JPS63175436A - Manufacture of resin-sealed semiconductor device - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂モールドトランジスタ又はこれに類似の
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a resin-molded transistor or a similar resin-sealed semiconductor device.
−ａｈモールドトランジスタのチップ支持板Ｃ放熱板】
の裏面を露出させずに、樹脂被覆することは公知である
。ところで、リードフレームが金型内のキャピテイ（底
形空所ンに片持ち支持状態に配置されると、樹脂をキャ
ビティに注入した時にチップ支持板の位置変動が牛じる
。これを防ぐために、金型によってチップ支持板から導
出されている外部リードを支持する他に、リードとは反
対側における支持板の一部又はこの延長部を支持するこ
とか試みられている。この様に複数箇所でチップ支持板
を支持工れば、キャビティ内にチップ支持板が安定的に
位置決めされるが、金型によって支持した部分が樹脂被
覆されないという問題が生じる。-ah molded transistor chip support plate C heat sink]
It is known to cover the back surface with resin without exposing it. By the way, if the lead frame is placed in a cantilevered state in the cavity (bottom-shaped cavity) in the mold, the position of the chip support plate will fluctuate when resin is injected into the cavity.To prevent this, In addition to supporting the external leads led out from the chip support plate by the mold, attempts have been made to support a part of the support plate on the side opposite to the leads or an extension thereof.In this way, at multiple locations. If the chip support plate is supported, the chip support plate can be stably positioned within the cavity, but a problem arises in that the portion supported by the mold is not coated with resin.
この問題を解決するために、一部がスライド可能な金型
によってチップ支持板を複数箇所で支持した状態で半導
体チップを含む主要部分をモールドし、しかる後、金型
の一部をスライドさせて支持板から離間はせ、第１回目
のモールド工程で被覆されなかった部分を第２回目のモ
ールド工程で被覆することが特開昭６１−２３４８号公
報に開示ざ九ている。Ｊｃ記号法によれば、確かに露出
部が実質的に生じないように支持板を被覆することがで
きる。しかし、この公開公報に開示されている方法では
１第１回目のそ−ルドと第２回目のモールドとが共に、
熱硬化性エポキシ樹脂によって行われている。熱硬化性
エポキシ樹脂は、封止樹脂として性能的に優れてはいる
が１高価であり且つ取扱い難いという欠点がある。即ち
、流動性を有する熱硬化性樹脂を金型に設けられている
ランナ（樹脂通路）とゲーｈ（注入孔）とを介してキャ
ビティに注入し、固化させる場合に・ランナ及びゲー゛
トに残存した樹脂が再利用不可能になり、無駄になって
必然的に材料費が高くなった。半導体素子のコストダウ
ンが厳しく要求されているために、ランチ及びゲートに
残存する樹脂も無視できない状況にある。In order to solve this problem, the main part including the semiconductor chip is molded with the chip support plate supported at multiple locations by a partially sliding mold, and then part of the mold is slid. JP-A No. 61-2348 discloses that a portion separated from the support plate and not covered in the first molding step is coated in the second molding step. The Jc symbology makes it possible to coat the support plate in such a way that there are virtually no exposed parts. However, in the method disclosed in this publication, both the first solder and the second mold are
It is made of thermosetting epoxy resin. Although thermosetting epoxy resins have excellent performance as sealing resins, they have the drawbacks of being expensive and difficult to handle. That is, when a fluid thermosetting resin is injected into a cavity through a runner (resin passage) and a gate (injection hole) provided in a mold and solidified, The remaining resin could no longer be reused and was wasted, inevitably increasing material costs. Since there is a strict requirement to reduce the cost of semiconductor devices, the resin remaining on the launch and gate cannot be ignored.
そこで、本発明の目的は、コストを低減させることが可
能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device that can reduce costs.
