JPS63179348A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- JPS63179348A JPS63179348A JP1195887A JP1195887A JPS63179348A JP S63179348 A JPS63179348 A JP S63179348A JP 1195887 A JP1195887 A JP 1195887A JP 1195887 A JP1195887 A JP 1195887A JP S63179348 A JPS63179348 A JP S63179348A
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Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims abstract 13
- OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N thiopyrylium Chemical compound C1=CC=[S+]C=C1 OKYDCMQQLGECPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- -1 Triphenylthiopyrylium Chemical compound 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関する。
本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物において、アルカリ
可溶性樹脂、１．２−キノンジアジド化合物及び特定の
色素を含有して成るようにすることにより、 高感度、高解像度及び高残膜率を有することができるよ
うにしたものである。
可溶性樹脂、１．２−キノンジアジド化合物及び特定の
色素を含有して成るようにすることにより、 高感度、高解像度及び高残膜率を有することができるよ
うにしたものである。
現在実用可されているポジ型感光性樹脂組成物は波長３
５００人付近に吸収ピークを有し、ｉ線といった紫外光
に対しては感度が高く、半導体回路を形成するために用
いられるホトレジストとして適している。このような従
来のポジ型感光性樹脂組成物の代表例として、アルカリ
可溶性フェノール樹脂と１．２−キノンジアジド化合物
とを主成分とする樹脂組成物（例えば東京応化社製の０
ＦＰＲ＝７７、シプレー社製のＡＺ−１３５０）が挙げ
られる。しかし、これらの樹脂組成物を用いてビデオデ
ィスクマスクリングを行う場合、波長４４１６人のＨｅ
−Ｃｄ レーザー又は波長４５７９人のＡｒ’レーザー
で露光が行われるため、樹脂組成物の吸収曲線のうち、
レーザー波長域での感度が低い裾部吸収を利用しなけれ
ばならないのが現状である。
５００人付近に吸収ピークを有し、ｉ線といった紫外光
に対しては感度が高く、半導体回路を形成するために用
いられるホトレジストとして適している。このような従
来のポジ型感光性樹脂組成物の代表例として、アルカリ
可溶性フェノール樹脂と１．２−キノンジアジド化合物
とを主成分とする樹脂組成物（例えば東京応化社製の０
ＦＰＲ＝７７、シプレー社製のＡＺ−１３５０）が挙げ
られる。しかし、これらの樹脂組成物を用いてビデオデ
ィスクマスクリングを行う場合、波長４４１６人のＨｅ
−Ｃｄ レーザー又は波長４５７９人のＡｒ’レーザー
で露光が行われるため、樹脂組成物の吸収曲線のうち、
レーザー波長域での感度が低い裾部吸収を利用しなけれ
ばならないのが現状である。
したがって、従来のポジ型感光性樹脂組成物をレーザー
に露光させる場合、レーザー出力の負担が大きくなり、
また、裾部吸収を利用しているため、レーザー（：ｕｔ
ｔｉｎｇ工程の安定性及び再現性も不十分である。
に露光させる場合、レーザー出力の負担が大きくなり、
また、裾部吸収を利用しているため、レーザー（：ｕｔ
ｔｉｎｇ工程の安定性及び再現性も不十分である。
さらに、従来のポジ型感光性樹脂組成物は、感度が高い
ものは解像度と残膜率が十分ではなく、逆に、解像度と
残膜率が高いものは感度が低く、ホトレジストとしての
３要素（感度、解像度及び残膜率）を十分に満足してい
るとはいえない。
ものは解像度と残膜率が十分ではなく、逆に、解像度と
残膜率が高いものは感度が低く、ホトレジストとしての
３要素（感度、解像度及び残膜率）を十分に満足してい
るとはいえない。
前記の問題点を解決するために、本発明は、アルカリ可
溶性樹脂、１．２−キノンジアジド化合物及びピリリウ
ム系色素とピリジニウム系色素とチオピリリウム系色素
とから成る群から選択される少なくとも一種の色素を含
有して成るポジ型感光性樹脂組成物を提供するものであ
る。
溶性樹脂、１．２−キノンジアジド化合物及びピリリウ
ム系色素とピリジニウム系色素とチオピリリウム系色素
とから成る群から選択される少なくとも一種の色素を含
有して成るポジ型感光性樹脂組成物を提供するものであ
る。
前記アルカリ可溶性樹脂としては例えば一般式（式中、
Ｒ，はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基を表わす） で示される１種又は２種以上の化合物から成るノボラッ
