JPS6364319A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS6364319A JPS6364319A JP20935686A JP20935686A JPS6364319A JP S6364319 A JPS6364319 A JP S6364319A JP 20935686 A JP20935686 A JP 20935686A JP 20935686 A JP20935686 A JP 20935686A JP S6364319 A JPS6364319 A JP S6364319A
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Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体電解質を用いた固体電解コンデンサに関す
るものである。
るものである。
従来の技術
固体電解コンデンサは陽極酸化皮膜を有するアルミニウ
ムなどの誘電体皮膜生成金属に固体電解質を付着した構
造を有している。この種のコンデンサには、従来までほ
とんど二酸化マンガンが固体電解質として用いられてき
た。
ムなどの誘電体皮膜生成金属に固体電解質を付着した構
造を有している。この種のコンデンサには、従来までほ
とんど二酸化マンガンが固体電解質として用いられてき
た。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、二酸化マンガンを電極上に形成させる際
に、一般に硝酸マンガン溶ン夜に浸ン貞させた後、加熱
分解を行うため、陽極酸化皮膜が１員傷をうけること、
加えて二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏
しいという欠点があった。
に、一般に硝酸マンガン溶ン夜に浸ン貞させた後、加熱
分解を行うため、陽極酸化皮膜が１員傷をうけること、
加えて二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏
しいという欠点があった。
上記の欠点を改善させる目的で固体電解質として有機半
導体、主として７．７．８．８テトラシアノキノジメタ
ン（以下Ｔ ＣＮ Ｑという）の塩を用いることが提案
されている。
導体、主として７．７．８．８テトラシアノキノジメタ
ン（以下Ｔ ＣＮ Ｑという）の塩を用いることが提案
されている。
ＴＣＮＱはアクセプター材として用いられ、ドナー材と
してキノリン（Ｑｎ）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ
） 、Ｎメチルツェナジニウム（ＮＭＰ） 、テトラセ
レナフルバレン（ＴＳＦ）などがあり、さらに新しいド
ナー材についての研究も精力的に行われているが、まだ
充分満足できるものは得られていない。
してキノリン（Ｑｎ）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ
） 、Ｎメチルツェナジニウム（ＮＭＰ） 、テトラセ
レナフルバレン（ＴＳＦ）などがあり、さらに新しいド
ナー材についての研究も精力的に行われているが、まだ
充分満足できるものは得られていない。
特に耐熱性の点に関しては、従来検討されてきたＴＣＮ
Ｑ錯体はいずれも問題を泡えている。１■ち、固体電解
コンデンサにおいては、ハンダ処理などの熱に曝される
機会が多いこと、および電源回路においてトランスの近
くに配置されるなどの点から、電解質は熱的に安定でな
くてはならないが、従来のＴＣＮＱ錯体はいずれもこの
点で不安要素がある。
Ｑ錯体はいずれも問題を泡えている。１■ち、固体電解
コンデンサにおいては、ハンダ処理などの熱に曝される
機会が多いこと、および電源回路においてトランスの近
くに配置されるなどの点から、電解質は熱的に安定でな
くてはならないが、従来のＴＣＮＱ錯体はいずれもこの
点で不安要素がある。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題点（特に耐熱性）を解消するため、
ｎブチル−イソキノリン（Ｔ ＣＮ Ｑ）２錯体とアル
ミニウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）３錯体を混合した錯体を用い
た固体電光コンデンサである。
ｎブチル−イソキノリン（Ｔ ＣＮ Ｑ）２錯体とアル
ミニウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）３錯体を混合した錯体を用い
た固体電光コンデンサである。
ＴＣＮＱのドナー材としての特徴はイオン化ポテンシャ
ルが適度に小さいこと、π電子系の広がりが大きく、そ
のイオンが安定すること、分極率が高いことなどが挙げ
られる。これらの諸条件をすべて満たすことは分子設計
のうえで、重要な因子であるが、すべてを満たすことば
