JPS6317766B2 - - Google Patents
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- JPS6317766B2 JPS6317766B2 JP15008279A JP15008279A JPS6317766B2 JP S6317766 B2 JPS6317766 B2 JP S6317766B2 JP 15008279 A JP15008279 A JP 15008279A JP 15008279 A JP15008279 A JP 15008279A JP S6317766 B2 JPS6317766 B2 JP S6317766B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/016—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by a liquid phase reaction process, e.g. through a gel phase
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔質ゲルの作製方法、特に光フアイ
バ用ガラス母材の製造に用いる多孔質ゲルの作製
方法に関する。
バ用ガラス母材の製造に用いる多孔質ゲルの作製
方法に関する。
光フアイバ用のガラス母材としては高純度であ
ることが不可欠であり、このため、ガラスの製法
としては、原料物質を化学反応を利用して直接ガ
ラス（あるいはガラス微粒子）を形成する方法が
用いられている。例えばMCVD法は原料物質で
あるSiCl4、GeCl4（いずれも室温で液体）を気化
搬送し、石英管内壁面にSiO2−GeO2ガラスを形
成したのち、石英管の溶着、線引きを径て光フア
イバを作製する。この方法は液体原料の気化搬送
による原料の純化工程を含むため高純度のガラス
が得られ、光フアイバの主製法となつている。こ
れに対して、液体原料から直接ガラスを形成する
方法（以下ゾルーゲル法と呼ぶ）がある。第１図
はゾルーゲル法プロセス概要図であり、まず(1)金
属アルコキシド（例えばシリコンメチラート；Si
（OCH3）4）およびアルコール、水を混合し原料
溶液としたのち、(2)この溶液を所望形状の容器内
でゲル化し多孔質ゲルを作成する。さらに(3)乾
燥、(4)焼結して、光フアイバ用ガラスを作製す
る。
ることが不可欠であり、このため、ガラスの製法
としては、原料物質を化学反応を利用して直接ガ
ラス（あるいはガラス微粒子）を形成する方法が
用いられている。例えばMCVD法は原料物質で
あるSiCl4、GeCl4（いずれも室温で液体）を気化
搬送し、石英管内壁面にSiO2−GeO2ガラスを形
成したのち、石英管の溶着、線引きを径て光フア
イバを作製する。この方法は液体原料の気化搬送
による原料の純化工程を含むため高純度のガラス
が得られ、光フアイバの主製法となつている。こ
れに対して、液体原料から直接ガラスを形成する
方法（以下ゾルーゲル法と呼ぶ）がある。第１図
はゾルーゲル法プロセス概要図であり、まず(1)金
属アルコキシド（例えばシリコンメチラート；Si
（OCH3）4）およびアルコール、水を混合し原料
溶液としたのち、(2)この溶液を所望形状の容器内
でゲル化し多孔質ゲルを作成する。さらに(3)乾
燥、(4)焼結して、光フアイバ用ガラスを作製す
る。
このゾルーゲル法はMCVD法と比較して、同
時に多量のガラスが作製できる利点を有するが、
上述した気化搬送による純化工程がないため、不
純物が含有され易いのが欠点である。
時に多量のガラスが作製できる利点を有するが、
上述した気化搬送による純化工程がないため、不
純物が含有され易いのが欠点である。
本発明はゾルおよびゲル化の速度を速め、ゲル
作成時間を短縮することによつて、雰囲気からの
不純物の混入を防止するとともにガラス合成速度
を速めるのが目的である。
作成時間を短縮することによつて、雰囲気からの
不純物の混入を防止するとともにガラス合成速度
を速めるのが目的である。
以下実施例で本発明の方法を記載する。
実施例 １
Si（OCH3）415.2ｇ、メタノール14.4ｇ、蒸留水
7.2ｇを混合、撹はん後、内径10φのガラス円筒容
器１に入れ20℃の恒温ソウ内に保持した。レーザ
光を溶液に照射して、原料溶液からの光散乱でゾ
ル化のようすを調べたところ原料調精後約24時間
で光散乱が増加し始め、48時間後ゲル化した。一
方、同じ方法で原料の調製を行なつた溶液に約
50Vの直流電圧をカーボン２を電極として印加し
たところ直ちに光散乱が増加し始め、電圧を印加
してから約１時間後にゲル化した。
7.2ｇを混合、撹はん後、内径10φのガラス円筒容
器１に入れ20℃の恒温ソウ内に保持した。レーザ
光を溶液に照射して、原料溶液からの光散乱でゾ
ル化のようすを調べたところ原料調精後約24時間
で光散乱が増加し始め、48時間後ゲル化した。一
方、同じ方法で原料の調製を行なつた溶液に約
50Vの直流電圧をカーボン２を電極として印加し
たところ直ちに光散乱が増加し始め、電圧を印加
してから約１時間後にゲル化した。
電極の大きさ、電極間距離はゲル化の促進にあ
まり影響しない。また、印加電圧は交流でもほぼ
同等の効果が得られた。
まり影響しない。また、印加電圧は交流でもほぼ
同等の効果が得られた。
原料調精後自然放置でゲル化したものと、電圧
を印加して短時間でゲル化したゲルとを同時に乾
燥し、さらに約1300℃で加熱焼成したが、電圧を
印加したことによる不都合はなく約4φのガラス
ロツドとすることができた。
を印加して短時間でゲル化したゲルとを同時に乾
燥し、さらに約1300℃で加熱焼成したが、電圧を
印加したことによる不都合はなく約4φのガラス
ロツドとすることができた。
