JPS63173315A - 新規固体電解コンデンサ - Google Patents
新規固体電解コンデンサInfo
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- JPS63173315A JPS63173315A JP569287A JP569287A JPS63173315A JP S63173315 A JPS63173315 A JP S63173315A JP 569287 A JP569287 A JP 569287A JP 569287 A JP569287 A JP 569287A JP S63173315 A JPS63173315 A JP S63173315A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は固体電解質を用いた固体電解コンデンサに関す
るものである。
るものである。
[従来の技術]
固体電解コンデンサは陽極酸化皮膜を有するアルミニウ
ムなどの誘電体皮膜生成金属に固体電解質を付着した構
造を有している。この種のコンデンサには、従来までほ
とんど二酸化マンガンが固体電解質として用いられてき
た。
ムなどの誘電体皮膜生成金属に固体電解質を付着した構
造を有している。この種のコンデンサには、従来までほ
とんど二酸化マンガンが固体電解質として用いられてき
た。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、二酸化マンガンを電極上に形成させる際
には、一般に硝酸マンガン溶液に浸漬させた後、加水分
解を行うため、陽極酸化皮膜が損傷をうけること、加え
て二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しい
という欠点があった。
には、一般に硝酸マンガン溶液に浸漬させた後、加水分
解を行うため、陽極酸化皮膜が損傷をうけること、加え
て二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しい
という欠点があった。
上記の欠点を改善させる目的で、固体電解質として有機
半導体、主として?、7,8.8−テトラシアノキノジ
メタン(TCNQ)の塩(TCNQ錯体)を用いること
が、提案されている。
半導体、主として?、7,8.8−テトラシアノキノジ
メタン(TCNQ)の塩(TCNQ錯体)を用いること
が、提案されている。
TC)IQ錯体はTCNQをアクセプター材とし、トナ
ー材としてはキノリン(Qn)、テトラチアフルバレン
(TTF)、N−メチルフェナジン(NMP)、テトラ
セレナフルバレン(TSF)などがこれまで検討されて
おり、更に新しいトナー材についての研究も精力的に行
われているが、まだ充分満足できるものは得られていな
い。
ー材としてはキノリン(Qn)、テトラチアフルバレン
(TTF)、N−メチルフェナジン(NMP)、テトラ
セレナフルバレン(TSF)などがこれまで検討されて
おり、更に新しいトナー材についての研究も精力的に行
われているが、まだ充分満足できるものは得られていな
い。
特に耐熱性の点に関しては、従来検討されてきたTCN
Q錯体はいずれも問題を抱えている。即ち、固体電解コ
ンデンサに於ては、コンデンサの製造処理過程に於てハ
ンダ処理等の熱に曝される機会が多いこと、及び電源回
路に於いてトランスの近くに配置されることなどの点か
ら、電解質は熱的に安定でなくてはならないが、従来の
TCNQ錯体はいずれもこの点て不安要素がある。即ち
、例えばイソキノリンをドナー材としたTCNQ錯体な
固体電解質とする固体電解コンデンサは、これまでに種
々提案されているが、いずれも上記の問題を解決するに
到っていない。
Q錯体はいずれも問題を抱えている。即ち、固体電解コ
ンデンサに於ては、コンデンサの製造処理過程に於てハ
ンダ処理等の熱に曝される機会が多いこと、及び電源回
路に於いてトランスの近くに配置されることなどの点か
ら、電解質は熱的に安定でなくてはならないが、従来の
TCNQ錯体はいずれもこの点て不安要素がある。即ち
、例えばイソキノリンをドナー材としたTCNQ錯体な
固体電解質とする固体電解コンデンサは、これまでに種
々提案されているが、いずれも上記の問題を解決するに
到っていない。
[発明の目的コ
本発明の目的は、固体電解コンデンサが有する上記した
如き諸問題を全く有さない、新規で且つ有用な固体電解
コンデンサを提供することにある。
如き諸問題を全く有さない、新規で且つ有用な固体電解
コンデンサを提供することにある。
[発明の概要コ
本発明は、表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属から
なる陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用
電極との間に介在させる電解質として、式 [但し、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、
炭素数1〜4のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基、フルオロ基又は水酸基を示し、R
2は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基又は=(CH
2)。−0CH3(但し、nは1〜5の任意の整数を示
す。)を示す。]で表されるl−置換−4−[2−フェ
ニル(又は置換フェニル)エテニルコビリシニウムカチ
オンをドナー材としたTCN(1錯体を用いることを特
徴とする固体電解コンデンサである。
