JP3499269B2 - Cover frame and resin sealing method - Google Patents

Cover frame and resin sealing method

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JP3499269B2
JP3499269B2 JP29022093A JP29022093A JP3499269B2 JP 3499269 B2 JP3499269 B2 JP 3499269B2 JP 29022093 A JP29022093 A JP 29022093A JP 29022093 A JP29022093 A JP 29022093A JP 3499269 B2 JP3499269 B2 JP 3499269B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はカバーフレームと樹脂封
止方法に関し、一層詳細には半導体装置の樹脂封止に際
して金型内へ嵌着されるカバーフレームと、それを用い
た半導体装置の樹脂封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cover frame and a resin encapsulation method, and more particularly to a cover frame fitted into a mold for resin encapsulation of a semiconductor device and a semiconductor device resin using the cover frame. The present invention relates to a sealing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】基体(リードフレーム、プラスチック基
板、ガラスエポキシ基板、TABテープ等)上に配設さ
れた半導体素子から成る半導体装置を樹脂封止する場
合、トランスファモールド装置を用いた樹脂封止方法が
多用されている。トランスファモールド装置の場合、半
導体装置を金型内にセットし、溶融樹脂をポットおよび
樹脂路を経由して、半導体素子が配置されている金型キ
ャビティ内へ充填することにより樹脂封止が行われてい
る。金型を型閉した場合、樹脂路はポットから基体上を
経てキャビティへ達するよう形成される。
2. Description of the Related Art A resin sealing method using a transfer molding apparatus when resin-sealing a semiconductor device composed of semiconductor elements arranged on a substrate (lead frame, plastic substrate, glass epoxy substrate, TAB tape, etc.) Is often used. In the case of the transfer mold device, the semiconductor device is set in the mold, and the molten resin is filled into the mold cavity in which the semiconductor element is arranged via the pot and the resin passage, thereby performing resin sealing. ing. When the mold is closed, the resin path is formed so as to reach the cavity from the pot through the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体装置の樹脂封止方法には次のような課題が
ある。樹脂路が基体上に形成されるため、樹脂路内の樹
脂は固化する際に基体へ付着してしまう。樹脂封止後の
工程において樹脂路内で固化した樹脂はスクラップとし
て除去するが、基体上に付着したスクラップ樹脂は除去
しにくい。除去のために大きな力を作用させると、基体
等を損傷するおそれがある。そこで、基体上に樹脂が付
着しにくくするため、基体上の樹脂路に相当する部分に
メッキ処理を施し、固化したスクラップ樹脂を容易に剥
離させる技術が開発されたが、前処理および後処理を含
むメッキ処理工程が必要となり生産性低下および生産コ
ストの上昇の原因になるという課題がある。従って、本
発明は基体上への樹脂の付着を防止するためのカバーフ
レームと、それを用いた樹脂封止方法を提供することを
目的とする。
However, the above conventional resin encapsulation method for a semiconductor device has the following problems. Since the resin passages are formed on the substrate, the resin in the resin passages adheres to the substrate when it solidifies. The resin solidified in the resin path in the step after resin sealing is removed as scrap, but the scrap resin attached on the substrate is difficult to remove. If a large force is applied for removal, there is a risk of damaging the substrate and the like. Therefore, in order to prevent the resin from adhering to the substrate, a technique has been developed in which a portion corresponding to the resin path on the substrate is plated to easily separate the solidified scrap resin. There is a problem in that a plating treatment step including the above is required, which causes a decrease in productivity and an increase in production cost. Therefore, it is an object of the present invention to provide a cover frame for preventing resin from adhering to a substrate and a resin sealing method using the cover frame.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、キャリアフ
レームは基体上に半導体素子が搭載された半導体装置の
前記半導体素子を樹脂封止するための金型内へ、樹脂充
填用のポットおよびポットとキャビティとを連絡する樹
脂路が通過する範囲にわたり嵌着され、前記ポットと、
ポットとキャビティとを連絡する樹脂路の一部である金
型ランナに対応する部位に透孔が設けられ、前記金型内
へ嵌着された状態で前記半導体装置が金型内にセットさ
れた際に、金型に形成された金型ゲート部が基体上を通
過する部位について半導体装置の前記基体との間に介挿
されて、樹脂と基体との接触を防止することを特徴とす
る。一方、樹脂封止方法は、上記カバーフレームを、基
体上に半導体素子が搭載された半導体装置の前記半導体
素子を樹脂封止するための金型内へ、樹脂充填用のポッ
トおよびポットとキャビティとを連絡する樹脂路が通過
する範囲にわたり嵌着する工程と、金型に形成された金
型ゲート部が基体上を通過する部位については、前記カ
バーフレームが金型との間に介挿される状態に前記半導
体装置を前記金型内へセットする工程と、ポットから金
型ランナおよび金型ゲート部を介してキャビティに溶融
樹脂を充填する工程とを備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention has the following constitution. That is, the carrier frame passes through the resin filling pot and the resin path connecting the pot and the cavity into the mold for resin-sealing the semiconductor element of the semiconductor device in which the semiconductor element is mounted on the substrate. It is fitted over a range, with the pot,
A through hole is provided in a portion corresponding to a mold runner which is a part of a resin path connecting the pot and the cavity, and the semiconductor device is set in the mold while being fitted into the mold. when the mold gate portion formed in the mold interposed between the base of the semiconductor device for site passing over the substrate, characterized in that to prevent contact between the resin and the substrate. On the other hand, in the resin sealing method, the cover frame is placed in a mold for resin-sealing the semiconductor element of a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a base, and a pot for filling the resin, a pot and a cavity. In the step of fitting over the range where the resin path connecting to each other passes and the part where the mold gate part formed in the mold passes on the base body, the cover frame is inserted between the mold and the mold. And setting the semiconductor device in the mold, and filling the cavity with molten resin from the pot through the mold runner and the mold gate portion.

