JPH05175396A - Lead frame and molding method - Google Patents
Lead frame and molding methodInfo
- Publication number
- JPH05175396A JPH05175396A JP3344295A JP34429591A JPH05175396A JP H05175396 A JPH05175396 A JP H05175396A JP 3344295 A JP3344295 A JP 3344295A JP 34429591 A JP34429591 A JP 34429591A JP H05175396 A JPH05175396 A JP H05175396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die
- molding
- semiconductor chip
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂をモールド成形し
てなる樹脂パッケージ内に半導体チップを封止して半導
体装置を構成するために使用するリードフレーム及びこ
のリードフレームのダイステージに搭載した半導体チッ
プを封止する樹脂パッケージを成形するためのモールド
方法、特に多数個取りの樹脂パッケージを高品質で成形
することを可能にするリードフレーム及びモールド方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is mounted on a lead frame used to form a semiconductor device by encapsulating a semiconductor chip in a resin package formed by molding a resin and a die stage of this lead frame. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a molding method for molding a resin package for encapsulating a semiconductor chip, and more particularly to a lead frame and a molding method that enable molding a multi-cavity resin package with high quality.
【０００２】[0002]
【従来の技術】次に、従来のリードフレームと、このリ
ードフレームのダイステージに搭載した半導体チップを
封止する樹脂パッケージを成形するための従来のモール
ド方法について図面を参照して説明する。2. Description of the Related Art Next, a conventional lead frame and a conventional molding method for molding a resin package for sealing a semiconductor chip mounted on a die stage of the lead frame will be described with reference to the drawings.
【０００３】図３は、従来のリードフレームを説明する
ための図であって、同図(a) はリードフレームの平面
図、同図(b) は樹脂パッケージ型の半導体装置の平面
図、図４は、従来のモールド方法を説明するための図で
あって、同図(a) は、リードフレームと第１のモールド
金型の裏面との関係を示す要部平面図、同図(b) はトラ
ンスファーモールド装置の要部側断面図である。3A and 3B are views for explaining a conventional lead frame. FIG. 3A is a plan view of the lead frame, and FIG. 3B is a plan view of a resin package type semiconductor device. 4A and 4B are views for explaining a conventional molding method, and FIG. 4A is a plan view of relevant parts showing the relationship between the lead frame and the back surface of the first molding die, and FIG. FIG. 3 is a side sectional view of a main part of a transfer molding device.
【０００４】樹脂をモールド成形、たとえば、トランス
ファーモールド成形してなる樹脂パッケージ内にダイス
テージに搭載した半導体チップを封止して半導体装置を
構成するために使用する従来のリードフレーム10は、図
３の(a) 図に示すように半導体チップ51を搭載するダイ
ステージ11とこの半導体チップ51と金属細線（図示せ
ず）を介して電気的に接続するインナーリード12及びア
ウリーリード13とを含んで一個の半導体装置50を構成す
る基本リードフレーム14が連結してなる複数のリードフ
レーム本体15を、並置状態で帯状の連結板16により連結
した如く構成されていた。A conventional lead frame 10 used to form a semiconductor device by sealing a semiconductor chip mounted on a die stage in a resin package formed by molding a resin, for example, transfer molding is shown in FIG. (A) As shown in the figure, one including the die stage 11 on which the semiconductor chip 51 is mounted, the inner lead 12 and the outer lead 13 electrically connected to the semiconductor chip 51 via a thin metal wire (not shown). The plurality of lead frame bodies 15 to which the basic lead frames 14 constituting the semiconductor device 50 are connected are connected by the band-shaped connecting plate 16 in a juxtaposed state.