なお、ゲル化時間は、温度を高くすることによ
つても短縮することができるが、ゲル化するとき
のガラス容器からの離漿のさいにゲルにクラツク
が入りやすい。
つても短縮することができるが、ゲル化するとき
のガラス容器からの離漿のさいにゲルにクラツク
が入りやすい。
電極材料としては不純物のゲル中への混入を避
けるため、カーボンあるいはアルミニウム、白金
などの高純度かつ混入した場合においても光フア
イバにしたときの伝送損失に影響しないものが望
ましい。また絶縁剤をコーテイングした場合（電
流を流さない場合）でもゲル化促進の効果がある
が電流を流す場合の方が効果は大きい。なお印加
電圧としては電極の配置状況で異なるが一般的に
は数Ｖから効果がある。
けるため、カーボンあるいはアルミニウム、白金
などの高純度かつ混入した場合においても光フア
イバにしたときの伝送損失に影響しないものが望
ましい。また絶縁剤をコーテイングした場合（電
流を流さない場合）でもゲル化促進の効果がある
が電流を流す場合の方が効果は大きい。なお印加
電圧としては電極の配置状況で異なるが一般的に
は数Ｖから効果がある。
上述した電圧を印加することによつてゲル化が
促進される理由については明らかでないが溶液中
のOH-、H+イオン濃度がゲル化反応の速度に影
響を及ぼしているためではないかと考えている。
促進される理由については明らかでないが溶液中
のOH-、H+イオン濃度がゲル化反応の速度に影
響を及ぼしているためではないかと考えている。
なお、本発明は光フアイバ用ガラス母材の製造
を直接の目的としているが、それ以外の用途の多
孔質ゲルの作製にも用い得ることは言うまでもな
い。
を直接の目的としているが、それ以外の用途の多
孔質ゲルの作製にも用い得ることは言うまでもな
い。
第１図はゾルーゲルプロセスの概要を工程順に
示した概略断面図であり、第２図は本発明の一実
施例におけるゲル化の工程を示す概略断面図であ
る。 １……円筒容器、２……カーボン電極。
示した概略断面図であり、第２図は本発明の一実
施例におけるゲル化の工程を示す概略断面図であ
る。 １……円筒容器、２……カーボン電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属アルコキシドを加水分解してゲル状多孔
質体を作製する方法において、原料溶液中に設け
た電極から１〜200Vの電圧を印加しながら該原
料溶液をゲル化させることを特徴とする多孔質ゲ
ルの作製方法。 ２ 上記電極が高純度カーボン、高純度アルミニ
ウムもしくは高純度白金からなる電極であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多孔質
ゲルの作製方法。 ３ 上記電極が絶縁剤で被覆されていることを特
徴とする特許請求の範囲第２項記載の多孔質ゲル
の作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15008279A JPS5673538A (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Manufacture of porous gell |
| DE8080107254T DE3067197D1 (en) | 1979-11-21 | 1980-11-20 | Method for producing optical glass |
| EP80107254A EP0029590B1 (en) | 1979-11-21 | 1980-11-20 | Method for producing optical glass |
| US06/209,711 US4324576A (en) | 1979-11-21 | 1980-11-21 | Method for producing optical glass |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15008279A JPS5673538A (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Manufacture of porous gell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5673538A JPS5673538A (en) | 1981-06-18 |
| JPS6317766B2 true JPS6317766B2 (ja) | 1988-04-15 |
Family
ID=15489112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15008279A Granted JPS5673538A (en) | 1979-11-21 | 1979-11-21 | Manufacture of porous gell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5673538A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291541A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-18 | Shimadzu Corp | 湿度センサおよびその製造法 |
-
1979
- 1979-11-21 JP JP15008279A patent/JPS5673538A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5673538A (en) | 1981-06-18 |
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