【0005】[0005]

【作用】作用について説明する。金型内に嵌着されたカ
バーフレームは、樹脂封止される半導体装置が金型内へ
セットされた際には、金型に形成された樹脂路と半導体
装置の前記基体との間に在って、樹脂と基体との接触を
防止するので、樹脂充填を行っても樹脂の基体上への付
着を防止可能となる。
[Operation] The operation will be described. The cover frame fitted in the mold exists between the resin path formed in the mold and the base of the semiconductor device when the resin-sealed semiconductor device is set in the mold. Thus, since the resin is prevented from contacting the base, it is possible to prevent the resin from adhering to the base even when the resin is filled.

【0006】[0006]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について添付図
面と共に詳述する。 (第1実施例)第1実施例について 図1〜図3と共に
説明する。図1には金型を構成する下型10へカバーフ
レーム12および樹脂封止される半導体装置(例えばボ
ールグリッドアレイ型半導体装置)14がセットされた
状態の平面図を示し、図2には図1の下型10に対して
金型を構成する上型16が下動して型閉した状態を示
す。図1および図2において、カバーフレーム12には
複数個の透孔18が長さ方向へ等間隔に穿設されてい
る。各透孔18はカバーフレーム12が下型10の所定
位置へ嵌着された際に、下型10に設けられている樹脂
充填用の各ポット20および樹脂路の一部である各金型
ランナ22と対応する位置に形成されている。カバーフ
レーム12は、金属等の耐熱性を有すると共に半導体封
止用の樹脂の付着性が低い材料で板状に形成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. (First Embodiment) A first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a state in which a cover frame 12 and a semiconductor device (for example, a ball grid array type semiconductor device) 14 to be resin-sealed are set in a lower mold 10 which constitutes a mold, and FIG. The upper die 16 which comprises a metal mold | die with respect to the lower die 10 of 1 is moved downward, and the state which the mold closed was shown. 1 and 2, a plurality of through holes 18 are formed in the cover frame 12 at equal intervals in the length direction. Each through hole 18 is a mold runner that is a part of a resin filling pot 20 and a resin path provided in the lower mold 10 when the cover frame 12 is fitted into a predetermined position of the lower mold 10. It is formed at a position corresponding to 22. The cover frame 12 is formed in a plate shape from a material such as metal having heat resistance and low adhesion to the semiconductor sealing resin.

