JPH02260410A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- -1 S-substituted-2-thiophenealdehyde isothiosemicarbazone Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N (3r,4r)-3-azaniumyl-5-[[(2s,3r)-1-[(2s)-2,3-dicarboxypyrrolidin-1-yl]-3-methyl-1-oxopentan-2-yl]amino]-5-oxo-4-sulfanylpentane-1-sulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)CC[C@@H](N)[C@@H](S)C(=O)N[C@@H]([C@H](C)CC)C(=O)N1CCC(C(O)=O)[C@H]1C(O)=O HUWSZNZAROKDRZ-RRLWZMAJSA-N 0.000 description 1
- YNTKURSKMLATKI-UHFFFAOYSA-N (thiophen-2-ylmethylideneamino)thiourea Chemical compound NC(=S)NN=CC1=CC=CS1 YNTKURSKMLATKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZRTVZJJHSHDHC-UHFFFAOYSA-N C[S+]1C(C=O)=CC=C1 Chemical compound C[S+]1C(C=O)=CC=C1 HZRTVZJJHSHDHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N iodoethane Chemical compound CCI HVTICUPFWKNHNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PVWOIHVRPOBWPI-UHFFFAOYSA-N n-propyl iodide Chemical compound CCCI PVWOIHVRPOBWPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005956 quaternization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRVJKTDHMYAMHA-WUXMJOGZSA-N thioacetazone Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(\C=N\NC(N)=S)C=C1 SRVJKTDHMYAMHA-WUXMJOGZSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、良好な皮膜修復性を有する７、７゜８．８−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
［従来の技術］
７．７，８．８−テトラシアノキノジメタン（以下、Ｔ
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴＣＮＱＣＮ上特開昭５８−１９１４１４号）を
加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質したものが
良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ膳塩のカチオ
ンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの中で選ば
れたアルキル基で置換されている。
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴＣＮＱＣＮ上特開昭５８−１９１４１４号）を
加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質したものが
良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ膳塩のカチオ
ンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの中で選ば
れたアルキル基で置換されている。
ＴＣＮＱＣＮ上加熱融解し、冷却固化するという方法は
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にＴＣＮＱＣＮ上融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面ＴＣ
ＮＱ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱＣＮ上
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。
、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタ
ル焼結体にＴＣＮＱＣＮ上融解状態で含浸することがで
きるので、好ましいものである。しかし、その反面ＴＣ
ＮＱ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱＣＮ上
分解し、絶縁体に変質してしまうものである。
［発明の目的〕
一方、本発明は比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのＳ−置
換−２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカルバゾン
Ｔ ＣＮ Ｑ錯塩を固体電解質としたものである。これ
により高性能で信頼性の高い固体電解コンデンサを提供
するものである。
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのＳ−置
換−２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカルバゾン
Ｔ ＣＮ Ｑ錯塩を固体電解質としたものである。これ
により高性能で信頼性の高い固体電解コンデンサを提供
するものである。
［発明の概要］
本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
