JPS63190847A - 1,4−ナフトキノンの製造方法 - Google Patents
1,4−ナフトキノンの製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はナフタレンの接触気相酸化による1、4−ナフ
トキノンの製造方法に関する。より具体的には、五酸化
バナジウム−硫酸カリウム−ピロ硫酸カリウム系触媒を
使用したナフタレンの接触気相酸化において、触媒を前
処理することにより、より高い収率で1.4−ナフトキ
ノンを製造することに関する。
トキノンの製造方法に関する。より具体的には、五酸化
バナジウム−硫酸カリウム−ピロ硫酸カリウム系触媒を
使用したナフタレンの接触気相酸化において、触媒を前
処理することにより、より高い収率で1.4−ナフトキ
ノンを製造することに関する。
(従来の技術)
ナフトキノンは染料や有機化合物の合成用原料として有
用である。
用である。
ナフタレンを分子状酸素含有ガスにより固定床もしくは
流動床式で接触気相酸化して1,4−ナフトキノンを製
造することは周知である。この方法において、触媒とし
て、五酸化バナジウム、アルカリ金属硫酸塩およびアル
カリ金属ピロ硫酸塩、さらに場合により他の金属酸化物
を添加してなる触媒成分をケイ酸、ケイソウ土などの担
体に担持させたものを使用することもよく知られている
。
流動床式で接触気相酸化して1,4−ナフトキノンを製
造することは周知である。この方法において、触媒とし
て、五酸化バナジウム、アルカリ金属硫酸塩およびアル
カリ金属ピロ硫酸塩、さらに場合により他の金属酸化物
を添加してなる触媒成分をケイ酸、ケイソウ土などの担
体に担持させたものを使用することもよく知られている
。
また、上述した触媒によりナフタレンを接触気相酸化し
て1.4−ナフトキノンの製造する際に、この触媒を前
処理してから反応を行うことは、特公昭55−3049
7号公報により公知である。この公報は、一定量のナフ
タレンを加えながら少量の酸素を含有する窒素気流を3
00〜450℃の温度で触媒に流通させ、次いで0.2
〜5.Ovoltの二酸化硫黄を含有する空気を同じ温
度で触媒に流通させる、2段階の触媒前処理方法を開示
している。なお、特公昭55−30497号に記載の方
法は、硫黄分をほとんど含有しない石油系ナフタレンを
原料とする方法である。
て1.4−ナフトキノンの製造する際に、この触媒を前
処理してから反応を行うことは、特公昭55−3049
7号公報により公知である。この公報は、一定量のナフ
タレンを加えながら少量の酸素を含有する窒素気流を3
00〜450℃の温度で触媒に流通させ、次いで0.2
〜5.Ovoltの二酸化硫黄を含有する空気を同じ温
度で触媒に流通させる、2段階の触媒前処理方法を開示
している。なお、特公昭55−30497号に記載の方
法は、硫黄分をほとんど含有しない石油系ナフタレンを
原料とする方法である。
さらに、特開昭49−116045号公報は、上記触媒
のような触媒によるナフタレンの接触気相酸化において
、活性が低下した触媒の再生処理法として、この触媒に
390〜500℃の温度で空気、不活性ガス、もしくは
反応ガスを流通させる方法を記載している。反応ガスで
再生する場合には、反応を停止させずに、単に反応温度
を上記範囲内に昇温させればよいとしている。この再生
処理は、反応中に触媒表面に付着した硫黄化合物を脱着
させるごと力(目的である。
のような触媒によるナフタレンの接触気相酸化において
、活性が低下した触媒の再生処理法として、この触媒に
390〜500℃の温度で空気、不活性ガス、もしくは
反応ガスを流通させる方法を記載している。反応ガスで
再生する場合には、反応を停止させずに、単に反応温度
を上記範囲内に昇温させればよいとしている。この再生
処理は、反応中に触媒表面に付着した硫黄化合物を脱着
させるごと力(目的である。
ナフタレンの接触気相酸化反応は、ナフトキノンから無
水フタル酸を経て、最終的にはCOzに至る逐次酸化反
応であるので、ナフトキノンへの酸化のみに反応を制御
することは不可能である。
水フタル酸を経て、最終的にはCOzに至る逐次酸化反
応であるので、ナフトキノンへの酸化のみに反応を制御