【０００５】このようなリードフレーム10のダイステー
ジ11に搭載した半導体チップ51を、このダイステージ11
とともに封止する樹脂パッケージを成形する従来のモー
ルド方法、たとえば、トランスファー式のモールド方法
について図３及び図４を参照して説明する。The semiconductor chip 51 mounted on the die stage 11 of the lead frame 10 is mounted on the die stage 11
A conventional molding method for molding a resin package to be sealed together, for example, a transfer type molding method will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
【０００６】まず、所定温度に加熱されている第１のモ
ールド金型31の表面にリードフレーム10を載置した後
に、この第１のモールド金型31に一定温度に加熱されて
いる第２のモールド金型32の表面を押し付ける。First, after the lead frame 10 is placed on the surface of the first molding die 31 heated to a predetermined temperature, the second frame heated to a constant temperature is placed on the first molding die 31. The surface of the molding die 32 is pressed.
【０００７】この後、第２のモールド金型32に設けたポ
ット32a に半溶融状態で投入されたタブレット、たとえ
ば、粉末エポキシ系樹脂を固めてなるタブレット53をピ
ストン型をしたプランジャー33により押圧し、この第２
のモールド金型32に設けられてポット32a に連通した注
入孔32b の樹脂吐出口32b1から半溶融状態のエポキシ系
樹脂53を矢印Ａ方向に吐出する。Thereafter, a tablet which is put in a semi-molten state in a pot 32a provided in the second mold 32, for example, a tablet 53 obtained by solidifying a powdered epoxy resin, is pressed by a plunger 33 having a piston shape. Then this second
Provided in the molding die 32 discharged from resin discharge port 32b 1 of the injection hole 32b communicating with the pot 32a epoxy resin 53 in the semi-molten state in the arrow A direction.
【０００８】この樹脂吐出口32b1から吐出した半溶融状
態のエポキシ系樹脂53は、ランナー34を通過した後にス
リット状のゲート35からキャビティ36内に注入される。
そして、このキャビティ36に注入されたエポキシ系樹脂
53をそのまま硬化すると半導体装置50の樹脂パッケージ
52が形成されることとなる。The semi-molten epoxy resin 53 discharged from the resin discharge port 32b 1 is injected into the cavity 36 from the slit-shaped gate 35 after passing through the runner 34.
The epoxy resin injected into this cavity 36
When 53 is cured as it is, resin package of semiconductor device 50
52 will be formed.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のモール
ド方法は、図４の(a) 図及び(B) 図に示すように、注入
孔32b の樹脂吐出口32b1から近いキャビティ36(36a) ま
でのエポキシ系樹脂53の移動距離と、樹脂吐出口32b1か
ら遠いキャビティ36(36b) までのエポキシ系樹脂53の移
動距離とは大きな違いがあった。According to the conventional molding method described above, as shown in FIGS. 4A and 4B, the cavity 36 (36a) near the resin discharge port 32b 1 of the injection hole 32b is formed. There was a big difference between the moving distance of the epoxy resin 53 and the moving distance of the epoxy resin 53 from the resin discharge port 32b 1 to the cavity 36 (36b) far from.
【００１０】したがって、樹脂吐出口32b1から近いキャ
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形するた
めに、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐出速
度を遅くすると、この樹脂吐出口32b1から遠いキャビテ
ィ36(36b) で成形される樹脂パッケージ53にはボイド
（図示せず）が発生し、また、樹脂吐出口32b1から近い
キャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52を成形す
るために、樹脂吐出口32b1からのエポキシ系樹脂53の吐
出速度を速くすると、この樹脂吐出口32b1から近いキャ
ビティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイ
ステージ11やインナーリード12等が変形するという問題
があった。Accordingly, in order to form a cavity 36 normal resin package 52 (36a) close to the resin discharge port 32 b 1, A slow discharge speed of the epoxy resin 53 from the resin discharge port 32 b 1, the resin ejection A void (not shown) is generated in the resin package 53 molded in the cavity 36 (36b) far from the outlet 32b 1 , and a normal resin package 52 is mounted in the cavity 36 (36a) near the resin discharge port 32b 1. For molding, if the discharge speed of the epoxy resin 53 from the resin discharge port 32b 1 is increased, the die stage 11 or the inner part is formed in the resin package 52 molded in the cavity 36 (36a) close to the resin discharge port 32b 1. There is a problem that the lead 12 and the like are deformed.
