JPS63182841A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63182841A
JPS63182841A JP62014865A JP1486587A JPS63182841A JP S63182841 A JPS63182841 A JP S63182841A JP 62014865 A JP62014865 A JP 62014865A JP 1486587 A JP1486587 A JP 1486587A JP S63182841 A JPS63182841 A JP S63182841A
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JP
Japan
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resin
pellet
semiconductor device
metallic wiring
thermal stress
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Pending
Application number
JP62014865A
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English (en)
Inventor
Mikio Bessho
別所 幹夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に樹脂封止されるパッ
ケージの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の樹脂封止される(以下モールドと呼ぶ)
半導体集積回路のパッケージは、第3図の断面図に示す
ように、樹脂21の厚さは、チップ2の部分、内部リー
ド4の部分共同じであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の樹脂封止のパッケージでは、最近のIC
の機能拡大、ビン数の増大に伴い面積の大きいペレット
をモールド封入しようとすると、第3図に示す様に、樹
脂21がペレット2の上まで届かず、ペレット上に樹脂
21の未充填部分6ができるという欠点が生じてきた。
その未充填部分6を無くす対策として、第4図の断面図
に示す様に、樹脂31の厚さを厚くすれば、未充填部分
は無くなるが、その代わり樹脂量が多くなるためICに
高温と低温のストレスを加える熱的試験において、第3
図a部の樹脂部のペレット表面に対する熱ストレスによ
る応力が大きくなり、ペレ。
ト表面の金属配線5が、ズして移動したり、破壊して断
線するという欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記欠点を無くすため、ペレットの上面、側
面に対するモールド樹脂は、未充填が発生しない様に厚
くシ、ペレットの外側の内部リ一ド部の上面の樹脂を薄
くしている。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。第1図にお
いて、リードフレームのアイランド3に搭載した牛導体
ペレブト2およびペレット2の電極とリードフレームの
内部リード4との間を接続した金属配線5ならびに内部
リードを共に包覆封止したモールド樹脂1のうち、ペレ
ット2の上の部分人の樹脂厚を厚くシ、周辺の内部リー
ド4上の部分Bの樹脂厚を人の部分よシ薄くしている。
第2図は本発明の他の実施例の断面図である。
第2図において、ペレット2の上の部分の樹脂11は丸
みをつけた中央がふくらんだ形でNくし、内部リード4
0部分では、ペレット2の部分より薄くし、さらに周縁
の部分の角をとった丸み付けがされている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ペレット上のモールド
樹脂を厚くすることによシ、ペレット上の樹脂を薄くす
ることによシ、熱的ストレスによるペレット上の金属配
線ズレ不良が無くなる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
他の実施例の断面図、第3図と第4図はそれぞれ従来の
半導体装置の一例および他の例を示す断面図である。 1.11・・・・・・モールド樹脂、2・・・・・・半
導体ペレット、3・・・・・・リードフレームのアイラ
ンド、4・・・・・・リードフレームの内部リード、5
・・・・・・金属配線、6・・・・・・未充填部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームに半導体ペレットを搭載し樹脂封止した
    半導体装置において、前記封止樹脂のペレットの上の部
    分の厚さを、外周部の前記リードフレームの内部リード
    の上の部分の厚さより厚くされていることを特徴とする
    半導体装置。
JP62014865A 1987-01-23 1987-01-23 半導体装置 Pending JPS63182841A (ja)

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JP62014865A JPS63182841A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 半導体装置

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JP62014865A JPS63182841A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 半導体装置

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JPS63182841A true JPS63182841A (ja) 1988-07-28

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ID=11872917

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JP62014865A Pending JPS63182841A (ja) 1987-01-23 1987-01-23 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475259A (en) * 1991-10-17 1995-12-12 Fujitsu Limited Semiconductor device and carrier for carrying semiconductor device

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