することは不可能である。
そのため、上述した触媒を用いる接触気相酸化法でも1
.4−ナフトキノンのみを得ることはできず、常に多量
の無水フタル酸、さらには無水マレイン酸、C01Co
tなどの副生物の生成を伴う、1゜4−ナフトキノンの
最大の収率を得るには、ナフタレンの転化率が高((す
なわち、未反応ナフタレンの量が少なく)、かつ1.4
−ナフトキノンへの選択率が高くなるような触媒および
反応条件を採用することが必要であるが、従来のナフト
キノン製造用触媒にあっては、かかる高いナフタレン転
化率と高い1,4−ナフトキノン選択率とを両立させる
ことは困難であった。
.4−ナフトキノンのみを得ることはできず、常に多量
の無水フタル酸、さらには無水マレイン酸、C01Co
tなどの副生物の生成を伴う、1゜4−ナフトキノンの
最大の収率を得るには、ナフタレンの転化率が高((す
なわち、未反応ナフタレンの量が少なく)、かつ1.4
−ナフトキノンへの選択率が高くなるような触媒および
反応条件を採用することが必要であるが、従来のナフト
キノン製造用触媒にあっては、かかる高いナフタレン転
化率と高い1,4−ナフトキノン選択率とを両立させる
ことは困難であった。
上記問題点を克服する方法として、本発明者の一人は先
に特開昭61〜15855号において、上述した従来の
五酸化バナジウム−硫酸カワラム−ピロ硫酸カリウム系
触媒にFeおよび錫を特定の量で添加した改良触媒を使
用するナフトキノンの製造方法を提案した。この方法で
使用する触媒は、具体的には、下式で定まる組成となる
ように触媒成分を含有してなるものである。
に特開昭61〜15855号において、上述した従来の
五酸化バナジウム−硫酸カワラム−ピロ硫酸カリウム系
触媒にFeおよび錫を特定の量で添加した改良触媒を使
用するナフトキノンの製造方法を提案した。この方法で
使用する触媒は、具体的には、下式で定まる組成となる
ように触媒成分を含有してなるものである。
(V)a (K)b (S)c (Fe)d (Sn)
e (X)f (O)1式中、V:バナジウム、K:カ
リウム、S:硫黄、Fe;鉄、Sn;錫、X:珪素、チ
タン、アルミニウム等の元素、0:酸素、 a+b+c+d、e+Lg ’各元素の原子比a:b
:c:d:e:f −10: 10〜100
: 5〜100:0.1〜10 : 0.05〜
10 : 10〜300Bはa〜fの値および各金属成
分の化合形態により決まる従属的な値である。
e (X)f (O)1式中、V:バナジウム、K:カ
リウム、S:硫黄、Fe;鉄、Sn;錫、X:珪素、チ
タン、アルミニウム等の元素、0:酸素、 a+b+c+d、e+Lg ’各元素の原子比a:b
:c:d:e:f −10: 10〜100
: 5〜100:0.1〜10 : 0.05〜
10 : 10〜300Bはa〜fの値および各金属成
分の化合形態により決まる従属的な値である。
この改良触媒を使用すると、400℃以下の比較的低い
反応温度で、ナフタレンの転化率とナフトキノンへの選
択率が共に向上し、40%を超える高い収率で1.4−
ナフトキノンを回収することが可能である。
反応温度で、ナフタレンの転化率とナフトキノンへの選
択率が共に向上し、40%を超える高い収率で1.4−
ナフトキノンを回収することが可能である。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、上記の改良触媒で得られた優れた結果は、硫黄
をほとんど含有しない石油系ナフタレンで得られたもの
であり、硫黄を相当量含有する石炭系ナフタレンを使用
してこの方法を実施すると、ナフタレンの転化率および
ナフトキノンの収率が共に低下することが判明した。石
炭系ナフタレンは石油系ナフタレンに比べて安価であり
、上記触媒を使用して石炭系ナフタレンから1,4−ナ
フトキノンを高収率で製造することが望まれる。
をほとんど含有しない石油系ナフタレンで得られたもの
であり、硫黄を相当量含有する石炭系ナフタレンを使用
してこの方法を実施すると、ナフタレンの転化率および
ナフトキノンの収率が共に低下することが判明した。石
炭系ナフタレンは石油系ナフタレンに比べて安価であり