【００１１】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は多数個取りの樹脂
パッケージを高品質で成形することを可能にするリード
フレーム及びモールド方法を提供することにある。The present invention has been made in order to solve such a problem, and its purpose is to provide a lead frame and a molding method which enable molding a multi-cavity resin package with high quality. To do.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】図１及び図２に示すよう
に、前記目的は、半導体チップ51を搭載するダイステー
ジ11とこの半導体チップ51と電気的に接続するインナー
リード12を含んで一個の半導体装置50を構成する基本リ
ードフレーム14が連結してなる複数のリードフレーム本
体15を、並置状態で連結する帯状の連結板16に開孔16a
とこの開孔16aに連通してダイステージ11の近傍に至る
スリット溝16b を点在されて形成した請求項１に係るリ
ードフレームを使用して構成する請求項２に係るモール
ド方法、すなわち、ダイステージ11に半導体チップ51を
搭載した請求項１記載のリードフレームを載置した第１
のモールド金型31に第２のモールド金型32を押圧し、こ
の第２のモールド金型32のポット32a に投入された樹脂
53をこのポット32a に連通した注入孔32b から吐出して
ダイステージ11と半導体チップ51とを内在させたキャビ
ティ36にランナー34とゲート35とをこの順に通過させて
注入するモールドル方法を、第１のモールド金型31に載
置した前記リードフレームに第２のモールド金型32を押
圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた開
孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通させ
るとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット溝
16b に対応させて連通させるようにした請求項２に係る
モールド方法により達成される。As shown in FIGS. 1 and 2, the above-mentioned object includes a die stage 11 on which a semiconductor chip 51 is mounted and an inner lead 12 electrically connected to the semiconductor chip 51. The plurality of lead frame bodies 15 that are connected to the basic lead frames 14 that form the semiconductor device 50 of FIG.
A molding method according to claim 2, which is configured by using the lead frame according to claim 1, which is formed by interspersing slit grooves 16b communicating with the opening 16a and reaching the vicinity of the die stage 11, that is, a die. The first lead frame according to claim 1, wherein the semiconductor chip 51 is mounted on the stage 11.
The resin injected into the pot 32a of the second molding die 32 by pressing the second molding die 32 against the molding die 31 of
The moldle method in which 53 is discharged from the injection hole 32b communicating with the pot 32a and injected into the cavity 36 having the die stage 11 and the semiconductor chip 51 therein by passing the runner 34 and the gate 35 in this order, When the second molding die 32 is pressed against the lead frame placed on the first molding die 31, the first molding die 31 is injected into the opening 16a provided in the connecting plate 16 of the lead frame. A slit groove that connects the hole 32b and the runner 34 to the connecting plate 16.
This is achieved by the molding method according to claim 2 in which 16 b is made to communicate.
【００１３】[0013]
【作用】本発明の請求項１に係るリードフレームは、そ
の連結板16に、開孔16a とこの開孔16a に連通してダイ
ステージ11の近傍に至るスリット溝16b を点在して構成
されている。In the lead frame according to the first aspect of the present invention, the connecting plate 16 is formed with the openings 16a and the slit grooves 16b communicating with the openings 16a and reaching the vicinity of the die stage 11. ing.