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、実施例な示す図面の符号を参照して説明すると、支
持板２と、前記支持板２に直接に接続された第１の外部
リード４ａと、前記第１の外部リード４ａと同一方向に
延びている第２の外部リード４ｂ、４Ｃと、前記支持板
２に固着された半導体チップ７と、前記半導体チップ７
と前記第２の外部リード４ｂ％４Ｃとを接続する内部リ
ード８１９と、前記第１及び第２の外部リード４ａｓ
４ｂｓ ４ｃの少なくとも一部を露出させるが、前記支
持板２と前記半導体チップ７と前記内部リード８．９と
を実質的に露出させないように被覆する樹脂被覆体１１
とから成る樹脂封止型半導体装置の製造方法にＨいて、
型１６によって前記第１の外部リード４ａ’ｆｊ（支持
すると共に、前記第１の外部リード４２の導出側とは反
対側の前記支持板２の一部を支持して前記型の内部に流
動状態の熱硬化性樹脂を圧力を加えて押し込んで前記型
内で同化させて前記樹脂被覆体１１の少なくとも前記半
導体チップ７を被覆する部分１１ａを形成し、前記半導
体チップ７を被覆する部分１１ａの形成後又は前に〜前
記樹脂被覆体１１における前記半導体チップ７を被覆し
ない殉ｐの部分１１ｂを１前記型１６と同一又は別の型
の成形空所に熱可塑性樹脂を注入することによって形成
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
に係わるものである。To solve the above-mentioned problems and achieve the above-mentioned objects, the present invention will be described with reference to the reference numerals in the drawings. An external lead 4a, second external leads 4b and 4C extending in the same direction as the first external lead 4a, a semiconductor chip 7 fixed to the support plate 2, and the semiconductor chip 7.
and the second external lead 4b%4C, and the first and second external lead 4as.
4bs 4c, but covers the support plate 2, the semiconductor chip 7, and the internal leads 8.9 so as not to substantially expose them.
A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device comprising:
The mold 16 supports the first external lead 4a'fj (and also supports a part of the support plate 2 on the side opposite to the lead-out side of the first external lead 42 to create a fluid state inside the mold). forming a portion 11a of the resin coating 11 that covers at least the semiconductor chip 7 by pressing the thermosetting resin under pressure and assimilating it in the mold; After or before ~ a dead part 11b of the resin coating 11 that does not cover the semiconductor chip 7 is formed by injecting a thermoplastic resin into a molding cavity of the same or different mold 16; The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device characterized by the following.
本発明にｇいては、樹脂被覆体１１のチップ被覆部分１
１ａは熱硬化性樹脂で形成するが、チップ非１１！覆部
分１１ｂは熱可塑性樹脂で形成する。According to the present invention, the chip covering portion 1 of the resin covering 11 is
1a is made of thermosetting resin, but the chip is not 11! The cover portion 11b is made of thermoplastic resin.
このため、チップ非叢覆部分１１ｂを形成する際に、型
内に熱可塑性樹脂が残存しても、これを樹脂封止にＨい
て許容できるレベルの加熱状態に置くことによって、次
の封止樹脂として使用することが可能になり一樹脂の無
駄が生じない。このため、材料を節約することができ、
且つ梨に残存する樹脂を取り除くことが不要になる。Therefore, even if the thermoplastic resin remains in the mold when forming the chip non-clustered portion 11b, it can be heated to a level that is acceptable for resin sealing, so that the next sealing can be carried out. It can be used as a resin and no resin is wasted. This allows you to save on materials and
Moreover, it becomes unnecessary to remove the resin remaining in the pear.
次に、第１図〜第１０図に基づいて本発明の実施例に係
わる樹脂封止型トランジスタの製造方法を説明する。第
１図は樹脂モールドが終了した後のトランジスタを示す
。この第１図のトランジスタは、第２図に示すリードフ
レーム１を樹脂封止したものである。リードフレーム１
は、取付孔３を有する金Ｍ製の放熱支持板２と、この支
持板２に接続されている第１の外部リード４ａと、支持
板２に直接ｒｌｃ接続されていない２本の第２の外部リ
ード４ｂｓ４ｃと、外部リード４ａｓ ４ｂｓ ４Ｃの
中間部を相互に連結するタイバーと呼ばれている細条５
と、外部リード４ ａ ｓ ４ ｂ １４ ｃの端を共
通に連結している細条ｄとがら放る。支持板２には半導
体チップ７が半田によって固着され、半導体チップ７の
エミッタ電極及びベース電極と外部リード４ｂ％４ｃと
がそｎぞれ内部リード８％９によって接続され、半導体
チップ７は保護樹脂１０で被覆はれている。なお、図示
はされていないが、同一のり−ド７レーム１に支持板２
が？Ｊ数個設けられている。Next, a method for manufacturing a resin-sealed transistor according to an embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 to 10. FIG. 1 shows the transistor after resin molding is completed. The transistor shown in FIG. 1 is obtained by sealing the lead frame 1 shown in FIG. 2 with resin. Lead frame 1
consists of a heat dissipation support plate 2 made of M gold having a mounting hole 3, a first external lead 4a connected to this support plate 2, and two second external leads 4a that are not directly connected to the support plate 2 by RLC. A strip 5 called a tie bar interconnects the external lead 4bs4c and the middle part of the external lead 4as 4bs 4C.
and a strip d commonly connecting the ends of the external leads 4 a s 4 b 14 c. A semiconductor chip 7 is fixed to the support plate 2 by solder, the emitter electrode and base electrode of the semiconductor chip 7 are connected to external leads 4b% 4c by internal leads 8%9, and the semiconductor chip 7 is covered with a protective resin. 10, the coating is peeling off. Although not shown, a support plate 2 is attached to the same board 7 frame 1.
but? Several J are provided.