【0007】カバーフレーム12には位置決手段の一例
である位置決孔24が複数透設されている。下型10上
に立設された複数のガイドピン26が各位置決孔24へ
嵌入してカバーフレーム12を下型10上の所定位置へ
嵌着可能になっている。なお、カバーフレーム12は、
下型10に対して着脱自在になっている。カバーフレー
ム12のゲート対応部28は、下型10に形成されてい
るキャビティ32と樹脂路の一部である金型ゲート30
との接続部位に合わせて斜めに形成されている。各半導
体装置14の、カバーフレーム12上での位置は、下型
10上に突設された位置決ボス34によって所定位置に
決められる。位置決ボス34は、各半導体装置14の基
体36の4辺と当接可能な位置に突設されている。
The cover frame 12 is provided with a plurality of positioning holes 24, which are an example of positioning means. A plurality of guide pins 26 erected on the lower mold 10 are fitted into the respective positioning holes 24 so that the cover frame 12 can be fitted into a predetermined position on the lower mold 10. The cover frame 12 is
It is detachable from the lower mold 10. The gate-corresponding portion 28 of the cover frame 12 includes a cavity 32 formed in the lower mold 10 and a mold gate 30 which is a part of a resin path.
It is formed diagonally according to the connection site with. The position of each semiconductor device 14 on the cover frame 12 is set at a predetermined position by a positioning boss 34 provided on the lower mold 10. The positioning boss 34 is provided at a position where it can contact the four sides of the base 36 of each semiconductor device 14.

【0008】図3には図2の型閉状態における金型ゲー
ト30近傍の拡大断面図を示す。半導体素子38は下型
10パーティング面に凹設されたキャビティ32内に在
る。なお、本実施例ではキャビティ32内で固化した樹
脂の離型性を良くするためにキャビティ32内底面と内
側壁面との接続部分を曲面状に形成している。カバーフ
レーム12を下型10の所定位置へ嵌着した後、半導体
装置14を所定位置へセットし、型閉した状態では、カ
バーフレーム12が下型10に形成された金型ゲート3
0と基体36下面との間に介挿された状態となる。従っ
て、金型ゲート30を通ってキャビティ32内へ送られ
る樹脂は、基体36下面との接触が防止される。すなわ
ち、樹脂充填を行っても金型ゲート30内の樹脂の基体
36上への付着を防止可能となっている。なお、カバー
フレーム12の厚さは特に限定されないが、キャビティ
32の深さと同等が好適である。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of the vicinity of the mold gate 30 in the mold closed state of FIG. The semiconductor element 38 is present in the cavity 32 recessed in the parting surface of the lower die 10. In this embodiment, in order to improve the releasability of the resin solidified in the cavity 32, the connecting portion between the inner bottom surface of the cavity 32 and the inner wall surface is formed into a curved surface. After the cover frame 12 is fitted into a predetermined position of the lower mold 10, the semiconductor device 14 is set in a predetermined position, and in a state where the mold is closed, the cover frame 12 has the mold gate 3 formed in the lower mold 10.
0 and the lower surface of the base 36 are inserted. Therefore, the resin sent into the cavity 32 through the mold gate 30 is prevented from coming into contact with the lower surface of the base 36. That is, even if the resin is filled, the resin in the mold gate 30 can be prevented from adhering to the base 36. The thickness of the cover frame 12 is not particularly limited, but is preferably equal to the depth of the cavity 32.

【0009】続いて上記の構成を有するカバーフレーム
12を用いて半導体装置14を樹脂封止する方法につい
て説明する。まず、カバーフレーム12を下型10上の
所定位置へ嵌着させ、次いで半導体装置14を下型10
上の所定位置へセットする(図1の状態)。但し、下型
10の構造等により、この順序を逆にしてもよい。カバ
ーフレーム12および半導体装置14がセットされたら
上型16を下動させて型閉する(図2および図3の状
態)。型閉が完了したら、半導体素子38等の樹脂封止
を行う。樹脂封止は、下型10内のポット20から溶融
樹脂をキャビティ32内へ圧送することにより行われ
る。圧送された溶融樹脂はポット20から上型16のパ
ーティング面に凹設されている金型カル40内に入り、
各金型ランナ22に分かれ、金型ゲート34を経て各キ
ャビティ32内へ充填される。樹脂が金型ゲート30か
らキャビティ32内へ充填される際に、上述のように、
カバーフレーム12が金型ゲート30と基体36下面と
の間に介挿された状態となるので、金型ゲート30内の
溶融樹脂は、基体36下面との接触が防止され、基体3
6への付着が防止される。
Next, a method of resin-sealing the semiconductor device 14 using the cover frame 12 having the above structure will be described. First, the cover frame 12 is fitted into a predetermined position on the lower die 10, and then the semiconductor device 14 is attached to the lower die 10.
Set it to the predetermined position (state of FIG. 1). However, this order may be reversed depending on the structure of the lower mold 10. When the cover frame 12 and the semiconductor device 14 are set, the upper mold 16 is moved downward to close the mold (states of FIGS. 2 and 3). When the mold closing is completed, the semiconductor element 38 and the like are sealed with resin. The resin sealing is performed by pumping the molten resin into the cavity 32 from the pot 20 in the lower mold 10. The molten resin fed under pressure enters from the pot 20 into the mold cull 40 recessed in the parting surface of the upper mold 16,
It is divided into each mold runner 22, and is filled into each cavity 32 through a mold gate 34. When the resin is filled from the mold gate 30 into the cavity 32, as described above,
Since the cover frame 12 is inserted between the mold gate 30 and the lower surface of the base 36, the molten resin in the mold gate 30 is prevented from contacting the lower surface of the base 36, and the base 3
Adhesion to 6 is prevented.

