JPS61218128A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS61218128A JPS61218128A JP5878285A JP5878285A JPS61218128A JP S61218128 A JPS61218128 A JP S61218128A JP 5878285 A JP5878285 A JP 5878285A JP 5878285 A JP5878285 A JP 5878285A JP S61218128 A JPS61218128 A JP S61218128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- electrode
- phenazines
- capacitor
- Prior art date
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- Pending
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体電解質を改良した電解コンデンサに関する
ものである。
ものである。
・ 従来の技術
表面２こ陽極酸化皮膜を有する弁作用金属からなる陽極
用電極と該電極に対向して構成された陰極用電極との間
に固体電解質を介在させてなる固体電解コンデンサには
、従来はとんど二酸化マンガンが固体電解質として用い
られてきた。
用電極と該電極に対向して構成された陰極用電極との間
に固体電解質を介在させてなる固体電解コンデンサには
、従来はとんど二酸化マンガンが固体電解質として用い
られてきた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、二酸化マンガンを電極上に形成させる際
に一般に硝酸マンガン溶液に浸漬した後加熱分解を行う
ため、陽極酸化皮膜が損傷を受けること、加えて二酸化
マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいという問
題点があった。
に一般に硝酸マンガン溶液に浸漬した後加熱分解を行う
ため、陽極酸化皮膜が損傷を受けること、加えて二酸化
マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいという問
題点があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上述の問題を解消するため、表面に陽極酸化皮
膜を有する弁金属からなる陽極用電極と該電極に対向し
て構成された陰極用電極との間に介在された電解質とし
て、フェナジニウム類と７．７．８．８テトラシアノキ
ノジメタンとからなる有機半導体化合物を用いたことを
特徴とする固体電解コンデンサである。
膜を有する弁金属からなる陽極用電極と該電極に対向し
て構成された陰極用電極との間に介在された電解質とし
て、フェナジニウム類と７．７．８．８テトラシアノキ
ノジメタンとからなる有機半導体化合物を用いたことを
特徴とする固体電解コンデンサである。
作用
ドナー材としての特徴は、活性化エネルギーが適度に小
さいこと、π電子系の広がりが大きく共鳴構造を取り安
定であること、分極率が高いことなどが挙げられる。こ
れらの諸条件をすべて満たすことはドナー材の分子設計
の上で重要な因子であり、また錯体を電解コンデンサに
適応するには電極との接着の問題があり、極めて微細な
結晶粒を有するもので、かつ金属酸化物となじみが良好
の７．７．８．８テトラシアノキノジメタン（以下ＴＣ
ＮＱという）が望ましい。
さいこと、π電子系の広がりが大きく共鳴構造を取り安
定であること、分極率が高いことなどが挙げられる。こ
れらの諸条件をすべて満たすことはドナー材の分子設計
の上で重要な因子であり、また錯体を電解コンデンサに
適応するには電極との接着の問題があり、極めて微細な
結晶粒を有するもので、かつ金属酸化物となじみが良好
の７．７．８．８テトラシアノキノジメタン（以下ＴＣ
ＮＱという）が望ましい。
さらに電気伝導性も低温から高温まで余り変化せず、高
温になっても分解しに（いＴ ＣＮ Ｑ ｔｉ体が要求
される。
温になっても分解しに（いＴ ＣＮ Ｑ ｔｉ体が要求
される。
そこで本発明者は種々の検討をくりかえし、上記の要求
をできるだけ満たすＴＣＮＱのドナー材を見出した。
をできるだけ満たすＴＣＮＱのドナー材を見出した。
フェナジニウム類は以下のような構造を有し、Ｎ原子が
片方四級化している。
片方四級化している。
フェナジニウム類はイオン化している電子を供与するた
めの活性化エネルギーが適当に小さく、また分極率はＮ
原子が四級化しているため局在化し、非常に大きいπ電
子の広がりも両方にベンゼン骨格を有するため大きくＮ
原子が四級化したあとも共鳴安定化している。このため
ドナー材としてのフェナジニウム類は電子が非常に移動
しやすい状態の分子構造を取っておりドナー材として非
常に適している。また熱的にも多核の複素環式化合物で
あるので非常に安定である。なお、電気伝導性は非常に
よく、常温で４００ ｋｇ／ａｎ！で圧縮したベレット
の伝導性は２Ω−’ ａｍ −’であった。
めの活性化エネルギーが適当に小さく、また分極率はＮ
原子が四級化しているため局在化し、非常に大きいπ電
子の広がりも両方にベンゼン骨格を有するため大きくＮ
原子が四級化したあとも共鳴安定化している。このため
ドナー材としてのフェナジニウム類は電子が非常に移動
しやすい状態の分子構造を取っておりドナー材として非
常に適している。また熱的にも多核の複素環式化合物で
あるので非常に安定である。なお、電気伝導性は非常に
よく、常温で４００ ｋｇ／ａｎ！で圧縮したベレット
の伝導性は２Ω−’ ａｍ −’であった。
