JPS63200152A - 半導体製造用マスク - Google Patents
半導体製造用マスクInfo
- Publication number
- JPS63200152A JPS63200152A JP62033867A JP3386787A JPS63200152A JP S63200152 A JPS63200152 A JP S63200152A JP 62033867 A JP62033867 A JP 62033867A JP 3386787 A JP3386787 A JP 3386787A JP S63200152 A JPS63200152 A JP S63200152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- mask support
- static electricity
- conductive material
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 12
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体の製造に用いるマスクに関するもので
ある。
ある。
従来の技術
従来、半導体の製造には第３図に示すようなマスクが用
いられている。このマスクは、石英ガラスのような収縮
率の小さい絶縁性支持体１で構成され、同支持体１の平
面上に、半導体のパターンを製作するためのパターン２
が形成されている。
いられている。このマスクは、石英ガラスのような収縮
率の小さい絶縁性支持体１で構成され、同支持体１の平
面上に、半導体のパターンを製作するためのパターン２
が形成されている。
発明が解決しようとする問題点
ところが、このようなマス・り支持体１は静電気を帯び
やすく静電気を帯びると、マスク支持体１の表面にダス
トが付着して、露光不良が発生しやずいという問題があ
る。これはマスクをプラスチックケース等に出し入れす
る際の摩擦によってマスク表面に静電気が発生するため
と思われる。
やすく静電気を帯びると、マスク支持体１の表面にダス
トが付着して、露光不良が発生しやずいという問題があ
る。これはマスクをプラスチックケース等に出し入れす
る際の摩擦によってマスク表面に静電気が発生するため
と思われる。
本発明はこのような従来の問題を解決する半導体製造用
マスクを提供するものである。
マスクを提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明はマスク支持体の周辺枠部にクロム等の導電性材
料を設けたものである。
料を設けたものである。
作用
このようにマスクの周辺枠部に導電性材料を設けると、
マスクをプラスチックケース等に出し入れする際に、マ
スクの周辺とケースの内面とが摩擦しても静電気が発生
しにくくなり、その結果ダストの付着も少なくなる。
マスクをプラスチックケース等に出し入れする際に、マ
スクの周辺とケースの内面とが摩擦しても静電気が発生
しにくくなり、その結果ダストの付着も少なくなる。
実施例
第１図は本発明の一実施例における半導体製造用マスク
を示すものである。マスク支持体１は従来と同様に石英
ガラスで構成され、その内部には半導体のパターンを製
作するためのパターン２が形成されている。そして、こ
のマスク支持体１のパターンの形成されている面の周辺
にはクロム等の導電性材料３が設けられている。このよ
うにすれば、マスク支持体１をプラスチックケース等（
図示せず）に出し入れする際に、マスク支持体１の周辺
とケースとが摩擦しても静電気が発生しにくい。このた
め、マスク支持体１に帯電する静電気も少くなり、マス
ク支持体１の表面に付着するダストも少くなる。
を示すものである。マスク支持体１は従来と同様に石英
ガラスで構成され、その内部には半導体のパターンを製
作するためのパターン２が形成されている。そして、こ
のマスク支持体１のパターンの形成されている面の周辺
にはクロム等の導電性材料３が設けられている。このよ
うにすれば、マスク支持体１をプラスチックケース等（
図示せず）に出し入れする際に、マスク支持体１の周辺
とケースとが摩擦しても静電気が発生しにくい。このた
め、マスク支持体１に帯電する静電気も少くなり、マス
ク支持体１の表面に付着するダストも少くなる。
第２図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ導電性材料を設け
た上記実施例のマスクと導電性材料を設けていない従来
のマスクとのチャージ電圧分布を示すものであり、横軸
はチャージ電圧、縦軸はマスクの枚数を表わしている。
た上記実施例のマスクと導電性材料を設けていない従来
のマスクとのチャージ電圧分布を示すものであり、横軸
はチャージ電圧、縦軸はマスクの枚数を表わしている。
第２図（ａ） 、 （ｂ）を比較すれば、導電性材料を
設けたマスクの方が静電気を帯びにくいことがわかる。
設けたマスクの方が静電気を帯びにくいことがわかる。
なお、第１図の実施例ではマスクのパターンの形成され
ている表面の周辺のみに導電性材料３を設けたが、マス
ク支持体１の端面４、さらには裏面の周辺枠部にも導電
性材料を設けてもよい。また、ここでいうマスクにはレ
ティクルも含まれることはいうまでもない。
ている表面の周辺のみに導電性材料３を設けたが、マス
ク支持体１の端面４、さらには裏面の周辺枠部にも導電
性材料を設けてもよい。また、ここでいうマスクにはレ
ティクルも含まれることはいうまでもない。
発明の効果
本発明はマスク支持体の周辺枠部に導電性材料を設けた
ものであるから、マスクの静電気の発生をおさえ、ダス
トの付着を少な（することができる。
ものであるから、マスクの静電気の発生をおさえ、ダス
トの付着を少な（することができる。
第１図は本発明の半導体製造用マスクの一実施例を示す
斜視図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は上記実施例のマス
クと従来例のマスクとのチャージ電圧分布の特性図、第
３図は従来のマスクを示す斜視図である。 １・・・・・・マスク支持体、２・・・・・・パターン
、３・・・・・・導電性材料、４・・・・・・端面。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 ｆ−７ズク ＠２ｍ ｉヤ、ジ震ＡＩＶＩ（にｙ］
斜視図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は上記実施例のマス
クと従来例のマスクとのチャージ電圧分布の特性図、第
３図は従来のマスクを示す斜視図である。 １・・・・・・マスク支持体、２・・・・・・パターン
、３・・・・・・導電性材料、４・・・・・・端面。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 ｆ−７ズク ＠２ｍ ｉヤ、ジ震ＡＩＶＩ（にｙ］
Claims (1)
- 絶縁性支持体の枠部周辺に導電層を設けその枠部内側に
マスクを配設した半導体製造用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033867A JPS63200152A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033867A JPS63200152A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200152A true JPS63200152A (ja) | 1988-08-18 |
Family
ID=12398456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033867A Pending JPS63200152A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63200152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897975A (en) * | 1994-12-02 | 1999-04-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Phase shift mask for formation of contact holes having micro dimension |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53128278A (en) * | 1977-04-14 | 1978-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of lsi mask |
| JPS5754154B2 (ja) * | 1976-10-20 | 1982-11-16 |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62033867A patent/JPS63200152A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5754154B2 (ja) * | 1976-10-20 | 1982-11-16 | ||
| JPS53128278A (en) * | 1977-04-14 | 1978-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of lsi mask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897975A (en) * | 1994-12-02 | 1999-04-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Phase shift mask for formation of contact holes having micro dimension |
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