JP2857075B2 - Semiconductor package manufacturing method, and film and mold used therefor - Google Patents

Semiconductor package manufacturing method, and film and mold used therefor

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JP2857075B2
JP2857075B2 JP30452694A JP30452694A JP2857075B2 JP 2857075 B2 JP2857075 B2 JP 2857075B2 JP 30452694 A JP30452694 A JP 30452694A JP 30452694 A JP30452694 A JP 30452694A JP 2857075 B2 JP2857075 B2 JP 2857075B2
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    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を樹脂で封
止して半導体パッケージを製造する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package by sealing a semiconductor device with a resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばチップ状のLSI等の半導体装置
を樹脂で封止してパッケージ化する方法として、トラン
スファ−成形による方法がある。これは、粉末状または
タブレット状の樹脂を加熱・加圧して溶融させたのち金
型に注入して固化させることによりパッケージ化するも
ので、これによれば、金型への樹脂注入を低速で行うこ
とで、一定品質の半導体パッケージを比較的低コストで
大量に生産することができる。このため、従来において
は半導体装置を樹脂で封止するに際し上記トランスファ
−成形による方法が最も多く用いられている。
2. Description of the Related Art As a method of packaging a semiconductor device such as a chip-like LSI such as an LSI with a resin, there is a method by transfer molding. In this method, powder or tablet-shaped resin is heated and pressurized, melted, and then injected into a mold and solidified to form a package. According to this, resin injection into the mold is performed at a low speed. By doing so, it is possible to mass-produce semiconductor packages of a constant quality at a relatively low cost. For this reason, the above-described transfer molding method is most often used in sealing a semiconductor device with a resin.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る半導体装置の低価格化の要求に伴い、上述のような半
導体装置の樹脂封止の分野においても、生産性の大幅な
向上が必要とされている。
With the recent demand for lowering the price of semiconductor devices, a significant improvement in productivity is required in the field of resin sealing of semiconductor devices as described above. I have.

【0004】この点に関し、従来のトランスファ−成形
による方法では、金型のキャビティ内に半導体装置をセ
ットした状態で封止材料である樹脂を同キャビティ内に
直接注入して半導体パッケージを成形していたため金型
に樹脂が付着して残り、これを除去するために適宜成形
工程を中断して金型をクリーニングする必要があった。
また、成形後において、金型から半導体パッケージを取
り出すために、金型に設けられたエジョクトピンをキャ
ビティ側に所定量だけ突出させることにより同パッケー
ジを離型させていたため、そのエジョクトピンの突き出
しにより半導体装置にダメージを与え、しかもエジョク
トピンを設けなければならないぶんだけ金型コストが高
くつくとい問題があった。
In this regard, in a conventional transfer molding method, a semiconductor package is molded by directly injecting a resin as a sealing material into a cavity of a mold with a semiconductor device set in the cavity. For this reason, the resin adheres to the mold and remains, and in order to remove the resin, it is necessary to appropriately interrupt the molding process and clean the mold.
Further, after the molding, in order to take out the semiconductor package from the mold, the package is released by projecting a predetermined amount of the eject pin provided on the mold toward the cavity side, so that the semiconductor device is ejected by projecting the eject pin. However, there is a problem in that the mold cost is high as much as the die must be provided and the eject pin must be provided.

【0005】本発明は、このような問題に対処するもの
で、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケージを製
造する場合において、その金型に対する半導体パッケー
ジの離型性を大幅に向上させることにより、従来必要で
あった金型のクリーニング作業を不要とし或いはその回
数を大幅に削減することができ、しかも半導体装置に対
してダメージを与え且つ金型コストを高いものとしてい
るエジョクトピンがなくても成形後に金型から半導体パ
ッケージを容易に離型させることができるようにし、ひ
いては従来よりも高い生産性が得られる封止技術を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention addresses such a problem and, when a semiconductor device is manufactured by sealing a semiconductor device with a resin, the releasability of the semiconductor package from the mold is greatly improved. This eliminates the need for the mold cleaning work conventionally required or can greatly reduce the number of times, and even if there is no eject pin that damages the semiconductor device and increases the mold cost. It is an object of the present invention to provide a sealing technique that enables a semiconductor package to be easily released from a mold after molding, and that can achieve higher productivity than before.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願の各発明は、半導体装置を樹脂で封止して半導
体パッケージを製造する方法において、それぞれ次のよ
うに構成したことを特徴とする。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, each invention of the present application is characterized in that a method for manufacturing a semiconductor package by sealing a semiconductor device with a resin is constituted as follows. I do.

【0007】すなわち、本願の第1発明(請求項1に係
る発明)は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケ
ージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型上
に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間に
挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じて、半導体
装置を一対のフィルム間に挟んだ状態で金型キャビティ
内に位置させ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧お
よび加熱し、その封止材料を金型キャビティ内に、半導
体装置を挟んでいる一対のフィルムをその外側の金型キ
ャビティ面に向けて押し広げつつ注入することにより、
上記半導体装置を封止することを特徴とする。
That is, according to the first invention of the present application (the invention according to claim 1), when a semiconductor package is manufactured by sealing a semiconductor device with a resin, the semiconductor device and the sealing are mounted on a mold for molding a semiconductor package. After setting the material inserted between a pair of films, close the mold ,
With the device sandwiched between a pair of films, the mold cavity
It is positioned within and then pressurized and heated sealing material between the films, the sealing material into the mold cavity, semiconductor
A pair of films sandwiching the body device
By injecting while spreading toward the cavity side ,
The semiconductor device is sealed.