第１囚に示す樹脂被覆体１１は、支持板１１半導体チッ
プ７、外部リード４ａｓ４ｂｓ４Ｃの先端、内部リード
８．９を露出させないように覆っている。この樹脂被覆
体１１は、単一の樹脂で形成されずに％熱硬化性樹脂か
らなり１中等体チップ７を被覆している第１の部分１１
ａと熱可塑性樹脂からなり、支持板２の先端部分及び第
１の部分１１ａを被覆している第２の部分１１ｂとから
成る。The resin covering 11 shown in the first frame covers the support plate 11, the semiconductor chip 7, the tips of the external leads 4as4bs4C, and the internal leads 8.9 so as not to expose them. This resin coating 11 is not made of a single resin, but is made of a thermosetting resin and covers the solid chip 7.
a and a second portion 11b made of thermoplastic resin and covering the tip portion of the support plate 2 and the first portion 11a.
樹脂被覆体１１を形成するためには１第２図に示す半導
伸子ツブ７を固着したリードフレーム１を用意する他に
１第３図に示す如く下金ｍ１２と上金型１３と第１及び
第２のスライド金型１４．１５とから成る成形用金型１
６を用意する。下金型１２と上金型１３とは分離可能に
形成され、一方が固定型１他方が可動型とされている。In order to form the resin coating 11, 1. In addition to preparing the lead frame 1 to which the semiconductor stretcher tube 7 shown in FIG. 2 is fixed, 1. as shown in FIG. and a second slide mold 14.15.
Prepare 6. The lower mold 12 and the upper mold 13 are formed to be separable, one being a fixed mold and the other being a movable mold.
第１及゛び第２のスライド金型１４．１５は下金型１２
と上金型１３とに設けられた貫通孔１７．１８に３いて
それぞれ上下方向に滑動可能であるように形成されてい
る。上面に凹部１９ａを有する下金型１２と下面に凹部
１９ｂを有する上金型１３と第１及び第２のスライド金
型１４．１５との組み合せによって第１のキャビティ１
９が生じる。上金型１３は、支持板２の取付孔３に挿入
するための円柱部２０を有する。下金型１２は、熱硬化
性樹脂が送られてくるランチ２工と、このランナ２１か
らキャビティ１９に樹脂を注入するための孔即ちゲート
２２とを有する。このランナ２１及びゲート２２はここ
に残存する熱硬化性樹脂を除去することが可能なように
、下金８！１２と下金ｆＩ！１３との境界に設けられて
いる。The first and second slide molds 14 and 15 are the lower mold 12.
and the upper mold 13, respectively, and are formed to be slidable in the vertical direction. The first cavity 1 is formed by the combination of the lower mold 12 having the recess 19a on the upper surface, the upper mold 13 having the recess 19b on the lower surface, and the first and second slide molds 14.15.
9 occurs. The upper mold 13 has a cylindrical part 20 for insertion into the mounting hole 3 of the support plate 2. The lower mold 12 has two launchers into which the thermosetting resin is fed, and a hole or gate 22 through which the resin is injected from the runner 21 into the cavity 19 . The runner 21 and the gate 22 are connected to the bottom metal 8!12 and the bottom metal fI! so that the thermosetting resin remaining there can be removed. It is located on the border with 13.
上金型１３は１熱可塑性樹脂のランナ２３ｆｆｔｌち樹
脂通路及びこのランナ２３に連続しているゲート２４即
ち注入孔を有している。なお、ランナ２３内には樹脂加
熱用ヒータ２５が配置されている。The upper mold 13 has a thermoplastic resin runner 23fftl or resin passage and a gate 24 or injection hole communicating with the runner 23. Note that a resin heating heater 25 is arranged inside the runner 23.