【0010】充填された樹脂が固化したら、成形品を離
型させる。離型後の成形品はカバーフレーム12と共に
スクラップ除去工程へ送られる。スクラップ除去工程で
は、例えば成形品を保持した状態でカバーフレーム12
を回動させたり、押動することによりゲートブレイクを
行う。スクラップ除去が終了すると、半導体装置14は
完成する。なお、スクラップ除去により不要となったカ
バーフレーム12は付着している成形品ゲート等のスク
ラップを除去して再使用することができる。
When the filled resin is solidified, the molded product is released from the mold. The molded product after the mold release is sent to the scrap removing process together with the cover frame 12. In the scrap removal process, for example, the cover frame 12 is held with the molded product held.
The gate is broken by rotating or pushing. When the scrap removal is completed, the semiconductor device 14 is completed. The cover frame 12 that is no longer needed after scrap removal can be reused after removing the scrap such as the adhering molded product gate.

【0011】(第2実施例)第2実施例について図4と
共に説明する。なお、第1実施例と同一の構成部材につ
いては第1実施例と同一の符号を付し、説明は省略す
る。第1実施例では半導体装置14は個々に分離した状
態で各々下型10上にセットされていた。第2実施例の
半導体装置14は、帯状の基体36aに複数の半導体素
子38が等間隔で並設されたものである。基体36aの
下型10上での位置決めは、基体36aに透設されたガ
イドホール42と、下型10上に立設されたピン44と
の嵌合により行われる。第2実施例の場合、カバーフレ
ーム12の形状等は第1実施例と同一である。帯状の基
体36aを有する半導体装置14の樹脂封止方法も基本
的に第1実施例と同一であるが、ゲートブレイク後、各
半導体装置14に分離するため基体36aを切断する。
(Second Embodiment) A second embodiment will be described with reference to FIG. The same members as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals as those of the first embodiment, and the description thereof will be omitted. In the first embodiment, the semiconductor devices 14 are individually set on the lower mold 10 in a separated state. In the semiconductor device 14 of the second embodiment, a plurality of semiconductor elements 38 are arranged in parallel on a strip-shaped base 36a. Positioning of the base 36a on the lower mold 10 is performed by fitting a guide hole 42 that is transparently provided on the base 36a and a pin 44 that is erected on the lower mold 10. In the case of the second embodiment, the shape and the like of the cover frame 12 are the same as those of the first embodiment. The resin sealing method for the semiconductor device 14 having the strip-shaped substrate 36a is basically the same as that of the first embodiment, but after the gate break, the substrate 36a is cut in order to separate each semiconductor device 14.

【0012】(第3実施例)第3実施例について図5と
共に説明する。なお、先行実施例と同一の構成部材につ
いては先行実施例と同一の符号を付し、説明は省略す
る。第1実施例および第2実施例ではカバーフレーム1
2に複数の透孔18が穿設されていた。第3実施例のカ
バーフレーム12は、1個の透孔18が穿設されてお
り、1個のカバーフレーム12で2個の半導体装置14
に対応させている。作用効果については先行実施例と同
様であるが、第3実施例の場合カバーフレーム12を部
分的に交換できるメリットがある。
(Third Embodiment) A third embodiment will be described with reference to FIG. The same components as those of the preceding embodiment are designated by the same reference numerals as those of the preceding embodiment, and the description thereof will be omitted. In the first and second embodiments, the cover frame 1
2 has a plurality of through holes 18. In the cover frame 12 of the third embodiment, one through hole 18 is bored, and one cover frame 12 forms two semiconductor devices 14.
It corresponds to. The function and effect are similar to those of the preceding embodiment, but the third embodiment has an advantage that the cover frame 12 can be partially replaced.

