
。
与えられるp z−r制御信号によって図の2方向に個
別に伸縮する。その結果、サンプル台25(したがって
被測定物8の被測定面9)は、その面の姿勢と法線方向
nについての位置(図示例では2方向の高さ)とが可変
となっている。このため、これらのPZT24a〜24
C等によって、被測定面9の姿勢および法線方向の位置
を変化させる可変移動機構が構成されていることになる
。
一方、センサヘッド30は、中空円筒状のセンサ筒45
の下端に、集光レンズ31とミロー型干渉機構32とを
備えている。ただし、この実施例では、第2図に示すよ
うに、集光レンズ31として、その下面が平坦なレンズ
(ミロ−型対物レンズ)を使用し、この平坦面を基準面
33として使用する。また、この基準面33の中心部付
近には遮光層Wが埋込まれている。さらに、ハーフミラ
−34は第11図のビームスプリッタ7と同様の機能を
果する。
の下端に、集光レンズ31とミロー型干渉機構32とを
備えている。ただし、この実施例では、第2図に示すよ
うに、集光レンズ31として、その下面が平坦なレンズ
(ミロ−型対物レンズ)を使用し、この平坦面を基準面
33として使用する。また、この基準面33の中心部付
近には遮光層Wが埋込まれている。さらに、ハーフミラ
−34は第11図のビームスプリッタ7と同様の機能を
果する。
集光レンズ31の上方には、単色光源35からの光を部
分反射するハーフミラ−36が設けられており、さらに
このハーフミラ−36の上方には遮光板37が設Gノら
れている。この遮光板37の中心には所定のサイズ(た
とえば直径10μTrL)のピンホール38が穿設され
ており、このピンホール38の上方には光電子増倍管3
9が位置決めされている。また、遮光板37の下面には
、上記ピンホール38を中心とした同心円上に3個のシ
リコンフォトディテクタ40a〜40Cがほぼ等角度間
隔で固定されている。これらのフォトディテクタ40a
〜40Gは比較的大きなセンサ面を有しているとと6に
、上記光電子増倍管39のセンサ面に対して固定的な位
置関係を有している。
分反射するハーフミラ−36が設けられており、さらに
このハーフミラ−36の上方には遮光板37が設Gノら
れている。この遮光板37の中心には所定のサイズ(た
とえば直径10μTrL)のピンホール38が穿設され
ており、このピンホール38の上方には光電子増倍管3
9が位置決めされている。また、遮光板37の下面には
、上記ピンホール38を中心とした同心円上に3個のシ
リコンフォトディテクタ40a〜40Cがほぼ等角度間
隔で固定されている。これらのフォトディテクタ40a
〜40Gは比較的大きなセンサ面を有しているとと6に
、上記光電子増倍管39のセンサ面に対して固定的な位
置関係を有している。
後述する説明から明らかとなるように、以上の光学的構
成のうち、ミロー型干渉機構32.ピンホール38およ
び光電子増倍管39によって、被測定面9のうちその時
点において光照射している領域Aの中心部P(第3図)
と光電子増倍管39の受光面(センサ面)との間の距離
関係を検出する「第1の距離センサ」の検出光学系が形
成される。また、ミロ−型千渉機構32およびフォトデ
ィテクタ408〜40cによって、第3図の中心部Pを
囲む3個の近傍領域R3〜Rcとフォトディテクタ40
8〜40Gのセンサ面とのそれぞれの間の相対的距離関
係を平均的に求める「第2の距離センサ」の検出光学系
が形成される。すなわち、この実施例では、ミロー型干
渉機構32が第1と第2の距離センサに兼用されている
。
成のうち、ミロー型干渉機構32.ピンホール38およ
び光電子増倍管39によって、被測定面9のうちその時
点において光照射している領域Aの中心部P(第3図)
と光電子増倍管39の受光面(センサ面)との間の距離
関係を検出する「第1の距離センサ」の検出光学系が形
成される。また、ミロ−型千渉機構32およびフォトデ
ィテクタ408〜40cによって、第3図の中心部Pを
囲む3個の近傍領域R3〜Rcとフォトディテクタ40
8〜40Gのセンサ面とのそれぞれの間の相対的距離関
係を平均的に求める「第2の距離センサ」の検出光学系
が形成される。すなわち、この実施例では、ミロー型干