【００１４】したがって、本発明の請求項２に係るモー
ルド方法のように、第１のモールド金型31に載置した請
求項１に係るリードフレームに第２のモールド金型32を
押圧した際に、このリードフレームの連結板16に設けた
開孔16a に第１のモールド金型31の注入孔32b を連通さ
せるとともに、ランナー34を連結板16に設けたスリット
溝16b に対応させて連通させれば、第２のモールド金型
32の注入孔32b からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16bもランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。Therefore, when the second molding die 32 is pressed against the lead frame according to claim 1 mounted on the first molding die 31, as in the molding method according to claim 2 of the present invention. , The injection hole 32b of the first molding die 31 communicates with the opening 16a formed in the connecting plate 16 of the lead frame, and the runner 34 also communicates with the slit groove 16b provided in the connecting plate 16. For example, the second mold die
The distance from the injection hole 32b of 32 to the die stage 11 becomes shorter, and the slit groove 16b provided in the connecting plate 16 also functions as a part of the runner 34, so that the resin in a semi-molten state is formed.
The flow of 53 improves.
【００１５】斯くして、第２のモールド金型32の注入孔
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の
吐出速度を遅くしても、この注入孔32b から遠いキャビ
ティ36(36b) で成形される樹脂パッケージ52にはボイド
（図示せず）が発生することもないし、また、注入孔32
b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッケ
ージ52を成形するために、注入孔32b からの樹脂53の吐
出速度を速しても、この注入孔32b から最も近いキャビ
ティ36(36a) で成形される樹脂パッケージ52内でダイス
テージ11やインナーリード12等が変形することもない。Thus, the injection hole of the second molding die 32.
In order to mold the normal resin package 52 in the cavity 36 (36a) closest to 32b, even if the discharge speed of the resin 53 from the injection hole 32b is slowed, molding is performed in the cavity 36 (36b) far from the injection hole 32b. A void (not shown) does not occur in the resin package 52 to be filled, and the injection hole 32
In order to mold the normal resin package 52 in the cavity 36 (36a) closest to b, even if the discharge speed of the resin 53 from the injection hole 32b is increased, the cavity 36 (36a) closest to this injection hole 32b The die stage 11, the inner leads 12 and the like will not be deformed in the molded resin package 52.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明の請求項１に係るリードフレー
ムと、本発明の請求項２に係るモールド方法について図
面を参照して説明する。図１は、本発明の請求項１に係
るリードフレームを説明するための平面図、図２は、本
発明の請求項２に係るモールド方法を説明するための要
部平面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lead frame according to claim 1 of the present invention and a molding method according to claim 2 of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a plan view for explaining a lead frame according to claim 1 of the present invention, and FIG. 2 is a main part plan view for explaining a molding method according to claim 2 of the present invention.
【００１７】図１に示す本発明の請求項１に係るリード
フレーム20は、図３により説明した従来のリードフレー
ム10の連結板16に開孔16a とこの開孔16a に連通してダ
イステージ11の近傍に至るスリット溝16b 、すなわち、
連結板16の長手方向に沿うスリット溝16b を設けて構成
したものである。A lead frame 20 according to claim 1 of the present invention shown in FIG. 1 has an opening 16a in a connecting plate 16 of the conventional lead frame 10 described with reference to FIG. 3 and a die stage 11 communicating with the opening 16a. Slit groove 16b reaching the vicinity of
A slit groove 16b is provided along the longitudinal direction of the connecting plate 16 so as to be configured.
【００１８】一方、本発明の請求項２に係るモールド方
法は、図４に示すようにダイステージ11に半導体チップ
51を搭載した上記請求項１記載のリードフレーム20を載
置した第１のモールド金型31に第２のモールド金型32を
押圧し、この第２のモールド金型32のポット32a に投入
された樹脂53をこのポット32a に連通した注入孔32bか
ら吐出してダイステージ11と半導体チップ51とを内在さ
せたキャビティ36にランナー34とゲート35とをこの順に
通過させて注入するモールドル方法であって、第１のモ
ールド金型31に載置したリードフレーム20に第２のモー
ルド金型32を押圧した際に、図２に示すようにこのリー
ドフレーム20の連結板16に設けた開孔16a に第１のモー
ルド金型31の注入孔32b を連通させるとともに、ランナ
ー34を連結板16に設けたスリット溝16b に対応させて連
通させるように構成したものである。On the other hand, in the molding method according to the second aspect of the present invention, as shown in FIG.