非常に困雑を伴う。またドナー材とＴＣＮＱ錯体をＺＨ
コンデンサへ適応するには、電極との電気的接合の問題
があり、極めて微細な結晶粒を有するもので、かつ金属
酸化物とのなじみが良好のＴＣＮＱ錯体が望ましい。
ルが適度に小さいこと、π電子系の広がりが大きく、そ
のイオンが安定すること、分極率が高いことなどが挙げ
られる。これらの諸条件をすべて満たすことは分子設計
のうえで、重要な因子であるが、すべてを満たすことば
非常に困雑を伴う。またドナー材とＴＣＮＱ錯体をＺＨ
コンデンサへ適応するには、電極との電気的接合の問題
があり、極めて微細な結晶粒を有するもので、かつ金属
酸化物とのなじみが良好のＴＣＮＱ錯体が望ましい。
また電気的にも低温から高温まで余り特性が変化せず、
高温になっても分解しにくいＴ ＣＮ Ｑ １Ｍ体が要
求される。本発明者は上述の分子設計上の因子を満たし
、かつ電極との電気的接合性の良いドナー材としてｎブ
チル−イソキノリンを用い、また耐熱性を向上させるた
め耐熱性に優れたアルミニウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）ｆｆ錯
体く以下Ａ ｅ Ｔ ’ｓ という）を混合することに
より上述の要求を満たず混合錯体を見出した。
高温になっても分解しにくいＴ ＣＮ Ｑ １Ｍ体が要
求される。本発明者は上述の分子設計上の因子を満たし
、かつ電極との電気的接合性の良いドナー材としてｎブ
チル−イソキノリンを用い、また耐熱性を向上させるた
め耐熱性に優れたアルミニウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）ｆｆ錯
体く以下Ａ ｅ Ｔ ’ｓ という）を混合することに
より上述の要求を満たず混合錯体を見出した。
なお、錯体の混合比はモル比でｎブチル−イソキノリン
（Ｔ ＣＮ Ｑ）ｚ１Ｍ体ニアルミニウム（ＴＣＮＱ）
＋錯体＝２：８〜９；１の範囲内が望ましく、アルミニ
ウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）：ｌの比が超過すると比抵抗の値
が急激に増加し、製品化したとき ｔａｎδが大きくな
り実用性がない。
（Ｔ ＣＮ Ｑ）ｚ１Ｍ体ニアルミニウム（ＴＣＮＱ）
＋錯体＝２：８〜９；１の範囲内が望ましく、アルミニ
ウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）：ｌの比が超過すると比抵抗の値
が急激に増加し、製品化したとき ｔａｎδが大きくな
り実用性がない。
また、アルミニウム（Ｔ ＣＮ Ｑ）、の混合比が小さ
いと混合錯体の融点が低く耐熱性の向上が望めない。
いと混合錯体の融点が低く耐熱性の向上が望めない。
作用
ｎブチル−イソキノリン（Ｔ ＣＮ Ｑ ） ２ 錯体
（以下ＢｕｉＱＴｚという）をコンデンサ素子に含侵し
た場合、電極箔との密着性が良好で含浸率も良く、ｔａ
ｎδも低く、しかも高温負荷試験においても極めて安定
性が高く信頼性においても優れている。しかし、１３
ｕ ｉ Ｑ Ｔ ｚ単体では上述した半田処理（半田リ
フロー）において漏れ電流の増大をまねく。このため耐
熱性に優れたＡｌＴ、（融点２９０°Ｃ１分解点３３０
”Ｃ）を混合し双方の長所を加味するため、双方を混合
させて種々実験を繰り返しト結果、電極箔との密着性が
良好で含浸率も良く、ｔａｎδも低く、しかも高温負荷
試験においても１玉めで安定性が高く信頼性においても
優れ、かつ半田リフローに耐えうる固体電解コンデンサ
を得ることができた。
（以下ＢｕｉＱＴｚという）をコンデンサ素子に含侵し
た場合、電極箔との密着性が良好で含浸率も良く、ｔａ
ｎδも低く、しかも高温負荷試験においても極めて安定
性が高く信頼性においても優れている。しかし、１３
ｕ ｉ Ｑ Ｔ ｚ単体では上述した半田処理（半田リ
フロー）において漏れ電流の増大をまねく。このため耐
熱性に優れたＡｌＴ、（融点２９０°Ｃ１分解点３３０
”Ｃ）を混合し双方の長所を加味するため、双方を混合
させて種々実験を繰り返しト結果、電極箔との密着性が
良好で含浸率も良く、ｔａｎδも低く、しかも高温負荷
試験においても１玉めで安定性が高く信頼性においても
優れ、かつ半田リフローに耐えうる固体電解コンデンサ
を得ることができた。
実施例
以下、本発明の具体的実施例について述べる。
第１表は、１３ｕｉＱＴ２にＡＪＴ３の添加比率（モル
比率）を種々換えて混合した錯体のＤＳＣ（示差走査熱
量測定）による融点、第２表は同様に混合した錯体の比
抵抗を各々比較したものである。
比率）を種々換えて混合した錯体のＤＳＣ（示差走査熱
量測定）による融点、第２表は同様に混合した錯体の比
抵抗を各々比較したものである。
Ａｌ’ｌ の添加比率が小さり１０％未満では混合錯体
の融点が低く、耐熱性が低い。またＡｌＴ３の添加比率
が高＜８０％を超えると比抵抗の値が急激に増加し、実
用的でない。
の融点が低く、耐熱性が低い。またＡｌＴ３の添加比率
