JPH0458181B2 - - Google Patents

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JPH0458181B2
JPH0458181B2 JP722287A JP722287A JPH0458181B2 JP H0458181 B2 JPH0458181 B2 JP H0458181B2 JP 722287 A JP722287 A JP 722287A JP 722287 A JP722287 A JP 722287A JP H0458181 B2 JPH0458181 B2 JP H0458181B2
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resin
mold
support plate
semiconductor chip
thermoplastic resin
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JPS63175436A (en
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Takaaki Yokoyama
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Sanken Electric Co Ltd
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Sanken Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge

Abstract

PURPOSE:To reduce the manufacturing cost of a resin-sealed semiconductor device by forming a remaining part not covered with a semiconductor chip in a resin coating of thermoplastic resin to reduce wasteful resin. CONSTITUTION:First external leads 4a are supported by a mold 16, a support 2 of opposite side to its leading side is supported, thermoset resin of fluidized state is pressed by pressure in the mold to be solidified to form a section 11a covered with the semiconductor chip 7 of a resin coating 11. The remaining section 11a not covered with the chip 7 of the coating 11 is formed by pouring thermoplastic resin in the molding cavity of the same as or another mold from the mold 16. Even if the thermoplastic resin remains in the mold, it is placed in the heating state of the level allowed in resin sealing to be used as next sealing resin, thereby eliminating wasteful resin.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂モールドトランジスタ又はこれ
に類似の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a resin-molded transistor or a similar resin-sealed semiconductor device.

〔従来の技術とその問題点〕[Conventional technology and its problems]

樹脂モールドトランジスタのチツプ支持板(放
熱板)の裏面を露出させずに、樹脂被覆すること
は公知である。ところで、リードフレームが金型
内のキヤビテイ(成形空所)に片持ち支持状態に
配置されると、樹脂をキヤビテイに注入した時に
チツプ支持板の位置変動が生じる。これを防ぐた
めに、金型によつてチツプ支持板から導出されて
いる外部リードを支持する他に、リードとは反対
側における支持板の一部又はこの延長部を支持す
ることが試みられている。この様に複数箇所でチ
ツプ支持板を支持すれば、キヤビテイ内にチツプ
支持板が安定的に位置決めされるが、金型によつ
て支持した部分が樹脂被覆されないという問題が
生じる。
It is known that the back surface of a chip support plate (heat sink) of a resin-molded transistor is coated with resin without being exposed. By the way, when the lead frame is disposed in a cantilevered state in a cavity (molding space) in a mold, the position of the chip support plate changes when resin is injected into the cavity. To prevent this, in addition to supporting the external leads led out from the chip support plate by the mold, attempts have been made to support a part of the support plate or an extension thereof on the side opposite to the leads. . If the chip support plate is supported at a plurality of locations in this way, the chip support plate can be stably positioned within the cavity, but a problem arises in that the portion supported by the mold is not coated with resin.

この問題を解決するために、一部がスライド可
能な金型によつてチツプ支持板を複数箇所で支持
した状態で半導体チツプを含む主要部分をモール
ドし、しかる後、金型の一部をスライドさせて支
持板から離間させ、第1回目のモールド工程で被
覆されなかつた部分を第2回目のモールド工程で
被覆することが特開昭61−2348号公報に開示され
ている。上記方法によれば、確かに露出部が実質
的に生じないように支持板を被覆することができ
る。しかし、この公開公報に開示されている方法
では、第1回目のモールドと第2回目のモールド
とが共に、熱硬化性エポキシ樹脂によつて行われ
ている。熱硬化性エポキシ樹脂は、封止樹脂とし
て性能的に優れてはいるが、高価であり且つ取扱
い難いという欠点がある。即ち、流動性を有する
熱硬化性樹脂を金型に設けられているランナ(樹
脂通路)とゲート(注入孔)とを介してキヤビテ
イに注入し、固化させる場合に、ランナ及びゲー
トに残存した樹脂が再利用不可能になり、無駄に
なつて必然的に材料費が高くなつた。半導体素子
のコストダウンが厳しく要求されているために、
ランナ及びゲートに残存する樹脂も無視できない
状況にある。
To solve this problem, we molded the main part, including the semiconductor chip, with the chip support plate supported at multiple locations by a mold that was partially slidable, and then slid part of the mold. Japanese Patent Laid-Open No. 61-2348 discloses a method in which the parts that were not covered in the first molding process are covered in the second molding process by separating the parts from the support plate. According to the above method, the support plate can be coated in such a manner that substantially no exposed portions are formed. However, in the method disclosed in this publication, both the first molding and the second molding are performed using thermosetting epoxy resin. Although thermosetting epoxy resins have excellent performance as sealing resins, they have the drawbacks of being expensive and difficult to handle. In other words, when a fluid thermosetting resin is injected into the cavity through the runner (resin passage) and gate (injection hole) provided in the mold and solidified, the resin remaining in the runner and gate is could no longer be reused and was wasted, which inevitably led to higher material costs. Due to the strict requirement to reduce the cost of semiconductor devices,
The resin remaining on the runner and gate cannot be ignored.