なる陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用
電極との間に介在させる電解質として、式 [但し、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、
炭素数1〜4のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、ト
リフルオロメチル基、フルオロ基又は水酸基を示し、R
2は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基又は=(CH
2)。−0CH3(但し、nは1〜5の任意の整数を示
す。)を示す。]で表されるl−置換−4−[2−フェ
ニル(又は置換フェニル)エテニルコビリシニウムカチ
オンをドナー材としたTCN(1錯体を用いることを特
徴とする固体電解コンデンサである。
即ち、本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意研究を
重ねた結果、式 (式中、R1及びR2は前記と同じ。)で表されるl−
置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル)エチニ
ル]ピリジニウムカチオンをドナー材とするTC)fQ
錯体は、耐熱性、安定性に優れており、これを電解コン
デンサの固体電解質に適用した場合、優れた温度特性及
び安定性を示し、特に製品化した後、プリント基板にハ
ンダ付けする際には、充分高い温度でのりフローが行え
ることを見出し本発明を完成するに到った。
重ねた結果、式 (式中、R1及びR2は前記と同じ。)で表されるl−
置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル)エチニ
ル]ピリジニウムカチオンをドナー材とするTC)fQ
錯体は、耐熱性、安定性に優れており、これを電解コン
デンサの固体電解質に適用した場合、優れた温度特性及
び安定性を示し、特に製品化した後、プリント基板にハ
ンダ付けする際には、充分高い温度でのりフローが行え
ることを見出し本発明を完成するに到った。
本発明に用いられるTCNQ錯体は、例えば下記の如く
表される。
表される。
(式中、kは0.55に≦2.0なる任意の数を表す。
)本発明に係るTCNQ錯体に於て、ドナ一部の式表さ
れる1−置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル
)エチニル]ピリジニウムカチオンのR1は、水素原子
、例えばメチル基、エチル基、プロピル基。
れる1−置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル
)エチニル]ピリジニウムカチオンのR1は、水素原子
、例えばメチル基、エチル基、プロピル基。
ブチル基環炭素数1〜4の直鎖状若しくは分枝状のアル
キル基、例えばメトキシ基、エトキシ基。
キル基、例えばメトキシ基、エトキシ基。
プロポキシ基、ブトキシ基等炭素数1〜4の直鎖状若し
くは分枝状のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、フル
オロ基、トリフルオロメチル基又は水酸基を示し、R2
は水素原子、例えばメチル基。
くは分枝状のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、フル
オロ基、トリフルオロメチル基又は水酸基を示し、R2
は水素原子、例えばメチル基。
エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基等炭素数1〜8の直鎖状若
しくは末端に分枝を有するアルキル基又は、例えはメト
キシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基
、メトキシブチル基、メトキシアミル基等、式−(CH
2)、 OCH3(但し、nは1〜5の任意の整数を示
す。)て示されるメトキシアルキル基を示す。
基、ヘプチル基、オクチル基等炭素数1〜8の直鎖状若
しくは末端に分枝を有するアルキル基又は、例えはメト
キシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基
、メトキシブチル基、メトキシアミル基等、式−(CH
2)、 OCH3(但し、nは1〜5の任意の整数を示
す。)て示されるメトキシアルキル基を示す。
本発明に係るTCNQ錯体は、自体公知の方法、例えば
l−置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル)エ
チニル]ピリジニウムカチオンのハロゲン化物とTCN
Qの1塩とを反応させて、 R’ を得、これに中性TCNQをドーピングさせる方法によ
り容易に合成し得る。1−置換−4−[2−フェニル(
又は置換フェニル)エチニル]ピリジニウムカチオンの
ハロゲン化物は、例えば化合物X−R2(式中、Xはハ
ロゲン原子を示し、R2は前記と同し。)を、要すれば
適当な溶媒の存在下4−(2−フェニルエチニル)ピリ
ジン或は4−(2−置換フェニルエチニル)ピリジンと
反応させることにより容易に得ることができるので、こ
の様にして得たものを用いることで足りる。また、X−
R2で示される化合物のうちメトキシアルキルハライド
は、例えばJ、Am、Chem、Soc、、72.13
34(’+950)等に記載の方法に従い塩化アルキル
と金属メチラートから容易に合成できるので、このよう
にして得られたものを用いることで足りる。また、4−
