JPS63126210A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はペロブスカイト型構造を有する複合酸化物を固
体電解質として用いる固体電解コンデンサの製造方法に
関するものである。
体電解質として用いる固体電解コンデンサの製造方法に
関するものである。
従来の技術
近年、電気機器回路のディジタル化にともなって、そこ
に使用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダン
スが低く、小型大容量のものへの要求が高まっている。
に使用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダン
スが低く、小型大容量のものへの要求が高まっている。
従来、高周波領域用のコンデンサとしては、プラスチッ
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サおよびマイカコンデンサでは形状が大きくなってしま
うために大容量化がむずかしく、また積層セラミックコ
ンデンサでは、小型大容量になればなるほど、温度特性
が悪くなり、価格が非常に高くなるという欠点がある。
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サおよびマイカコンデンサでは形状が大きくなってしま
うために大容量化がむずかしく、また積層セラミックコ
ンデンサでは、小型大容量になればなるほど、温度特性
が悪くなり、価格が非常に高くなるという欠点がある。
一方、大容量タイプのコンデンサと(−て知られろもの
に、アルミニウム乾式電解コンデンサあるいはアルミニ
ウムまたはメンタル固体電解コンデンサなどがある。こ
ねらのコンデンサは誘電体となる陽極酸化皮膜を非常に
薄くできるために大容量が実現できるのであるが、その
反面、酸化皮膜の損傷がおきやすいために、酸化皮膜と
陰極の間に損傷を修毅するための電解質を設ける必要が
ある。アルミニウム乾式電解コンデンサでは、エツチン
グをほどこした陽、陰極アルミニウム箔を紙のセパレー
タを介して巻き取り、液状の電解質をセパレータに含浸
して用いている。
に、アルミニウム乾式電解コンデンサあるいはアルミニ
ウムまたはメンタル固体電解コンデンサなどがある。こ
ねらのコンデンサは誘電体となる陽極酸化皮膜を非常に
薄くできるために大容量が実現できるのであるが、その
反面、酸化皮膜の損傷がおきやすいために、酸化皮膜と
陰極の間に損傷を修毅するための電解質を設ける必要が
ある。アルミニウム乾式電解コンデンサでは、エツチン
グをほどこした陽、陰極アルミニウム箔を紙のセパレー
タを介して巻き取り、液状の電解質をセパレータに含浸
して用いている。
このため、電解質の液加れ、蒸発等の理由により経時的
に静電容量の減少や損失(tanδ)の増大が起ると同
時に、電解質のイオン伝導性により高周波特性および低
温特性が著しく劣る等の欠点を有している。又、アルミ
ニウム、タンタル固体電解コンデンサでは、上記アルミ
ニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良するために固体
電解質として二酸化マンガンが用いられている。この固
体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を浸漬し、3
50℃前後の温度で熱分解して得られている。このコン
デンサの場合、電解質が固体のため、高温における電解
質の流出、低温域での凝固から生ずる性能の低下などの
欠点がなく、液状電解質を用いたコンデンサに比して良
好な周波数特性および温度特性を示すが、硝酸マンガン
の熱分解による酸化皮膜の損傷及び二酸化マンガンの比
抵抗が高いことなどの理由から、高周波領域のインピー
ダンスあるいは損失は積層セラミックコンデンサあるい
はプラスチックフィルムコンデンサと比較して1けた以
上高い値となっている。
に静電容量の減少や損失(tanδ)の増大が起ると同
時に、電解質のイオン伝導性により高周波特性および低
温特性が著しく劣る等の欠点を有している。又、アルミ
ニウム、タンタル固体電解コンデンサでは、上記アルミ
ニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良するために固体
電解質として二酸化マンガンが用いられている。この固
体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を浸漬し、3
50℃前後の温度で熱分解して得られている。このコン
デンサの場合、電解質が固体のため、高温における電解
質の流出、低温域での凝固から生ずる性能の低下などの
欠点がなく、液状電解質を用いたコンデンサに比して良
好な周波数特性および温度特性を示すが、硝酸マンガン
の熱分解による酸化皮膜の損傷及び二酸化マンガンの比
抵抗が高いことなどの理由から、高周波領域のインピー
ダンスあるいは損失は積層セラミックコンデンサあるい
はプラスチックフィルムコンデンサと比較して1けた以
上高い値となっている。
前記の問題を解決するために近年、有機半導体であるT
CNQ塩を用いることが提案さ名ている。
CNQ塩を用いることが提案さ名ている。
TCNQ塩は導電性が高く、陽極酸化性を有するので、
高周波特性が良好で大容量のコンデンサが可能となる。
高周波特性が良好で大容量のコンデンサが可能となる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらTCNQ塩を用いたコンデンサでは高耐電
