JPH01255208A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、良好な皮膜修復性を打する7、7゜8.8−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
[従来の技術と問題点]
7.7,8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、T
CNQと略す。)からなるイオンラジカル塩を固体電解
質とする固体電解コンデンサとして、例えばN−エチル
イソキノリン、N−(n−プロピル)イソキノリン、N
−(イソ−プロピル)イソキノリン、N−(n−ブチル
)イソキノリン、N位をアルキル基で置換したキノリン
、イソキノリンあるいはヒ゛リジンをカチオンとし、T
CNQをアニオンとするTCNQ錯塩(特開昭58−1
7609号、特開昭58−191414号または特開昭
59−63604号)を加熱融解し、冷却固化したもの
を固体電解質したものが良く知られている。なお、これ
らTCNQ錯塩のカチオンにおいて、そのN位は炭素数
2〜18までの中で選ばれたアルキル基で置換されてい
る。
CNQと略す。)からなるイオンラジカル塩を固体電解
質とする固体電解コンデンサとして、例えばN−エチル
イソキノリン、N−(n−プロピル)イソキノリン、N
−(イソ−プロピル)イソキノリン、N−(n−ブチル
)イソキノリン、N位をアルキル基で置換したキノリン
、イソキノリンあるいはヒ゛リジンをカチオンとし、T
CNQをアニオンとするTCNQ錯塩(特開昭58−1
7609号、特開昭58−191414号または特開昭
59−63604号)を加熱融解し、冷却固化したもの
を固体電解質したものが良く知られている。なお、これ
らTCNQ錯塩のカチオンにおいて、そのN位は炭素数
2〜18までの中で選ばれたアルキル基で置換されてい
る。
TCNQ錯塩を加熱融解し、冷却固化するという方法は
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にTCNQ錯塩を融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面TC
NQ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるTCNQCN上
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。また、冷
却固化時にTCNQCN上結晶化し、電極箔の多孔買部
への充分な接触が得られないという欠点を持っている。
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にTCNQ錯塩を融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面TC
NQ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるTCNQCN上
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。また、冷
却固化時にTCNQCN上結晶化し、電極箔の多孔買部
への充分な接触が得られないという欠点を持っている。
[発明の目的]
しかるに、本発明は上述のような欠点を除去し得るもの
で、具体的には比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定であるフタラジンTCNQ錯塩を固体電解質としたも
のである。これにより高性能で信頼性の高い固体電解コ
ンデンサを提供するものである。
で、具体的には比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定であるフタラジンTCNQ錯塩を固体電解質としたも
のである。これにより高性能で信頼性の高い固体電解コ
ンデンサを提供するものである。
[発明の概認]
本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化(化成)により表面に陽74PfIi化皮膜を有
する弁作用金属(例えば、アルミニウム、タンタル、チ
タンおよびこれらの合金)を第1の電極とし、第2の電
極(対極)との間に直接あるいはセパレータを介在させ
てTCNQCN上らなる固体電解質を有するものである
。TCNQCN上しでは上述したようにN−アルキル−
2,3’−ビピリジルT CN Q 錯塩であり、カチ
オンである2)3′−ビピリジルのN位は炭素数1〜1
8のアルキル基(n−,1so−などの全ての異性体を
含む)またはベンジル基によって置換されている。ここ
で、N−アルキル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩の
構造式を示すと次のようになる。
極酸化(化成)により表面に陽74PfIi化皮膜を有
する弁作用金属(例えば、アルミニウム、タンタル、チ
タンおよびこれらの合金)を第1の電極とし、第2の電
極(対極)との間に直接あるいはセパレータを介在させ
てTCNQCN上らなる固体電解質を有するものである
。TCNQCN上しでは上述したようにN−アルキル−
2,3’−ビピリジルT CN Q 錯塩であり、カチ
オンである2)3′−ビピリジルのN位は炭素数1〜1
8のアルキル基(n−,1so−などの全ての異性体を
含む)またはベンジル基によって置換されている。ここ
で、N−アルキル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩の
構造式を示すと次のようになる。
2.3−ビピリジルTCNQ錯塩の構造式式[1]中、
RはC,XC,Aのアルキル基またはベンジル基を示す
、、mは1モルの錯塩に含まれる中性7,7.8.8−
テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する正の数(
0,5〜1.5)を意味する。
RはC,XC,Aのアルキル基またはベンジル基を示す
、、mは1モルの錯塩に含まれる中性7,7.8.8−
テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する正の数(
0,5〜1.5)を意味する。
次に、2.3−ビピリジルTCNQ錯塩の合成方法につ
いて述べる。、0.01モルの2.3′−ビピリジルと
0.015モルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜
45[’C]にウォーターバスで熱して攪拌すると、4
級化反応が起こる。この溶液を冷却して得られる黄色の
粉末(ヨウ化−N−メチル−2,3−ビピリジル)の0
.01モルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し、0.