実施例
以下本発明の具体的実施例について説明する。
電極として表面倍率を約１０倍にエツチングしたアルミ
ニウム箔をリン酸アンモニウム溶液を用いて８０Ｖ化成
を行い十分に乾燥を行った。次にＮ−メチルフェナジニ
ウム（Ｔ ＣＮ Ｑ） ｚｔｆ体をアセトニトリル中に
加熱溶解し、飽和溶液を作成し、上記電極上に塗布し８
０〜９０℃で加熱して溶媒のアセトニトリルを飛散除去
した。この操作を３回行い陰極としてコロイダルカーボ
ンを塗布乾燥し、その後銀ペーストを塗布し、リード線
をハンダ付けして外装しコンデンサ試料（試料群Ａ）を
作成した。
ニウム箔をリン酸アンモニウム溶液を用いて８０Ｖ化成
を行い十分に乾燥を行った。次にＮ−メチルフェナジニ
ウム（Ｔ ＣＮ Ｑ） ｚｔｆ体をアセトニトリル中に
加熱溶解し、飽和溶液を作成し、上記電極上に塗布し８
０〜９０℃で加熱して溶媒のアセトニトリルを飛散除去
した。この操作を３回行い陰極としてコロイダルカーボ
ンを塗布乾燥し、その後銀ペーストを塗布し、リード線
をハンダ付けして外装しコンデンサ試料（試料群Ａ）を
作成した。
また比較のために従来例として硝酸マンガンを水に溶か
して飽和溶液を作成し、上記電極を浸漬し４００℃で５
分間乾燥処理を行い、この操作を３回くりかえした。陰
極およびリード線の取付けは上記の通りに行い、同様に
コンデンサ試料（試料群Ｂ）を作成した。定格は何れも
５０Ｗ Ｖ−２，２μＦとした。
して飽和溶液を作成し、上記電極を浸漬し４００℃で５
分間乾燥処理を行い、この操作を３回くりかえした。陰
極およびリード線の取付けは上記の通りに行い、同様に
コンデンサ試料（試料群Ｂ）を作成した。定格は何れも
５０Ｗ Ｖ−２，２μＦとした。
この２種類のコンデンサの初期特性および１０５℃雰囲
気中で２０００時間定格電圧を印加した信頼性（高温負
荷試験）データーを第１表および第２表に示した。
気中で２０００時間定格電圧を印加した信頼性（高温負
荷試験）データーを第１表および第２表に示した。
静電容量およびｔａｎδは常温１２０１１ｚにおける値
、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値を示す。
、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値を示す。
第１表（初期特性）
第２表（高温負荷試験特性）
なお、本発明の陽極用電極はアルミニウム箔に限定する
ものでなく、他の弁金属や粉末焼結電極にも適用でき、
本発明の技術範囲に含まれるものである。
ものでなく、他の弁金属や粉末焼結電極にも適用でき、
本発明の技術範囲に含まれるものである。
発明の効果
以上のようにフェナジニウム類−ＴＣＮＱ錯体からなる
固体電解質は酸化皮膜に損傷を与えることなくすみやか
に電極と接合し、コンデンサとしてもすぐれた特性を示
し、また信頼性もきわめて良好であり、固体電解コンデ
ンサの特性を著しく改善させ、かつ安定化させ、工業的
ならびに実用的価値の大なるものである。
固体電解質は酸化皮膜に損傷を与えることなくすみやか
に電極と接合し、コンデンサとしてもすぐれた特性を示
し、また信頼性もきわめて良好であり、固体電解コンデ
ンサの特性を著しく改善させ、かつ安定化させ、工業的
ならびに実用的価値の大なるものである。
Claims (1)
- 表面に陽極酸化皮膜を有する弁金属からなる陽極用電極
と該電極に対向して構成された陰極用電極との間に介在
された電解質としてフェナジニウム類と７、７、８、８
テトラシアノキノジメタンとからなる有機半導体化合物
を用いたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5878285A JPS61218128A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5878285A JPS61218128A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218128A true JPS61218128A (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=13094138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5878285A Pending JPS61218128A (ja) | 1985-03-23 | 1985-03-23 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61218128A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042368A (ja) * | 1973-08-16 | 1975-04-17 | ||
| JPS51136164A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state electrolytic capacitor |
-
1985
- 1985-03-23 JP JP5878285A patent/JPS61218128A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042368A (ja) * | 1973-08-16 | 1975-04-17 | ||
| JPS51136164A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state electrolytic capacitor |
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