Ｑ錨塩からなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮ
ＱＣＮ上しては上述したようにＳ−置換−２−チオフェ
ンアルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑｍ塩
である。ここで、Ｓ−置換−２−チオフェンアルデヒド
イソチオセミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩の構造式を示すと
次のようになる。
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
Ｑ錨塩からなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮ
ＱＣＮ上しては上述したようにＳ−置換−２−チオフェ
ンアルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑｍ塩
である。ここで、Ｓ−置換−２−チオフェンアルデヒド
イソチオセミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩の構造式を示すと
次のようになる。
Ｓ−置換−２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカル
バゾンＴＣＮＱ錯塩の構造式 式［１］中、ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７．７．
８．８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数（０，５〜１．５）を意味する。ＲはＣ，〜Ｃ＋
ａのアルキル基を示す。
バゾンＴＣＮＱ錯塩の構造式 式［１］中、ｍは１モルの錯塩に含まれる中性７．７．
８．８−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数（０，５〜１．５）を意味する。ＲはＣ，〜Ｃ＋
ａのアルキル基を示す。
次に、Ｓ−メチル−２−チオフエンアルデヒドイソヂオ
セミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩の合成方法について述べる
。０．０１モルの２−チオフェンアルデヒドイソチオセ
ミカルバゾンと０．０１Ｅルのヨウ化メチルをフラスコ
内で約４０〜４５［”Ｃ］にウォーターバスで熱して撹
拌すると、４級化反応が起こる。この溶液を冷却して得
られる（ヨウ化−８−メチル−２−チオフェンアルデヒ
ドイソチオセミカルバゾンの０．００３モルをアセトニ
トリルに沸騰状態で溶解し、Ｑ、００３モルのＴＣＮＱ
ＣＮ上溶解した沸騰状態のアセトニトリル溶液と混合す
る。その後、約１０時間、５℃で放置することにより、
Ｓ−メチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミカ
ルバゾンＴＣＮＱｍ塩の針状結晶が得られる。この結晶
を少量のアセトニトリルで洗浄し、さらにメタノールで
洗液が着色しなくなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄
し、乾燥し、固体電解コンデンサに適用する。
セミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩の合成方法について述べる
。０．０１モルの２−チオフェンアルデヒドイソチオセ
ミカルバゾンと０．０１Ｅルのヨウ化メチルをフラスコ
内で約４０〜４５［”Ｃ］にウォーターバスで熱して撹
拌すると、４級化反応が起こる。この溶液を冷却して得
られる（ヨウ化−８−メチル−２−チオフェンアルデヒ
ドイソチオセミカルバゾンの０．００３モルをアセトニ
トリルに沸騰状態で溶解し、Ｑ、００３モルのＴＣＮＱ
ＣＮ上溶解した沸騰状態のアセトニトリル溶液と混合す
る。その後、約１０時間、５℃で放置することにより、
Ｓ−メチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミカ
ルバゾンＴＣＮＱｍ塩の針状結晶が得られる。この結晶
を少量のアセトニトリルで洗浄し、さらにメタノールで
洗液が着色しなくなるまで洗浄した後、エーテルで洗浄
し、乾燥し、固体電解コンデンサに適用する。
この合成工程において、ヨウ化メチルもこ代えて、ヨウ
化エチル、ヨウ化プロピル・・・を使用すれば、それぞ
れＳ−エチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミ
カルバゾンＴＣＮＱ錯塩、Ｓ −ｎ−−プロピル−２−
チオフェンアルデヒドインチオセミカルバゾンＴＣＮＱ
錯塩・・・を得る。
化エチル、ヨウ化プロピル・・・を使用すれば、それぞ
れＳ−エチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミ
カルバゾンＴＣＮＱ錯塩、Ｓ −ｎ−−プロピル−２−
チオフェンアルデヒドインチオセミカルバゾンＴＣＮＱ
錯塩・・・を得る。
Ｓ−メチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミカ
ルバゾンＴ ＣＮ Ｑｍ塩の比抵抗値は８６９［Ω・ｅ
ｍｌ 、Ｓ−エチル−２−チオフェンアルデヒドイソチ
オセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑ錯塩の比抵抗値は９．０
８ ［Ω・ｅｍｌであった。
ルバゾンＴ ＣＮ Ｑｍ塩の比抵抗値は８６９［Ω・ｅ
ｍｌ 、Ｓ−エチル−２−チオフェンアルデヒドイソチ
オセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑ錯塩の比抵抗値は９．０
８ ［Ω・ｅｍｌであった。
［実施例］
次に、上述のようにして得たＳ−置換−２−チオフェン
アルデヒドイソチオセミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩を電解
コンデンサに適用した実施例について述べる。
アルデヒドイソチオセミカルバゾンＴＣＮＱ錯塩を電解
コンデンサに適用した実施例について述べる。
Ｓ−メチル−２−チオフェンアルデヒドインチオセミカ
ルバゾンＴ ＣＮ Ｑｔａ塩をアセし・ニトリル中に溶
解し、飽和溶液とする１次に、この溶液中にコンデンサ
素子を浸漬し、その後５０〜６０［”Ｃ］で真空乾燥を
行い、溶媒・のアセトニトリルを飛散させた。この操作
を３回繰返し行なった。
ルバゾンＴ ＣＮ Ｑｔａ塩をアセし・ニトリル中に溶