【0008】また、本願の第2発明(請求項2に係る発
明)は、半導体装置を樹脂で封止して半導体パッケージ
を製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型上に、
半導体装置を一対のフィルムの間に挿入した状態でセッ
トしたのち、金型を閉じ、次いでその一対のフィルムの
うちの一方のフィルムに予め設けられた封止材料注入用
の孔から両フィルム間に封止材料を注入して金型キャビ
ティ内に充填することにより、上記半導体装置を封止す
ることを特徴とする。
According to a second invention of the present application (an invention according to claim 2), when a semiconductor device is manufactured by sealing a semiconductor device with a resin,
After setting the semiconductor device in a state of being inserted between a pair of films, the mold is closed, and then a sealing material injection hole provided in advance in one of the pair of films and between the two films. The semiconductor device is sealed by injecting a sealing material and filling the mold cavity.

【0009】これらの発明において、使用するフィルム
は、半導体パッケージの成形時に金型キャビティに封止
材料を注入した際、その注入圧により破断することなく
キャビティ面に沿うように或る程度伸びる必要がある
が、そのような伸びを確保できるフィルムであれば、そ
の他の点は任意である。このようなフィルムの例として
は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチ
レンテレフタレート(PBT)、ポリスチレン(P
S)、ポリ四フッ化エチレン(PTFE)、ナイロン等
の材質からなる各フィルムをあげることができる。ま
た、上述した性能を有するフィルムであれば、その厚み
も任意であるが、一般的には、6μm〜1mm厚のもの
が使用できる。また、封止材料との離型性を向上させる
ため、フィルム表面には離型処理を施してもよい。
In these inventions, when a sealing material is injected into a mold cavity at the time of molding a semiconductor package, the film to be used must extend to a certain extent along the cavity surface without being broken by the injection pressure. However, other points are optional as long as the film can secure such elongation. Examples of such a film include polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polystyrene (P
S), polytetrafluoroethylene (PTFE), nylon and other materials. The thickness of the film is not limited as long as it has the above-mentioned performance, but generally, a film having a thickness of 6 μm to 1 mm can be used. Further, in order to improve the releasability from the sealing material, the film surface may be subjected to a release treatment.

【0010】上記第2発明を実施する場合、使用する金
型によっては封止材料(樹脂)をポット(加熱室)に注
入する際に、例えば金型のランナ部にある上側のフィル
ム部分が同ランナ部の底面側に沿ってしまうために、そ
のフィルムと金型との間の空隙に封止材料が入るという
問題が若干発生するおそれがある。このような問題を解
消するには、金型における封止材料注入孔の近傍におい
て、ランナ部に位置するフィルム部分がランナ部の底面
側に沿って弛んでしまわないように、ある程度コシのあ
る耐熱性材料をランナ部を横断する状態で挿入し、その
状態で金型を閉じるようにすればよい。このようにする
と、ランナ部において一対のフィルムの間に封止材料の
通路となる隙間を確保できるから、封止材料の注入時に
同封止材料がフィルムと金型との間に入ることを防止す
ることができる。なお、この種の耐熱性材料は、半導体
装置を挟む一対のフィルムのうちの少なくとも一方に予
め貼着しておいてもよい。
According to the second aspect of the present invention, when a sealing material (resin) is poured into a pot (heating chamber) depending on a mold to be used, for example, an upper film portion in a runner portion of the mold is the same. Since it runs along the bottom surface side of the runner portion, there is a possibility that a problem that the sealing material enters into the gap between the film and the mold may occur slightly. In order to solve such a problem, in order to prevent the film portion located in the runner portion from being loosened along the bottom surface side of the runner portion in the vicinity of the sealing material injection hole in the mold, a heat resistant material having a certain degree of stiffness is used. The conductive material may be inserted so as to cross the runner portion, and the mold may be closed in that state. With this configuration, a gap serving as a passage of the sealing material can be ensured between the pair of films in the runner portion, so that the sealing material is prevented from entering between the film and the mold when the sealing material is injected. be able to. Note that this kind of heat-resistant material may be attached to at least one of a pair of films sandwiching the semiconductor device in advance.

【0011】上述の耐熱性材料としては、封止工程の高
温(150〜200°C)において大きく変形すること
のない材料を使用する。具体的には、例えばポリイミド
樹脂やエポキシ樹脂などがあげられる。この種の耐熱性
材料の形状は任意である。したがって、金型の各ランナ
部にこれらを直線的に横断するような形で耐熱性材料を
設けてもよいし、ポットを囲むようにリング状に耐熱性
材料をセットしてもよい。
As the above-mentioned heat-resistant material, a material which does not significantly deform at a high temperature (150 to 200 ° C.) in the sealing step is used. Specifically, for example, a polyimide resin or an epoxy resin can be used. The shape of this kind of heat resistant material is arbitrary. Therefore, a heat-resistant material may be provided on each of the runner portions of the mold in such a manner as to linearly cross them, or a heat-resistant material may be set in a ring shape so as to surround the pot.

