JPS6317845A - アクリル酸低級アルキルの接触的二量化方法 - Google Patents
アクリル酸低級アルキルの接触的二量化方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明はいくらかのパラジウム錯体の存在におけるアク
リル酸アルキルの接触的(共)三量化のための方法、そ
してさらに特にジヒドロムコン酸のアルキルジエステル
を製造するためのアクリル酸のアルキルエステルの接触
的二蓋化に関する。
リル酸アルキルの接触的(共)三量化のための方法、そ
してさらに特にジヒドロムコン酸のアルキルジエステル
を製造するためのアクリル酸のアルキルエステルの接触
的二蓋化に関する。
発明の背景
ある種のパラジウム誘導体はアクリル酸アルキルを接触
的に三量化することで知られている。例えば、ビス(ベ
ンゾニトリル)パラジウムバクロライド(C,H5CN
)2PdCt2がアクリル酸メチルの三量化に対してバ
ーロウ(Barlow )等によって使われた〔ジャー
ナル オプ オルガノメタル ケミストリー(J、 O
rganometal、 Chem、)、(1970)
21.215)。それにもかかわらず、この系は極めて
効率的とは云えない、なぜなれば、この先行研究におい
てはその90%が直鎖ダイマーでわった93%のダイマ
ーへの選択率が116℃で23時間の間に67係の転化
率で得られたからである。オエーム(OEHME )等
によってテトラヘドロン レタース(Tetrahed
ron Letters )、(1979)4.343
中で指摘されたように、この反応速度は反応混合物にテ
トラフルオロはう酸銀(AgBF4)を添加することに
よって改良された。この反応速度はツアイト シュリフ
ト フユア ヘミ−(z、 chem、 ) (198
0) 20.24中のデラセジュス(PRACKJUS
)等に従えばパラ−ベンゾキノンの奈加によってもま
た改良された。
的に三量化することで知られている。例えば、ビス(ベ
ンゾニトリル)パラジウムバクロライド(C,H5CN
)2PdCt2がアクリル酸メチルの三量化に対してバ
ーロウ(Barlow )等によって使われた〔ジャー
ナル オプ オルガノメタル ケミストリー(J、 O
rganometal、 Chem、)、(1970)
21.215)。それにもかかわらず、この系は極めて
効率的とは云えない、なぜなれば、この先行研究におい
てはその90%が直鎖ダイマーでわった93%のダイマ
ーへの選択率が116℃で23時間の間に67係の転化
率で得られたからである。オエーム(OEHME )等
によってテトラヘドロン レタース(Tetrahed
ron Letters )、(1979)4.343
中で指摘されたように、この反応速度は反応混合物にテ
トラフルオロはう酸銀(AgBF4)を添加することに
よって改良された。この反応速度はツアイト シュリフ
ト フユア ヘミ−(z、 chem、 ) (198
0) 20.24中のデラセジュス(PRACKJUS
)等に従えばパラ−ベンゾキノンの奈加によってもま
た改良された。
式Pd (NCMf;3 )4 (BF4 )2のパラ
ジウムのカチオン錯体の、特に無水LiBF4の存在に
おける効率もまた知られている、なぜならば40℃で3
0時間でアクリル酸メチルダイマーの収率96係が蒸留
後得られ、ム2−トランス異性体に対する選択率は96
−96%程度だからである〔ヌージエント(NUGEN
T )等のジャーナル オプ オーガニックケミストリ
ー(J、 Org−Chem−(1983)、48.5
364−5366を参照〕。
ジウムのカチオン錯体の、特に無水LiBF4の存在に
おける効率もまた知られている、なぜならば40℃で3
0時間でアクリル酸メチルダイマーの収率96係が蒸留
後得られ、ム2−トランス異性体に対する選択率は96
−96%程度だからである〔ヌージエント(NUGEN
T )等のジャーナル オプ オーガニックケミストリ
ー(J、 Org−Chem−(1983)、48.5
364−5366を参照〕。
嘔らにπ−アリル型の塩化パラジウムとホスフィンと銀
塩との混合物によシ触媒される1、6−ブタジェンとア
クリル酸メチルとの共二量化でメチルへブタジェノニー
)を形成することが知られている(フランス特許第2.
079,319号を参照)。
塩との混合物によシ触媒される1、6−ブタジェンとア
クリル酸メチルとの共二量化でメチルへブタジェノニー
)を形成することが知られている(フランス特許第2.