第１及び第２のスライド金型１４．１５は、樹脂被覆体
１１の第１の部分１１ａを形成する時には、第３因に示
す如く熱可塑性樹脂のゲート２４を閉塞しているが、熱
硬化性樹脂のゲート２２は閉塞していない。第１及び第
２のスライド金型１４１１５は１第５図から最も明らか
な如（凹部２６．２７を有する。第１のスライド金型１
４に８ける凹部２６は１この上面中央に設けられ１この
結果として一対の脚部２８．２９が生じている。When forming the first portion 11a of the resin coating 11, the first and second slide molds 14 and 15 close the gate 24 of the thermoplastic resin as shown in the third factor, but The synthetic resin gate 22 is not closed. The first and second slide molds 14115 have recesses 26 and 27 as most clearly seen in FIG.
The recess 26 at 4:8 is provided in the center of this top surface, resulting in a pair of legs 28,29.
第２のスライド金型１５における凹部２７は、この下面
中央に設けられ・この結果として一対の脚部３０．３１
が生じている。なお、第２のスライド金型１５の凹部２
７内には支持板２を挾持するための段部３２が設けられ
ている。The recess 27 in the second slide mold 15 is provided at the center of this lower surface, and as a result, the pair of legs 30, 31
is occurring. Note that the recess 2 of the second slide mold 15
A stepped portion 32 for holding the support plate 2 is provided within the support plate 7 .
金型１６忙対するリードフレーム１の装着ハ、第３図及
び第４図に示す如く行う。部ち、キャビティ１９内に支
持板２を配置し、外部リード４ａｓ４ｂｓ４Ｃを下金型
１２と上金型１３とで挾持する。筐た、第４図に示す如
く第１のスライド金型１４の上面と第２のスライド金型
１５の凹部２７における段部３２とで支持板２の先端部
分を挾持する。この結果１支持板２は、外部リード４ａ
と支持板２の先端部分の両側との合計３箇所で金型１６
によって支持された状態となジ、極めて安定的にキャビ
ティ１９内に位置決めされる。この結果、支持板２と下
金型１２との間に極めて狭い間隙を正確に設けることが
でき１ここに樹脂を薄く形成することが可能になる。支
持板２の下面に樹脂を薄く形成することは、放熱効果を
良くするために重要なことである。リードフレーム１を
キャビティ１９内に配置したら、下金型１２と上金型１
３とを型締めし、また第１及び第２のスライド金型１４
．１５を型締ぬする。The mounting of the lead frame 1 onto the mold 16 is carried out as shown in FIGS. 3 and 4. The support plate 2 is placed in the cavity 19, and the external lead 4as4bs4C is held between the lower mold 12 and the upper mold 13. As shown in FIG. 4, the upper surface of the first slide mold 14 and the step 32 in the recess 27 of the second slide mold 15 sandwich the tip of the support plate 2. As a result, 1 support plate 2 has external leads 4a
and both sides of the tip of the support plate 2, making the mold 16
It is supported within the cavity 19 in an extremely stable manner. As a result, an extremely narrow gap can be accurately provided between the support plate 2 and the lower mold 12, and a thin resin can be formed there. It is important to form a thin layer of resin on the lower surface of the support plate 2 in order to improve the heat dissipation effect. After placing the lead frame 1 in the cavity 19, the lower mold 12 and the upper mold 1
3 and the first and second slide molds 14.
．． Mold 15.
次に、ライナ２１、及びゲート２２を通して例えばエポ
キシ樹脂から成る熱硬化性樹脂を流動状態にしたものを
キャビティ１９内に圧力を加えて充填させ、金型１６内
で数分間加熱して固化させる。１２［１ち、トランスフ
ァーモールド法によっテ樹脂被橿体１１の第１の部分１
１ａｔｆ第６図及び第７図に示す如く形成する。なお、
金型１６を予め熱硬化性樹脂の硬化温度（１５０”Ｃ〜
１８０”Ｃ）に加熱してどくことにより、キャビティ１
９に注入された樹脂は２〜３分で固化する。この工程に
おいては、熱可塑性樹脂のゲート２４は第２のスライド
金型１５によって閉じられているので、たとえランチ２
３に熱可塑性樹脂が存在していても１これがキャビティ
１９内に流入しない。樹脂Ｍ覆体１１の第１の部分１１
ａは、第６図及び第７図から明らかな如（Ｎ支持板２の
先端部分を除（大部分と半導体チップ７と保護樹脂１０
と内部＋７−ド８．９と外部リード４ａｓ ４ｂｓ ４
ｃの先端部とを被覆する。しかし、第１及び第２のスラ
イド金型１４．１５に接触していた支持板２の先端部２
ａが樹脂被覆体１１の第１の部分１１ａで被覆されずに
、露出する。そこで、この支持板２の露出した先端部２
ａを次の工程で熱可塑性樹脂で被覆する。Next, a fluidized thermosetting resin made of, for example, epoxy resin is filled into the cavity 19 through the liner 21 and the gate 22 by applying pressure, and is heated within the mold 16 for several minutes to solidify. 12 [1] The first portion 1 of the resin covered body 11 is formed by transfer molding.