【0013】(第4実施例)第4実施例について図6お
よび図7と共に説明する。なお、先行実施例と同一の構
成部材については先行実施例と同一の符号を付し、説明
は省略する。先行各実施例では、金型カル40が上型1
6に設けられるためカバーフレーム12に透孔18を穿
設していた。第4実施例では上型16に金型カル40を
設けず、下型10にポット20および金型カル40aを
設けている。上型16に金型カル40を設けないため、
カバーフレーム12には透孔18が不要となる。なお、
第4実施例では下型10内に複数のカバーフレーム12
を配設しているが、第1実施例および第2実施例と同様
の長尺な1個のカバーフレーム12も用いてもよい。
(Fourth Embodiment) A fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. The same components as those of the preceding embodiment are designated by the same reference numerals as those of the preceding embodiment, and the description thereof will be omitted. In each of the preceding embodiments, the mold cull 40 is the upper mold 1
6, the cover frame 12 has a through hole 18 formed therein. In the fourth embodiment, the upper mold 16 is not provided with the mold cull 40, but the lower mold 10 is provided with the pot 20 and the mold cull 40a. Since the mold cull 40 is not provided on the upper mold 16,
The cover frame 12 does not require the through hole 18. In addition,
In the fourth embodiment, a plurality of cover frames 12 are provided in the lower mold 10.
However, one long cover frame 12 similar to the first and second embodiments may be used.

【0014】図8に完成した半導体装置(各実施例共
通)において、成形品ゲート等の樹脂路を除去した状態
で当該樹脂路方向から見た部分図を示す。樹脂封止部5
0のコーナー部には除去した成形品ゲートのゲート痕5
2、カバーフレーム12の痕跡54が残っているが、特
に問題はない。以上、本発明の好適な実施例について種
々述べてきたが、本発明は上述の実施例に限定されるの
ではなく、例えば半導体装置は基体の一方側に樹脂封止
部が成形されるのではなく、両側に形成されていてもよ
い等、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し
得るのはもちろんである。
FIG. 8 is a partial view of the completed semiconductor device (common to each embodiment), viewed from the direction of the resin path with the resin path such as the molded product gate removed. Resin sealing part 5
Gate mark 5 of the removed molded product gate at the corner of 0
2, the trace 54 of the cover frame 12 remains, but there is no particular problem. Although various preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, in a semiconductor device, a resin sealing portion is formed on one side of a base. Needless to say, many modifications can be made without departing from the spirit of the invention, such as being formed on both sides.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明に係るカバーフレームを用いて半
導体装置を樹脂封止すると、金型内に嵌着されたカバー
フレームは、樹脂封止される半導体装置が金型内へセッ
トされた際には、金型に形成された樹脂路と半導体装置
の基体との間に介挿される。従って、樹脂路を通ってキ
ャビティ内へ送られる樹脂は、基体下面との接触が防止
される。すなわち、樹脂充填を行っても樹脂路内の樹脂
の基体上への付着を防止可能となるので、従来のように
基体へ予め樹脂剥離用のメッキ処理を施す必要がなくな
り、半導体装置の生産性を格段に向上させると共に、製
造コストを大幅に減ずることが可能となる等の著効を奏
する。
When the semiconductor device is resin-sealed by using the cover frame according to the present invention, the cover frame fitted in the mold is used when the semiconductor device to be resin-sealed is set in the mold. Is inserted between the resin path formed in the mold and the base of the semiconductor device. Therefore, the resin sent into the cavity through the resin passage is prevented from coming into contact with the lower surface of the base. That is, even if the resin is filled, it is possible to prevent the resin in the resin passage from adhering to the substrate, so that it is not necessary to previously perform the plating treatment for resin peeling on the substrate as in the conventional case, and the productivity of the semiconductor device can be improved. It is possible to significantly improve the manufacturing cost and to significantly reduce the manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るカバーフレームを用いて半導体装
置を樹脂封止する第1実施例を示した下型の平面図。
FIG. 1 is a plan view of a lower mold showing a first embodiment in which a semiconductor device is resin-sealed using a cover frame according to the present invention.

【図2】第1実施例において、カバーフレーム等を金型
内にセットし、型閉した状態を示した断面図。
FIG. 2 is a sectional view showing a state in which a cover frame and the like are set in a mold and the mold is closed in the first embodiment.

【図3】第1実施例において、型閉状態における金型ゲ
ート近傍の拡大断面図。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the mold gate in the mold closed state in the first embodiment.