079,319号を参照)。
ホスフィンの添加によって変性したパラジウムのカチオ
ン性アリル錯体によるメタクリル酸アルキルと共役ジエ
ン化合物との二童化反応またはこの型の誘導体と共役ジ
エン化合物との共二童化反応の触媒作用もまた提案され
(フランス特許第2.524.341号を参照)、検討
甲の錯体はパラジウム化合物およびジベンジリデンアセ
トンおよびアリロキシトリス(ジメチルアミノ)ホスホ
ニウム塩および1.5−シクロオクタジエンからM造さ
れる。
ン性アリル錯体によるメタクリル酸アルキルと共役ジエ
ン化合物との二童化反応またはこの型の誘導体と共役ジ
エン化合物との共二童化反応の触媒作用もまた提案され
(フランス特許第2.524.341号を参照)、検討
甲の錯体はパラジウム化合物およびジベンジリデンアセ
トンおよびアリロキシトリス(ジメチルアミノ)ホスホ
ニウム塩および1.5−シクロオクタジエンからM造さ
れる。
要約すれば、総てのこれらの反応は、容易に入手できる
パラジウム錯体、例えば: PdC12(PhCN)2または(Pd(C:5H3)
Ct) 2を用いる場合には一般に遅くおよび/または
それほど選択的ではない。これらの反応の活性度および
/または選択性の改良はパラジウム化合物の複雑性、従
ってそれらの製造費の増加により、および特にそれらの
不安定性によって引き起こされるそれらの使用に際して
の困難性の増加によって伴なわれる。
パラジウム錯体、例えば: PdC12(PhCN)2または(Pd(C:5H3)
Ct) 2を用いる場合には一般に遅くおよび/または
それほど選択的ではない。これらの反応の活性度および
/または選択性の改良はパラジウム化合物の複雑性、従
ってそれらの製造費の増加により、および特にそれらの
不安定性によって引き起こされるそれらの使用に際して
の困難性の増加によって伴なわれる。
従って、前に推奨されたものよりも効率的であシそして
よシ経錆的でもおる雁媒糸全提供することが必殺である
ことが示でれている。
よシ経錆的でもおる雁媒糸全提供することが必殺である
ことが示でれている。
発明の内容
従って、本発明の主題はアクリル酸低級アルキルを、お
よび適するならば、共役ジエン化合物と共VC、パラジ
ウムまたはパラジウム化合物金倉む触媒と50’ と2
5080の間の温度において接触させることによるアク
リル酸低級アルキルの接触的(共)三量化のための方法
であシ、そして触媒系は少なくとも: (a)1つの非ハロゲン化パラジウム源、(bl 一
般式(1)の1つの燐(1)化合物、〔式中: R□、R2およびR3は別個にアルキル、シクロアルキ
ル、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシまたはア
リーロキシ基を表わし、R1、R2またはR3の基の1
つについては付加的に一般式(■):(式中: mは1および4(4を含む)の間の整数であシ、R4お
よびR5は別個にアルキル、シクロアルキル、アリール
、アルコキシ、シクロアルコキシまたはアリーロキシ基
を表わす)の11曲の基金表わすことが可能である〕お
よび (C) 少なくとも1つの水素酸HY、ただしそれに
結合されるアニオンY″″はパラジウムイオンと配位結
合されないもの、 から構成される。
よび適するならば、共役ジエン化合物と共VC、パラジ
ウムまたはパラジウム化合物金倉む触媒と50’ と2
5080の間の温度において接触させることによるアク
リル酸低級アルキルの接触的(共)三量化のための方法
であシ、そして触媒系は少なくとも: (a)1つの非ハロゲン化パラジウム源、(bl 一
般式(1)の1つの燐(1)化合物、〔式中: R□、R2およびR3は別個にアルキル、シクロアルキ
ル、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシまたはア
リーロキシ基を表わし、R1、R2またはR3の基の1
つについては付加的に一般式(■):(式中: mは1および4(4を含む)の間の整数であシ、R4お
よびR5は別個にアルキル、シクロアルキル、アリール
、アルコキシ、シクロアルコキシまたはアリーロキシ基
を表わす)の11曲の基金表わすことが可能である〕お
よび (C) 少なくとも1つの水素酸HY、ただしそれに
結合されるアニオンY″″はパラジウムイオンと配位結
合されないもの、 から構成される。
本発明はまた該方法の実行中に使うことができる触媒組
成物に関する。
成物に関する。
出発物質(複数)(またはその1つ)はアクリル酸低級
アルキルである、即ちそのアルキル残基は1から8個ま
での炭素原子を含み、アルキル基の大きさは決定的では
なくそしてアクリル酸メチルおよびアクリル酸エチルが
著しく入手し易いため特に使用される。アルキル基は求
められる反応を妨けない置換基を含むことができる。
アルキルである、即ちそのアルキル残基は1から8個ま
での炭素原子を含み、アルキル基の大きさは決定的では
なくそしてアクリル酸メチルおよびアクリル酸エチルが
著しく入手し易いため特に使用される。アルキル基は求
められる反応を妨けない置換基を含むことができる。
適する場合には、第2出発物質が使われる、即ち共役ジ
エン化合物でこれは矢の一般式を有する:マ′ (式中R1Kおよび頁′は別個に水素または塩素原子ま
たは4個よシも多くない炭素原子を含むアルキル基を表
わす)。
エン化合物でこれは矢の一般式を有する:マ′ (式中R1Kおよび頁′は別個に水素または塩素原子ま
たは4個よシも多くない炭素原子を含むアルキル基を表
わす)。
これらのジエン類の中でもブタジェン、インプレン、シ
ス−およヒトランス−ピペリレン、2.3−ジメチルブ
タジェンおよびクロロプレンの名をあげることができる
。
ス−およヒトランス−ピペリレン、2.3−ジメチルブ
タジェンおよびクロロプレンの名をあげることができる
。
出発物質としては商用銘柄製品を使うことができ、これ
はもちろん純粋である必要はない。
はもちろん純粋である必要はない。
共二蓋化方法においては、2つの出発物質が実質的に等
モルの割合で使われる。
モルの割合で使われる。
本発明VC係わる触媒系は少々くとも1つの非ハロゲン
化パラジウム源からつくられる。このパラジウム源は触
媒的活性物に対する先駆体であり、パラジウム(0)ま