1atf is formed as shown in FIGS. 6 and 7. In addition,
The mold 16 is heated in advance to the curing temperature of the thermosetting resin (150"C~
By heating to 180"C), cavity 1
The resin injected into 9 solidifies in 2 to 3 minutes. In this process, the thermoplastic resin gate 24 is closed by the second slide mold 15, so even if the launch
Even if thermoplastic resin is present in 3, it does not flow into the cavity 19. First portion 11 of resin M covering 11
As is clear from FIGS. 6 and 7, (excluding the tip of the N support plate 2 (most part, the semiconductor chip 7, and the protective resin 10)
and internal +7-dead 8.9 and external lead 4as 4bs 4
Cover the tip of c. However, the tip 2 of the support plate 2 that was in contact with the first and second slide molds 14.15
a is not covered with the first portion 11a of the resin coating 11 and is exposed. Therefore, the exposed tip 2 of this support plate 2
a is coated with thermoplastic resin in the next step.
熱可塑性樹脂によるモールド工程においては、金型１６
を第８図及び第９図に示す状態にな丁。In the molding process using thermoplastic resin, the mold 16
into the state shown in Figures 8 and 9.
即ち、ｗｃｌ及び第２のスライド金型１４．１５を第８
図及び第９図に示すように外側にスライドさせる。これ
により、第１及び第２のスライド金型１４．１５の移動
した部分に２１Ｃ２のキャビティ３３が生じ、且つこの
第２のキャピテイ３３に熱可塑性樹脂ゲート２４を介し
て樹脂ランナ２３が接続される。第１及び第２のスライ
ド金型１４．１５を支持板２から離間させても、熱硬化
性樹脂被覆体から成る第１の部分１１ａが既に固定され
ているために、支持板２は第１の部分１１ａを介して下
金型１２と上金型工３とによって安定的に支持されてい
る。That is, the wcl and the second slide mold 14.15 are
Slide it outward as shown in the figure and FIG. As a result, a cavity 33 of 21C2 is created in the moved portions of the first and second slide molds 14.15, and the resin runner 23 is connected to this second cavity 33 via the thermoplastic resin gate 24. . Even if the first and second slide molds 14.15 are separated from the support plate 2, since the first portion 11a made of the thermosetting resin coating is already fixed, the support plate 2 It is stably supported by the lower mold 12 and the upper mold worker 3 via the portion 11a.
次に、第１Ｏ図に示す如く、ゲート２４から例えばポリ
ブチレンテレフタレート樹脂から放る熱可塑性樹脂３４
ｙａ’ヒータ２５で加熱して流動性を持たせたものを第
２のキャビティ３３に圧力を加えて充填させる。下金型
１２及び上金型１３の温度は熱可塑性樹脂の軟化温度Ｃ
固化温度）よりも低いので、第２のキャビティ３３に注
入された熱可塑性樹脂は固化し、樹脂被覆体１１の第２
の１部分１１ｂとなる。即ち、この工程ではインジェク
ションモールド法によって熱可塑性樹脂から成る第２の
部分１１ｂを形成する。Next, as shown in FIG. 1O, a thermoplastic resin 34 made of, for example, polybutylene terephthalate resin is released from the gate 24
The material heated by the ya' heater 25 to give it fluidity is filled into the second cavity 33 by applying pressure. The temperature of the lower mold 12 and the upper mold 13 is the softening temperature C of the thermoplastic resin.
solidification temperature), the thermoplastic resin injected into the second cavity 33 solidifies, and the second
11b. That is, in this step, the second portion 11b made of thermoplastic resin is formed by injection molding.