そこで、本発明の目的は、コストを低減させる
ことが可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device that can reduce costs.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記問題点を解決し、上記目的を達成するため
の本発明は、実施例を示す図面の符号を参照して
説明すると、支持板2と、前記支持板2に直接に
接続された第1の外部リード4aと、前記第1の
外部リード4aと同一方向に延延びている第2の
外部リード4b,4cと、前記支持板2に固着さ
れた半導体チツプ7と、前記半導体チツプ7と前
記第2の外部リード4b,4cとを接続する内部
リード8,9と、前記第1及び第2の外部リード
4a,4b,4cの少なくとも一部を露出させる
が、前記支持板2と前記半導体チツプ7と前記内
部リード8,9とを実質的に露出させないように
被覆する樹脂被覆体11とから成る樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、型16によつて前
記第1の外部リード4aを支持すると共に、前記
第1の外部リード4aの導出側とは反対側の前記
支持板2の一部を支持して前記型の内部に流動状
態の熱硬化性樹脂を圧力を加えて押し込んで前記
型内で固化させて前記樹脂被覆体11の少なくと
も前記半導体チツプ7を被覆する部分11aの形
成し、前記半導体チツプ7を被覆する部分11a
の形成後又は前に、前記樹脂被覆体11における
前記半導体チツプ7を被覆しない残りの部分11
bを、前記型16と同一又は別の型の成形空所に
熱可塑性樹脂を注入することによつて形成するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
に係わるものである。
To solve the above problems and achieve the above objects, the present invention will be described with reference to the reference numerals in the drawings showing the embodiments. An external lead 4a, second external leads 4b and 4c extending in the same direction as the first external lead 4a, a semiconductor chip 7 fixed to the support plate 2, and a semiconductor chip 7 and the second external lead 4a. The internal leads 8 and 9 connecting the second external leads 4b and 4c, and at least a portion of the first and second external leads 4a, 4b, 4c are exposed. and a resin coating 11 that covers the internal leads 8 and 9 so as not to substantially expose them, wherein the first external lead 4a is supported by a mold 16. At the same time, a part of the support plate 2 on the side opposite to the lead-out side of the first external lead 4a is supported, and the fluidized thermosetting resin is pushed into the mold by applying pressure. to form a portion 11a of the resin coating 11 that covers at least the semiconductor chip 7;
After or before the formation of the remaining portion 11 of the resin coating 11 that does not cover the semiconductor chip 7,
The present invention relates to a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that b is formed by injecting a thermoplastic resin into a molding cavity of the same or different mold 16.

〔作用〕[Effect]

本発明においては、樹脂被覆体11のチツプ被
覆部分11aは熱硬化性樹脂で形成するが、チツ
プ非被覆部分11bは熱可塑性樹脂で形成する。
このため、チツプ非被覆部分11bを形成する際
に、型内に熱可塑性樹脂が残存しても、これを樹
脂封止において許容できるレベルの加熱状態に置
くことによつて、次の封止樹脂として使用するこ
とが可能になり、樹脂の無駄が生じない。このた
め、材料を節約することができ、且つ型に残存す
る樹脂を取り除くことが不要になる。
In the present invention, the chip-covered portion 11a of the resin coating 11 is made of thermosetting resin, while the chip-uncovered portion 11b is made of thermoplastic resin.
Therefore, even if the thermoplastic resin remains in the mold when forming the chip non-coated portion 11b, by heating it to a level that is permissible for resin sealing, the next sealing resin can be applied. This makes it possible to use the resin as a resin, and there is no waste of resin. This saves material and eliminates the need to remove resin remaining in the mold.