たにパラジウム(II)の種々の非ハロゲン化形態の甲
から選ぶことができる。本発明に係わる方法の実施に多
分好適であるパラジウム(It)の品程の中でも言及で
きるものは次のものでらる:酢酸パラジウ(■)、蟻酸
パラジウム(■)、プロピオン酸バラゾウム(■)、オ
クタン酸パラジウム(■)およびエチルヘキサン酸パラ
ジウム(If)のような有機酸塩;硝酸パラジウム(n
)のような無機酸塩、および(π−アリル)パラジウム
ジアセテートおよびアセチルアセトネートパラジウム(
It)のようなパラジウム(II)π−アリル錯体。
化パラジウム源からつくられる。このパラジウム源は触
媒的活性物に対する先駆体であり、パラジウム(0)ま
たにパラジウム(II)の種々の非ハロゲン化形態の甲
から選ぶことができる。本発明に係わる方法の実施に多
分好適であるパラジウム(It)の品程の中でも言及で
きるものは次のものでらる:酢酸パラジウ(■)、蟻酸
パラジウム(■)、プロピオン酸バラゾウム(■)、オ
クタン酸パラジウム(■)およびエチルヘキサン酸パラ
ジウム(If)のような有機酸塩;硝酸パラジウム(n
)のような無機酸塩、および(π−アリル)パラジウム
ジアセテートおよびアセチルアセトネートパラジウム(
It)のようなパラジウム(II)π−アリル錯体。
酢酸パラジウム(n)またはアセチルアセトネートパラ
ジウム(It)の使用が推奨されるが、それはこれらの
ものが甚だ入手しやすいからである。
ジウム(It)の使用が推奨されるが、それはこれらの
ものが甚だ入手しやすいからである。
本発明の実施に対し多分好適であるパラジウム(0)源
のうち言及できるものは次のものである:パラジウムブ
ラック、活性炭またにシリカゾルのような支持体上に洗
液したパラジウム、およびテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウムのようなパラジウムとトリアルキ
ル−またはトリアリール−ホスフィンとの6体。
のうち言及できるものは次のものである:パラジウムブ
ラック、活性炭またにシリカゾルのような支持体上に洗
液したパラジウム、およびテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウムのようなパラジウムとトリアルキ
ル−またはトリアリール−ホスフィンとの6体。
下記の一般式を有するパラジウム(0)とジベンジリデ
ンアセトンとの化合v/Jは本発明の実施ぽ特に好適で
ある: paw(dba )y (1)(
式中: Xは1または2に等しく、 dbaはジベンジリデンアセトン配位子であシ、yは2
または6に等しく、xが2に等しい場合にはyは必然的
に6に等しい)。
ンアセトンとの化合v/Jは本発明の実施ぽ特に好適で
ある: paw(dba )y (1)(
式中: Xは1または2に等しく、 dbaはジベンジリデンアセトン配位子であシ、yは2
または6に等しく、xが2に等しい場合にはyは必然的
に6に等しい)。
これらの化合物は入手し易い。それらはY、イシイ(l
5HI工)等によるケミカル コミニケーションズ(C
hem、 Com+n、 )、1970年、1065頁
中に記載される手順の何れかの1つに従ってジベンジリ
デンアセトン(dba )の存在において塩化パラジウ
ムの還元によって容易に製造することができる。
5HI工)等によるケミカル コミニケーションズ(C
hem、 Com+n、 )、1970年、1065頁
中に記載される手順の何れかの1つに従ってジベンジリ
デンアセトン(dba )の存在において塩化パラジウ
ムの還元によって容易に製造することができる。
錯体Pd(dba)2、Pd2(dba)3およびPd
(dba)3またはそれらの混合物の何れも使うことが
できる。
(dba)3またはそれらの混合物の何れも使うことが
できる。
反応媒質中のパラジウムの濃度は広い限度内で変えるこ
とができる。1モルのアクリレートにつき少なくとも0
.1 ミ1,1モルの量が十分な転化速度を達成するの
に必要であると思われる。1モルのアクリレートにつき
6ミリモルを越える量は有利性がないことが観察される
。1モルのアクリレートにつき0.2とL5 ミ’7モ
ルの間の量が触媒系の原価と効率の間の許容できる妥協
点であると思われる。
とができる。1モルのアクリレートにつき少なくとも0
.1 ミ1,1モルの量が十分な転化速度を達成するの
に必要であると思われる。1モルのアクリレートにつき
6ミリモルを越える量は有利性がないことが観察される
。1モルのアクリレートにつき0.2とL5 ミ’7モ
ルの間の量が触媒系の原価と効率の間の許容できる妥協
点であると思われる。
この方法の範囲内で使用される触媒系はまた次の一般式
(1)の燐(1)化合物の少なくとも1つからつくられ
る: (式中: R□、R2およびR3は上記で与えられる意味を有し、
R1からR3までの基の1つに対しては次の一般式(I
I)の11i1t+の基を付加的に表わすことが可能で
ある: 式中のm、R4およびR5は上記で定義された)。
(1)の燐(1)化合物の少なくとも1つからつくられ
る: (式中: R□、R2およびR3は上記で与えられる意味を有し、
R1からR3までの基の1つに対しては次の一般式(I
I)の11i1t+の基を付加的に表わすことが可能で
ある: 式中のm、R4およびR5は上記で定義された)。
さらに特にR1,R2およびR3は同一または異なるこ
とができ、そして次のものを表わすことができる: 8個よシも多くない炭素原子を有するアルキル基、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、tert−ブチルおよびn−オクチル基、 5から7個までの炭素原子を含むシクロアルキル基、例
えは、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル基、 6から12個までの炭素原子金倉むアリール豚flJ
エij 、フェニル、p−トルイル、ビフェニリルおよ
びナフチル基、 8個よシも多くない炭素原子を有するアルコキシ基、例
えは、メトキシおよびエトキシ基、および 6から12個までの炭素原子を有するアリーロキシ基、
例えば、フェノキシ基。