次に、下金型１２と止金型１３との締めを解き、成形体
を金型１６から取り出丁。第１図は成形体を示すもので
ありＳ第２因に示すリードフレーム１に−Ｍける支持板
２と半導体チップ７と内部リード８〜９と外部リード４
ａ ｓ ４ ｂ ｓ ４ ｃの先端部分とは樹脂被覆
体１１によって完全に被覆されている。即ち、第７図に
示す第１の部分１１ａを設けたのみの状態では・支持板
２の先端部２ａが幾らか露出していたが、第２の部分１
１ｂによって露出先淘部２ａが被覆されている。第２の
部分１１ｂを構成する熱可塑性樹脂は、耐湿性、接着力
等の点で熱硬化性樹脂よりも劣るが、半導体チップ７ρ
）ら十分に離れた支持板２の先端部２ａを被覆するもの
であるから、樹脂封止トランジスタの電気的特性の低下
は実質的に生じない。なお、樹脂被覆体１１に、上金型
１３０円柱部２０に対応する取付孔３５が生じるが、支
持板２はこの取付孔３５Ｖｃおいて露出していない。Next, the lower mold 12 and the stopper mold 13 are unfastened, and the molded body is taken out from the mold 16. FIG. 1 shows a molded body, which includes a lead frame 1 shown in the second factor, a supporting plate 2, a semiconductor chip 7, internal leads 8 to 9, and external leads 4.
The tip portions of a s 4 b s 4 c are completely covered with a resin coating 11 . That is, in the state where only the first portion 11a shown in FIG. 7 is provided, the tip portion 2a of the support plate 2 is somewhat exposed, but
The exposed tip part 2a is covered by the part 1b. The thermoplastic resin constituting the second portion 11b is inferior to the thermosetting resin in terms of moisture resistance, adhesive strength, etc., but the semiconductor chip 7ρ
), the electrical characteristics of the resin-sealed transistor are not substantially deteriorated. Note that although a mounting hole 35 corresponding to the cylindrical portion 20 of the upper mold 130 is formed in the resin coating 11, the support plate 2 is not exposed through this mounting hole 35Vc.
最後に、第１図に示すリードフレーム１の細条５１６を
切り捨て）独立した外部リード４ａ１４ｂｓ ４ｃを得
てトランジスタを完成させる。Finally, the strip 516 of the lead frame 1 shown in FIG. 1 is cut off) to obtain independent external leads 4a14bs4c to complete the transistor.
本実施例は次の利点を有する。This embodiment has the following advantages.
＋１１ 樹脂被覆体１１の第２の部分１１ｂを熱硬化
性樹脂とセずに、熱可塑性樹脂としたので、ランチ２３
１Ｃ残存する樹脂を捨てずに次の注入樹脂として使用す
ることができる。従って、材料を節約することができる
。また、ランナ２３の樹脂を連続的に使用することがで
きるので、残存した樹脂を取り除（作業が不要になる。+11 Since the second portion 11b of the resin coating 11 is made of thermoplastic resin instead of thermosetting resin, lunch 23
The remaining 1C resin can be used as the next injection resin without being thrown away. Therefore, materials can be saved. Furthermore, since the resin in the runner 23 can be used continuously, there is no need to remove the remaining resin.
（２） 第２のスライド金型１５は樹脂被覆体１１の
第２の部分１ ｌ ｂ、を得るための第２のキャビティ
３３の形成に寄与しているのみでな（、熱可塑性樹脂３
４を注入の制御にも使用されているため、比較的簡単な
構成で熱硬化性樹脂による第１の部分１１ａと熱可塑性
樹脂による第２の部分１１ｂとを形成することができる
。(2) The second slide mold 15 not only contributes to the formation of the second cavity 33 for obtaining the second portion 1lb of the resin coating 11 (the thermoplastic resin 3
4 is also used to control injection, the first portion 11a made of thermosetting resin and the second portion 11b made of thermoplastic resin can be formed with a relatively simple configuration.
（３１熱硬化性樹脂のためのゲート２２と熱可塑性樹脂
のためのゲート２４との両方を支持板２の先端側に配置
したので、金型１６の小型化が達成ざｎる。即ち１特開
昭６１−２３４８号公報に開示されている金型では、外
部リード側に第１のゲートを設け、支持板の先端側に第
２のゲートを設けているので、金型が必然的に大きくな
るが１本実施例では、２つのゲート２２．２４が支持板
２の先端側に配置され′ているので、−万のゲートの分
だけ小型化される。この様に単位成形部分が小型化され
るということは、共通の金型で多数のトランジスタのモ
ールドを行う場合に１共通の金型によって従来よりも多
（のトランジスタのモールドを同時に達成することがで
さることン意味する。(31) Since both the gate 22 for the thermosetting resin and the gate 24 for the thermoplastic resin are arranged on the tip side of the support plate 2, the size of the mold 16 cannot be achieved. In the mold disclosed in JP-A No. 61-2348, the first gate is provided on the external lead side and the second gate is provided on the tip side of the support plate, so the mold is inevitably large. However, in this embodiment, since the two gates 22 and 24 are arranged on the tip side of the support plate 2, the size is reduced by -10,000 gates.In this way, the unit molded part is reduced in size. This means that when a large number of transistors are molded using a common mold, it is possible to mold more transistors at the same time than in the past using one common mold.