〔実施例〕〔Example〕

次に、第1図〜第10図に基づいて本発明の実
施例に係わる樹脂封止型トランジスタの製造方法
を説明する。第1図は樹脂モールドが終了した後
のトランジスタを示す。この第1図のトランジス
タは、第2図に示すリードフレーム1を樹脂封止
したものである。リードフレーム1は、取付孔3
を有する金属製の放熱支持板2と、この支持板2
に接続されている第1の外部リード4aと、支持
板2に直接に接続されていない2本の第2の外部
リード4b,4cと、外部リード4a,4b,4
cの中間部を相互に連結するタイバーと呼ばれて
いる細条5と、外部リード4a,4b,4cの端
を共通に連結している細条6とから成る。支持板
2には半導体チツプ7が半田によつて固着され、
半導体チツプ7のエミツタ電極及びベース電極と
外部リード4b,4cとがそれぞれ内部リード
8,9によつて接続され、半導体チツプ7は保護
樹脂10で被覆されている。なお、図示はされて
いないが、同一のリードフレーム1に支持板2が
複数個設けられている。
Next, a method for manufacturing a resin-sealed transistor according to an embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 to 10. FIG. 1 shows the transistor after resin molding is completed. The transistor shown in FIG. 1 is obtained by sealing the lead frame 1 shown in FIG. 2 with resin. Lead frame 1 has mounting hole 3
A metal heat dissipation support plate 2 having a
the first external lead 4a connected to the support plate 2, the two second external leads 4b, 4c not directly connected to the support plate 2, and the external leads 4a, 4b, 4.
It consists of a strip 5 called a tie bar that interconnects the intermediate portions of the leads 4a, 4c, and a strip 6 that commonly connects the ends of the external leads 4a, 4b, and 4c. A semiconductor chip 7 is fixed to the support plate 2 by solder.
The emitter electrode and base electrode of the semiconductor chip 7 and the external leads 4b, 4c are connected by internal leads 8, 9, respectively, and the semiconductor chip 7 is covered with a protective resin 10. Although not shown, a plurality of support plates 2 are provided on the same lead frame 1.

第1図に示す樹脂被覆体11は、支持板2、半
導体チツプ7、外部リード4a,4b,4cの先
端、内部リード8,9を露出させないように覆つ
ている。この樹脂被覆体11は、単一の樹脂で形
成されずに、熱硬化性樹脂からなり、半導体チツ
プ7を被覆している第1の部分11aと熱可塑性
樹脂からなり、支持板2の先端部分及び第1の部
分11aを被覆している第2の部分11bとから
成る。
The resin covering 11 shown in FIG. 1 covers the support plate 2, the semiconductor chip 7, the tips of the external leads 4a, 4b, 4c, and the internal leads 8, 9 so as not to expose them. This resin coating 11 is not made of a single resin, but is made of a thermosetting resin, and includes a first portion 11a that covers the semiconductor chip 7, and a thermoplastic resin, and a tip portion of the support plate 2. and a second portion 11b covering the first portion 11a.

樹脂被覆体11を形成するためには、第2図に
示す半導体チツプ7を固着したリードフレーム1
を用意する他に、第3図に示す如く下金型12と
上金型13と第1及び第2のスライド金型14,
15とから成る成形用金型16を用意する。下金
型12と上金型13とは分離可能に形成され、一
方が固定型、他方が可動型とされている。第1及
び第2のスライド金型14,15は下金型12と
上金型13とに設けられた貫通孔17,18にお
いてそれぞれ上下方向に滑動可能であるように形
成されている。上面に凹部19aを有する下金型
12と下面に凹部19bを有する上金型13と第
1及び第2のスライド金型14,15との組み合
せによつて第1のキヤビテイ19が生じる。上金
型13は、支持板2の取付孔3に挿入するための
円柱部20を有する。下金型12は、熱硬化性樹
脂が送られてくるランナ21と、このランナ21
からキヤビテイ19に樹脂が注入するための孔即
ちゲート22とを有する。このランナ21及びゲ
ート22はここに残存する熱硬化性樹脂を除去す
ることが可能なように、下金型12と上金型13
との境界に設けられている。
In order to form the resin coating 11, a lead frame 1 to which a semiconductor chip 7 is fixed as shown in FIG.
In addition to preparing the lower mold 12, upper mold 13, first and second slide molds 14, as shown in FIG.
A molding die 16 consisting of 15 is prepared. The lower mold 12 and the upper mold 13 are formed so as to be separable, and one is a fixed mold and the other is a movable mold. The first and second slide molds 14 and 15 are formed to be able to slide vertically in through holes 17 and 18 provided in the lower mold 12 and the upper mold 13, respectively. A first cavity 19 is created by the combination of the lower mold 12 having a recess 19a on the upper surface, the upper mold 13 having a recess 19b on the lower surface, and the first and second slide molds 14 and 15. The upper mold 13 has a cylindrical part 20 for insertion into the mounting hole 3 of the support plate 2. The lower mold 12 includes a runner 21 to which the thermosetting resin is sent, and this runner 21.
It has a hole or gate 22 through which resin is injected into the cavity 19. The runner 21 and the gate 22 are connected to the lower mold 12 and the upper mold 13 so that the thermosetting resin remaining there can be removed.
It is established on the border of