とができ、そして次のものを表わすことができる: 8個よシも多くない炭素原子を有するアルキル基、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、tert−ブチルおよびn−オクチル基、 5から7個までの炭素原子を含むシクロアルキル基、例
えは、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル基、 6から12個までの炭素原子金倉むアリール豚flJ
エij 、フェニル、p−トルイル、ビフェニリルおよ
びナフチル基、 8個よシも多くない炭素原子を有するアルコキシ基、例
えは、メトキシおよびエトキシ基、および 6から12個までの炭素原子を有するアリーロキシ基、
例えば、フェノキシ基。
上記の式(11のホスフィンまたはホスファイトの例と
して次のものを挙げることができるニトリブチルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリエチルホス
ファイト、ジメチルフェニルホスフィンおよびトリフェ
ニルホスファイト。
して次のものを挙げることができるニトリブチルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリエチルホス
ファイト、ジメチルフェニルホスフィンおよびトリフェ
ニルホスファイト。
式+it)のジホスフィンの例としては次のものを挙げ
ることができる: ビス(ジメチルホスフィン)メタン、ビス(ジフェニル
ホスフィノ)メタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)エ
タン、ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、ビス(
ジフェニルフォスフイノ)ブタン、およびビス(ジシク
ロへキシルホスフィノ)エタン。
ることができる: ビス(ジメチルホスフィン)メタン、ビス(ジフェニル
ホスフィノ)メタン、ビス(ジフェニルホスフィノ)エ
タン、ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、ビス(
ジフェニルフォスフイノ)ブタン、およびビス(ジシク
ロへキシルホスフィノ)エタン。
少なくとも1つのアルキルまたはシクロアルキル基、そ
して特にトリアルキルホスフィンを含むホスフィンが好
ましい。
して特にトリアルキルホスフィンを含むホスフィンが好
ましい。
トリブチルホスフィンは有利に用いられる。燐(1)化
合物のirは一般にP/Pdのモル比が1と15の間で
あり、そして好ましく!′i、1と6の間である。
合物のirは一般にP/Pdのモル比が1と15の間で
あり、そして好ましく!′i、1と6の間である。
本発明の範囲内で使われる油媒系は上に百及した2つの
型の化合物(Pd、P)からつくられ、これに対して水
素酸HY、(それの結合したアニオンY−はパラジウム
イオンと配位結合しない)が添加されるべきである。水
素酸は一般に強酸であり、それのアニオンY−は次のア
ニオンから成る群から選ばれる: CnF2n+1CO,−1CnF 2 n + z S
O:、1/2SOτ、CtO:、PF−2、5bFi
、BF:および”/2SiF6 % (但しnは1と4
(4を含む)の間の整数である〕。
型の化合物(Pd、P)からつくられ、これに対して水
素酸HY、(それの結合したアニオンY−はパラジウム
イオンと配位結合しない)が添加されるべきである。水
素酸は一般に強酸であり、それのアニオンY−は次のア
ニオンから成る群から選ばれる: CnF2n+1CO,−1CnF 2 n + z S
O:、1/2SOτ、CtO:、PF−2、5bFi
、BF:および”/2SiF6 % (但しnは1と4
(4を含む)の間の整数である〕。
テトラフルオロはう酸は該触媒系の調製に対してさらに
特に好適である。
特に好適である。
H”/Pdの割合は一般に1と60の間であり、そして
好ましく¥′i1と10の間である。この割合はP/P
dのモル比と関連し:好結果はおよそ2から5までの程
度のH”/P比に対して得られる。
好ましく¥′i1と10の間である。この割合はP/P
dのモル比と関連し:好結果はおよそ2から5までの程
度のH”/P比に対して得られる。
触媒系の調製は、適している場合は溶剤媒質中で、燐(
i+a導体および水素酸をパラジウム源に逐次添加する
ことによって実施される。この調製の可能な変形は式: %式%) のヒドロゲノホスホニウム塩の先行合成において、適す
る場合は、溶剤媒質中で、燐(1)化合物が光分塩基性
である場合に水素酸をこれに加えることである。これは
トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン
およびジメチルフェニルホスフィンによって特に可能で
ある。上に画成したPd、PおよびH+の異なる割合は
もちろん適用することができる。
i+a導体および水素酸をパラジウム源に逐次添加する
ことによって実施される。この調製の可能な変形は式: %式%) のヒドロゲノホスホニウム塩の先行合成において、適す
る場合は、溶剤媒質中で、燐(1)化合物が光分塩基性
である場合に水素酸をこれに加えることである。これは
トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン
およびジメチルフェニルホスフィンによって特に可能で
ある。上に画成したPd、PおよびH+の異なる割合は
もちろん適用することができる。
反応浴剤は触媒反応中に使われる基質(′またはその1
つ)にすることが可能である。触媒反応それ自体を妨害
しない溶剤もまた適している。飽和のまたけ芳香族の炭
化水素、脂肪族および芳香族のハロゲン化物、エステル
およびエーテルはそのような溶剤の実例としてあげるこ
とができる。
つ)にすることが可能である。触媒反応それ自体を妨害
しない溶剤もまた適している。飽和のまたけ芳香族の炭
化水素、脂肪族および芳香族のハロゲン化物、エステル
およびエーテルはそのような溶剤の実例としてあげるこ
とができる。
触媒系の調製は環境温度(およそ20℃)とおよそ1℃
℃の間の温度において行なわれ:4℃と1℃℃の間の温
度範囲がよシ有利であることが判っている。
℃の間の温度において行なわれ:4℃と1℃℃の間の温