【0012】また、金型を閉じたときに金型が耐熱性材
料を強く押圧すると、その押圧部の金型面にダメージを
与えるおそれがあるため、このような耐熱性材料による
金型へのダメージを回避すべく、耐熱性材料のセット位
置に対応する位置に、同耐熱性材料の形状に対応する形
状を有する凹部が設けられた金型を使用してもよい。
Further, if the mold strongly presses the heat-resistant material when the mold is closed, there is a possibility that the mold surface of the pressed portion may be damaged. In order to avoid damage, a mold having a concave portion having a shape corresponding to the shape of the heat-resistant material may be used at a position corresponding to the setting position of the heat-resistant material.

【0013】[0013]

【作用】本願の第1発明によれば、金型を閉じたとき
に、半導体装置は一対のフィルム間に挿入された状態で
キャビティ内に位置することになる。したがって、この
状態で、同フィルム間に挿入されている封止材料を加熱
および加圧してキャビティ内に注入すると、その注入圧
によりキャビティ内においては一方のフィルムがその対
応する一方の金型(例えば上金型)のキャビティ面に、
また他方のフィルムがその対応する他方の金型(例えば
下金型)のキャビティ面にそれぞれ沿うとともに、その
状態で半導体装置が封止材料によって封止される。
According to the first aspect of the present invention, when the mold is closed, the semiconductor device is positioned in the cavity while being inserted between the pair of films. Therefore, in this state, when the sealing material inserted between the films is injected into the cavity by heating and pressurizing, one of the dies (for example, On the cavity surface of the upper mold)
The other film is along the cavity surface of the corresponding other mold (for example, the lower mold), and the semiconductor device is sealed with the sealing material in that state.

【0014】また、本願の第2発明によれば、金型を閉
じたときに、半導体装置が一対のフィルム間に挿入され
た状態でキャビティ内に位置し、その状態で、一対のフ
ィルムに予め設けられた封止材料注入用の孔から両フィ
ルム間に封止材料が注入されてキャビティ内に充填され
るから、この場合も、キャビティ内のフィルムがその対
応するキャビティ面に沿った状態となるとともに、その
フィルム間に充填された封止材料により半導体装置が封
止される。
Further, according to the second aspect of the present invention, when the mold is closed, the semiconductor device is positioned in the cavity with the semiconductor device inserted between the pair of films, and in that state, the semiconductor device is previously placed on the pair of films. Since the sealing material is injected between the two films from the sealing material injection hole provided and filled into the cavity, the film in the cavity is also in a state along the corresponding cavity surface in this case as well. At the same time, the semiconductor device is sealed by the sealing material filled between the films.

【0015】したがって、第1および第2発明のいずれ
によっても、封止材料を金型のキャビティ面に直接接触
させることなく半導体パッケージを成形することができ
る。しかも、成形後はフィルム間に保持された半導体パ
ッケージを同フィルムごと金型から簡単に剥離させるこ
とができるから、エジョクトピンがなくても成形された
半導体パッケージを金型内から容易に取り出すことがで
きる。これにより、金型のクリーニング作業の不要化な
いし削減と、金型におけるエジョクトピンの不要化を実
現することができる。
Therefore, according to the first and second aspects of the present invention, the semiconductor package can be formed without bringing the sealing material into direct contact with the cavity surface of the mold. Moreover, since the semiconductor package held between the films can be easily peeled off from the mold after the molding, the molded semiconductor package can be easily taken out from the mold without the eject pin. . This makes it possible to eliminate or reduce the cleaning work of the mold and eliminate the need for the eject pin in the mold.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。ま
ず、本発明方法に使用しうる半導体パッケージ製造装置
について簡単に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below. First, a semiconductor package manufacturing apparatus that can be used in the method of the present invention will be briefly described.