上金型13は、熱可塑性樹脂のランナ23即ち
樹脂通路及びこのランナ23に連続しているゲー
ト24即ち注入孔を有している。なお、ランナ2
3内には樹脂加熱用ヒータ25が配置されてい
る。
The upper mold 13 has a thermoplastic resin runner 23 or resin passage and a gate 24 or injection hole communicating with the runner 23. In addition, runner 2
A heater 25 for heating the resin is disposed within the housing 3 .

第1及び第2のスライド金型14,15は、樹
脂被覆体11の第1の部分11aを形成する時に
は、第3図に示す如く熱可塑性樹脂のゲート24
を閉塞しているが、熱硬化性樹脂のゲート22は
閉塞していない。第1及び第2のスライド金型1
4,15は、第5図から最も明らかな如く凹部2
6,27を有する。第1のスライド金型14にお
ける凹部26は、この上面中央に設けられ、この
結果として一対の脚部28,29が生じている。
第2のスライド金型15における凹部27は、こ
の下面中央に設けられ、この結果として一対の脚
部30,31が生じている。なお、第2のスライ
ド金型15の凹部27内には支持板2を挾持する
ための段部32が設けられている。
When forming the first portion 11a of the resin coating 11, the first and second slide molds 14 and 15 are used to form a thermoplastic resin gate 24 as shown in FIG.
is closed, but the thermosetting resin gate 22 is not closed. First and second slide molds 1
4 and 15 are the recesses 2 as most clearly seen in FIG.
It has 6,27. A recess 26 in the first slide mold 14 is provided at the center of the upper surface, resulting in a pair of legs 28 and 29.
The recess 27 in the second slide mold 15 is provided at the center of this lower surface, resulting in a pair of legs 30, 31. Note that a step 32 for holding the support plate 2 is provided in the recess 27 of the second slide mold 15.

金型16に対するリードフレーム1の装着は、
第3図及び第4図に示す如く行う。即ち、キヤビ
テイ19内に支持板2を配置し、外部リード4
a,4b,4cを下金型12と上金型13とで挾
持する。また、第4図に示す如く第1のスライド
金型14の上面と第2のスライド金型15の凹部
27における段部32とで支持板2の先端部分を
挾持する。この結果、支持板2は、外部リード4
aと支持板2の先端部分の両側との合計3箇所で
金型16によつて支持された状態となり、極めて
安定的にキヤビテイ19内に位置決めされる。こ
の結果、支持板2と下金型12との間に極めて狭
い間隙を正確に設けることができ、ここに樹脂を
薄く形成することが可能になる。支持板2の下面
に樹脂を薄く形成することは、放熱効果を良くす
るために重要なことである。リードフレーム1を
キヤビテイ19内に配置したら、下金型12と上
金型13とを型締めし、また第1及び第2のスラ
イド金型14,15を型締めする。
The attachment of the lead frame 1 to the mold 16 is as follows:
This is done as shown in FIGS. 3 and 4. That is, the support plate 2 is placed inside the cavity 19, and the external lead 4 is placed inside the cavity 19.
a, 4b, and 4c are held between a lower mold 12 and an upper mold 13. Further, as shown in FIG. 4, the tip portion of the support plate 2 is held between the upper surface of the first slide mold 14 and the stepped portion 32 in the recess 27 of the second slide mold 15. As a result, the support plate 2
It is supported by the mold 16 at a total of three locations: a and both sides of the tip of the support plate 2, and is extremely stably positioned within the cavity 19. As a result, it is possible to accurately provide an extremely narrow gap between the support plate 2 and the lower mold 12, and it is possible to form a thin resin there. It is important to form a thin layer of resin on the lower surface of the support plate 2 in order to improve the heat dissipation effect. After the lead frame 1 is placed in the cavity 19, the lower mold 12 and the upper mold 13 are clamped, and the first and second slide molds 14 and 15 are clamped.