度範囲がよシ有利であることが判っている。
(共)二量化反応は一般に5℃ と250℃との間温友
において、好ましくは70′から2℃’Cまでの近くで
、10分から72時間の間、そして好ましくは30分か
ら20時間の間で実施される。
において、好ましくは70′から2℃’Cまでの近くで
、10分から72時間の間、そして好ましくは30分か
ら20時間の間で実施される。
反応生成物は過剰の水素酸が使われるときは反応媒質を
中和した後に、そして適する場合は、要求される場合の
第3の溶剤を除去するための最初の蒸留の後に、蒸留に
よって一般に回収される。
中和した後に、そして適する場合は、要求される場合の
第3の溶剤を除去するための最初の蒸留の後に、蒸留に
よって一般に回収される。
この方法はアクリル酸アルキル、特にアクリル酸メチル
またはエチルの二童化用に特によく適合する。それによ
って得られるジエステルはアジピン酸の製造に対し有用
な中間物である。
またはエチルの二童化用に特によく適合する。それによ
って得られるジエステルはアジピン酸の製造に対し有用
な中間物である。
下記の例は本発明を説明する。
失魂例中では下記の慣例が使われている。
DELTA−2はΔ2−メチルジヒドロムコネートヲ意
味し: DELTA−3はΔS−メチルジヒドロムコネートヲ意
味し: ME−2Gはメチル2−メチレングルタレートを意味し
: polym、はポリマーを意床し:そしてtr、は仮跡
を意味する。
味し: DELTA−3はΔS−メチルジヒドロムコネートヲ意
味し: ME−2Gはメチル2−メチレングルタレートを意味し
: polym、はポリマーを意床し:そしてtr、は仮跡
を意味する。
例1から17まで
これらの例は下記の一般的手順に従ったアクリル酸メチ
ルの三量化を説明する: 下記のものを棒状マグネットを装置しそしてアルゴン置
換會したシュレンク(5chlenk )管中に逐次導
入する: Pd(dba)2およびPd2(dba)3の錯体の1
=6混合物の0−2ミリモル(mmol )当量のパラ
ジウム、ガス抜きした商品級のアクリル酸メチル、アル
コ9ン下で貴蒸留したトリブチルホスフィン(PBu3
)および ジエチルエーテルに溶かしたタイターの予め決定されて
いるテトラフルオロはう酸。
ルの三量化を説明する: 下記のものを棒状マグネットを装置しそしてアルゴン置
換會したシュレンク(5chlenk )管中に逐次導
入する: Pd(dba)2およびPd2(dba)3の錯体の1
=6混合物の0−2ミリモル(mmol )当量のパラ
ジウム、ガス抜きした商品級のアクリル酸メチル、アル
コ9ン下で貴蒸留したトリブチルホスフィン(PBu3
)および ジエチルエーテルに溶かしたタイターの予め決定されて
いるテトラフルオロはう酸。
次いで管を封じそして内容物を攪拌しながら80℃の温
度で必要な時間熱する。これを次に環境温度まで冷却し
セして反応媒質を0.5gの炭酸水素ナトリウムの添加
によって中和する。内容物を減圧(3トール)下で蒸留
しそして数体留分を集める。
度で必要な時間熱する。これを次に環境温度まで冷却し
セして反応媒質を0.5gの炭酸水素ナトリウムの添加
によって中和する。内容物を減圧(3トール)下で蒸留
しそして数体留分を集める。
それによって得られる蒸留物を次にマロン酸メチルを内
部標準として使用し、カラムが:2m×l/、//カー
ボワック、x、 (Carbowax ) 20 M
(10クタ一温度は250℃、炉温度は150℃、火焔
イオン化検出器温度は25・0℃、そしてベクターがス
として窒素(25itz/分)を使用する。
部標準として使用し、カラムが:2m×l/、//カー
ボワック、x、 (Carbowax ) 20 M
(10クタ一温度は250℃、炉温度は150℃、火焔
イオン化検出器温度は25・0℃、そしてベクターがス
として窒素(25itz/分)を使用する。
特定の条件および得られる結果は次の第1表中に与えら
れる。
れる。
例16でti(これは本発明の部分t−m成しない)パ
ラジウムがなければポリマーのみができることが示され
る。
ラジウムがなければポリマーのみができることが示され
る。
例14では(これは本発明の部分を構成しない)燐(1
)化合物がなければアクリレートの転化が認められない
ことが示される。
)化合物がなければアクリレートの転化が認められない
ことが示される。
例15では(これは本発明の部分を構成しない)f14
<ml化合物が存在しない場合および水素酸が多量に存
在する場合にはアクリレートの転化が認められないこと
が示される。
<ml化合物が存在しない場合および水素酸が多量に存
在する場合にはアクリレートの転化が認められないこと
が示される。
例16で祉(これは本発明の部分t−構成しない)水素
酸が存在しなけれはアクリレートの転化が認められない
ことが示される。
酸が存在しなけれはアクリレートの転化が認められない
ことが示される。
例17では(これは本発明の部分を構成しない)水系酸
だけの存在はアクリレートのいくらかの転化を確保する
には不光分であることを示す。
だけの存在はアクリレートのいくらかの転化を確保する
には不光分であることを示す。
例18および19
これらの例は塩(HPBu3)BF4の予備形成を用い
る。
る。
下記のものを棒状マグネット金装置しそしてアルゴン洗
浄を行ったシュレンク管中に逐次導入する: 上記の錯体混合物の0.2ミリモル当量のパラジウム; ガス抜きtした商品級のアクリル酸メチル:ジエチルエ
ーテル中に溶かした当量のトリブチルホスフィンとテト
ラフルオロはう酸との反応によって形成されるヒドロr
ノドリブチルホスホニウムテトラフルオロボレートおよ
び、適する場合にはジエチルエーテルに俗解させたテト
ラフルオロ番濠う酸。シュレンク’fを封じそして内容
物を80℃で20時間かきlぜる。前に記載した方法に
従って反応混合物全処理すると下記第2表中に与えられ
る結果に達する。
浄を行ったシュレンク管中に逐次導入する: 上記の錯体混合物の0.2ミリモル当量のパラジウム; ガス抜きtした商品級のアクリル酸メチル:ジエチルエ
ーテル中に溶かした当量のトリブチルホスフィンとテト
ラフルオロはう酸との反応によって形成されるヒドロr
ノドリブチルホスホニウムテトラフルオロボレートおよ