【0017】図1は、そのような製造装置の一例を示す
ものである。この半導体パッケージ製造装置1は、トラ
ンスファ成型機2に取り付けられる開閉可能な上下一対
の金型3、4を有する。これらの金型3、4には、ヒー
タ5・・・5がそれぞれ設けられているとともに、半導
体パッケージ成形用のキャビティ6と、封止材料である
樹脂(封止樹脂)7がセットされるポット部8と、この
ポット部8とキャビティ6とを連通させる各ランナ部9
およびゲート部10とが形成されている。そして、ヒー
タ5により金型3、4を所定温度に加熱した上で、例え
ば図示のようにポット部8に封止樹脂7をセットし、こ
の状態でトランスファ成型機2におけるプランジャ11
により封止樹脂7を加圧して可塑化し、これを各ランナ
部9およびゲート部10を介してキャビティ6内に注入
することにより半導体パッケージを成形しうるようにな
っている。
FIG. 1 shows an example of such a manufacturing apparatus. The semiconductor package manufacturing apparatus 1 has a pair of openable and closable dies 3, 4 attached to a transfer molding machine 2. These molds 3 and 4 are provided with heaters 5... 5 respectively, and are provided with a cavity 6 for molding a semiconductor package and a pot in which a resin (sealing resin) 7 as a sealing material is set. Section 8 and each runner section 9 for communicating the pot section 8 with the cavity 6.
And a gate portion 10 are formed. Then, after the molds 3 and 4 are heated to a predetermined temperature by the heater 5, the sealing resin 7 is set in the pot portion 8, for example, as shown in the figure, and the plunger 11 in the transfer molding machine 2 is in this state.
By pressurizing and plasticizing the sealing resin 7 and injecting it into the cavity 6 through each runner section 9 and gate section 10, a semiconductor package can be formed.

【0018】なお、図1に示した例では、ポット部8な
いし同ポット部8と各ランナ部9との境界部分に当たる
封止樹脂注入孔の近傍において、本発明の第2実施例で
使用する耐熱性材料12が設けられている。これらの耐
熱性材料12は、例えば図2に示すように下金型4上に
あってポット部8の近傍に位置する各ランナ部9を横断
するような所定の状態にそれぞれ配設されるが、これに
ついては後述する。 〔第1実施例〕次に、本発明の第1実施例について説明
する。
In the example shown in FIG. 1, the pot 8 is used in the second embodiment of the present invention in the vicinity of the sealing resin injection hole corresponding to the boundary between the pot 8 and each runner 9. A heat resistant material 12 is provided. These heat-resistant materials 12 are disposed in a predetermined state, for example, as shown in FIG. 2 so as to cross each runner 9 located on the lower mold 4 and in the vicinity of the pot 8. This will be described later. [First Embodiment] Next, a first embodiment of the present invention will be described.

【0019】まず、図3の(A)に示すように、28ピ
ンSOJ用オートモールドの上下の金型3、4を開いた
状態で、このうちの下金型4上にPTFE製のフィルム
(厚み60μm)21を敷く。次いで、このフィルム2
1の上に、リードフレーム22上に固定された半導体装
置23(図例のものは、半導体装置23とリードフレー
ム22とを電気的に接続する結線部分を省略した状態を
示す。以下、同様。)と封止材料24とを所定状態にセ
ットし、さらにその上に同じくPTFE製のフィルム
(厚み60μm)25を敷く。このとき、半導体装置2
3については上下の金型3、4を合わせた際にそのキャ
ビティ6内に、また封止材料24についてはポット部8
にそれぞれ存在するように所定の状態にセットする。
First, as shown in FIG. 3 (A), with the upper and lower dies 3, 4 of the 28-pin SOJ auto mold open, a PTFE film ( (Thickness: 60 μm) 21 is laid. Next, this film 2
1, a semiconductor device 23 fixed on a lead frame 22 (in the illustrated example, a connection portion for electrically connecting the semiconductor device 23 and the lead frame 22 is omitted. The same applies to the following. ) And the sealing material 24 are set in a predetermined state, and a PTFE film (thickness: 60 μm) 25 is spread thereon. At this time, the semiconductor device 2
3 is in the cavity 6 when the upper and lower molds 3 and 4 are put together, and the potting material 8 is
Is set to a predetermined state so that each exists.

【0020】次に、この状態で、同図の(B)に示すよ
うに、上下の金型3、4を閉じる。このとき、半導体装
置23および封止材料24は、上下のフィルム25、2
1の間に挟まれた状態で金型3、4のキャビティ6およ
びポット部8の内部にそれぞれ位置することとなる。
Next, in this state, the upper and lower dies 3, 4 are closed as shown in FIG. At this time, the semiconductor device 23 and the sealing material 24 are
1 are positioned inside the cavities 6 of the molds 3 and 4 and the pot portion 8 respectively.

【0021】そこで、この状態で、ポット部8に存在す
る封止材料24を加熱しつつプランジャ11(図1参
照)を図3の(C)に示す矢印方向に押し下げることに
より、封止材料24をその上側のフィルム25を介して
加圧する。このようにすると、封止材料24が可塑化さ
れた上でフィルム25、21間に挟まれた状態で各ラン
ナ部9を通ってキャビティ6内に流入し、同図(C)に
示すようにキャビティ6内において半導体装置23を挟
んでいる上下のフィルム25、21をその外側のキャビ
ティ面側に向けて押し広げつつ半導体装置23の周囲を
満たす。
In this state, the plunger 11 (see FIG. 1) is pushed down in the direction of the arrow shown in FIG. Is pressed through the upper film 25. In this way, after the sealing material 24 is plasticized, the sealing material 24 flows into the cavity 6 through each runner portion 9 while being sandwiched between the films 25 and 21, and as shown in FIG. The upper and lower films 25 and 21 sandwiching the semiconductor device 23 in the cavity 6 are spread toward the outer cavity surface side to fill the periphery of the semiconductor device 23.