渉機構32が第1と第2の距離センサに兼用されている
。
次に、信号処理系統について説明する。この装置100
の信号処理系統は2系統に大別されており、そのうちの
ひとつは検出データから表面粗さを演算して求める系統
である。この系統は、(a)光電子増倍管39とフォト
ディテクタ40a〜40Cのそれぞれの検出出力(干渉
信号)S 。
の信号処理系統は2系統に大別されており、そのうちの
ひとつは検出データから表面粗さを演算して求める系統
である。この系統は、(a)光電子増倍管39とフォト
ディテクタ40a〜40Cのそれぞれの検出出力(干渉
信号)S 。
p ・
、S −Scに対してそれぞれ後述する演算を行ない
、それによって光路差信号り、D−Dp a C (I述する。)を発生する干渉信号処理回路61p、6
1a〜61b、(b)上記光路差信号Da〜DCの和を
求める加算器62.(c)加算器62の出力を゛3パで
除する除算器63.および(d)除算器63の出力を光
路差信号り、から差引く減算器64を備えている。これ
らの各演算を行なう理由は、後に詳述する。そして、減
算器64の出力(局所的凹凸信号)はコンピュータ50
に与えられ、ここで蓄積されるとともにプロッタ65に
与えられる。後述する走査によって被測定面9の全体に
ついての測定が行なわれることによって、このプロッタ
65には測定された粗さ状態が記録される。
、それによって光路差信号り、D−Dp a C (I述する。)を発生する干渉信号処理回路61p、6
1a〜61b、(b)上記光路差信号Da〜DCの和を
求める加算器62.(c)加算器62の出力を゛3パで
除する除算器63.および(d)除算器63の出力を光
路差信号り、から差引く減算器64を備えている。これ
らの各演算を行なう理由は、後に詳述する。そして、減
算器64の出力(局所的凹凸信号)はコンピュータ50
に与えられ、ここで蓄積されるとともにプロッタ65に
与えられる。後述する走査によって被測定面9の全体に
ついての測定が行なわれることによって、このプロッタ
65には測定された粗さ状態が記録される。
一方、他の信号処理系統は、走査制御とPZT24a〜
24cの伸縮制御とを行なうためのものである。この系
統では、フォトディテクタ40a〜40cの検出出力(
干渉信号)S 〜Scを取込んでPZTコントローラ5
2に駆動制御信号を出力する。この実施例ではコンピュ
ータ50によってこの機能を実現させている。また、コ
ンピュータ50から走査移動のための走査制御信号をリ
ニアアクチュエータ電源回路53に出力する。
24cの伸縮制御とを行なうためのものである。この系
統では、フォトディテクタ40a〜40cの検出出力(
干渉信号)S 〜Scを取込んでPZTコントローラ5
2に駆動制御信号を出力する。この実施例ではコンピュ
ータ50によってこの機能を実現させている。また、コ
ンピュータ50から走査移動のための走査制御信号をリ
ニアアクチュエータ電源回路53に出力する。
なお、図示例では理解を容易にするために信号処理系統
にハード回路を部分的に使用しているが、これらの回路
の機能をすべてソフト的に行なうことが可能であること
はもちろんである。
にハード回路を部分的に使用しているが、これらの回路
の機能をすべてソフト的に行なうことが可能であること
はもちろんである。
8、実施例の動作
次に、この装置100の動作を、実施例の特徴部を中心
にして説明する。
にして説明する。
まず、光源35からの光りによって被測定面9上の光照
射領域Aと基準面33とを照射し、それによって生ずる
2種類の反射光LS、LR(第3図)から干渉光Iを得
るまでの光学的原理は従来例と同様である。ただし、既
に説明したように、その時点で凹凸を検出しようとして
いる領域(中心部P)よりも大きな領域を光照射領域A
としている。
射領域Aと基準面33とを照射し、それによって生ずる
2種類の反射光LS、LR(第3図)から干渉光Iを得
るまでの光学的原理は従来例と同様である。ただし、既
に説明したように、その時点で凹凸を検出しようとして
いる領域(中心部P)よりも大きな領域を光照射領域A
としている。
干渉光Iのうち、中心部Pからの反射光LSを含む光は