(2−フェニルエチニル)ピリジン或は4−(2−置換
フェニルエチニル)ピリジンは、例えは、J、Org、
Chem、、2fi、387(1963)、J、Org
、Chem、、21.1039(1956)、J、Ch
em、Soc、 +1960.1516、J、Chem
、Soc、、1934.276等に記載の方法に従って
γ−ピコリンとヘンズアルデヒド又は置換へンズアルデ
ヒドを無水酢酸中で反応させることにより容易に得るこ
とができるので、この様にして得たものを用いることで
足りる。また、本発明のTCNQ錯体は、ヨードイオン
I−の還元力を利用し、■−置換−4−[2−フェニ
ル(又は置換フェニル)エチニル]ピリジニウムカチオ
ンのアイオをモル比3:4で反応させる方法によっても
同様に合成し得ることは言うまでもない。
l−置換−4−[2−フェニル(又は置換フェニル)エ
チニル]ピリジニウムカチオンのハロゲン化物とTCN
Qの1塩とを反応させて、 R’ を得、これに中性TCNQをドーピングさせる方法によ
り容易に合成し得る。1−置換−4−[2−フェニル(
又は置換フェニル)エチニル]ピリジニウムカチオンの
ハロゲン化物は、例えば化合物X−R2(式中、Xはハ
ロゲン原子を示し、R2は前記と同し。)を、要すれば
適当な溶媒の存在下4−(2−フェニルエチニル)ピリ
ジン或は4−(2−置換フェニルエチニル)ピリジンと
反応させることにより容易に得ることができるので、こ
の様にして得たものを用いることで足りる。また、X−
R2で示される化合物のうちメトキシアルキルハライド
は、例えばJ、Am、Chem、Soc、、72.13
34(’+950)等に記載の方法に従い塩化アルキル
と金属メチラートから容易に合成できるので、このよう
にして得られたものを用いることで足りる。また、4−
(2−フェニルエチニル)ピリジン或は4−(2−置換
フェニルエチニル)ピリジンは、例えは、J、Org、
Chem、、2fi、387(1963)、J、Org
、Chem、、21.1039(1956)、J、Ch
em、Soc、 +1960.1516、J、Chem
、Soc、、1934.276等に記載の方法に従って
γ−ピコリンとヘンズアルデヒド又は置換へンズアルデ
ヒドを無水酢酸中で反応させることにより容易に得るこ
とができるので、この様にして得たものを用いることで
足りる。また、本発明のTCNQ錯体は、ヨードイオン
I−の還元力を利用し、■−置換−4−[2−フェニ
ル(又は置換フェニル)エチニル]ピリジニウムカチオ
ンのアイオをモル比3:4で反応させる方法によっても
同様に合成し得ることは言うまでもない。
本発明に係るTCNQ錯体は高温まで安定であるが故に
、電極との接合技術に於いて有利な利点をもたらす。即
ち、高沸点で極性の高い溶媒に溶かすことが可能であり
、浸漬、乾燥時に極めて速やかに電極表面上での再結晶
化が起こる。また、アルミニウム電解コンデンサの様に
細かくエツチングされた電極の凹凸の中にも無理なく含
浸される。
、電極との接合技術に於いて有利な利点をもたらす。即
ち、高沸点で極性の高い溶媒に溶かすことが可能であり
、浸漬、乾燥時に極めて速やかに電極表面上での再結晶
化が起こる。また、アルミニウム電解コンデンサの様に
細かくエツチングされた電極の凹凸の中にも無理なく含
浸される。
これは結晶化速度との条件がらみの問題もあるが、結晶
の微細化、高密度化とともに含浸状態が良好になるのは
言うまでもない。
の微細化、高密度化とともに含浸状態が良好になるのは
言うまでもない。
尚、本発明の固体電解コンデンサに用いられる陽極用電
極はアルミニウム箔に限定されるものではなく、他の弁
作用金属も当然ながら使用可能であり、また、粉末焼結
電極を用いても同様の効果が得られることは言うまでも
ない。
極はアルミニウム箔に限定されるものではなく、他の弁
作用金属も当然ながら使用可能であり、また、粉末焼結
電極を用いても同様の効果が得られることは言うまでも
ない。
以下、本発明の具体的実施例について説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
[実施例]
参考例1゜
本発明に用いられる代表的なTCNQ錯体の数例につき
その基本物性を表−1に示す。
その基本物性を表−1に示す。
実施例1゜
(試料群−Iの調製)
参考例1に例示したもののうち錯体A−Fまでについて
定格10WV−33μFのアルミニウム電解コンデンサ
素子を用いて行った。含浸は各錯体を180℃に熱した
ニトロヘンゼン溶液に過飽和させ、該素子を浸漬させ2
10℃で乾燥させた。この操作を4回繰り返し含浸を終
了させ製品とした。
定格10WV−33μFのアルミニウム電解コンデンサ
素子を用いて行った。含浸は各錯体を180℃に熱した
ニトロヘンゼン溶液に過飽和させ、該素子を浸漬させ2
10℃で乾燥させた。この操作を4回繰り返し含浸を終
了させ製品とした。
(試料−Hの調製)
N−n−ブチルイソキノリンTCNQ錯体な用いて、試
料群−Iの調製方法に準して含浸、製品化を行った。
料群−Iの調製方法に準して含浸、製品化を行った。
(試料−■の調製)
硝酸マンガン飽和水溶液を用い、220℃にて60秒浸
漬、加熱処理を6回繰り返したのち、試料群−■と同様
に製品化した。
漬、加熱処理を6回繰り返したのち、試料群−■と同様
に製品化した。
(結果)
初回特性を表−2に示す。静電容量及びtanδは常温
、120Hzに於ける値を、また、漏れ電流は常温、定
格電圧印加1分後の値を示す。
、120Hzに於ける値を、また、漏れ電流は常温、定
格電圧印加1分後の値を示す。
更に、105℃の雰囲気で定格電圧を印加し2000時
間までの高温負荷試験を行った結果を表−3(1)〜(