02モルのT CN Q 錯塩を溶解した80[℃]の
アセトニトリル溶液と混合する。その後、約5時間室温
で放冷することにより、N−メチル−2,3′−ビピリ
ジルTCNQ錯塩の針状結晶が得られる。この結晶を少
量のアセトニトリルで洗浄し、さらにエタノールで洗液
か着色しなくなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し、
乾燥し、固体電解コンデンサに通用する。なお、この合
成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化エチル
、ヨウ化プロピル・・・を使用すれば、それぞれN−エ
チル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩、N −n−プ
ロピル−2,3−どピリジル錯塩・・・を得る。
いて述べる。、0.01モルの2.3′−ビピリジルと
0.015モルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜
45[’C]にウォーターバスで熱して攪拌すると、4
級化反応が起こる。この溶液を冷却して得られる黄色の
粉末(ヨウ化−N−メチル−2,3−ビピリジル)の0
.01モルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し、0.
02モルのT CN Q 錯塩を溶解した80[℃]の
アセトニトリル溶液と混合する。その後、約5時間室温
で放冷することにより、N−メチル−2,3′−ビピリ
ジルTCNQ錯塩の針状結晶が得られる。この結晶を少
量のアセトニトリルで洗浄し、さらにエタノールで洗液
か着色しなくなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し、
乾燥し、固体電解コンデンサに通用する。なお、この合
成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化エチル
、ヨウ化プロピル・・・を使用すれば、それぞれN−エ
チル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩、N −n−プ
ロピル−2,3−どピリジル錯塩・・・を得る。
代表例として、N−メチル−2,3′−ビピリジルTC
NQ錯塩の比抵抗値は0.48 [Ω・cm]、N−n
−エチル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩の比抵抗値
は0.7[Ω・cm]、N−n−プロピル−2,3′−
ビピリジルT CN Q kl塩の比抵抗値は1.6[
Ω・cm]、N−n−ベンジル−2,3′−ビピリジル
TCNQ*塩の比抵抗値は1.6[Ω・cm]であった
。
NQ錯塩の比抵抗値は0.48 [Ω・cm]、N−n
−エチル−2,3−ビピリジルTCNQ錯塩の比抵抗値
は0.7[Ω・cm]、N−n−プロピル−2,3′−
ビピリジルT CN Q kl塩の比抵抗値は1.6[
Ω・cm]、N−n−ベンジル−2,3′−ビピリジル
TCNQ*塩の比抵抗値は1.6[Ω・cm]であった
。
[実施例]
次に、上述のようにして得たN−アルキル−2,3−ビ
ピリジルTCNQi塩を電解コンデンサに通用した実施
例について述べる。
ピリジルTCNQi塩を電解コンデンサに通用した実施
例について述べる。
N−メチル−2,3′−ビピリジルTCNQ錯塩をアセ
トニトリル中に溶解し、飽和溶液とする。
トニトリル中に溶解し、飽和溶液とする。
次に、この溶液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後5
0〜60[”C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニト
リルを飛散させた。この操作を5回繰返し行った。コン
デンサ素子は電極として表面を約10倍にエツチングし
たアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸
化皮Mを形成したものである。電解質の含浸後にコロイ
ダルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗7+1
L/、リード線をハンダ付けし、外装することにより
定格2.2[μF]の陽極に対して2.5[μF]、損
失3.2[%]の固体電解コンデンサを得た。
0〜60[”C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニト
リルを飛散させた。この操作を5回繰返し行った。コン
デンサ素子は電極として表面を約10倍にエツチングし
たアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸
化皮Mを形成したものである。電解質の含浸後にコロイ
ダルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗7+1
L/、リード線をハンダ付けし、外装することにより
定格2.2[μF]の陽極に対して2.5[μF]、損
失3.2[%]の固体電解コンデンサを得た。
上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
(定格25 [V] ・2.2 [μF] )(7)実
施例と、実施例と同様のコンデンサ素子に熱融解により
N −n−プロピル−キノリンT CN Q 81塩を