The second molding die 32 is pressed against the first molding die 31 having the lead frame 20 according to claim 1 on which the 51 is mounted, and is inserted into the pot 32a of the second molding die 32. The resin 53 is discharged from the injection hole 32b communicating with the pot 32a and injected into the cavity 36 containing the die stage 11 and the semiconductor chip 51 by passing the runner 34 and the gate 35 in this order. Therefore, when the second molding die 32 is pressed against the lead frame 20 placed on the first molding die 31, as shown in FIG. 2, an opening provided in the connecting plate 16 of the lead frame 20. The injection hole 32b of the first molding die 31 is made to communicate with the 16a, and the runner 34 is made to communicate with the slit groove 16b provided in the connecting plate 16.
【００１９】したがって、このように構成したモールド
方法においては、第２のモールド金型32の注入孔32b の
樹脂吐出口32b1からダイステージ11に至る距離が短くな
るとともに、連結板16に設けたスリット溝16b もランナ
ー34の一部として機能することにより半溶融状態の樹脂
53の流れが良くなる。Therefore, in the molding method configured as described above, the distance from the resin discharge port 32b 1 of the injection hole 32b of the second molding die 32 to the die stage 11 is shortened and the connection plate 16 is provided. The slit groove 16b also functions as a part of the runner 34, so that the semi-molten resin
The flow of 53 improves.
【００２０】この結果、第２のモールド金型32の注入孔
32b から最も近いキャビティ36(36a) で正常な樹脂パッ
ケージ52、すなわち、ダイステージ11やインナーリード
等を変形させることのない樹脂パッケージ52を成形する
ために注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を遅くして
も、この注入孔32b から遠いキャビティ36(36b) で成形
される樹脂パッケージ52にはボイド（図示せず）が発生
することもないし、また、注入孔32b から最も近いキャ
ビティ36(36a) で正常な樹脂パッケージ52、すなわち、
内部にボイド等のない樹脂パッケージ52を成形するため
に注入孔32b からの樹脂53の吐出速度を速しても、この
注入孔32b から最も近いキャビティ36(36a) で成形され
る樹脂パッケージ52内でダイステージ11やインナーリー
ド12等が変形することもない。As a result, the injection hole of the second molding die 32
In order to form a normal resin package 52 in the cavity 36 (36a) closest to 32b, that is, a resin package 52 that does not deform the die stage 11 or inner leads, the discharge speed of the resin 53 from the injection hole 32b is adjusted. Even if it is delayed, no void (not shown) is generated in the resin package 52 molded in the cavity 36 (36b) far from the injection hole 32b, and the cavity 36 (36a closest to the injection hole 32b is not generated. ) With a normal resin package 52, i.e.
Even if the discharge speed of the resin 53 from the injection hole 32b is increased to mold the resin package 52 without voids inside, the resin package 52 molded in the cavity 36 (36a) closest to this injection hole 32b Therefore, the die stage 11 and the inner leads 12 are not deformed.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多数個取
りの樹脂パッケージを高品質で成形できるリードフレー
ム及びモールド方法の提供を可能にする。As described above, the present invention can provide a lead frame and a molding method capable of molding a multi-cavity resin package with high quality.
【００２２】したがって、本発明のリードフレームとモ
ールド方法により樹脂パッケージを成形された半導体装
置の信頼度は向上することとなる。Therefore, the reliability of the semiconductor device in which the resin package is molded by the lead frame and the molding method of the present invention is improved.
【図１】は、本発明の請求項１に係るリードフレームを
説明するための図、FIG. 1 is a diagram for explaining a lead frame according to claim 1 of the present invention,
【図２】は、本発明の一実施例のモールド方法を説明す
るための図、FIG. 2 is a diagram for explaining a molding method according to an embodiment of the present invention,
【図３】は、従来のリードフレームを説明するための
図、FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional lead frame,
【図４】は、従来のモールド方法を説明するための図で
ある。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional molding method.