、ピンホール38を通って光電子増倍管39に与えられ
、この光電子増倍管39においてその強度に応じた光電
変換信号(干渉信号)S。
、ピンホール38を通って光電子増倍管39に与えられ
、この光電子増倍管39においてその強度に応じた光電
変換信号(干渉信号)S。
に変換される。また、干渉光1のうち、第3図の近傍領
!ii!R〜Rcのそれぞれからの反射光を含む光はそ
れぞれフォトディテクタ40a〜40cによって検出さ
れて光電変換される。
!ii!R〜Rcのそれぞれからの反射光を含む光はそ
れぞれフォトディテクタ40a〜40cによって検出さ
れて光電変換される。
これらのうち、フォトディテクタ408〜40Cの受光
面はピンホール38の断面積と比較しである程度大きな
面積とされているため、フォトディテクタ40a〜40
cのそれぞれの光電変換信@(干渉信号)S −8c
は、近傍領域R3〜Rcのそれぞれの内部の凹凸を平均
化した高さを反映した信号となっている。つまり、第4
図のような凹凸を持った被測定面9の場合には、近傍領
lj!Ra−RCのそれぞれの平均高さHa−HC(H
cは図示省略。)を反映した干渉信号S、〜SCが得ら
れることになる。
面はピンホール38の断面積と比較しである程度大きな
面積とされているため、フォトディテクタ40a〜40
cのそれぞれの光電変換信@(干渉信号)S −8c
は、近傍領域R3〜Rcのそれぞれの内部の凹凸を平均
化した高さを反映した信号となっている。つまり、第4
図のような凹凸を持った被測定面9の場合には、近傍領
lj!Ra−RCのそれぞれの平均高さHa−HC(H
cは図示省略。)を反映した干渉信号S、〜SCが得ら
れることになる。
このような光学系および検出系の配置によって干渉信号
S、S−S、が得られるが、実際のa 粗さ測定を開始する前に、まず、コンピュータ50から
PZTコントO−ラ52に駆動制御信号を与えて、PZ
T24a 〜24cを、光りの波長λ程度の範囲で一度
伸長させる。このとき、コンピュータ50は干渉信号S
、〜Scを取込みつつ上記伸長III御を行なっている
。それによってPZT24a〜24cの長さ変化(した
がって被測定面9の全体的な、E丁亥化)に対する干渉
信号S、(i=p、 a−c)の変化を観察する。第5
図に例示するように、この変化は正弦波状となる。そし
て、このプロセスを通じて干渉信号の最大値S、 お+
1aX よび最小値S 1m1n (i=p、 a−c)を求め
る。
S、S−S、が得られるが、実際のa 粗さ測定を開始する前に、まず、コンピュータ50から
PZTコントO−ラ52に駆動制御信号を与えて、PZ
T24a 〜24cを、光りの波長λ程度の範囲で一度
伸長させる。このとき、コンピュータ50は干渉信号S
、〜Scを取込みつつ上記伸長III御を行なっている
。それによってPZT24a〜24cの長さ変化(した
がって被測定面9の全体的な、E丁亥化)に対する干渉
信号S、(i=p、 a−c)の変化を観察する。第5
図に例示するように、この変化は正弦波状となる。そし
て、このプロセスを通じて干渉信号の最大値S、 お+
1aX よび最小値S 1m1n (i=p、 a−c)を求め
る。
その後、近傍領域Ra−R,、についての各干渉信号S
、〜Scがそれぞれの最大値と最小値との平均値Sao
、S、o、Scoとなる位置までPZT24a〜24C
を伸縮しておく。
、〜Scがそれぞれの最大値と最小値との平均値Sao
、S、o、Scoとなる位置までPZT24a〜24C
を伸縮しておく。
これらのルーチンは第6図に例示されているが、そのう
ち、PZT24a 〜240を干渉信号S。
ち、PZT24a 〜240を干渉信号S。
〜Scがその平均値(中央値)となるように位置決めす
るステップにおいては、上記平均値S、o。
るステップにおいては、上記平均値S、o。
S、o、Scoとその時点における干渉信号Sa、S6
.S とのそれぞれの偏差をΔ8.Δb、Δ。
.S とのそれぞれの偏差をΔ8.Δb、Δ。
として、PZT24aについては、
Δ ≠(Δ +Δb+Δ。)/3
0a a
+α(Δb+Δc−2Δ、) ・・・(7)を偏差パ
ラメータとし、この偏差パラメータΔ。。