、上記触媒を使用して石炭系ナフタレンから1,4−ナ
フトキノンを高収率で製造することが望まれる。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、石炭系ナフタレンを原料として上記触媒
により接触気相酸化する場合に見られる活性の低下を回
避すべく検討を重ねた結果、硫黄分を一定範囲量で含有
する空気をこの触媒に流通させて触媒の前処理を行うこ
とにより、石炭系ナフタレンを使用しても高い収率で1
,4−ナフトキノンを製造することが可能となることを
見出し、本発明を完成した。
により接触気相酸化する場合に見られる活性の低下を回
避すべく検討を重ねた結果、硫黄分を一定範囲量で含有
する空気をこの触媒に流通させて触媒の前処理を行うこ
とにより、石炭系ナフタレンを使用しても高い収率で1
,4−ナフトキノンを製造することが可能となることを
見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、下式で示される組成を有する五酸
化バナジウム−硫酸カリウム−ピロロ1Mカリウムの混
合物を主体とする触媒の存在下に分子ifM索含育ガス
でナフタレンを接触気相酸化して1,4−ナフトキノン
を製造する方法において、硫黄原子に換算して15〜5
00ρpgの量の硫黄化合物を含有する空気を400〜
480℃の温度で触媒に流通させることにより触媒を前
処理することを特徴とする、1.4−ナフトキノンの製
造方法である。
化バナジウム−硫酸カリウム−ピロロ1Mカリウムの混
合物を主体とする触媒の存在下に分子ifM索含育ガス
でナフタレンを接触気相酸化して1,4−ナフトキノン
を製造する方法において、硫黄原子に換算して15〜5
00ρpgの量の硫黄化合物を含有する空気を400〜
480℃の温度で触媒に流通させることにより触媒を前
処理することを特徴とする、1.4−ナフトキノンの製
造方法である。
(V)a (K)b (S)c (Fe)d (Sn)
e (X)f (O)g式中、V:バナジウム、K:カ
リウム、S:硫黄、Fe:鉄、Sn:il、X:珪素、
チタン、アルミニウム等の元素、0:酸素、 a+b+c+d+e+f+8 ’各元素の原子比、a
:b:c:d:e:f =10: lO〜loO:
5〜100 :0.1〜10 : 0.05〜10
: 10〜300、gはa〜fの債および各金属成分の
化合形態により決まる従属的な値である。
e (X)f (O)g式中、V:バナジウム、K:カ
リウム、S:硫黄、Fe:鉄、Sn:il、X:珪素、
チタン、アルミニウム等の元素、0:酸素、 a+b+c+d+e+f+8 ’各元素の原子比、a
:b:c:d:e:f =10: lO〜loO:
5〜100 :0.1〜10 : 0.05〜10
: 10〜300、gはa〜fの債および各金属成分の
化合形態により決まる従属的な値である。
(作用)
本発明で使用する上記の式で示される組成を有する触媒
は、前述の特開昭61〜15855号に詳述されている
ので、その詳細についてはこの公報を参照されたい。
は、前述の特開昭61〜15855号に詳述されている
ので、その詳細についてはこの公報を参照されたい。
この触媒は、周知の方法により製造できる。たとえば、
メタバナジン酸アンモニウム(水溶液状もしくはモノエ
タノールアミン水を容ン夜に?3解した状態でもよい)
、硫酸カリウム、ピロ硫酸カリウム1.および適当な粒
度および細孔容積を持つ担体(例、シリカ、チタニア、
アルミナ、ケイソウ土など)に、さらに少量の鉄化合物
(例、硫酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物など)および
錫化合物(側温化物、硫酸塩、酸化物など)を添加した
粉末混合物を乾燥および粉砕し、次いで打錠成形後に加
熱焼成することにより、上記触媒を得ることができる。
メタバナジン酸アンモニウム(水溶液状もしくはモノエ
タノールアミン水を容ン夜に?3解した状態でもよい)
、硫酸カリウム、ピロ硫酸カリウム1.および適当な粒
度および細孔容積を持つ担体(例、シリカ、チタニア、
アルミナ、ケイソウ土など)に、さらに少量の鉄化合物
(例、硫酸塩、水酸化物、硝酸塩、塩化物など)および