10,20 は、リードフレーム、11は、ダイステージ、12
は、インナーリード、13は、アウターリード、14は、基
本リードフレーム、15は、リードフレーム本体、16は、
連結板、16a は、開孔、16b は、スリット溝、31は、第
１のモールド金型、32は、第２のモールド金型、32a
は、ポット、32b は、注入孔、32b1は、樹脂吐出口、33
は、プランジャー、34は、ランナー、35は、ゲート、36
は、キャビティ、50は、半導体装置、51は、半導体チッ
プ、52は、樹脂パッケージ、53は、樹脂よりなるタブレ
ット (樹脂、エポキシ系樹脂) をそれぞれ示す。10,20 is lead frame, 11 is die stage, 12
, Inner lead, 13 outer lead, 14 basic lead frame, 15 lead frame body, 16
Connecting plate, 16a is an opening, 16b is a slit groove, 31 is a first mold die, 32 is a second mold die, 32a
Is a pot, 32b is an injection hole, 32b 1 is a resin discharge port, 33
Is a plunger, 34 is a runner, 35 is a gate, 36
Is a cavity, 50 is a semiconductor device, 51 is a semiconductor chip, 52 is a resin package, and 53 is a tablet made of resin (resin, epoxy resin).
Claims (2)
ジ(11)とこの半導体チップ(51)と電気的に接続するイン
ナーリード(12)を含んで一個の半導体装置(50)を構成す
る基本リードフレーム(14)が連結してなる複数のリード
フレーム本体(15)を、並置状態で帯状の連結板(16)によ
り連結した如く構成したリードフレームにおいて、 連結板(16)に開孔(16a) とこの開孔(16a) に連通してダ
イステージ(11)の近傍に至るスリット溝(16b) が点在さ
れて形成されていることを特徴とするリードフレーム。1. A basic structure for forming one semiconductor device (50) including a die stage (11) on which a semiconductor chip (51) is mounted and an inner lead (12) electrically connected to the semiconductor chip (51). In a lead frame configured such that a plurality of lead frame bodies (15) formed by connecting lead frames (14) are connected by a belt-like connecting plate (16) in juxtaposed state, an opening (16a) is formed in the connecting plate (16). ) And the slits (16b) communicating with the opening (16a) and reaching the vicinity of the die stage (11) are formed in a scattered manner.
搭載した請求項１記載のリードフレームを載置した第１
のモールド金型(31)に第２のモールド金型(32)を押圧
し、この第２のモールド金型(32)のポット(32a) に投入
された樹脂(53)をこのポット(32a) に連通した注入孔(3
2b) から吐出してダイステージ(11)と半導体チップ(51)
とを内在させたキャビティ(36)にランナー(34)とゲート
(35)とをこの順に通過させて注入するモールドル方法に
おいて、 第１のモールド金型(31)に載置した前記リードフレーム
に第２のモールド金型(32)を押圧した際に、このリード
フレームの連結板(16)に設けた開孔(16a) に第１のモー
ルド金型(31)の注入孔(32b) を連通させるとともに、ラ
ンナー(34)を連結板(16)に設けたスリット溝(16b) に対
応させて連通させることを特徴とするモールド方法。2. The first lead frame mounted according to claim 1, wherein a semiconductor chip (51) is mounted on the die stage (11).