ラメータとし、この偏差パラメータΔ。。
がゼロまたはその近傍の値となるように、PZT24a
を駆動する。他のPZT24a、24cについては(7
)式内の添字a、 b、 cを循環的に変えたものを使
用する。また、αはあらかじめ設定しておいた傾斜補正
係数である。
を駆動する。他のPZT24a、24cについては(7
)式内の添字a、 b、 cを循環的に変えたものを使
用する。また、αはあらかじめ設定しておいた傾斜補正
係数である。
このようにすることによって、被測定面9は、第5図の
点Qに相当する高さに調整される。このようにするのは
、点Qまたはこれと360°の整数倍だけ位相がずれた
他の点Q′においては、被測定面9の高さ変化に対する
干渉信号S・の変化率(第6図のグラフの微分係数)が
最も大きくなっており、測定精度が向上するためである
。なお、被測定面高さの変化の方向と干渉信号S・の変
化符号との関係は上記のものと逆転するが、第5図中の
点Qi 、Q2に相当する高さとなるように調整を行な
ってもよい。
点Qに相当する高さに調整される。このようにするのは
、点Qまたはこれと360°の整数倍だけ位相がずれた
他の点Q′においては、被測定面9の高さ変化に対する
干渉信号S・の変化率(第6図のグラフの微分係数)が
最も大きくなっており、測定精度が向上するためである
。なお、被測定面高さの変化の方向と干渉信号S・の変
化符号との関係は上記のものと逆転するが、第5図中の
点Qi 、Q2に相当する高さとなるように調整を行な
ってもよい。
これらの点Q、Q’ 、Ql、Q2は、入射する光りが
被測定面9で反射して戻ってくるまでの光路長と、基準
面33で反射して戻ってくるまでの光路長との差(つま
り、反射光LS、LRの光路差)が、光りの波長λの1
/4の奇数倍となっているような被測定面高さに相当す
る。換言すれば、これらの点Q、Q’、Q 、Q2で
は、反射光し。
被測定面9で反射して戻ってくるまでの光路長と、基準
面33で反射して戻ってくるまでの光路長との差(つま
り、反射光LS、LRの光路差)が、光りの波長λの1
/4の奇数倍となっているような被測定面高さに相当す
る。換言すれば、これらの点Q、Q’、Q 、Q2で
は、反射光し。
S、LRの相互の位相差が90°の奇数倍になっている
。ただし、点Q、Q’などの近傍(たとえば干渉信号の
振幅の±0.2倍程度)に相当する距離としても、上記
変化率としてかなりの値が得られる。
。ただし、点Q、Q’などの近傍(たとえば干渉信号の
振幅の±0.2倍程度)に相当する距離としても、上記
変化率としてかなりの値が得られる。
このようにして、PZT24a〜24cは同一の位相差
に相当する高さに調整され、被測定面9と基準面33と
は光学的に平行とされる。ただし、「光学的に平行」と
は、それぞれで反射させた光を干渉させたときに、光束
の断面の各部分の位相が1波長内で同一となっているこ
とを言うものとする。したがって、後述する変形例(第
10図)のように、被測定面9と基準面33とが幾何学
的には非平行であってもよい。このような光学的平行性
を実現させておくことにより、3つの干渉信号S −8
cの光路差が波長λの整数倍だけずれた状態で測定を行
なってしまうという事態が回避される。
に相当する高さに調整され、被測定面9と基準面33と
は光学的に平行とされる。ただし、「光学的に平行」と
は、それぞれで反射させた光を干渉させたときに、光束
の断面の各部分の位相が1波長内で同一となっているこ
とを言うものとする。したがって、後述する変形例(第
10図)のように、被測定面9と基準面33とが幾何学
的には非平行であってもよい。このような光学的平行性
を実現させておくことにより、3つの干渉信号S −8
cの光路差が波長λの整数倍だけずれた状態で測定を行
なってしまうという事態が回避される。
なお、このような調整処理は、実際の粗さ測定を行なう
萌に1度行なっておくだけでもよいが、被測定面9がゆ
るやかにうねっていたり、電動テーブル22に傾きがあ
ったりすることによって走査の遊行とともに被測定面9
の高さが点Qを中心とした所定範囲を逸脱するような場
合も考えられる。このような場合にも対処するためには