【図4】第2実施例における下型の平面図。FIG. 4 is a plan view of a lower mold according to a second embodiment.

【図5】第3実施例における下型の平面図。FIG. 5 is a plan view of a lower mold according to the third embodiment.

【図6】第4実施例における下型の平面図。FIG. 6 is a plan view of a lower mold according to a fourth embodiment.

【図7】第4実施例において、カバーフレーム等を金型
内にセットし、型閉した状態を示した断面図。
FIG. 7 is a sectional view showing a state in which a cover frame and the like are set in a mold and the mold is closed in the fourth embodiment.

【図8】完成した半導体装置の除去した樹脂路方向から
見た部分図。
FIG. 8 is a partial view of the completed semiconductor device viewed from the removed resin path direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 下型 12 カバーフレーム 14 半導体装置 16 上型 24 位置決孔 30 金型ゲート 32 キャビティ 36 基体 38 半導体装置 10 Lower mold 12 cover frames 14 Semiconductor device 16 Upper mold 24 Positioning hole 30 mold gate 32 cavities 36 base 38 Semiconductor device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/56 B29C 45/02 B29C 45/26 B29L 31:34 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/56 B29C 45/02 B29C 45/26 B29L 31:34

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基体上に半導体素子が搭載された半導体
装置の前記半導体素子を樹脂封止するための金型内へ、
樹脂充填用のポットおよびポットとキャビティとを連絡
する樹脂路が通過する範囲にわたり嵌着され、 前記ポットと、ポットとキャビティとを連絡する樹脂路
の一部である金型ランナに対応する部位に透孔が設けら
れ、 前記金型内へ嵌着された状態で前記半導体装置が金型内
にセットされた際に、金型に形成された金型ゲート部が
基体上を通過する部位について半導体装置の前記基体と
の間に介挿されて、樹脂と基体との接触を防止すること
を特徴とするカバーフレーム。
1. A mold for resin-sealing the semiconductor element of a semiconductor device in which the semiconductor element is mounted on a substrate,
Resin passage communicating the pot and the pot and the cavity of the resin filling is fitted over a range to pass, the portion corresponding to the pot and the mold runners, which is part of the resin passage communicating the pot and the cavity A semiconductor is provided for a portion where a die gate portion formed in the die passes over the substrate when the semiconductor device is set in the die with a through hole provided and fitted into the die. wherein interposed between the base of the device, the cover frame, characterized in that to prevent contact between the resin and the substrate.
【請求項2】 金型のパーティング面に設けられたキャ
ビティの深さと同等の厚さに形成されていることを特徴
とする請求項1記載のカバーフレーム。
2. The cover frame according to claim 1, wherein the cover frame is formed to have a thickness equivalent to a depth of a cavity provided on a parting surface of the mold.
【請求項3】 金型内において、所定の位置へ位置決め
して嵌着させるための位置決手段を備えることを特徴と
する請求項1または2記載のカバーフレーム。
3. The cover frame according to claim 1 or 2, further comprising a positioning means for positioning and fitting at a predetermined position in the mold.
【請求項4】 請求項1から3のいずれか一項に記載の
カバーフレームを、基体上に半導体素子が搭載された半
導体装置の前記半導体素子を樹脂封止するための金型内
へ、樹脂充填用のポットおよびポットとキャビティとを
連絡する樹脂路が通過する範囲にわたり嵌着する工程
と、 金型に形成された金型ゲート部が基体上を通過する部位
については、前記カバーフレームが金型との間に介挿さ
れる状態に前記半導体装置を前記金型内へセットする工
程と、 ポットから金型ランナおよび金型ゲート部を介してキャ
ビティに溶融樹脂を充填する工程とを備えることを特徴
とする半導体装置の樹脂封止方法。
The 4. A cover frame as claimed in any one of claims 1 to 3, the semiconductor element of the semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the substrate into a mold for resin sealing, resin Regarding the step of fitting over the range where the pot for filling and the resin path connecting the pot and the cavity pass, and the part where the die gate part formed in the die passes over the base, the cover frame is A step of setting the semiconductor device in the mold so as to be inserted between the mold and a step of filling the cavity with molten resin from the pot through the mold runner and the mold gate portion; A method for resin sealing a semiconductor device, which is characterized.
【請求項5】 カバーフレームを、前記金型を構成する
下型へ嵌着することを特徴とする請求項4記載の樹脂封
止方法。
5. The resin encapsulating method according to claim 4, wherein the cover frame is fitted to a lower die forming the die.
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