3)に示す。
間までの高温負荷試験を行った結果を表−3(1)〜(
3)に示す。
表−2
表−3(1)
(印加時間: 500hrs)
以下余白
表−3(2)
(印加時間: 1ooohrs)
以下余白
表−3(3)
(印加時間: 2000hrs)
表−2及び表−3(1)〜(3)の結果から、本発明に
係るTCNQ錯体を使用した電解コンデンサは熱的にも
かなり安定であることが実証された。
係るTCNQ錯体を使用した電解コンデンサは熱的にも
かなり安定であることが実証された。
実施例2゜
(試料群−■の調製)
参考例1に示す錯体G−Kを用いて、実施例1の試料群
−■の調製方法に準して試料群−■を調製した。
−■の調製方法に準して試料群−■を調製した。
(結果)
試料群−■及び試料■、■を用いて、230℃に於ける
リフローを60秒間行いりフローによる特性変化の調査
を行った結果を表−4に示す。
リフローを60秒間行いりフローによる特性変化の調査
を行った結果を表−4に示す。
以下余白
表−4
以下余白
表−4の結果からも明らかな様に、N−n−ブチルイソ
キノリンTCNQ錯体を用いた製品と二酸化マンガンを
用いた製品は静電容量が大幅に増大しており、リフロ一
時に於ける熱ストレスによって錯体が劣化したことを示
しているが、本発明に係る錯体を用いた固体電解コンデ
ンサはいずれも静電容量、tanδ及び漏れ電流が安定
しており極めて安定な製品であることが判る。
キノリンTCNQ錯体を用いた製品と二酸化マンガンを
用いた製品は静電容量が大幅に増大しており、リフロ一
時に於ける熱ストレスによって錯体が劣化したことを示
しているが、本発明に係る錯体を用いた固体電解コンデ
ンサはいずれも静電容量、tanδ及び漏れ電流が安定
しており極めて安定な製品であることが判る。
[発明の効果]
以上述べたごとく、本発明に使用したTCNQ錯体は、
固体電解質として熱的に極めて安定であり、電極と固体
電解質との接合性も良好なので、これを電解質として用
いた本発明の固体電解コンデンサは従来のものと比べそ
の電気特性が著しく改善され且つ安定化されたものであ
る点に顕著な効果を奏するものであり、工業的且つ実用
的価値穴なるものである。
固体電解質として熱的に極めて安定であり、電極と固体
電解質との接合性も良好なので、これを電解質として用
いた本発明の固体電解コンデンサは従来のものと比べそ
の電気特性が著しく改善され且つ安定化されたものであ
る点に顕著な効果を奏するものであり、工業的且つ実用
的価値穴なるものである。
Claims (1)
- (1)表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属からなる
陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用電極
との間に介在させる電解質として、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [但し、R^1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基
、炭素数1〜4のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、
トリフルオロメチル基、フルオロ基又は水酸基を示し、
R^2は水素原子、炭素数1〜8のアルキル基又は−(
CH_2)_n−OCH_3(但し、nは1〜5の任意
の整数を示す。)を示す。]で表される1−置換−4−
[2−フェニル(又は置換フェニル)エテニル]ピリジ
ニウムカチオンをドナー材としたTCNQ錯体を用いる
ことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP569287A JPH0777183B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 新規固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP569287A JPH0777183B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 新規固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63173315A true JPS63173315A (ja) | 1988-07-16 |
JPH0777183B2 JPH0777183B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=11618154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP569287A Expired - Lifetime JPH0777183B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 新規固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0777183B2 (ja) |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP569287A patent/JPH0777183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0777183B2 (ja) | 1995-08-16 |
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