、干渉信号S −8と第5図のしきい値81Nとを常に
C 比較しておき、干渉信号S、〜Soが±5Tllのレン
ジを超える都度、上記調整を行なうようにしておくこと
が望ましい。
萌に1度行なっておくだけでもよいが、被測定面9がゆ
るやかにうねっていたり、電動テーブル22に傾きがあ
ったりすることによって走査の遊行とともに被測定面9
の高さが点Qを中心とした所定範囲を逸脱するような場
合も考えられる。このような場合にも対処するためには
、干渉信号S −8と第5図のしきい値81Nとを常に
C 比較しておき、干渉信号S、〜Soが±5Tllのレン
ジを超える都度、上記調整を行なうようにしておくこと
が望ましい。
また、上記のようにして得られた最大値S1□8および
最小1a S 1m1n (i=p、 a−c)ノ値は
、実際ノ測定時における光路差信号への変換処理(後述
する。)の目的で、図示しない信号線を介してコンピュ
ータ50から第1図の干渉信号処理回路61p、61a
〜61bへ与えておく。
最小1a S 1m1n (i=p、 a−c)ノ値は
、実際ノ測定時における光路差信号への変換処理(後述
する。)の目的で、図示しない信号線を介してコンピュ
ータ50から第1図の干渉信号処理回路61p、61a
〜61bへ与えておく。
次に、実際の粗さ測定処理について説明する。
なお、以下の処理は、第7図のフローチャートにも示さ
れている。まず、第1図のリニアアクチュエータ23を
駆動して電動テーブル22をX方向に順次移動させ、そ
れによって光走査を開始する。
れている。まず、第1図のリニアアクチュエータ23を
駆動して電動テーブル22をX方向に順次移動させ、そ
れによって光走査を開始する。
取込まれた干渉信号S 、S −Soは第1図のa
干渉信号処理回路611)、618〜61cにそれぞれ
与えられる。これらの干渉信号処理回路61o、61a
〜61cでは、光路差信号D 、 (i=p。
与えられる。これらの干渉信号処理回路61o、61a
〜61cでは、光路差信号D 、 (i=p。
a〜C)を、次の (8)〜(10)式に塁いて演算し
て求める。
て求める。
D、=(λ/ 2 yt ) sin (KB/
K2H)■ ・・・(8) K、=28−− (Simax+51m1n)・(9)
に2iミ5iIIlax−8ilIlio
・・・(10)(i=p、 a−c) 上記(8)〜(10)式が、干渉信号の値から光路差を
求める式になっていることは、(8)〜(10)式をS
、について解いて、 S・=[(S、 −8,−)sin(2πDH/λ)1
11118X l1llln
+(S、 十S ・)1/2 ・・・(11
)+1aX 1mIn とすることによって容易に理解できる。このうち、(S
・ −8・・)/2 11aX l1In は振幅であり、 (S・ +S・・)/2 ++1aX 1llln は原点移動量である。
K2H)■ ・・・(8) K、=28−− (Simax+51m1n)・(9)
に2iミ5iIIlax−8ilIlio
・・・(10)(i=p、 a−c) 上記(8)〜(10)式が、干渉信号の値から光路差を
求める式になっていることは、(8)〜(10)式をS
、について解いて、 S・=[(S、 −8,−)sin(2πDH/λ)1
11118X l1llln
+(S、 十S ・)1/2 ・・・(11
)+1aX 1mIn とすることによって容易に理解できる。このうち、(S
・ −8・・)/2 11aX l1In は振幅であり、 (S・ +S・・)/2 ++1aX 1llln は原点移動量である。
このようにして求まった光路差信号DB(i=p。
a−C)は、加算器62.除算器63および減算器64
によって、中心部Pについての凹凸信号:Z、=D、−
(D +Db +D、)/3・・・(12) となる。この式かられかるように、凹凸信号Z。
によって、中心部Pについての凹凸信号:Z、=D、−
(D +Db +D、)/3・・・(12) となる。この式かられかるように、凹凸信号Z。
は、中心部Pと近傍領域R8〜Roどの間の相対的凹凸
関係(位置関係)を表現する値を持っている。つまり、
光路差信号り、〜Doは各近傍領域R〜RCのそれぞれ