錫化合物(側温化物、硫酸塩、酸化物など)を添加した
粉末混合物を乾燥および粉砕し、次いで打錠成形後に加
熱焼成することにより、上記触媒を得ることができる。
焼成は300〜600℃、好ましくは400〜500℃
の温度で、3〜48時間、好ましくは3〜24時間行う
のが普通である。
の温度で、3〜48時間、好ましくは3〜24時間行う
のが普通である。
また、上記粉末混合物を乾燥後、300℃程度の低温で
一次焼成し、得られた粉末に水を加えてスラリー化し、
このスラリーを炭化珪素球の表面に噴霧し、焼成するこ
とにより、触媒を製造することもできる。かかる炭化珪
素球に焼付けた触媒を使用すると、粉末混合物を打錠成
形して焼成した触媒を使用する場合に比べて、無水フタ
ル酸への逐次酸化が抑制され、また未反応ナフタレン量
も減少するため、1,4−ナフトキノンを非常に高い収
率で製造することが可能となる。
一次焼成し、得られた粉末に水を加えてスラリー化し、
このスラリーを炭化珪素球の表面に噴霧し、焼成するこ
とにより、触媒を製造することもできる。かかる炭化珪
素球に焼付けた触媒を使用すると、粉末混合物を打錠成
形して焼成した触媒を使用する場合に比べて、無水フタ
ル酸への逐次酸化が抑制され、また未反応ナフタレン量
も減少するため、1,4−ナフトキノンを非常に高い収
率で製造することが可能となる。
本発明で使用する触媒にとって好ましい担体はシリカで
あり、特に、市販のキセロゲルや市販のシリカゾルを硫
酸等で中和し、生成した沈殿を乾燥、粒度調整して得た
シリカ等が使用される。また担体の割合は、上記の式で
規定するように、■に対する担体金属原子の原子比で1
〜30の範囲内であるが、担体がシリカである場合には
この原子比が1〜lOの範囲内、すなわち上記の式にお
いてfが10〜100の範囲内のものが、ナフタレンの
転化率およびナフトキノンの収率のいずれの点でも好結
果が得られるため、特に好ましい。
あり、特に、市販のキセロゲルや市販のシリカゾルを硫
酸等で中和し、生成した沈殿を乾燥、粒度調整して得た
シリカ等が使用される。また担体の割合は、上記の式で
規定するように、■に対する担体金属原子の原子比で1
〜30の範囲内であるが、担体がシリカである場合には
この原子比が1〜lOの範囲内、すなわち上記の式にお
いてfが10〜100の範囲内のものが、ナフタレンの
転化率およびナフトキノンの収率のいずれの点でも好結
果が得られるため、特に好ましい。
本発明の方法にあっては、硫黄原子に換算して15〜5
00 ρp−の硫黄化合物を含有する空気を400〜
480℃の温度で触媒に流通させて、触媒を前処理して
から反応を行う。
00 ρp−の硫黄化合物を含有する空気を400〜
480℃の温度で触媒に流通させて、触媒を前処理して
から反応を行う。
本発明の方法は、特公昭55−30497号公報に記載
の2段階前処理方法とは異なり、少量の硫黄化合物を含
有する空気による1段階処理であり、また触媒自体も、
鉄および錫を必須成分として含有する点で異なっている
。
の2段階前処理方法とは異なり、少量の硫黄化合物を含
有する空気による1段階処理であり、また触媒自体も、
鉄および錫を必須成分として含有する点で異なっている
。
さらに本発明の方法は、特開昭49−116045号公
報記載の再生処理方法とは異なり、触媒の前処理であり
、また流通させるガスも、ナフタレンを含有する反応ガ
スではなくて少量のイオウ化合物を含有する空気であり
、処理の目的も触媒表面に蓄積した硫黄化合物の脱着で
はなく、触媒成分中のSOa : 5tayの比率を最
も高活性の発現が得られるようにtAMするためである
。
報記載の再生処理方法とは異なり、触媒の前処理であり
、また流通させるガスも、ナフタレンを含有する反応ガ
スではなくて少量のイオウ化合物を含有する空気であり
、処理の目的も触媒表面に蓄積した硫黄化合物の脱着で
はなく、触媒成分中のSOa : 5tayの比率を最
も高活性の発現が得られるようにtAMするためである
。
本発明の方法において、触媒の前処理用に流通させる空
気に添加される硫黄化合物は、処理温度において揮発、
分解などにより気体となる硫黄化合物であれば任意のも