び、適する場合にはジエチルエーテルに俗解させたテト
ラフルオロ番濠う酸。シュレンク’fを封じそして内容
物を80℃で20時間かきlぜる。前に記載した方法に
従って反応混合物全処理すると下記第2表中に与えられ
る結果に達する。
例20
この例は触媒先駆体の濃度の効果を説明する。
棒状マグネットを装置しそしてアルゴン置換を行ったシ
ュレンク管中に下記のものを逐次導入する: 上記の錯体混合物の0.i ミIJグラム原子当蓋のパ
ラジウム: ガス抜き金した商品級のアクリル酸メチル(13,8m
l、これは153ミリモルでらる);トリブチルホスフ
ィン(PBu3 ) (40In9、これは0.2ミリ
モルである)ニ ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.6N
溶液(Q、Q5TILt、これは0.4ミリモルである
)。シュレンク管を封じそして内答物全80’Cで20
時間去盪させる。前に記載した方法に従って反応混合物
を処理するとアクリル酸メチルは41%の転化率に達す
る。観察される選択率は次のとおシである: Δ2−メチルジヒドロムコネート:950hよシも多い
、 識別されないダイマー:6%。
ュレンク管中に下記のものを逐次導入する: 上記の錯体混合物の0.i ミIJグラム原子当蓋のパ
ラジウム: ガス抜き金した商品級のアクリル酸メチル(13,8m
l、これは153ミリモルでらる);トリブチルホスフ
ィン(PBu3 ) (40In9、これは0.2ミリ
モルである)ニ ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.6N
溶液(Q、Q5TILt、これは0.4ミリモルである
)。シュレンク管を封じそして内答物全80’Cで20
時間去盪させる。前に記載した方法に従って反応混合物
を処理するとアクリル酸メチルは41%の転化率に達す
る。観察される選択率は次のとおシである: Δ2−メチルジヒドロムコネート:950hよシも多い
、 識別されないダイマー:6%。
例21
この例はアクリル酸メチルとブタジェンとの共二蓋化を
説明する。
説明する。
ジャケットおよび棒状マグネッ)f装置し、予めアルゴ
ン洗滌をしたガラス内張りの1℃′nt不錆鋼オートク
レーブ中に下記のものを逐次導入する: 上記の細体温合の0.25 ミ17モル当量のパラジウ
ム: ガス抜きをした商品級のアクリル酸メチル(13,5μ
、これは150ミリモルである);トリブチルホスフィ
ン(1℃mQ、 これは0.5ミリモルである)ニ ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.3N
浴戒(0,125喝、これは1ミリモルである)。オー
トクレーブを封じ、冷却しそして次にブタジェン(8,
1,9,これに150ミリモルでらる)によって加圧す
る。次いでオートクレーブを80℃に保った循環油を含
むサーモスタットに接続しそして5時rIli1ヶ拌す
る。オートクレーブを冷却しそして残存するブタジェン
を一30℃に維持するトラップ中に集める。次に反応混
合′?i!llを前のように処理しそして次にガスクロ
マトグラフィーによって分析する。アクリル酸メチルの
転化率は89%でロシ、ブタジェンの転化率は90%で
ある。観測される選択率は次のとおりである:メチルへ
ブタ−2、トランス−5、トランス−ジオネート:68
% メチル6−シクロヘキセンカーボキシレート:2% その他の識別されないコダイマー二10%オクタトリエ
ン:6%および l實生成物:17%。
ン洗滌をしたガラス内張りの1℃′nt不錆鋼オートク
レーブ中に下記のものを逐次導入する: 上記の細体温合の0.25 ミ17モル当量のパラジウ
ム: ガス抜きをした商品級のアクリル酸メチル(13,5μ
、これは150ミリモルである);トリブチルホスフィ
ン(1℃mQ、 これは0.5ミリモルである)ニ ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.3N
浴戒(0,125喝、これは1ミリモルである)。オー
トクレーブを封じ、冷却しそして次にブタジェン(8,
1,9,これに150ミリモルでらる)によって加圧す
る。次いでオートクレーブを80℃に保った循環油を含
むサーモスタットに接続しそして5時rIli1ヶ拌す
る。オートクレーブを冷却しそして残存するブタジェン
を一30℃に維持するトラップ中に集める。次に反応混
合′?i!llを前のように処理しそして次にガスクロ
マトグラフィーによって分析する。アクリル酸メチルの
転化率は89%でロシ、ブタジェンの転化率は90%で
ある。観測される選択率は次のとおりである:メチルへ
ブタ−2、トランス−5、トランス−ジオネート:68
% メチル6−シクロヘキセンカーボキシレート:2% その他の識別されないコダイマー二10%オクタトリエ
ン:6%および l實生成物:17%。
例22
この例ではアクリル酸メチルとイソプレンとの共二量化
を説明する。
を説明する。
例21中のと同じ条件下でアクリル酸メチル(14−3
ia、これは159ミリモルである)とインプレン(1
3,5訂、これは165ミリモルである)との混合物を
80℃で20時間かきまぜる。
ia、これは159ミリモルである)とインプレン(1
3,5訂、これは165ミリモルである)との混合物を
80℃で20時間かきまぜる。
アクリル酸メチルの転化率は90%でラシ;イソプレン
の転化率は1℃%である。
の転化率は1℃%である。
ガスクロマトグラフィーによって決定される退出は久の
とおりである: メチル5−メチル−へブタ−2、トランス−5、トラン
スジオネート:60% メチル5−メチル−ヘプタ−2、トランス−4、トラン
スジオネート=13% Δ4−メチルゾヒドロムコネート二8%および工員生成
物:19% 例2に の例ではアクリル酸メチルの二薫化における酢酸パラジ
ウムの使用を説明する。
とおりである: メチル5−メチル−へブタ−2、トランス−5、トラン
スジオネート:60% メチル5−メチル−ヘプタ−2、トランス−4、トラン
スジオネート=13% Δ4−メチルゾヒドロムコネート二8%および工員生成
物:19% 例2に の例ではアクリル酸メチルの二薫化における酢酸パラジ
ウムの使用を説明する。