【0022】こうして封止材料24の充填により半導体
装置23を封止したのち、その封止材料24が硬化する
のを待って金型3、4を開き、その金型内からパッケー
ジングされた半導体装置23つまり半導体パッケージ2
6(同図の(D)参照)を金型3、4外に取り出す。こ
のとき、半導体パッケージ26は上下一対のフィルム2
5、21間に挟まれた状態で成形されているから、それ
らのフィルム25、21ごと金型4または3から分離さ
せることにより、容易に金型3、4外に取り出すことが
できる。
After the semiconductor device 23 is sealed by filling with the sealing material 24, the molds 3 and 4 are opened after the sealing material 24 is cured, and the semiconductor packaged from the mold is opened. Device 23, ie, semiconductor package 2
6 (see (D) in the figure) is taken out of the molds 3 and 4. At this time, the semiconductor package 26 is a pair of upper and lower films 2.
Since the films 25 and 21 are formed in a state sandwiched between the molds 5 and 21, the films 25 and 21 can be easily taken out of the molds 3 and 4 by separating the films 25 and 21 from the molds 4 and 3.

【0023】次いで、同図の(D)に示すように、金型
3、4外に取り出した半導体パッケージ26の表面から
上記フィルム21、25を剥離させ、さらに不要な成形
部分27をカットして除去する。これにより、同図の
(E)に示すように封止材料24により形成された樹脂
24’で半導体装置23を封止してなる半導体パッケー
ジ26が得られる。
Next, as shown in FIG. 1D, the films 21 and 25 are peeled from the surface of the semiconductor package 26 taken out of the molds 3 and 4, and unnecessary molding portions 27 are cut. Remove. Thus, a semiconductor package 26 in which the semiconductor device 23 is sealed with the resin 24 ′ formed of the sealing material 24 as shown in FIG.

【0024】このような構成によれば、キャビティ6内
にセットされた半導体装置23が一対のフィルム21、
25間に挿入された状態のまま、封止材料24が加熱お
よび加圧されてキャビティ6内に充填されることにより
半導体装置23が封止されるので、封止材料24を金型
3、4のキャビティ面に直接接触させることなく半導体
パッケージ26を成形することができる。したがって、
金型3、4のキャビティ面を封止材料24で汚すおそれ
がないか、あったとしても少ないから、定期的に金型
3、4を掃除する作業を大幅に削減することが可能とな
る。
According to such a configuration, the semiconductor device 23 set in the cavity 6 includes the pair of films 21 and
The semiconductor device 23 is sealed by being heated and pressurized and filled in the cavity 6 with the sealing material 24 inserted between the molds 25 and 25, so that the sealing material 24 is The semiconductor package 26 can be formed without directly contacting the cavity surface of the semiconductor package 26. Therefore,
Since there is no or little, if any, contamination of the cavity surfaces of the molds 3 and 4 with the sealing material 24, the work of periodically cleaning the molds 3 and 4 can be greatly reduced.

【0025】また、金型3、4による成形後において
は、一対のフィルム21、25間に保持された半導体パ
ッケージ26を同フィルム21、25ごと金型4または
3から簡単に分離させることができるから、エジョクト
ピンがなくても成形された半導体パッケージ26を容易
に取り出すことができる。したがって、半導体パッケー
ジ成形用の金型からエジョクトピンをなくすことがで
き、その分だけ金型コストを下げることができる。 〔第2実施例〕次に、本発明の第2実施例について説明
する。
After the molding by the dies 3, 4, the semiconductor package 26 held between the pair of films 21, 25 can be easily separated from the dies 4 or 3 together with the films 21, 25. Accordingly, the molded semiconductor package 26 can be easily taken out without the eject pin. Therefore, the eject pins can be eliminated from the mold for molding the semiconductor package, and the mold cost can be reduced accordingly. [Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【0026】まず、図4の(A)に示すように、第1実
施例の場合とほぼ同様の上下一対の金型3、4を開いた
状態で、このうちの下金型4上にPTFE製のフィルム
(厚み60μm)31を敷き、次いで、そのフィルム3
1の上に、リードフレーム32上に固定された半導体装
置33を第1実施例の場合と同様の所定位置にセットす
る。そして、この実施例では、さらに金型のポット部8
の近傍に位置する各ランナ部9に、ポリイミドフィルム
(50μm厚)からなる耐熱性材料42をそれぞれセッ
トする。このとき、各耐熱性材料42は、例えば図1お
よび図2に示した耐熱性材料12と同じく、下金型4上
においてポット部近傍のランナ部9をそれぞれ横断する
ような状態にセットされる。こうして下金型4上にフィ
ルム31と半導体装置33および耐熱性材料42とを順
次セットしたのち、その上に、上記ポット部8に相当す
る部分にのみ封止材料注入用の孔35aを予めあけたP
TFE製のフィルム(厚み60μm)35を敷く。
First, as shown in FIG. 4A, with a pair of upper and lower molds 3, 4 substantially similar to the case of the first embodiment opened, PTFE is placed on the lower mold 4 among them. Film (thickness: 60 μm) 31 is laid, and then the film 3
The semiconductor device 33 fixed on the lead frame 32 is set at the same predetermined position as that of the first embodiment. In this embodiment, the pot portion 8 of the mold is further provided.
A heat-resistant material 42 made of a polyimide film (50 μm thick) is set in each runner portion 9 located in the vicinity of. At this time, each of the heat-resistant materials 42 is set on the lower die 4 so as to cross the runner 9 near the pot portion, similarly to the heat-resistant material 12 shown in FIGS. 1 and 2, for example. . After the film 31, the semiconductor device 33, and the heat-resistant material 42 are sequentially set on the lower mold 4, a hole 35a for injecting a sealing material is formed in advance only in a portion corresponding to the pot portion 8 thereon. P
A TFE film (thickness: 60 μm) 35 is laid.