含浸して得た固体電解コンデンサの従来例1との寿命特
性比較を第1表に示す、第1表中、静電容量値および損
失角の正接は周波数が120[Hzlでの値であり、等
個直列抵抗値は周波数が100 [KHz ]での値で
ある。漏れ電流は、定格電圧(25[V] )印加1分
後に測定した値である。
(定格25 [V] ・2.2 [μF] )(7)実
施例と、実施例と同様のコンデンサ素子に熱融解により
N −n−プロピル−キノリンT CN Q 81塩を
含浸して得た固体電解コンデンサの従来例1との寿命特
性比較を第1表に示す、第1表中、静電容量値および損
失角の正接は周波数が120[Hzlでの値であり、等
個直列抵抗値は周波数が100 [KHz ]での値で
ある。漏れ電流は、定格電圧(25[V] )印加1分
後に測定した値である。
第1表 寿命特性
引続き、本発明の他の実施例について述べる。
N −n−ブチル−2,3′−ビピリジルT CN Q
Si!塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラク
トンの化合物40[mg]を直径5.0 [mmlのア
ルミニウムケースに充填し、200[’C]まで約9秒
で加熱し、溶解した。その中にアルミニウム箔からなる
陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻回した巻取コン
デンサ素子を浸漬し、浸漬後約13秒で冷却した。なお
、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素子は2001)
]の温度まで上昇させておいた。これにより、定格2.
2[μF]の陽極に対して2.4[μF]、損失3.7
[%]の固体電解コンデンサを得た。
Si!塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラク
トンの化合物40[mg]を直径5.0 [mmlのア
ルミニウムケースに充填し、200[’C]まで約9秒
で加熱し、溶解した。その中にアルミニウム箔からなる
陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻回した巻取コン
デンサ素子を浸漬し、浸漬後約13秒で冷却した。なお
、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素子は2001)
]の温度まで上昇させておいた。これにより、定格2.
2[μF]の陽極に対して2.4[μF]、損失3.7
[%]の固体電解コンデンサを得た。
[効果]
以上にて述べた本発明に係るN−アルキル−2,3−ビ
ピリジルTCNQ錯塩は、従来のキノリンTCNQi塩
よりも熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の有機
半導体を提供できるものである。さらに、このN−アル
キル−2,3′−ビピリジルTCNQ錯塩を固体電解コ
ンデンサの電解質として用いた場合、第1表から分かる
ように寿命特性が従来例より優れた固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
ピリジルTCNQ錯塩は、従来のキノリンTCNQi塩
よりも熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の有機
半導体を提供できるものである。さらに、このN−アル
キル−2,3′−ビピリジルTCNQ錯塩を固体電解コ
ンデンサの電解質として用いた場合、第1表から分かる
ように寿命特性が従来例より優れた固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
Claims (2)
- (1)電解質としてN位を炭化水素基で置換した2,3
′−ビピリジル・7,7,8,8−テトラシアノキノジ
メタン錯塩を用いたことを特徴とする固体電解コンデン
サ。 - (2)特許請求の範囲(1)において、2,3′−ビピ
リジルのN位は炭素数が1〜18までの中から選ばれた
アルキル基またはベンジル基で置換されていることを特
徴とした固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8357488A JPH01255208A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8357488A JPH01255208A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255208A true JPH01255208A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13806277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8357488A Pending JPH01255208A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255208A (ja) |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8357488A patent/JPH01255208A/ja active Pending
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