棒状マグネット?装置しアルゴン置換をしたシュシンク
+8甲に下肥のものを逐次導入する:酢酸パラジウム〔
出所:ジョンソンーマッセイ(Johnson−Mat
they ) ; 2 2−51%’ ;
0−1 ミ リ モル〕、ガス抜きをした藺品級アク
リル簸メチル(13,8置シ ; 153 ミ リ モ
ル ) 、トリブチルホスフィン(60m’J ; 0
.3ミリモル)および ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.3N
m?f((0,075xg; 0.9 ミ l)
モk) 。
+8甲に下肥のものを逐次導入する:酢酸パラジウム〔
出所:ジョンソンーマッセイ(Johnson−Mat
they ) ; 2 2−51%’ ;
0−1 ミ リ モル〕、ガス抜きをした藺品級アク
リル簸メチル(13,8置シ ; 153 ミ リ モ
ル ) 、トリブチルホスフィン(60m’J ; 0
.3ミリモル)および ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.3N
m?f((0,075xg; 0.9 ミ l)
モk) 。
シュレンク管を封じ、そして次に80℃で5時間ヂ〃拝
する。前に=C載した方法に従って反応混合物を処理す
るとアクリル酸メチルの転化率は52係に埴する(回転
速艮ニア6/時)。Δ2−メチルジヒドロムコネートへ
の選択率は95条よりも太さい。
する。前に=C載した方法に従って反応混合物を処理す
るとアクリル酸メチルの転化率は52係に埴する(回転
速艮ニア6/時)。Δ2−メチルジヒドロムコネートへ
の選択率は95条よりも太さい。
例24
この例ではアクリル酸メチルの二貨化におけるパラジウ
ムアセチルアセトネートの使用kB明する。
ムアセチルアセトネートの使用kB明する。
棒状マグネット?装置し、そしてアルゴン置換したシュ
レンク管内に下記のもの(il−逐次導入する:パラジ
ウムアセチルアセトネート(ドイツ特許出願第2.90
4.235号に従って鉤裂した:30.5〜;0.1
ミリモル)、 ガス抜き金した薗品級アクリル酸メチル(14mz
; i s s ミ リ モル ) 、トリブ
チルホスフィン(40rn9:0.2ミリモルχおよび ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.6N
浴* (0−125mt ; 1.0ミリモル)。
レンク管内に下記のもの(il−逐次導入する:パラジ
ウムアセチルアセトネート(ドイツ特許出願第2.90
4.235号に従って鉤裂した:30.5〜;0.1
ミリモル)、 ガス抜き金した薗品級アクリル酸メチル(14mz
; i s s ミ リ モル ) 、トリブ
チルホスフィン(40rn9:0.2ミリモルχおよび ジエチルエーテル中のテトラフルオロはう酸の9.6N
浴* (0−125mt ; 1.0ミリモル)。
シュレンク管’kWじ、そして80℃で5時間攪拌する
。上に記載した手順に従って反応通合Wt処理するとア
クリル酸メチルの転化率は67%になる(回転速度二8
87時)。△2−メチルジヒドロムコネートに対する倍
率は95%よシも太きい。
。上に記載した手順に従って反応通合Wt処理するとア
クリル酸メチルの転化率は67%になる(回転速度二8
87時)。△2−メチルジヒドロムコネートに対する倍
率は95%よシも太きい。
例25
この例はいl−つの手順に従うアクリル酸メチルの二量
化【説明する。
化【説明する。
予めアルゴン洗滌を行った不錆鋼オートクレーブ(z
8 CNDT 1712 )に次のもの全装入するニア
クリル酸メチル 13.2&(154ミリモル)p
a(aba)20.2ミリモル PBu3 0.
4 ミ リ モ ルHBF40−8ミリモル オートクレーブを気密(封じそしてオープン中に入れて
、振煮によってかきまぜる:@度を80’CK調節し、
反応時間は20時間である。オートクレーブ金欠いで冷
却すると、透明な橙色反応塊を得る。反応塊中vにパラ
ジウム金属は観察されない。分析はそれがメチルヘキセ
ンジオニー) (49%収率)とメチル2−メチレンペ
ンタンジオエート(6,4%)とから成ることt示す。
8 CNDT 1712 )に次のもの全装入するニア
クリル酸メチル 13.2&(154ミリモル)p
a(aba)20.2ミリモル PBu3 0.
4 ミ リ モ ルHBF40−8ミリモル オートクレーブを気密(封じそしてオープン中に入れて
、振煮によってかきまぜる:@度を80’CK調節し、
反応時間は20時間である。オートクレーブ金欠いで冷
却すると、透明な橙色反応塊を得る。反応塊中vにパラ
ジウム金属は観察されない。分析はそれがメチルヘキセ
ンジオニー) (49%収率)とメチル2−メチレンペ
ンタンジオエート(6,4%)とから成ることt示す。
例26
反応温度が120℃でそして時間が6時間であることを
除いて例25と同一方法で反応、させる。
除いて例25と同一方法で反応、させる。
透明な撥色反元・塊が得られる:パラジウム金属の形成
は認められない。メチルヘキセンジオエートの収率は5
8%である。
は認められない。メチルヘキセンジオエートの収率は5
8%である。
例27
パラジウムf Pd(acac)2 (acac =ア
セチルアセトネート)の形で尋人しそして温度が1℃℃
でありそして反応時間が3時間である点を除き例25の
ように反応を行なった。透明な黄色反応塊が得られる。
セチルアセトネート)の形で尋人しそして温度が1℃℃
でありそして反応時間が3時間である点を除き例25の
ように反応を行なった。透明な黄色反応塊が得られる。
パラジウム金属の形成は認められない。
メチルヘキセンジオエートの収率は49係である。
この一連の試験は温度の効果を説明する;これは例25
に記載する手順に従って実施される。
に記載する手順に従って実施される。
予めアルゴンで洗滌した不ll#Sオートクレーブ(z
8 CNDT 1712 )に次のものを導入する:
Pd(acac)2
0−4 ミ リ モルアクリル酸メチ
ル 161ミリモルHBF、・gt2o
1−6ミリモルオートクレ
ープを気密に到じそしてオーブン中に入れ、微量によっ
てかきまぜ、215℃に予熱する;@度を190℃に調
節し、反応時間は15分にする。次にオートクレーブ?