【0027】次に、その状態で同図の(B)に示すよう
に、上下の金型3、4を閉じる。そして、上記孔35a
が位置する金型ポット部8に封止材料34をセットし、
その状態で同封止材料34をプランジャ(図1参照)で
加圧することにより、各ランナ部9における上下のフィ
ルム35、31間を通じてキャビティ6内に充填する。
このとき、上記耐熱性材料42が上下のフィルム35、
31間にあってランナ部9を横断するように設けられて
いることにより、上側のフィルム35のランナ部9内へ
の垂れ下りが防止されるので、封止材料注入用の孔35
aから注入された封止材料34は各ランナ部9において
上下のフィルム35、31間を通るようになる。これに
より、上下のフィルム35、31とそれらの外側に位置
する金型3、4と間の空隙に封止材料34が入ることを
確実に防止することができる。
Next, in this state, the upper and lower molds 3, 4 are closed as shown in FIG. And the hole 35a
The sealing material 34 is set in the mold pot portion 8 where
In this state, the sealing material 34 is pressurized by a plunger (see FIG. 1) to fill the cavity 6 through the space between the upper and lower films 35 and 31 in each runner 9.
At this time, the heat-resistant material 42 is composed of the upper and lower films 35,
Since the upper film 35 is provided so as to cross the runner portion 9 between the runner portions 31, the upper film 35 is prevented from dripping into the runner portion 9.
The sealing material 34 injected from a flows between the upper and lower films 35 and 31 in each runner portion 9. Thereby, it is possible to reliably prevent the sealing material 34 from entering the gaps between the upper and lower films 35, 31 and the dies 3, 4 located outside thereof.

【0028】こうしてキャビティ6内に封止材料34を
充填した後は、第1実施例の場合と同じく封止材料34
が硬化するのを待って金型3、4を開き、その金型内か
らパッケージングされた半導体装置33つまり半導体パ
ッケージ36(同図の(D)参照)をフィルム35、3
1ごと取り出したうえで、同図の(D)に示すように半
導体パッケージ36の表面から上記フィルム35、31
を剥離させ、さらに不要な成形部分37をカットする。
これにより、同図の(E)に示すように封止材料34に
より形成された樹脂34’で半導体装置33を封止して
なる半導体パッケージ36が得られる。
After the cavity 6 is filled with the sealing material 34, the sealing material 34 is filled as in the first embodiment.
After the molds 3 and 4 are cured, the molds 3 and 4 are opened, and the packaged semiconductor device 33, that is, the semiconductor package 36 (see (D) in FIG. 3) is opened from the molds.
Each of the films 35 and 31 is taken out from the surface of the semiconductor package 36 as shown in FIG.
Is removed, and unnecessary molding portions 37 are further cut.
As a result, a semiconductor package 36 in which the semiconductor device 33 is sealed with the resin 34 'formed of the sealing material 34 as shown in FIG.