ク樹脂、具体例としてフェノールノボラック樹脂、タレ
ゾールノボラック樹脂（例えばメタクレゾールノボラッ
ク樹脂）などが挙げられる。
Ｒ，はＨ又は炭素数１〜４のアルキル基を表わす） で示される１種又は２種以上の化合物から成るノボラッ
ク樹脂、具体例としてフェノールノボラック樹脂、タレ
ゾールノボラック樹脂（例えばメタクレゾールノボラッ
ク樹脂）などが挙げられる。
前記１．２−キノンジアジドとしては
−０−ナフトキノンジアジド
の化合物が挙げられる。
前記色素としては次の化合物が挙げられる。
トリフェニルビリリウムパーク口レードトリフェニルチ
オピリリウムパーク口レート前記色素はアルカリ可溶性
樹脂と１，２−キノンジアジド化合物との合計量に対し
て０．１〜２．０重量％の量で樹脂組成物に含有される
のが、本発明の目的を達成するのに好ましい。
オピリリウムパーク口レート前記色素はアルカリ可溶性
樹脂と１，２−キノンジアジド化合物との合計量に対し
て０．１〜２．０重量％の量で樹脂組成物に含有される
のが、本発明の目的を達成するのに好ましい。
以下、本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
アルカリ可溶性樹脂としてノボラック系樹脂とキノンジ
アジド化合物として前記式（１）の化合物とを主成分と
するポジ型感光性樹脂組成物０ＦＰＲ−７７（東京応化
社製）にトリフェニルチオピリリウムパークレート（以
下チオピリリウム色素と記す）を固形分に対し重量で０
．３％、０．５％及び１．０％の割合で添加し、十分に
攪拌、溶解後、孔径０．４５μｍのメンブランフィルタ
−で濾過して３種類の溶液を調製した。
アジド化合物として前記式（１）の化合物とを主成分と
するポジ型感光性樹脂組成物０ＦＰＲ−７７（東京応化
社製）にトリフェニルチオピリリウムパークレート（以
下チオピリリウム色素と記す）を固形分に対し重量で０
．３％、０．５％及び１．０％の割合で添加し、十分に
攪拌、溶解後、孔径０．４５μｍのメンブランフィルタ
−で濾過して３種類の溶液を調製した。
これら３種の溶液をシリコンウェハー上に２．００Ｏｒ
ｐｍでスピンコードし、９０℃で２０分間プリベークし
て厚さ０．７３μｍでチオピリリウム色素含量が０ＦＰ
Ｒ−７７の固形分の重量に対してそれぞれ０．３％、０
．５％及び１．０％の膜（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を得
た。
ｐｍでスピンコードし、９０℃で２０分間プリベークし
て厚さ０．７３μｍでチオピリリウム色素含量が０ＦＰ
Ｒ−７７の固形分の重量に対してそれぞれ０．３％、０
．５％及び１．０％の膜（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を得
た。
比較のため、チオピリリウム色素を添加しない外は前記
と同様にして比較例の膜（Ｄ）を作製した。
と同様にして比較例の膜（Ｄ）を作製した。
これらの膜について次の評価を行った。
（１）、紫外線照射によるピーク吸光度の変化：膜（Ａ
）〜（Ｄ）について紫外線照射エネルギーの量と照射後
の各膜の波長３４５ｎｍにおけるピーク吸光度の変化は
第１図のグラフに示す通りであった。このグラフかられ
かる通り、チオピリリウム色素の添加により感度が明ら
かに向上する。
）〜（Ｄ）について紫外線照射エネルギーの量と照射後
の各膜の波長３４５ｎｍにおけるピーク吸光度の変化は
第１図のグラフに示す通りであった。このグラフかられ
かる通り、チオピリリウム色素の添加により感度が明ら
かに向上する。
（２）吸収スペクトルの変化：
膜（Ｂ）〜（Ｄ）について、波長４００〜６００ｎｍに
おける吸収スペクトルを測定し、第２図に示した結果を
得た。この結果かられかるように、チオピリリウム色素
の添加により、レーザー波長（例えば＾ｒ゛レーザー（
λ＝４５７９人））における吸収が明らかに増大し、し
たがって感度が向上していることがわかる。
おける吸収スペクトルを測定し、第２図に示した結果を
得た。この結果かられかるように、チオピリリウム色素
の添加により、レーザー波長（例えば＾ｒ゛レーザー（
λ＝４５７９人））における吸収が明らかに増大し、し
たがって感度が向上していることがわかる。
（３）膜の感度：
膜（Ｂ）（チオピリリウム色素０．５重量含有）と膜（
Ｄ）（チオピリリウム色素含有せず）について紫外線照
射エネルギーの量と残膜率との関係を次の方法で測定し
た。
Ｄ）（チオピリリウム色素含有せず）について紫外線照
射エネルギーの量と残膜率との関係を次の方法で測定し
た。
膜（Ｂ）及び（Ｄ）をキャノン４：１縮小投影露光装置
（ＮＡ＝０．１７、λ＝４３６０人）により、透過率が
ステ・ノブ状に変化したマスクを通して露光した後、０
ＦＰＲ−７７専用現像液（弱アルカリ性溶液）を２倍に
希釈した液で３０秒間現像を行い第３図に示す結果を得
た。実施例の膜（Ｂ）の感度は２２ ｍ Ｊ ／ｃｍ”
であり、比較例の膜（Ｄ）の感度は３２ ｍ Ｊ ／ｃ
ｍ”であった。したがって、膜（Ｂ）は膜（Ｄ）に比べ
て感度が約３１％向上した。
（ＮＡ＝０．１７、λ＝４３６０人）により、透過率が
ステ・ノブ状に変化したマスクを通して露光した後、０
ＦＰＲ−７７専用現像液（弱アルカリ性溶液）を２倍に
希釈した液で３０秒間現像を行い第３図に示す結果を得