が高＜８０％を超えると比抵抗の値が急激に増加し、実
用的でない。
まず、陽極電極箔として通常の電解コンデンサに用いら
れるアルミニウムエツチング箔をリン酸アルミニウム溶
液を用いて１４Ｖ化成を行い、充分に乾燥したものを用
い、セパレータを介して陰極用電極箔を対向させて巻回
してコンデンサ素子を形成した。
れるアルミニウムエツチング箔をリン酸アルミニウム溶
液を用いて１４Ｖ化成を行い、充分に乾燥したものを用
い、セパレータを介して陰極用電極箔を対向させて巻回
してコンデンサ素子を形成した。
次にＢｕｉＱＴｚとＡｆｉＴ、とをモル比で８：２に混
合したものを作成し、これを融解してコンデンサ素子に
含侵し冷却する公知の含浸方法にて含浸し、コンデンサ
試料（試料群Ａ）を製作した。
合したものを作成し、これを融解してコンデンサ素子に
含侵し冷却する公知の含浸方法にて含浸し、コンデンサ
試料（試料群Ａ）を製作した。
また上述の固体電解質としてＢ ｕ ｉ ＱＴｚのみを
用いたコンデンサ試料（試料群Ｂ）を比較のために同様
に製作した。なお、いずれもコンテンツの定格は６．３
ＷＶ、４７μＦである。
用いたコンデンサ試料（試料群Ｂ）を比較のために同様
に製作した。なお、いずれもコンテンツの定格は６．３
ＷＶ、４７μＦである。
第１表
第２表
第３表は上述のコンデンサ試料の半田リフロー前後の値
を示し、また第４表には初期特性および１０５℃の雰囲
気中で２０００時間定格電圧を印加する高温負荷試験を
行った結果を示す。
を示し、また第４表には初期特性および１０５℃の雰囲
気中で２０００時間定格電圧を印加する高温負荷試験を
行った結果を示す。
第３表
第４表
表中の静電容量、ｔａｎδは常温、１２０ ｔｌｚＯ値
、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値で、いずれ
も試料数１０個の平均値を示す。
、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値で、いずれ
も試料数１０個の平均値を示す。
なお、上述の実施例の他、ＢｕｉＱＴｚとＡＩＴ、の混
合比を限定した範囲内で作成したものおよび電極箔の代
わりに弁作用金属粉末を成形、焼結し、化成処理してな
る焼結型の固体電解コンデンサにおいても、上述の混合
ＴＣＮＱ錯体を適用し、同様な試験結果が得られた。
合比を限定した範囲内で作成したものおよび電極箔の代
わりに弁作用金属粉末を成形、焼結し、化成処理してな
る焼結型の固体電解コンデンサにおいても、上述の混合
ＴＣＮＱ錯体を適用し、同様な試験結果が得られた。
発明の効果
以上のように本発明による混合錯体を用いた場合、Ｂ
ｕ ｉ ＱＴｚ単体で用いたものに比べ、含浸率、ｔａ
ｎδ、半田リフロー試験、および信頼性が良好であり、
工業的かつ実用的価値大なるものがある。
ｕ ｉ ＱＴｚ単体で用いたものに比べ、含浸率、ｔａ
ｎδ、半田リフロー試験、および信頼性が良好であり、
工業的かつ実用的価値大なるものがある。
Claims (2)
- （１）表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属からなる
陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用電極
との間に介在された電解質として、ｎブチル−イソキノ
リン（ＴＣＮＱ）＿２錯体とアルミニウム（ＴＣＮＱ）
＿３錯体を混合して用いることを特徴とする固体電解コ
ンデンサ。 - （２）上記錯体の混合比はモル比でｎブチル−イソキノ
リン（ＴＣＮＱ）＿２：アルミニウム（ＴＣＮＱ）＿３
＝２：８〜９：１であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935686A JPS6364319A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935686A JPS6364319A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364319A true JPS6364319A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16571588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20935686A Pending JPS6364319A (ja) | 1986-09-04 | 1986-09-04 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364319A (ja) |
-
1986
- 1986-09-04 JP JP20935686A patent/JPS6364319A/ja active Pending
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