のが使用できる。適当な化金物の例は、二酸化硫黄、硫
化水素などの無機硫黄化合物、ならびにメチルメルカプ
タンなどのメルカプタン類、チオフェン、チオナフテン
などの硫黄含有複素環化合物類、硫化メチルなどのチオ
エーテル類、チオシアン酸メチルなどのチオシアン酸エ
ステル類などの有機化合物が挙げられる。
気に添加される硫黄化合物は、処理温度において揮発、
分解などにより気体となる硫黄化合物であれば任意のも
のが使用できる。適当な化金物の例は、二酸化硫黄、硫
化水素などの無機硫黄化合物、ならびにメチルメルカプ
タンなどのメルカプタン類、チオフェン、チオナフテン
などの硫黄含有複素環化合物類、硫化メチルなどのチオ
エーテル類、チオシアン酸メチルなどのチオシアン酸エ
ステル類などの有機化合物が挙げられる。
これらの化合物の空気への混入量は、硫黄含有量に換算
して15〜500 pp−の範囲内であり、特に30〜
300ρp11の範囲内が好ましい、空気中の硫黄含有
量が15 Il+)−未満であると、前処理による触媒
活性向上効果がほとんど得られず、一方、硫黄含有量が
500 ppmを超えると、触媒中の5iov/Sot
比が増加しすぎ、ナフトキノン収率が低下する傾向があ
るため、好ましくない。
して15〜500 pp−の範囲内であり、特に30〜
300ρp11の範囲内が好ましい、空気中の硫黄含有
量が15 Il+)−未満であると、前処理による触媒
活性向上効果がほとんど得られず、一方、硫黄含有量が
500 ppmを超えると、触媒中の5iov/Sot
比が増加しすぎ、ナフトキノン収率が低下する傾向があ
るため、好ましくない。
本発明の方法において、触媒前処理の温度は、400〜
480℃であるが、前処理温度が400℃より低いと、
触媒活性の顕著な向上が得られない、一方、前処理温度
が480℃を超えると、触媒成分のシンクリングが起こ
り易くなり、触媒が失活する恐れが出てくる。触媒前処
理温度は、好ましくは400〜450℃の範囲内である
。前処理における硫黄化合物含有空気の流通速度は、空
間速度で約1000〜3000hr−1程度 が適当で
あり、処理時間は一般に10〜200時間の範囲内が適
当である。
480℃であるが、前処理温度が400℃より低いと、
触媒活性の顕著な向上が得られない、一方、前処理温度
が480℃を超えると、触媒成分のシンクリングが起こ
り易くなり、触媒が失活する恐れが出てくる。触媒前処
理温度は、好ましくは400〜450℃の範囲内である
。前処理における硫黄化合物含有空気の流通速度は、空
間速度で約1000〜3000hr−1程度 が適当で
あり、処理時間は一般に10〜200時間の範囲内が適
当である。
本発明の方法において、特公昭55−30497号公報
に記載の前処理法の第1段階、すなわちナフタレンおよ
び少量の酸素を含有する窒素ガスを、たとえば400℃
の温度でまず触媒に流通させる処理を行った後、本発明
による前処理を実施しても、この窒素ガス処理による触
媒活性の一層の向上は実質的に得られない。
に記載の前処理法の第1段階、すなわちナフタレンおよ
び少量の酸素を含有する窒素ガスを、たとえば400℃
の温度でまず触媒に流通させる処理を行った後、本発明
による前処理を実施しても、この窒素ガス処理による触
媒活性の一層の向上は実質的に得られない。
上述した少量の鉄および錫を含有する触媒をこのように
前処理した後、ナフタレンの接触気相酸化を行う。反応
条件は、従来と同様でよく、特に制限されない。
前処理した後、ナフタレンの接触気相酸化を行う。反応
条件は、従来と同様でよく、特に制限されない。
石炭系ナフタレンを原料とする場合、通常これには硫黄
化合物が硫黄含有量として約3000ρpII以上含有
されており、反応温度は400℃以上の高温とすること
が一般に好ましい0本発明の方法は、硫黄化合物の含有
量が少ない石油系ナフタレンを原料とする場合に通用し
ても触媒活性の向上を得ることができ、その場合には反
応温度をより低温とすることができる。
化合物が硫黄含有量として約3000ρpII以上含有
されており、反応温度は400℃以上の高温とすること
が一般に好ましい0本発明の方法は、硫黄化合物の含有
量が少ない石油系ナフタレンを原料とする場合に通用し