において、領域R3〜RC内の平均高さH−H,を反映
した信号となっているが、それらを平均化して光照射領
域A全体としての平均高さを求め、それを基準として中
心部Pの光路差信号り、のレベルを見ていることになる
。
関係(位置関係)を表現する値を持っている。つまり、
光路差信号り、〜Doは各近傍領域R〜RCのそれぞれ
において、領域R3〜RC内の平均高さH−H,を反映
した信号となっているが、それらを平均化して光照射領
域A全体としての平均高さを求め、それを基準として中
心部Pの光路差信号り、のレベルを見ていることになる
。
したがって、被測定物8の振動などによって被測定面9
が全体として上下動し、それによって各光路差信号Di
(i=p、 a−C)がそれぞれシフトしでも、(
12)式によってそれらが互いにキャンセルされるため
、正確な凹凸状態を知ることができるのである。そして
、この凹凸信号2 はコンピュ−タ50に取り込まれ、
そのレベルと走査位置との関係がプロッタ65で記録紙
上に記録される。
が全体として上下動し、それによって各光路差信号Di
(i=p、 a−C)がそれぞれシフトしでも、(
12)式によってそれらが互いにキャンセルされるため
、正確な凹凸状態を知ることができるのである。そして
、この凹凸信号2 はコンピュ−タ50に取り込まれ、
そのレベルと走査位置との関係がプロッタ65で記録紙
上に記録される。
走査によってこの処理を被測定面9の各位置について行
なうことにより、被測定面9の粗さが測定される。
なうことにより、被測定面9の粗さが測定される。
C,データ例
第8図は上記実施例によって測定された凹凸信号Z (
第8図(C))を、光路差信号D 、Dp
p a(同図(a)、(b) )
とともに示したグラフである。
第8図(C))を、光路差信号D 、Dp
p a(同図(a)、(b) )
とともに示したグラフである。
ただし、横軸は時刻であり、この第8図の例では、外部
からの振動の影響を見るために被測定物8は静止させて
いる(つまり走査は行なっていない。)。そして、図中
の時刻t1において被測定物8を強制的に振動させるよ
うな衝撃力を与えている。
からの振動の影響を見るために被測定物8は静止させて
いる(つまり走査は行なっていない。)。そして、図中
の時刻t1において被測定物8を強制的に振動させるよ
うな衝撃力を与えている。
この図かられかるように、このような振動に対して光路
差信号D 、0 (D 、DCも同様。)ab はかなり動揺するが、それらの差に相当する凹凸信号Z
、にはほとんど!IIJIはない。
差信号D 、0 (D 、DCも同様。)ab はかなり動揺するが、それらの差に相当する凹凸信号Z
、にはほとんど!IIJIはない。
また、実際に鏡面仕上げされた被測定面9の走゛査を行
なって表面粗さを測定した結果である第9図では、微細
な凹凸が凹凸信号zDによってとらえられている様子が
わかる。ただし、第8図において、t ”t3が走査
(並進移動)によって実質的な測定を行なっている期間
である。
なって表面粗さを測定した結果である第9図では、微細
な凹凸が凹凸信号zDによってとらえられている様子が
わかる。ただし、第8図において、t ”t3が走査
(並進移動)によって実質的な測定を行なっている期間
である。
m−支止1
なお、上記実施例ではPZT24a〜24Gによる制御
をあわせて行なうことによって振動の影響の防止と精度
向上との双方が実現されているが、この発明においては
このPZT24a〜24Cによる制御は必須ではない。
をあわせて行なうことによって振動の影響の防止と精度
向上との双方が実現されているが、この発明においては
このPZT24a〜24Cによる制御は必須ではない。
また、PZT24a〜24Cによる制御を行なう場合に
も、第10図のようにトワイマングリーン干渉機構を利
用した装置において、基準板80の反射表面としての基
準面81の法線方向nの位置や姿勢を、基準板支持部8
3と固定面84との間に介挿させたPZT82a〜82
Cで変化させてもよい。ただし第10図において、基準
面81への光は、ハーフミラ−87と対物レンズ85と
を介して与えられる。また、被測定面9への光は集光レ