The second molding die (32) is pressed against the molding die (31) of the above, and the resin (53) put in the pot (32a) of the second molding die (32) is placed in this pot (32a). Injection hole (3
Discharge from 2b) die stage (11) and semiconductor chip (51)
Runner (34) and gate in cavity (36) with and
In the moldle method in which (35) and (3) are passed in this order and injected, when the second mold die (32) is pressed against the lead frame placed on the first mold die (31), The injection hole (32b) of the first molding die (31) was made to communicate with the opening (16a) provided in the connecting plate (16) of the lead frame, and the runner (34) was provided in the connecting plate (16). A molding method characterized in that the slit grooves (16b) are made to communicate with each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344295A JPH05175396A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Lead frame and molding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344295A JPH05175396A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Lead frame and molding method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175396A true JPH05175396A (en) | 1993-07-13 |
Family
ID=18368137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344295A Pending JPH05175396A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Lead frame and molding method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175396A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19600393A1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Heat deformation absorbent conductive frame for semiconductor device |
| WO1998002919A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method for mounting the device |
| KR100285917B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-03-15 | 한효용 | semiconductor package strip and forming method thereof |
| KR20010108539A (en) * | 2000-05-29 | 2001-12-08 | 마이클 디. 오브라이언 | A device loading a semiconductor chip |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| JP2012142621A (en) * | 2012-04-13 | 2012-07-26 | Apic Yamada Corp | Substrate for led package, manufacturing method of substrate for led package, metallic mold of substrate for led package, led package, and manufacturing method of led package |
| CN103311143A (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 深圳赛意法微电子有限公司 | Chip package testing device and lead frame used thereby |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344295A patent/JPH05175396A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19600393A1 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Heat deformation absorbent conductive frame for semiconductor device |
| US5793100A (en) * | 1995-02-02 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
| DE19600393B4 (en) * | 1995-02-02 | 2007-08-23 | Mitsubishi Denki K.K. | leadframe |
| WO1998002919A1 (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method for mounting the device |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| KR100285917B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-03-15 | 한효용 | semiconductor package strip and forming method thereof |
| KR20010108539A (en) * | 2000-05-29 | 2001-12-08 | 마이클 디. 오브라이언 | A device loading a semiconductor chip |
| CN103311143A (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 深圳赛意法微电子有限公司 | Chip package testing device and lead frame used thereby |
| JP2012142621A (en) * | 2012-04-13 | 2012-07-26 | Apic Yamada Corp | Substrate for led package, manufacturing method of substrate for led package, metallic mold of substrate for led package, led package, and manufacturing method of led package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5776512A (en) | Apparatus for encapsulating electronic packages | |
| US5652463A (en) | Transfer modlded electronic package having a passage means | |
| KR200309906Y1 (en) | lead frame for fabricating semiconductor package | |
| US4894704A (en) | Lead frame having projections for resin molding | |
| EP0562556A1 (en) | Method for producing resin sealed type semiconductor device | |
| JPH05175396A (en) | Lead frame and molding method | |
| EP1060507B1 (en) | Mould part, mould and method for encapsulating electronic components mounted on a carrier | |
| JP2675644B2 (en) | Resin mold equipment for semiconductor devices | |
| JPH0342495B2 (en) | ||
| JP3246037B2 (en) | Transfer mold for semiconductor chip | |
| JP2609894B2 (en) | Transfer resin encapsulation molding method for parts to be encapsulated, resin encapsulation molding die apparatus and film carrier used therefor | |
| JPH03250635A (en) | Manufacture of semiconductor device and molding device | |
| JPH09148354A (en) | Die for encapsulating semiconductor with resin | |
| JP2665668B2 (en) | Resin encapsulation molding method for electronic parts and mold for resin encapsulation molding | |
| JPH05343457A (en) | Resin sealing apparatus of semiconductor device | |
| JP2966033B2 (en) | Molding equipment | |
| JPS5839868Y2 (en) | Resin sealing mold | |
| JPH09181105A (en) | Metal mold for sealing semiconductor resin | |
| JPH07171862A (en) | Mold and production of semiconductor device | |
| JP2895988B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH0536745A (en) | Sealing mold and sealing method | |
| JPH06112599A (en) | Electronic component mounting board having guide groove | |
| JPH1050746A (en) | Molding resin seal of electronic component and resin material used therefor | |
| JPH06126771A (en) | Resin mold | |
| JPH11135527A (en) | Sealing resin formation of electronic parts and its mold |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991026 |