ても触媒活性の向上を得ることができ、その場合には反
応温度をより低温とすることができる。
分子状酸素含有ガスとしては一般に空気が使用される。
本発明の方法を固定床で行う場合、前述した触媒を内径
20〜30mの反応管に充填し、空間速度900〜30
00hr−’でナフタレンの接触気相酸化を行う。原料
ガス中のナフタレン濃度は、0.5〜1、Ovolχが
適当である。水蒸気等を原料ガスに添加することにより
、反応温度の制御を行うこともできる。
20〜30mの反応管に充填し、空間速度900〜30
00hr−’でナフタレンの接触気相酸化を行う。原料
ガス中のナフタレン濃度は、0.5〜1、Ovolχが
適当である。水蒸気等を原料ガスに添加することにより
、反応温度の制御を行うこともできる。
以下、実施例により本発明を説明する。
大施班上
メタバナジン酸アンモニウム422gを含む水溶液のp
Hを8に調整し、この水溶液に硫酸カリウム559&、
ピロ硫酸カリウム500 g、硫酸第一鉄・7水塩18
6 g、および硫酸第一錫36gを添加し、80℃に加
熱してこれらの塩類を溶解させた。
Hを8に調整し、この水溶液に硫酸カリウム559&、
ピロ硫酸カリウム500 g、硫酸第一鉄・7水塩18
6 g、および硫酸第一錫36gを添加し、80℃に加
熱してこれらの塩類を溶解させた。
得られた溶液に、真比1i 2.2、N、BET法で測
定した細孔容積値0.54 cc/gのシリカゲルの粉
末を560g添加し、次いで蒸発乾固してケーキ状の混
合物をえた。これを全量lOoメツシュ以下の粒変に粉
砕し、得られた粉末に滑剤として1.5重量%の黒鉛を
添加し、直径5鶴、長さ5Nのベレット状に打錠成形し
、450℃で15時間焼成して、触媒Aを得た。この触
媒への混合時の組成は下記の通りであった。
定した細孔容積値0.54 cc/gのシリカゲルの粉
末を560g添加し、次いで蒸発乾固してケーキ状の混
合物をえた。これを全量lOoメツシュ以下の粒変に粉
砕し、得られた粉末に滑剤として1.5重量%の黒鉛を
添加し、直径5鶴、長さ5Nのベレット状に打錠成形し
、450℃で15時間焼成して、触媒Aを得た。この触
媒への混合時の組成は下記の通りであった。
VtoKz*Sz+FetSn*、aSitiこの触媒
Aを内径2Onのステンレス鋼製反応管に16cc充填
し、SO,を硫黄原子に換算して50 、ρ−金含有る
空気を、温度420℃、空間速度1100hr−’でこ
の触媒層に48時間流通させて触媒の前処理を行った。
Aを内径2Onのステンレス鋼製反応管に16cc充填
し、SO,を硫黄原子に換算して50 、ρ−金含有る
空気を、温度420℃、空間速度1100hr−’でこ
の触媒層に48時間流通させて触媒の前処理を行った。
このようにして前処理した触媒層に流通させるガスを、
純度95%(硫黄含有量0.6重量%)の石炭系ナフタ
レンを空気に混合したナフタレン/空気混合ガスに切り
換え、同じ420℃の温度でナフタレンの接触気相酸化
を48時間行った。混合ガス中のナフタレン含有量は0
.7 volχであり、混合ガスは空間速度1100h
r−’で供給した。
純度95%(硫黄含有量0.6重量%)の石炭系ナフタ
レンを空気に混合したナフタレン/空気混合ガスに切り
換え、同じ420℃の温度でナフタレンの接触気相酸化
を48時間行った。混合ガス中のナフタレン含有量は0
.7 volχであり、混合ガスは空間速度1100h
r−’で供給した。
生成ガスはアセトンにバブリングさせて捕集し、ガスク
ロマトグラフィーによる定量で反応成績の経時変化を調
べた。反応結果は、平均でナフタレン転化率98モル%
、1.4−ナフトキノン収率40モル%、無水フクル酸
収率55モル%であった。
ロマトグラフィーによる定量で反応成績の経時変化を調
べた。反応結果は、平均でナフタレン転化率98モル%
、1.4−ナフトキノン収率40モル%、無水フクル酸
収率55モル%であった。
止較廻上
実施例1を操り返したが、ただし、触媒を反応管に充填
した後、前処理せずにそのままナフタレンの接触気相酸
化を実施例1と同じ条件で実施した。48時間反応を行
った後の平均の反応成績は、ナフタレン転化率85モル