本発明は上述の実施例に限定されるものでな（１例えば
次の変形が可能なものである。The present invention is not limited to the embodiments described above (for example, the following modifications are possible).
ｆｉｌ 第１１図に示す如く、熱可塑性樹脂から底る
ＷＪ２０部分１１ｂで被覆さｎる支持板２の部分２ａＫ
貫通孔３６ン設けるか、又は第１２図に示す如（切り込
み３７ビ設けて、熱可塑性樹脂と支持板２との接着力？
増加さセてもよい。fil As shown in FIG. 11, a portion 2aK of the support plate 2 is covered with a bottom WJ20 portion 11b made of thermoplastic resin.
Either through holes 36 or 37 notches as shown in FIG. 12 are provided to increase the adhesive strength between the thermoplastic resin and the support plate 2.
May be increased.
（２） 支持板２の厚さを均一にせずに、半導体チッ
プ７の接着領域を厚くシ、先端領域を薄くしてもよい。(2) Instead of making the thickness of the support plate 2 uniform, the bonding area of the semiconductor chip 7 may be made thicker and the tip area may be made thinner.
（３）熱可塑性樹脂のランナ３４を下金型１２に配設し
てもよい。(3) A thermoplastic resin runner 34 may be provided in the lower mold 12.
（４）支持８２２の先端の両端を第１及び第２のスライ
ド金型１４．１５で挾持したが、１箇所又は３箇所又は
これ以上で挾持するようにしてもよい。(4) Both ends of the tip of the support 822 are sandwiched between the first and second slide molds 14 and 15, but the support 822 may be sandwiched at one, three or more locations.
（５１熱硬化性樹脂のゲート２２′ｊｋ外部リード４ａ
ｓ ４ｂｓ ４Ｃ側に移してもよい。(51 Thermosetting resin gate 22'jk external lead 4a
s 4bs You may move it to the 4C side.
（６］ ダイオード１サイリスタ等の創造にも適用可
能である。(6) It is also applicable to the creation of a diode-1 thyristor, etc.
（７） 下金型１２及び上金型１３をスライド金型１
４．１５に接する部分で左右に分断し、４つの型の組み
合せで下金型と上金型を構成するようにしてもよい。(7) Slide the lower mold 12 and upper mold 13 into mold 1
It may be divided into left and right parts at the portion touching 4.15, and a lower mold and an upper mold may be configured by a combination of four molds.
（８１第１の部分布布ａを形成した後に金型から取り出
し、別の金型で第２の部分１１ｂを形成してもよい。(81) After forming the first portion cloth a, it may be removed from the mold and the second portion 11b may be formed using another mold.
上述から明らかな如く、本発明によれば、樹脂被覆体の
一部を熱可塑性樹脂とするために、無駄になる樹脂が少
なくなり、製造コストを低減させることができる。As is clear from the above, according to the present invention, since a part of the resin coating is made of thermoplastic resin, less resin is wasted, and manufacturing costs can be reduced.
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止後のトランジ
スタを示す斜視図箋
第２図は第１図のトランジスタのチップ取付後のリード
フレームを示す斜視図、
ＷＩ３図は樹脂被覆体を形成するためにリードフレーム
を装着した金型を示す断面図、
第４必は金型の第３図のＴｈ−ＩＶ線断面図、第５図は
ｗＥ３図の第１＆び第２のスライド金型と支持板を示す
斜視図１
第６図は熱硬化性樹脂を第１のキャビティに注入した後
の金型を示す断面図、
第７図は樹脂被覆体の第１の部分を設けたトランジスタ
の一部を示す斜視図、
第８図は第２のキャピテイを設けた状態の金型を示す断
面図、
第９因は第８図の［Ｘ−ｆｆ線断面図、第１０図は第２
のキャビティに熱可塑性樹脂を注入した状態を示す断面
図、
第１１図及び第１２図は支持板の変形例を七九それ示す
平面図である。
ｌ・・・リードフレーム、２・・・支持板、４ａ１４ｂ
ｓ４ｃ・・・外部リード、７・・・半導体チップ、８．
９・・・内部リード、１１・・・樹脂被覆体、１１ａ・
・・第１の部分、１１ｂ・・・第２の部分、１２・・・
下金型、１３・・・上金型、１４・・・第１のスライド
金型、１５・・・第２のスライド金型、１９・・・第１
のキャビティ、２１・・・ランナ、２２・・・ゲート、
２３・・・ランナ、２４・・・ゲート。
代 理 人 高 野 則 次第３図
Ｌ。
第６図
第８図
第９図FIG. 1 is a perspective view showing a transistor sealed with resin according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view showing a lead frame of the transistor shown in FIG. 1 after a chip is attached, and FIG. A sectional view showing a mold with a lead frame attached for forming the mold, 4th is a sectional view of the mold along line Th-IV in Figure 3, and Figure 5 is the first and second slide molds in Figure 3. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the mold after thermosetting resin is injected into the first cavity, and FIG. 7 is a perspective view of the transistor provided with the first portion of the resin coating. A perspective view showing a part of the mold, Fig. 8 is a sectional view showing the mold with the second cavity installed, the ninth factor is
FIG. 11 and FIG. 12 are plan views showing modifications of the support plate. l... Lead frame, 2... Support plate, 4a14b
s4c...external lead, 7...semiconductor chip, 8.