ンズ86を介して倦えられている。もちろん、基準面と
被測定面との双方の佼」や姿勢を変え得るように、双方
を可変支持機構で支持してもよい。
も、第10図のようにトワイマングリーン干渉機構を利
用した装置において、基準板80の反射表面としての基
準面81の法線方向nの位置や姿勢を、基準板支持部8
3と固定面84との間に介挿させたPZT82a〜82
Cで変化させてもよい。ただし第10図において、基準
面81への光は、ハーフミラ−87と対物レンズ85と
を介して与えられる。また、被測定面9への光は集光レ
ンズ86を介して倦えられている。もちろん、基準面と
被測定面との双方の佼」や姿勢を変え得るように、双方
を可変支持機構で支持してもよい。
さらに、上記実施例では3つの近傍領域R3〜R9につ
いての検出結果を用いているが、検出する近傍領域の数
を限定するものではなく、いくつであってもよい。もつ
とも、被測定面上にある程度の領域について、その空間
的な位置・姿勢を正確に知るためには、3つ以上の近傍
領域を設定することが望ましい。また、方向による誤差
を減少させるためには、上記実施例のように中心部Pを
等角度で取り囲むように近傍領域を設定することが好ま
しい。
いての検出結果を用いているが、検出する近傍領域の数
を限定するものではなく、いくつであってもよい。もつ
とも、被測定面上にある程度の領域について、その空間
的な位置・姿勢を正確に知るためには、3つ以上の近傍
領域を設定することが望ましい。また、方向による誤差
を減少させるためには、上記実施例のように中心部Pを
等角度で取り囲むように近傍領域を設定することが好ま
しい。
被測定面を移動させることによって走査を行なう場合の
みでなく、センサヘッド側を移動させる場合などにもこ
の発明は適用できる。また、光の干渉を利用した装置だ
けでなく、デフォーカス量から距離測定を行なう表面粗
さ測定装置などにもこの発明は適用可能である。
みでなく、センサヘッド側を移動させる場合などにもこ
の発明は適用できる。また、光の干渉を利用した装置だ
けでなく、デフォーカス量から距離測定を行なう表面粗
さ測定装置などにもこの発明は適用可能である。
(発明の効果)
以上説明したように、この発明によれば、近傍領域の平
均的な高さを基準とした凹凸関係に基いて表面粗さを測
定するため、被測定面や測定系に振動が加わってこれら
の間の間隔が変化しても高粘度の粗さ測定を行なうこと
ができる。
均的な高さを基準とした凹凸関係に基いて表面粗さを測
定するため、被測定面や測定系に振動が加わってこれら
の間の間隔が変化しても高粘度の粗さ測定を行なうこと
ができる。
第1図は、実施例の概略構成を示す図、第2図は、実施
例におけるセンサヘッドの内部構成を示す図、 第3図ないし第5図は、実施例の動作説明図、第6図お
よび第7図は、実施例の動作を示すフローチャート、 第8図および第9図はデータ例を示すグラフ、第10図
は、この発明の変形例を示す図、第11図は、従来装置
の配置図である。 8・・・被測定物、 9・・・被測定面、24a
〜24c、82a 〜82C・PZT。 31・・・集光レンズ、 32・・・ミ[l−型干渉機
構、33.81・・・基準面、35・・・光源、37・
・・遮光板、 38・・・ピンホール、39・・・
光電T増倍管、
例におけるセンサヘッドの内部構成を示す図、 第3図ないし第5図は、実施例の動作説明図、第6図お
よび第7図は、実施例の動作を示すフローチャート、 第8図および第9図はデータ例を示すグラフ、第10図
は、この発明の変形例を示す図、第11図は、従来装置
の配置図である。 8・・・被測定物、 9・・・被測定面、24a
〜24c、82a 〜82C・PZT。 31・・・集光レンズ、 32・・・ミ[l−型干渉機
構、33.81・・・基準面、35・・・光源、37・
・・遮光板、 38・・・ピンホール、39・・・
光電T増倍管、
Claims (2)
- (1)被測定面を走査して前記被測定面の表面粗さを測
定する表面粗さ測定装置であって、 所定箇所に位置決めされたセンサ面を有し、その時点に
おける前記被測定面上の被走査領域の中心部と前記セン
サ面との間の相対的距離関係を光学的に検出する第1の