次に、ライナ21、及びゲート22を通して例
えばエポキシ樹脂から成る熱硬化性樹脂を流動状
態にしたものをキヤビテイ19内に圧力を加えて
充填させ、金型16内で数分間加熱して固化させ
る。即ち、トランスフアーモールド法によつて樹
脂被覆体11の第1の部分11aを第6図及び第
7図に示す如く形成する。なお、金型16を予め
熱硬化性樹脂の硬化温度(150℃〜180℃)に加熱
しておくことにより、キヤビテイ19に注入され
た樹脂は2〜3分で固化する。この工程において
は、熱可塑性樹脂のゲート24は第2のスライド
金型15によつて閉じられているので、たとえラ
ンナ23に熱可塑性樹脂が存在していても、これ
がキヤビテイ19内に流入しない。樹脂被覆体1
1の第1の部分11aは、第6図及び第7図から
明らかな如く、支持板2の先端部分を除く大部分
と半導体チツプ7と保護樹脂10と内部リード
8,9と外部リード4a,4b,4cの先端部と
を被覆する。しかし、第1及び第2のスライド金
型14,15に接触していた支持板2の先端部2
aが樹脂被覆体11の第1の部分11aで被覆さ
れずに、露出する。そこで、この支持板2の露出
した先端部2aを次の工程で熱可塑性樹脂で被覆
する。
Next, a fluidized thermosetting resin made of, for example, epoxy resin is filled into the cavity 19 through the liner 21 and the gate 22 by applying pressure, and is heated in the mold 16 for several minutes to solidify. That is, the first portion 11a of the resin coating 11 is formed as shown in FIGS. 6 and 7 by a transfer molding method. Note that by heating the mold 16 in advance to the curing temperature of the thermosetting resin (150° C. to 180° C.), the resin injected into the cavity 19 solidifies in 2 to 3 minutes. In this process, the thermoplastic resin gate 24 is closed by the second slide mold 15, so even if thermoplastic resin exists in the runner 23, it does not flow into the cavity 19. Resin coating 1
As is clear from FIGS. 6 and 7, the first portion 11a of the support plate 2 includes most of the support plate 2 except for the tip, the semiconductor chip 7, the protective resin 10, the internal leads 8, 9, the external leads 4a, The tips of 4b and 4c are covered. However, the tip portion 2 of the support plate 2 that was in contact with the first and second slide molds 14 and 15
a is not covered with the first portion 11a of the resin coating 11 and is exposed. Therefore, the exposed tip portion 2a of this support plate 2 is coated with thermoplastic resin in the next step.

熱可塑性樹脂によるモールド工程においては、
金型16を第8図及び第9図に示す状態になす。
即ち、第1及び第2のスライド金型14,15を
第8図及び第9図に示すように外側にスライドさ
せる。これにより、第1及び第2のスライド金型
14,15の移動した部分に第2のキヤビテイ3
3が生じ、且つこの第2のキヤビテイ33に熱可
塑性樹脂ゲート24を介して樹脂ランナ23が接
続される。第1及び第2のスライド金型14,1
5を支持板2から離間させても、熱硬化性樹脂被
覆体から成る第1の部分11aが既に固定されて
いるために、支持板2は第1の部分11aを介し
て下金型12と上金型13とによつて安定的に支
持されている。
In the molding process using thermoplastic resin,
The mold 16 is brought into the state shown in FIGS. 8 and 9.
That is, the first and second slide molds 14 and 15 are slid outward as shown in FIGS. 8 and 9. As a result, the second cavity 3 is placed in the moved portions of the first and second slide molds 14 and 15.
3 is generated, and a resin runner 23 is connected to this second cavity 33 via a thermoplastic resin gate 24. First and second slide molds 14, 1
5 is separated from the support plate 2, the first part 11a made of the thermosetting resin coating is already fixed, so the support plate 2 is connected to the lower mold 12 via the first part 11a. It is stably supported by the upper mold 13.