%、1,4−ナフトキノン収率37モル%、無水フタル
酸収率45モル%であった。
した後、前処理せずにそのままナフタレンの接触気相酸
化を実施例1と同じ条件で実施した。48時間反応を行
った後の平均の反応成績は、ナフタレン転化率85モル
%、1,4−ナフトキノン収率37モル%、無水フタル
酸収率45モル%であった。
寒止炎l
実施例1で調製した触媒へを使用し、実施例1と同様の
方法により前処理およびナフタレンの接触気相酸化を行
った。触媒の前処理は、硫黄原子に換算して250 p
pmの量のチオナフテンを含有する空気を400tおよ
び空間速度1100hr−’で100時間流通させるこ
とにより実施した。次いで、実施例1と同じ石炭系ナフ
タレンを原料として、下記反応条件で接触酸化反応を4
8時間行った。
方法により前処理およびナフタレンの接触気相酸化を行
った。触媒の前処理は、硫黄原子に換算して250 p
pmの量のチオナフテンを含有する空気を400tおよ
び空間速度1100hr−’で100時間流通させるこ
とにより実施した。次いで、実施例1と同じ石炭系ナフ
タレンを原料として、下記反応条件で接触酸化反応を4
8時間行った。
原料ナフタレン中のS濃度: 0.61ft%混合ガ
ス中のナフタレン濃度二〇、7シO1χ混合ガスの空間
速度: 1100 hr−’反応温度:420
℃ 反応成績は平均でナフタレン転化率100モル%、1.
4−ナフトキノン収率42モル%、無水フタル酸収率5
5モル%であった。
ス中のナフタレン濃度二〇、7シO1χ混合ガスの空間
速度: 1100 hr−’反応温度:420
℃ 反応成績は平均でナフタレン転化率100モル%、1.
4−ナフトキノン収率42モル%、無水フタル酸収率5
5モル%であった。
北較炭又
実施例1′?!調製した触媒Aを使用し、処理温度を4
90℃とした以外は実施例1と同様の方法により触媒の
前処理を行った0次いで、実施例1と同じ石炭系ナフタ
レンを原料として、下記の反応条件でナフタレンの接触
気相酸化反応を48時間実施した。
90℃とした以外は実施例1と同様の方法により触媒の
前処理を行った0次いで、実施例1と同じ石炭系ナフタ
レンを原料として、下記の反応条件でナフタレンの接触
気相酸化反応を48時間実施した。
原料ナフタレン中のS?贋度:0.6重量%混合ガス中
のナフタレン濃度: 0.7 voIX混合ガスの空間
速度: 1100 hr−’反応温度:420
℃ 反応成績は平均でナフタレン転化率70モル%、1.4
−ナフトキノン収率25モル%、無水フタル酸収率35
モル%であった。このようにナフタレン転化率およびナ
フトキノン収率が共に大きく低下したのは、前記処理温
度が490℃と高過ぎ、触媒のシンタリングを生起した
ため、触媒が失活したと考えられる。
のナフタレン濃度: 0.7 voIX混合ガスの空間
速度: 1100 hr−’反応温度:420
℃ 反応成績は平均でナフタレン転化率70モル%、1.4
−ナフトキノン収率25モル%、無水フタル酸収率35
モル%であった。このようにナフタレン転化率およびナ
フトキノン収率が共に大きく低下したのは、前記処理温
度が490℃と高過ぎ、触媒のシンタリングを生起した
ため、触媒が失活したと考えられる。
(発明の効果)
本発明の方法によると、以上に示した如く、特開昭61
〜15855号公報に記載のナフタレン転化率とナフト
キノン収率が共に優れた触媒を使用し、触媒の前処理に
より、この触媒の難点であった反応系に相当量の硫黄分
が存在すると触媒活性が低下するのを回避することがで
きる。それにより、硫黄分の多い安価な石炭系ナフタレ
ンを原料として使用し、高いナフトキノン収率およびナ
フタレン転化率を維持しながら、長時間にわたってナフ
タレンの接触気相酸化により1.4−ナフトキノンを製
造することが可能となる。また、ナフトキノン収率およ
びナフタレン転化率の向上は、反応生成物の分離・精製
のコスト低減につながるので、本発明の方法は、原料お
よび製造コストの両面において】、4−ナフトキノンの
経済的な製造を可能にする。
〜15855号公報に記載のナフタレン転化率とナフト
キノン収率が共に優れた触媒を使用し、触媒の前処理に
より、この触媒の難点であった反応系に相当量の硫黄分