解し、飽和溶液とする１次に、この溶液中にコンデンサ
素子を浸漬し、その後５０〜６０［”Ｃ］で真空乾燥を
行い、溶媒・のアセトニトリルを飛散させた。この操作
を３回繰返し行なった。
コンデンサ素子は電極として表面を約１０倍にエツチン
グしたアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理し
た酸化皮膜を形成したものである。
グしたアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理し
た酸化皮膜を形成したものである。
電解質の含浸後にコロイダルカーボンを塗布し、その後
に銀ペーストを塗布し、リード線をハンダ付けし、外装
することにより定格１．ｏ［μＦ］の陽極に対して１．
１［μＦ１．横１゜、６［％］の固体電解コンデンサを
得た。
に銀ペーストを塗布し、リード線をハンダ付けし、外装
することにより定格１．ｏ［μＦ］の陽極に対して１．
１［μＦ１．横１゜、６［％］の固体電解コンデンサを
得た。
上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
（定格２５ ［Ｖ］ −１，０［μＦ］ ）（Ｄ寿命
特性比較を第１表に示す、第１表中、静電容量値および
損失角の正接は周波数が１２０［Ｈｚ ］での値である
。漏れ電流は、定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に
測定した値である。
（定格２５ ［Ｖ］ −１，０［μＦ］ ）（Ｄ寿命
特性比較を第１表に示す、第１表中、静電容量値および
損失角の正接は周波数が１２０［Ｈｚ ］での値である
。漏れ電流は、定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に
測定した値である。
引続き、本発明の他の実施例について述べる。
Ｓ−エチル−２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカ
ルバゾンＴＣＮＱ＃ｌ塩とラクトン系化合物、例えばγ
−ブチロラクトンの化合物４０［ｍｇｌを直径５．０
［ｍｍｌのアルミニウムケースに充填し、１６０［”Ｃ
］まで約１０秒で加熱し、溶解した。その中にアルミニ
ウム箔からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻
回した巻取コンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約１２秒で
冷却した。なお、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素
子は１６０［”Ｃ］の温度まで上昇させておいた。これ
により、定格１．０［μＦ］の陽極に対して１．１［μ
Ｆ１．損失４．０［％］の固体電解コンデンサを得た。
ルバゾンＴＣＮＱ＃ｌ塩とラクトン系化合物、例えばγ
−ブチロラクトンの化合物４０［ｍｇｌを直径５．０
［ｍｍｌのアルミニウムケースに充填し、１６０［”Ｃ
］まで約１０秒で加熱し、溶解した。その中にアルミニ
ウム箔からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻
回した巻取コンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約１２秒で
冷却した。なお、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素
子は１６０［”Ｃ］の温度まで上昇させておいた。これ
により、定格１．０［μＦ］の陽極に対して１．１［μ
Ｆ１．損失４．０［％］の固体電解コンデンサを得た。
［効果］
以上にて述べた本発明に係るＳ−置換−２−チオフェン
アルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑｌｌ塩
は、熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の有機半
導体を提供できるものである。さらに、このＳ−置換−
２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ
ＣＮ Ｑｍ塩を固体電解コンデンサの電解質として用い
た場合、第１表から分かるように寿命特性が優れた固体
電解コンデンサを提供できるものである。
アルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ ＣＮ Ｑｌｌ塩
は、熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の有機半
導体を提供できるものである。さらに、このＳ−置換−
２−チオフェンアルデヒドイソチオセミカルバゾンＴ
ＣＮ Ｑｍ塩を固体電解コンデンサの電解質として用い
た場合、第１表から分かるように寿命特性が優れた固体
電解コンデンサを提供できるものである。
Claims (1)
- （１）電解質としてＳ−置換−２−チオフェンアルデヒ
ドイソチオセミカルバゾン・７，７，８，．８−テトラ
シアノキノジメタン錯塩を用いたことを特徴とする固体
電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017489A JPH02260410A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017489A JPH02260410A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260410A true JPH02260410A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13710981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8017489A Pending JPH02260410A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260410A (ja) |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP8017489A patent/JPH02260410A/ja active Pending
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