9... Internal lead, 11... Resin covering, 11a.
...First part, 11b...Second part, 12...
Lower mold, 13... Upper mold, 14... First slide die, 15... Second slide die, 19... First
cavity, 21... runner, 22... gate,
23...Runner, 24...Gate. Agent Nori Takano Figure 3 L. Figure 6 Figure 8 Figure 9
Claims (1)
された第１の外部リード（４ａ）と、前記第１の外部リ
ード（４ａ）と同一方向に延びている第２の外部リード
（４ｂ）（４ｃ）と、前記支持板（２）に固着された半
導体チップ（７）と、前記半導体チップ（７）と前記第
２の外部リード（４ｂ）（４ｃ）とを接続する内部リー
ド（８）（９）と、前記第１及び第２の外部リード（４
ａ）（４ｂ）（４ｃ）の少なくとも一部を露出させるが
、前記支持板（２）と前記半導体チップ（７）と前記内
部リード（８）（９）とを実質的に露出させないように
被覆する樹脂被覆体（１１）とから成る樹脂封止型半導
体装置の製造方法において、 型（１６）によつて前記第１の外部リード（４ａ）を支
持すると共に、前記第１の外部リード（４ａ）の導出側
とは反対側の前記支持板（２）の一部を支持して前記型
の内部に流動状態の熱硬化性樹脂を圧力を加えて押し込
んで前記型内で固化させて前記樹脂被覆体（１１）の少
なくとも前記半導体チップ（７）を被覆する部分（１１
ａ）を形成し、 前記半導体チップ（７）を被覆する部分（１１ａ）の形
成後又は前に、前記樹脂被覆体（１１）における前記半
導体チップ（７）を被覆しない残りの部分（１１ｂ）を
、前記型（１６）と同一又は別の型の成形空所に熱可塑
性樹脂を注入することによつて形成することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。(1) A support plate (2), a first external lead (4a) directly connected to the support plate (2), and a second external lead (4a) extending in the same direction as the first external lead (4a). connecting the external leads (4b) (4c), the semiconductor chip (7) fixed to the support plate (2), and the semiconductor chip (7) and the second external leads (4b) (4c). internal leads (8) and (9), and the first and second external leads (4).
a) At least a portion of (4b) (4c) is exposed, but the support plate (2), the semiconductor chip (7), and the internal leads (8) and (9) are covered so as not to be substantially exposed. In the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, the first external lead (4a) is supported by a mold (16), and the first external lead (4a) is supported by a mold (16). ) by supporting a part of the support plate (2) on the side opposite to the outlet side of the mold, press the thermosetting resin in a fluid state into the mold, and solidify the resin in the mold. A portion (11) of the covering body (11) that covers at least the semiconductor chip (7)
a), and after or before forming the portion (11a) that covers the semiconductor chip (7), remove the remaining portion (11b) of the resin coating (11) that does not cover the semiconductor chip (7). A method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that the semiconductor device is formed by injecting a thermoplastic resin into a molding cavity of the same or different mold (16).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP722287A JPS63175436A (en) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP722287A JPS63175436A (en) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63175436A true JPS63175436A (en) | 1988-07-19 |
| JPH0458181B2 JPH0458181B2 (en) | 1992-09-16 |
Family
ID=11659967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP722287A Granted JPS63175436A (en) | 1987-01-14 | 1987-01-14 | Manufacture of resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63175436A (en) |
-
1987
- 1987-01-14 JP JP722287A patent/JPS63175436A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458181B2 (en) | 1992-09-16 |
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