が存在すると触媒活性が低下するのを回避することがで
きる。それにより、硫黄分の多い安価な石炭系ナフタレ
ンを原料として使用し、高いナフトキノン収率およびナ
フタレン転化率を維持しながら、長時間にわたってナフ
タレンの接触気相酸化により1.4−ナフトキノンを製
造することが可能となる。また、ナフトキノン収率およ
びナフタレン転化率の向上は、反応生成物の分離・精製
のコスト低減につながるので、本発明の方法は、原料お
よび製造コストの両面において】、4−ナフトキノンの
経済的な製造を可能にする。
また、本発明の方法において、反応条件の調整により、
実施例2に示すように実質的に100%のナフタレン転
化率を得ることができる。それにより未反応ナフタレン
の分層回収と循環使用の必要がなくなり、工程の簡略化
が可能となるため、工業的に非常に有利であり、−府の
コスト低減が可能となる。
実施例2に示すように実質的に100%のナフタレン転
化率を得ることができる。それにより未反応ナフタレン
の分層回収と循環使用の必要がなくなり、工程の簡略化
が可能となるため、工業的に非常に有利であり、−府の
コスト低減が可能となる。
出暇人 住金化工株式会社
住友金属工業株式会社
Claims (1)
- (1)下式で示される組成を有する五酸化バナジウム−
硫酸カリウム−ピロ硫酸カリウムの混合物を主体とする
触媒の存在下に分子状酸素含有ガスでナフタレンを接触
気相酸化して1,4−ナフトキノンを製造する方法にお
いて、硫黄原子に換算して15〜500ppmの量の硫
黄化合物を含有する空気を400〜480℃の温度で触
媒に流通させることにより触媒を前処理することを特徴
とする、1,4−ナフトキノンの製造方法。 (V)a(K)b(S)c(Fe)d(Sn)e(X)
f(O)g式中、V:バナジウム、K:カリウム、S:
硫黄、Fe:鉄、Sn:錫、X:珪素、チタン、アルミ
ニウム等の元素、O:酸素、 a、b、c、d、e、f、g:各元素の原子比、a:b
:c:d:e:f=10:10〜100:5〜100:
0.1〜10:0.05〜10:10〜300、gはa
〜fの値および各金属成分の化合形 態により決まる従属的な値である。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62022210A JPS63190847A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 1,4−ナフトキノンの製造方法 |
FI880408A FI880408A (fi) | 1987-02-02 | 1988-01-29 | Foerfarande foer framstaellning av 1,4-naftokinon. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62022210A JPS63190847A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 1,4−ナフトキノンの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63190847A true JPS63190847A (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=12076435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62022210A Pending JPS63190847A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 1,4−ナフトキノンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63190847A (ja) |
-
1987
- 1987-02-02 JP JP62022210A patent/JPS63190847A/ja active Pending
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