【0029】この第2実施例においても、成形後におけ
る金型4または3からの半導体パッケージ36の離型
は、上記のフィルム31、35ごと行うために極めて容
易であった。また、上述のような成形作業を1000回
繰り返して行った場合においても、金型3、4に汚れは
発生せず、優れた離型性が維持されることが確認され
た。 〔比較例〕28ピンSOJ用オートモールドの下金型に
対し、常法によりリードフレーム上に固定された半導体
装置をセットしたのち、上金型を閉じ、その状態で常法
によりキャビティ内に封止材料を注入して半導体パッケ
ージを成形した。こうして1000回の成形を試みた
が、離型性が初期(成形回数:1〜12回)の間におお
いてやや悪く、その後は良好となるが、400回を超え
ると不良化し、620回目には金型のクリーニングが必
要となった。
In the second embodiment as well, the release of the semiconductor package 36 from the mold 4 or 3 after molding is very easy because the above-described films 31 and 35 are used together. Further, even when the above-described molding operation was repeated 1,000 times, no stain was generated on the molds 3 and 4, and it was confirmed that excellent mold releasability was maintained. [Comparative Example] After setting a semiconductor device fixed on a lead frame by a conventional method in a lower mold of a 28-pin SOJ auto mold, the upper mold is closed, and then sealed in a cavity in a usual manner. A semiconductor package was formed by injecting a stopper material. In this way, molding was performed 1,000 times, but the releasability was slightly poor during the initial period (number of moldings: 1 to 12), and then became good. Required cleaning of the mold.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、一対の
フィルム間に半導体装置を挿入した状態でキャビティ内
にある当該フィルム間の半導体装置の周囲に封止材料を
充填するので、金型のキャビティ面に封止材料を直接接
触させることなく半導体パッケージを成形することがで
きる。しかも、成形後はフィルム間に保持された半導体
パッケージを同フィルムごと金型から簡単に分離させる
ことができるから、エジョクトピンがなくても成形され
た半導体パッケージを金型内から容易に取り出すことが
できる。これにより、金型のクリーニング回数を削減す
ることができ、しかもエジョクトピンの不要化を実現で
き、その結果、成形工程の中断時間の減少による連続成
形性の大幅な向上と金型コストの削減、ひいては生産性
の大幅な向上を図ることができる。
As described above, according to the present invention, the sealing material is filled around the semiconductor device between the films in the cavity with the semiconductor device inserted between the pair of films. The semiconductor package can be molded without bringing the sealing material into direct contact with the cavity surface of the mold. Moreover, since the semiconductor package held between the films can be easily separated from the mold together with the film after molding, the molded semiconductor package can be easily taken out of the mold without the eject pin. . As a result, the number of times of cleaning of the mold can be reduced, and the need for the eject pin can be eliminated. As a result, continuous moldability can be greatly improved by reducing the interruption time of the molding process, and the cost of the mold can be reduced. The productivity can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例で使用する半導体パッケージの
製造装置の一例をその一部を破断した状態で示す斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a semiconductor package manufacturing apparatus used in an embodiment of the present invention, with a part thereof cut away.

【図2】その装置における下金型を上方から見た状態を
示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a state where a lower mold in the apparatus is viewed from above.

【図3】本発明の第1実施例における各工程を示すもの
で、(A)は金型を開いた状態で一対のフィルム間に半
導体装置および封止材料を挿入した状態を示す断面図、
(B)は金型間に上記フィルム等をセットした状態で同
金型を閉じた状態を示す断面図、(C)は封止材料を加
圧等してキャビティ内に充填した状態を示す断面図、
(D)は成形後に金型外に取り出された半導体パッケー
ジの表面からフィルムを剥離させた状態を示す断面図、
(E)は最終的に得られた半導体パッケージを示す断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor device and a sealing material are inserted between a pair of films in a state where a mold is opened, in which each step in the first embodiment of the present invention is shown;
(B) is a cross-sectional view showing a state in which the film and the like are set between the molds and the mold is closed, and (C) is a cross-sectional view showing a state in which a sealing material is filled into a cavity by pressing or the like. Figure,
(D) is a cross-sectional view showing a state in which the film is peeled from the surface of the semiconductor package taken out of the mold after molding,
(E) is a sectional view showing a finally obtained semiconductor package.

【図4】本発明の第2実施例における各工程を示すもの
で、(A)は金型を開いた状態で一対のフィルム間に半
導体装置および耐熱性材料を挿入した状態を示す断面
図、(B)は金型間に上記フィルム等をセットして金型
を閉じたのち同金型のポット部に封止材料をセットする
状態を示す断面図、(C)は封止材料を加圧等して上側
のフィルムにおける封止材料注入用の孔からキャビティ
内に封止材料を注入・充填した状態を示す断面図、
(D)は成形後に金型外に取り出された半導体パッケー
ジの表面からフィルムを剥離させた状態を示す断面図、
(E)は最終的に得られた半導体パッケージを示す断面
図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a state in which a semiconductor device and a heat-resistant material are inserted between a pair of films in a state in which a mold is opened, in which each step in a second embodiment of the present invention is shown; (B) is a sectional view showing a state in which the above-mentioned film or the like is set between the molds, the mold is closed, and then a sealing material is set in a pot portion of the mold. A cross-sectional view showing a state in which the sealing material is injected and filled into the cavity from the sealing material injection hole in the upper film, etc.
(D) is a cross-sectional view showing a state in which the film is peeled from the surface of the semiconductor package taken out of the mold after molding,
(E) is a sectional view showing a finally obtained semiconductor package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3、4・・・半導体パッケージ成形用金型 6・・・キャビティ 7、24、34・・・封止材料(封止樹脂) 9・・・ランナ部 12、42・・・耐熱性材料(42・・・ポリイミドフ
ィルムからなる耐熱性材料) 21、25、31、35・・・フィルム 35a・・・封止材料注入用の孔 23、33・・・半導体装置 26、36・・・半導体パッケージ
3, 4 ... mold for molding semiconductor package 6 ... cavity 7, 24, 34 ... sealing material (sealing resin) 9 ... runner part 12, 42 ... heat resistant material (42) ... heat-resistant material composed of polyimide film) 21, 25, 31, 35 ... film 35a ... holes for injecting sealing material 23, 33 ... semiconductor devices 26, 36 ... semiconductor package