冷却する。透明な橙色反応塊が得られノfラジウム金属
の僅かな熾跡の懸濁を伴なう(この親象はよシ低い作業
温度においては認められない)。分析はそれがメチルヘ
キセンジオネート(84%収率)およびメチル2−メチ
レングルタレート(2−6%収率)から成ることを示す
。特定の条件および異なる混成において得られる結果は
次の第1人中に集めてろる。
8 CNDT 1712 )に次のものを導入する:
Pd(acac)2
0−4 ミ リ モルアクリル酸メチ
ル 161ミリモルHBF、・gt2o
1−6ミリモルオートクレ
ープを気密に到じそしてオーブン中に入れ、微量によっ
てかきまぜ、215℃に予熱する;@度を190℃に調
節し、反応時間は15分にする。次にオートクレーブ?
冷却する。透明な橙色反応塊が得られノfラジウム金属
の僅かな熾跡の懸濁を伴なう(この親象はよシ低い作業
温度においては認められない)。分析はそれがメチルヘ
キセンジオネート(84%収率)およびメチル2−メチ
レングルタレート(2−6%収率)から成ることを示す
。特定の条件および異なる混成において得られる結果は
次の第1人中に集めてろる。
第1表
例66
触媒の装入全2回に分けて上記の例28會繰り返す。他
の条件kgて同一にすると、下記の収率がそれぞれ得ら
れる:
の条件kgて同一にすると、下記の収率がそれぞれ得ら
れる:
Claims (14)
- (1)アクリル酸低級アルキルを、および適するならば
共役ジエン化合物と共に、パラジウムまたはパラジウム
化合物を含む触媒系と50゜と250℃の間の温度にお
いて接触させることによるアクリル酸低級アルキルの接
触的(共)二量化方法において、触媒系が少くとも: (a)1つの非ハロゲン化パラジウム源、 (b)一般式( I )の1つの燐(III)化合物、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中: R_1、R_2およびR_3は別個にアルキル、シクロ
アルキル、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシま
たはアリーロキシ基を表わし、R_1、R_2またはR
_3の基の1つについては付加的に一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中: mは1および4(4を含む)の間の整数であり、 R_4およびR_5は別個にアルキル、シクロアルキル
、アリール、アルコキシ、シクロアルコキシまたはアリ
ーロキシ基を表わす)の1価の基を表わすことが可能で
ある〕 および (c)少なくとも1つの水素酸HY、ただしそれに結合
されるアニオンY^−はパラジウムイオンと配位結合さ
れないもの: から構成されることを特徴とする方法。 - (2)アクリル酸低級アルキルを、および適するならば
共役ジエン化合物と共に、パラジウムまたはパラジウム
化合物を含む触媒系と50゜と250℃の間の温度にお
いて接触させることによるアクリル酸低級アルキルの接
触的(共)二量化方法において、触媒系が少なくとも: (a)1つの非ハロゲン化パラジウム源、および (b)少なくとも一つの一般式: 〔HPR_1R_2R_3〕^+Y^− のヒドロゲノホスホニウム塩、 および、適するならば水素酸HY、ただしR_1、R_
2、R_3およびY^−は特許請求の範囲第1項中に与
えられる意味を有する: から構成されることを特徴とする方法。 - (3)触媒系が溶剤媒質中でつくられる特許請求の範囲
第1または2項に記載の方法。 - (4)水素酸と結合するアニオンY^−がC_nF_2
_n_+_1CO^−_2、C_nF_2_n_+_1
SO^−_3、1/2SO^=_4、ClO^−_4、
PF^−_6、SbF^−_6、BF^−_4および1
/2SiF^=_6〔但しnは1と4(4を含む)の間
の整数である〕のアニオン類から成る群から選ばれる特
許請求の範囲第1−3項の何れかの1項に記載の方法。 - (5)水素酸と結合するアニオンY^−がテトラフルオ
ロボレートアニオンである特許請求の範囲第1−4項の
何れかの1項に記載の方法。 - (6)燐対パラジウムのモル比が1と3の間である特許
請求の範囲第1−5項の何れかの1項に記載の方法。 - (7)H^+イオン対パラジウムのモル比が1と10の
間である特許請求の範囲第1−6項の何れかの1項に記
載の方法。 - (8)使用されるホスフィンがトリブチルホスフィンで
ある特許請求の範囲第1項および第3から7項までの何
れかの1項に記載の方法。 - (9)使用されるヒドロゲノホスホニウム塩がヒドロゲ
ノトリブチルホスホニウムテトラフルオロボレートであ
る特許請求の範囲第2から8項までの何れかの1項に記
載の方法。 - (10)パラジウム源が一般式(III): Pd_x(dba)_y(III) (式中:xは1または2に等しく、 dbaはジベンジリデンアセトン配位子を表わし yは2または3に等しく、xが2に等しい場合にはyは
必然的に3に等しい) のパラジウム(O)の化合物の中から選ばれる特許請求
の範囲第1−9項の何れかの1項に記載の方法。 - (11)パラジウム源が酢酸パラジウムである特許請求
の範囲第1から9項までの何れかの1項に記載の方法。 - (12)パラジウム源がパラジウムアセチルアセトネー
トである特許請求の範囲第1から9項までの何れかの1
項に記載の方法。 - (13)アクリル酸低級アルキルの二量化において特許
請求の範囲第1−12項までの何れかの1項に記載する
方法の使用。 - (14)特許請求の範囲第1−13項の何れかの1項に
定義される触媒組成物。
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