次に、第10図に示す如く、ゲート24から例
えばポリブチレンテレフタレード樹脂から成る熱
可塑性樹脂34をヒータ25で加熱して活動性を
持たせたものを第2のキヤビテイ33に圧力を加
えて充填させる。下金型12及び上金型13の温
度は熱可塑性樹脂の軟化温度(固化温度)よりも
低いので、第2のキヤビテイ33に注入された熱
可塑性樹脂は固化し、樹脂被覆体11の第2の部
分11bとなる。即ち、この工程ではインジエク
シヨンモールド法によつて熱可塑性樹脂から成る
第2の部分11bを形成する。
Next, as shown in FIG. 10, a thermoplastic resin 34 made of, for example, polybutylene terephthalate resin is heated with a heater 25 to make it active, and then pressure is applied to the second cavity 33 from the gate 24. and fill it. Since the temperatures of the lower mold 12 and the upper mold 13 are lower than the softening temperature (solidification temperature) of the thermoplastic resin, the thermoplastic resin injected into the second cavity 33 solidifies, and the second mold of the resin coating 11 This becomes part 11b. That is, in this step, the second portion 11b made of thermoplastic resin is formed by an in-die extension molding method.

次に、下金型12と上金型13との締めを解
き、成形体を金型16から取り出す。第1図は成
形体を示すものであり、第2図に示すリードフレ
ーム1における支持板2と半導体チツプ7と内部
リード8,9と外部リード4a,4b,4cの先
端部分とは樹脂被覆体11によつて完全に被覆さ
れている。即ち、第7図に示す第1の部分11a
を設けたのみの状態では、支持板2の先端部2a
が幾らか露出していたが、第2の部分11bによ
つて露出先端部2aが被覆されている。第2の部
分11bを構成する熱可塑性樹脂は、耐湿性、接
着力等の点で熱硬化性樹脂よりも劣るが、半導体
チツプ7から十分に離れた支持板2の先端部2a
を被覆するものであるから、樹脂封止トランジス
タの電気的特性の低下は実質的に生じない。な
お、樹脂被覆体11に、上金型13の円柱部20
に対応する取付孔35が生じるが、支持板2はこ
の取付孔35において露出していない。
Next, the lower mold 12 and the upper mold 13 are unfastened, and the molded body is taken out from the mold 16. FIG. 1 shows a molded body, and the support plate 2, semiconductor chip 7, internal leads 8, 9, and tip portions of external leads 4a, 4b, 4c in the lead frame 1 shown in FIG. 2 are resin-coated bodies. 11. That is, the first portion 11a shown in FIG.
In the state where only the support plate 2 is provided, the tip 2a of the support plate 2
was exposed to some extent, but the exposed tip portion 2a is covered by the second portion 11b. The thermoplastic resin constituting the second portion 11b is inferior to the thermosetting resin in terms of moisture resistance, adhesive strength, etc., but the tip 2a of the support plate 2 is sufficiently far away from the semiconductor chip 7.
Therefore, the electrical characteristics of the resin-sealed transistor are not substantially deteriorated. Note that the cylindrical portion 20 of the upper mold 13 is attached to the resin coating 11.
A corresponding mounting hole 35 is formed, but the support plate 2 is not exposed in this mounting hole 35.

最後に、第1図に示すリードフレーム1の細条
5,6を切り捨て、独立した外部リード4a,4
b,4cを得てトランジスタを完成させる。
Finally, the strips 5 and 6 of the lead frame 1 shown in FIG.
Obtain b and 4c to complete the transistor.

本実施例は次の利点を有する。 This embodiment has the following advantages.

(1) 樹脂被覆体11の第2の部分11bを熱硬化
性樹脂とせずに、熱可塑性樹脂としたので、ラ
ンナ23に残存する樹脂を捨てずに次の注入樹
脂として使用することができる。従つて、材料
を節約することができる。また、ランナ23の
樹脂を連続的に使用することができるので、残
存した樹脂を取り除く作業が不要となる。
(1) Since the second portion 11b of the resin coating 11 is made of thermoplastic resin instead of thermosetting resin, the resin remaining in the runner 23 can be used as the next injection resin without being thrown away. Therefore, materials can be saved. Further, since the resin of the runner 23 can be used continuously, there is no need to remove the remaining resin.

(2) 第2のスライド金型15は樹脂被覆体11の
第2の部分11bを得るための第2のキヤビテ
イ33の形成に寄与しているのみでなく、熱可
塑性樹脂34を注入の制御にも使用されている
ため、比較的簡単な構成で熱硬化性樹脂による
第1の部分11aと熱可塑性樹脂による第2の
部分11bとを形成することができる。
(2) The second slide mold 15 not only contributes to the formation of the second cavity 33 for obtaining the second portion 11b of the resin coating 11, but also controls the injection of the thermoplastic resin 34. Also, the first portion 11a made of thermosetting resin and the second portion 11b made of thermoplastic resin can be formed with a relatively simple structure.