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−142116(JP,A) 特開 平6−151515(JP,A) 特開 平6−216180(JP,A) 特開 平8−142109(JP,A) 特開 平8−142105(JP,A) 特開 平8−156014(JP,A) 特開 平8−156008(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B29C 45/00 - 45/84 H01L 21/56 WPI(DIALOG)Continuation of the front page (56) References JP-A-8-142116 (JP, A) JP-A-6-151515 (JP, A) JP-A-6-216180 (JP, A) JP-A-8-142109 (JP) JP-A 8-142105 (JP, A) JP-A 8-156014 (JP, A) JP-A 8-156008 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB Name) B29C 45/00-45/84 H01L 21/56 WPI (DIALOG)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッ
ケージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型
上に、半導体装置および封止材料を一対のフィルムの間
に挿入した状態でセットしたのち、金型を閉じて、半導
体装置を一対のフィルム間に挟んだ状態で金型キャビテ
ィ内に位置させ、次いで同フィルム間の封止材料を加圧
および加熱し、その封止材料を金型キャビティ内に、半
導体装置を挟んでいる一対のフィルムをその外側の金型
キャビティ面に向けて押し広げつつ注入することによ
り、上記半導体装置を封止することを特徴とする半導体
パッケージの製造方法。
When a semiconductor package is manufactured by sealing a semiconductor device with a resin, the semiconductor device and a sealing material are set on a mold for molding a semiconductor package in a state of being inserted between a pair of films. Close the mold , semi-conductive
With the body device sandwiched between a pair of films, the mold cavity
And then pressurize and heat the sealing material between the films and place the sealing material in the mold cavity halfway.
A pair of films sandwiching the conductor device are placed in a mold outside
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein the semiconductor device is sealed by injecting the semiconductor device while pushing the semiconductor device toward a cavity surface .
【請求項2】 半導体装置を樹脂で封止して半導体パッ
ケージを製造するに際し、半導体パッケージ成形用金型
上に、半導体装置を一対のフィルムの間に挿入した状態
でセットしたのち、金型を閉じ、次いでその一対のフィ
ルムのうちの一方のフィルムに予め設けられた封止材料
注入用の孔から両フィルム間に封止材料を注入して金型
キャビティ内に充填することにより、上記半導体装置を
封止することを特徴とする半導体パッケージの製造方
法。
2. When a semiconductor package is manufactured by sealing a semiconductor device with a resin, the semiconductor device is set on a mold for molding a semiconductor package with the semiconductor device inserted between a pair of films. Closing, then injecting a sealing material between the two films from a sealing material injecting hole provided in advance in one of the pair of films and filling the mold cavity, thereby forming the semiconductor device. A method for manufacturing a semiconductor package, comprising sealing a semiconductor device.
【請求項3】 半導体パッケージ成形用金型における封
止材料注入孔の近傍には、同注入孔からランナ部を介し
てキャビティ内に注入される封止材料が金型とフィルム
との間に入ることを防止する耐熱性材料が同ランナ部を
横断する状態で挿入され、その状態で金型が閉じられる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージの
製造方法。
3. In the vicinity of a sealing material injection hole in a mold for molding a semiconductor package, a sealing material injected into the cavity from the injection hole via a runner portion enters between the mold and the film. 3. The method according to claim 2, wherein a heat-resistant material is inserted so as to cross the runner portion, and the mold is closed in that state.
【請求項4】 耐熱性材料は、一対のフィルムのうちの
少なくとも一方に予め貼着されていることを特徴とする
請求項3に記載の半導体パッケージの製造方法。
4. The method according to claim 3, wherein the heat-resistant material is previously attached to at least one of the pair of films.
【請求項5】 請求項2に記載の半導体パッケージの製
造方法に用いられる一対のフィルムであって、両フィル
ムの少なくとも一方には、半導体パッケージ成形用金型
における封止材料注入孔からランナ部を介してキャビテ
ィ内に注入される封止材料が金型とフィルムとの間に入
ることを防止する耐熱性材料が、金型へのフィルムのセ
ット時に同注入孔の近傍においてランナ部を横断するよ
うに貼着されていることを特徴とするフィルム。
5. A pair of films used in the method of manufacturing a semiconductor package according to claim 2, wherein at least one of the two films has a runner portion from a sealing material injection hole in a semiconductor package molding die. A heat-resistant material that prevents a sealing material injected into the cavity through the mold and the film from passing through the runner portion near the injection hole when the film is set in the mold. A film which is stuck on a film.
【請求項6】 請求項3または請求項4に記載の半導体
パッケージの製造方法に用いられる半導体パッケージ成
形用金型であって、同金型におけるランナ部を横断する
ようにセットされる耐熱材料の形状に対応する形状を有
する凹部が、その耐熱材料のセット位置に対応位置する
ように設けられていることを特徴とする金型。
6. A mold for molding a semiconductor package used in the method of manufacturing a semiconductor package according to claim 3, wherein the heat-resistant material is set to cross a runner portion of the mold. A mold having a concave portion having a shape corresponding to the shape provided so as to correspond to a set position of the heat-resistant material.
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