距離センサと、 前記第1の距離センサのセンサ面に対して所定の位置関
係にある箇所に位置決めされた別のセンサ面を有し、前
記中心部の近傍領域と前記別のセンサ面との間の平均的
な相対的距離関係を光学的に検出する第2の距離センサ
と、 前記第1と第2の距離センサのそれぞれの検出結果に基
いて、前記中心部と前記近傍領域との間の相対的凹凸関
係を演算して求める演算手段とを備え、 前記相対的凹凸関係に基いて前記被測定面の表面粗さを
求めることを特徴とする表面粗さ測定装置。 - (2)前記第1と第2の距離センサは、測定光が所定の
基準面と前記被測定面とのそれぞれで反射されて得られ
る第1と第2の反射光の光路差に応じた光干渉を生じさ
せる干渉機構と、前記干渉機構からの干渉光を検出する
光センサとを備えており、 前記被測定面と前記基準面との少なくとも一方は、所定
の駆動手段によって当該面の姿勢および法線方向の位置
を変化させることのできる可変支持機構で支持されてい
るとともに、 前記第1と第2の距離センサの検出出力に基いて、(a
)前記被測定面と前記基準面とを光学的に実質的に平行
とし、(b)かつ前記第1と第2の反射光の間の光路差
を測定光の波長の1/4の奇数倍またはその近傍の距離
とするように、前記可変支持機構の駆動手段に駆動制御
信号を与える位置・姿勢制御手段が設けられた、特許請
求の範囲第1項記載の表面粗さ測定装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3408287A JPS63201509A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 表面粗さ測定装置 |
PCT/JP1988/000162 WO1988006270A1 (en) | 1987-02-17 | 1988-02-17 | Apparatus for measuring surface coarseness |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3408287A JPS63201509A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 表面粗さ測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63201509A true JPS63201509A (ja) | 1988-08-19 |
JPH0562922B2 JPH0562922B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=12404341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3408287A Granted JPS63201509A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 表面粗さ測定装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63201509A (ja) |
WO (1) | WO1988006270A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616245A1 (de) * | 1996-04-15 | 1997-10-16 | Zam Zentrum Fuer Angewandte Mi | Verfahren und Anordnung zum zerstörungsfreien, berührungslosen Prüfen und/oder Bewerten von Festkörpern, Flüssigkeiten, Gasen und Biomaterialien |
JP2002333311A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 形状測定装置及び方法 |
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