(3) 熱硬化性樹脂のためのゲート22と熱可塑性
樹脂のためのゲート24との両方を支持板2の
先端側に配置したので、金型16の小型化が達
成される。即ち、特開昭61−2348号公報に開示
されている金型では、外部リード側に第1のゲ
ートを設け、支持板の先端側に第2のゲートを
設けているので、金型が必然的に大きくなる
が、本実施例では、2つのゲート22,24が
支持板2の先端側に配置されているので、一方
のゲートの分だけ小型化される。この様に単位
成形部分が小型化されるということは、共通の
金型で多数のトランジスタのモールドを行う場
合に、共通の金型によつて従来よりも多くのト
ランジスタのモールドを同時に達成することが
できることを意味する。
(3) Since both the gate 22 for the thermosetting resin and the gate 24 for the thermoplastic resin are arranged on the tip side of the support plate 2, the mold 16 can be made smaller. That is, in the mold disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-2348, the first gate is provided on the external lead side and the second gate is provided on the tip side of the support plate. However, in this embodiment, since the two gates 22 and 24 are arranged on the tip side of the support plate 2, the size is reduced by one gate. The miniaturization of unit molding parts in this way means that when molding a large number of transistors using a common mold, it is possible to simultaneously mold more transistors using a common mold than before. It means that you can.

〔変形例〕[Modified example]

本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified, for example, as follows.

(1) 第11図に示む如く、熱可塑性樹脂から成る
第2の部分11bで被覆される支持板2の部分
2aに貫通孔36を設けるか、又は第12図に
示す如く切り込み37を設けて、熱可塑性樹脂
と支持板2との接着力を増加させてもよい。
(1) As shown in FIG. 11, a through hole 36 is provided in the portion 2a of the support plate 2 covered with the second portion 11b made of thermoplastic resin, or a notch 37 is provided as shown in FIG. The adhesive strength between the thermoplastic resin and the support plate 2 may be increased.

(2) 支持板2の厚さを均一にせずに、半導体チツ
プ7の接着領域を厚くし、先端領域を薄くして
もよい。
(2) Instead of making the thickness of the support plate 2 uniform, the bonding area of the semiconductor chip 7 may be made thicker and the tip area may be made thinner.

(3) 熱可塑性樹脂のランナ34を下金型12に配
設してもよい。
(3) A thermoplastic resin runner 34 may be provided in the lower mold 12.

(4) 支持板2の先端の両端を第1及び第2のスラ
イド金型14,15で挾持したが、1箇所又は
3箇所又はこれ以上で挾持するようにしてもよ
い。
(4) Although both ends of the tip of the support plate 2 are clamped by the first and second slide molds 14 and 15, they may be clamped at one, three or more positions.

(5) 熱硬化性樹脂にゲート22を外部リード4
a,4b,4c側に移してもよい。
(5) Connect the gate 22 to the external lead 4 using thermosetting resin.
It may be moved to the a, 4b, and 4c sides.

(6) ダイオード、サイリスタ等の製造にも適用可
能である。
(6) It can also be applied to the manufacture of diodes, thyristors, etc.

(7) 下金型12及び上金型13をスライド金型1
4,15に接する部分で左右に分断し、4つの
型の組み合せで下金型と上金型を構成するよう
にしてもよい。
(7) Slide the lower mold 12 and upper mold 13 into mold 1
The lower mold and the upper mold may be constructed by combining the four molds by dividing the mold into left and right parts at the portions in contact with the molds 4 and 15.