た。実施例の膜（Ｂ）の感度は２２ ｍ Ｊ ／ｃｍ”
であり、比較例の膜（Ｄ）の感度は３２ ｍ Ｊ ／ｃ
ｍ”であった。したがって、膜（Ｂ）は膜（Ｄ）に比べ
て感度が約３１％向上した。
また、膜（Ａ）は高感度化されたにも拘らず、Ｔ値は膜
（Ｂ）と同等であり、高解像度を有する。
（Ｂ）と同等であり、高解像度を有する。
さらに、膜（Ａ）と膜（Ｂ）について、Ａｒ’ レーザ
ー（λ＝４５７９人））に対する感度を求めた。Ａｒ”
レーザーを線速ｏ、５２龍／ｓｅσ、ビーム径１．７
μｍで照射したとき、感度は膜（Ａ）が１０６２ｍＪ／
ｃＩ１１２、膜（Ｂ）が１１．５ｍ Ｊ ／ ｃｍ”で
あり、したがって、膜（Ａ）は膜（Ｂ）に比べて感度が
約１１％向上した。
ー（λ＝４５７９人））に対する感度を求めた。Ａｒ”
レーザーを線速ｏ、５２龍／ｓｅσ、ビーム径１．７
μｍで照射したとき、感度は膜（Ａ）が１０６２ｍＪ／
ｃＩ１１２、膜（Ｂ）が１１．５ｍ Ｊ ／ ｃｍ”で
あり、したがって、膜（Ａ）は膜（Ｂ）に比べて感度が
約１１％向上した。
本発明によれば、アルカリ可溶性樹脂と１，２−キノン
アジド化合物を主成分とするポジ型感光性樹脂組成物に
特定の色素を含有させることにより、高解像度と高残膜
率を維持しながら感度向上を達成することができる。こ
れにより超ＬＳＩ製造の歩留を向上させ、コスト低減へ
の寄与が大となる。
アジド化合物を主成分とするポジ型感光性樹脂組成物に
特定の色素を含有させることにより、高解像度と高残膜
率を維持しながら感度向上を達成することができる。こ
れにより超ＬＳＩ製造の歩留を向上させ、コスト低減へ
の寄与が大となる。
また、レーザー波長域の感度も向上することにより、例
えばビデオディスクマスクリングにおいてはレーザー出
力の負担が軽減され、Ｃｕｔｔｉｎｇ工程の安定性と再
現性を向上させることができる。
えばビデオディスクマスクリングにおいてはレーザー出
力の負担が軽減され、Ｃｕｔｔｉｎｇ工程の安定性と再
現性を向上させることができる。
第１図はトリフェニルチオとリリウムバークロレートの
各添加量における紫外ｖＡ照射エネルギーの量と波長３
４５ｎｍにおけるピーク吸光度の関係を示すグラフ、第
２図はトリフェニルチオとリリウムパークロレートの各
添加量における吸収スペクトルを示すグラフ、第３図は
紫外線照射エネルギーと残膜率との関係を実施例の膜（
曲線１）と比較例の膜（曲線２）について示すグラフで
ある。
各添加量における紫外ｖＡ照射エネルギーの量と波長３
４５ｎｍにおけるピーク吸光度の関係を示すグラフ、第
２図はトリフェニルチオとリリウムパークロレートの各
添加量における吸収スペクトルを示すグラフ、第３図は
紫外線照射エネルギーと残膜率との関係を実施例の膜（
曲線１）と比較例の膜（曲線２）について示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルカリ可溶性樹脂、１，２−キノンジアジド化合
物及びピリリウム系色素とピリジニウム系色素とチオピ
リリウム系色素とから成る群から選択される少なくとも
一種の色素を含有して成るポジ型感光性樹脂組成物。 ２、アルカリ可溶性樹脂と１，２−キノンジアジド化合
物の合計量に対して前記色素を０．１〜２．０重量％の
量で含有する特許請求の範囲第１項記載のポジ型感光系
樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195887A JPS63179348A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195887A JPS63179348A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63179348A true JPS63179348A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11792127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1195887A Pending JPS63179348A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63179348A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017078836A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Jsr株式会社 | レジストパターンの形成方法、およびメッキ造形物の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP1195887A patent/JPS63179348A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017078836A (ja) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Jsr株式会社 | レジストパターンの形成方法、およびメッキ造形物の製造方法 |
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