(8) 第1の部分11aを形成した後に金型から取
り出し、別の金型で第2の部分11bを形成し
てもよい。
(8) After forming the first portion 11a, it may be removed from the mold and the second portion 11b may be formed using another mold.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述から明らかな如く、本発明によれば、樹脂
被覆体の一部を熱可塑性樹脂とするために、無駄
になる樹脂が少なくなり、製造コストを低減させ
ることができる。
As is clear from the above, according to the present invention, since a part of the resin coating is made of thermoplastic resin, less resin is wasted, and manufacturing costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例に係わる樹脂封止後の
トランジスタを示す斜視図、第2図は第1図のト
ランジスタのチツプ取付後のリードフレームを示
す斜視図、第3図は樹脂被覆体を形成するために
リードフレームを装着した金型を示す断面図、第
4図は金型の第3図の−線断面図、第5図は
第3図の第1及び第2のスライド金型と支持板を
示す斜視図、第6図は熱硬化性樹脂を第1のキヤ
ビテイに注入した後の金型を示す断面図、第7図
は樹脂被覆体の第1の部分を設けたトランジスタ
の一部を示す斜視図、第8図は第2のキヤビテイ
を設けた状態の金型を示す断面図、第9図は第8
図の−線断面図、第10図は第2のキヤビテ
イに熱可塑性樹脂を注入した状態を示す断面図、
第11図及び第12図は支持板の変形例をそれぞ
れ示す平面図である。 1……リードフレーム、2……支持板、4a,
4b,4c……外部リード、7……半導体チツ
プ、8,9……内部リード、11……樹脂被覆
体、11a……第1の部分、11b……第2の部
分、12……下金型、13……上金型、14……
第1のスライド金型、15……第2のスライド金
型、19……第1のキヤビテイ、21……ラン
ナ、22……ゲート、23……ランナ、24……
ゲート。
Fig. 1 is a perspective view showing a transistor sealed with resin according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a perspective view showing a lead frame of the transistor shown in Fig. 1 after a chip is attached, and Fig. 3 is a resin coating. 4 is a cross-sectional view of the mold with a lead frame attached to it to form a mold, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line -- in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the mold after thermosetting resin is injected into the first cavity, and FIG. 7 is a perspective view of the transistor provided with the first portion of the resin coating. A perspective view showing a part, FIG. 8 is a sectional view showing the mold with the second cavity provided, and FIG.
10 is a sectional view showing a state in which thermoplastic resin is injected into the second cavity,
FIGS. 11 and 12 are plan views showing modified examples of the support plate, respectively. 1...Lead frame, 2...Support plate, 4a,
4b, 4c...External lead, 7...Semiconductor chip, 8, 9...Internal lead, 11...Resin coating, 11a...First part, 11b...Second part, 12...Bottom metal Mold, 13... Upper mold, 14...
First slide mold, 15... Second slide mold, 19... First cavity, 21... Runner, 22... Gate, 23... Runner, 24...
Gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 支持板2と、前記支持板2に直接に接続され
た第1の外部リード4aと、前記第1の外部リー
ド4aと同一方向に延びている第2の外部リード
4b,4cと、前記支持板2に固着された半導体
チツプ7と、前記半導体チツプ7と前記第2の外
部リード4b,4cとを接続する内部リード8,
9と、前記第1及び第2の外部リード4a,4
b,4cの少なくとも一部を露出させるが、前記
支持板2と前記半導体チツプ7と前記内部リード
8,9とを実質的に露出させないように被覆する
樹脂被覆体11とから成る樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、 型16によつて前記第1の外部リード4aを支
持すると共に、前記第1の外部リード4aの導出
側とは反対側の前記支持板2の一部を支持して前
記型の内部に流動状態の熱硬化性樹脂を圧力を加
えて押し込んで前記型内で固化させて前記樹脂被
覆体11の少なくとも前記半導体チツプ7を被覆
する部分11aを形成し、 前記半導体チツプ7を被覆する部分11aの形
成後又は前に、前記樹脂被覆体11における前記
半導体チツプ7を被覆しない残りの部分11b
を、前記型16と同一又は別の型の成形空所に熱
可塑性樹脂を注入することによつて形成すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
[Scope of Claims] 1. A support plate 2, a first external lead 4a directly connected to the support plate 2, and a second external lead 4b extending in the same direction as the first external lead 4a. , 4c, a semiconductor chip 7 fixed to the support plate 2, and internal leads 8, which connect the semiconductor chip 7 and the second external leads 4b, 4c.
9, and the first and second external leads 4a, 4
A resin-sealed type comprising a resin coating 11 that exposes at least a portion of the semiconductor chip 7 and the internal leads 8 and 9, but covers the support plate 2, the semiconductor chip 7, and the internal leads 8 and 9 so as not to substantially expose them. In the method for manufacturing a semiconductor device, the first external lead 4a is supported by a mold 16, and a part of the support plate 2 on the side opposite to the lead-out side of the first external lead 4a is supported. Pressing a fluidized thermosetting resin into the mold and solidifying it within the mold to form a portion 11a of the resin coating 11 that covers at least the semiconductor chip 7; After or before forming the portion 11a that covers the semiconductor chip 7, the remaining portion 11b of the resin coating 11 that does not cover the semiconductor chip 7 is formed.
A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that: is formed by injecting a thermoplastic resin into a molding cavity of the same or different mold 16.
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