圧のものが得られに(い、あるいは高温放置における信
頼性においてもまた、その際に有害なHCNガスを発生
し容量の変化や、漏れ電流の増大などがあり改善されね
ばならない点がある。上記にのべてきたコンデンサで特
性がすぐれたもので薄型の形状のものをつくるという点
でも製造工程上それぞれに困難さをもっている。
圧のものが得られに(い、あるいは高温放置における信
頼性においてもまた、その際に有害なHCNガスを発生
し容量の変化や、漏れ電流の増大などがあり改善されね
ばならない点がある。上記にのべてきたコンデンサで特
性がすぐれたもので薄型の形状のものをつくるという点
でも製造工程上それぞれに困難さをもっている。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、高周波特
性、高温放置における寿命の信頼性の改善をはかるのが
目的である。
性、高温放置における寿命の信頼性の改善をはかるのが
目的である。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的手段は
、ペロプスカイト構造を有する電子と酸素イオン混合導
電材料5rxLal、Co1−、Fey03−δで表わ
される材料をスパッタリングあるいはイオンブレーティ
ング法により弁金属上に形成されている誘電体膜となる
酸化皮膜上に薄膜状に形成するものである。
、ペロプスカイト構造を有する電子と酸素イオン混合導
電材料5rxLal、Co1−、Fey03−δで表わ
される材料をスパッタリングあるいはイオンブレーティ
ング法により弁金属上に形成されている誘電体膜となる
酸化皮膜上に薄膜状に形成するものである。
作 用
本発明は、高周波特性がすぐねているコンデンサを提供
する電解質であるMr、2やTCNQ塩より電気抵抗が
1〜2けた小さいペロブスカイト型構造を有する複合酸
化物を固体電解質として用いろことにより、低インピー
ダンスで使用限界周波数が改善されたコンデンサが提供
できる。また、耐熱性にすぐれているため高温において
も良好な信頼性を示す。
する電解質であるMr、2やTCNQ塩より電気抵抗が
1〜2けた小さいペロブスカイト型構造を有する複合酸
化物を固体電解質として用いろことにより、低インピー
ダンスで使用限界周波数が改善されたコンデンサが提供
できる。また、耐熱性にすぐれているため高温において
も良好な信頼性を示す。
また本発明において、上記混合導電材料としては、電気
抵抗を小さくして高周波特性をすぐれたものにするため
に、δ<0.5、X=(1+y)/2、o<y<iであ
ることが望ましく、更にコンデンサを構成する陽極とし
ては、Al、 Tt、 Ta、 Nb、 Mo 。
抵抗を小さくして高周波特性をすぐれたものにするため
に、δ<0.5、X=(1+y)/2、o<y<iであ
ることが望ましく、更にコンデンサを構成する陽極とし
ては、Al、 Tt、 Ta、 Nb、 Mo 。
Wのような弁金属が望ましい。ここで用いろペロブスカ
イト型の複合酸化物の薄膜の固有抵抗は10〜10Ω・
αの範囲にある。スパッタリングやイオンブレーティン
グを行う際、製膜される基板、すなわち酸化皮膜のつい
た弁金属を加熱したり、あるいは製膜後熱処理を酸化皮
膜が破壊しない温度で行うことにより結晶性を向上させ
て電気抵抗を低くすることができる。この場合、このペ
ロプスカイト型構造を有する複合酸化物は固体電解質の
役目と同時に他方の電極の役目もかねることができろ。
イト型の複合酸化物の薄膜の固有抵抗は10〜10Ω・
αの範囲にある。スパッタリングやイオンブレーティン
グを行う際、製膜される基板、すなわち酸化皮膜のつい
た弁金属を加熱したり、あるいは製膜後熱処理を酸化皮
膜が破壊しない温度で行うことにより結晶性を向上させ
て電気抵抗を低くすることができる。この場合、このペ
ロプスカイト型構造を有する複合酸化物は固体電解質の
役目と同時に他方の電極の役目もかねることができろ。
また、この俊合酸化物の膜と誘電体である酸化皮膜との
密着性はTCNQ塩などと比較してすぐわているし、こ
の材料の耐熱性は酸化皮膜よりすぐれているので、この
コンデンサを良好な高温安定性を示す。
密着性はTCNQ塩などと比較してすぐわているし、こ
の材料の耐熱性は酸化皮膜よりすぐれているので、この
コンデンサを良好な高温安定性を示す。
実施例
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
複合酸化物としてはSro、5Lao、gCo3−δを
選択した。
選択した。
この焼成物は次のようにして作製した。出発原料である
酢酸ランタニウム、酢酸ストロンチウム、酢酸コバルト
の混合物を450〜500℃で熱分解し、ひきつづき9
00℃以上の温度で固相反応させることなよって作製し
た。δはヨードメトリイより求めた結果0.05であっ
た。固有抵抗値は5X10−’Ω・αであった。
酢酸ランタニウム、酢酸ストロンチウム、酢酸コバルト
の混合物を450〜500℃で熱分解し、ひきつづき9
00℃以上の温度で固相反応させることなよって作製し
た。δはヨードメトリイより求めた結果0.05であっ
た。固有抵抗値は5X10−’Ω・αであった。
弁金属としてはAIを用いて、75Vで化成処理を行っ
て誘電皮膜を作製した。この表面KRFスパッタリング
法により上記焼成物の薄膜を作製した。薄膜の作製条件
としては、ターゲツト材としては上記の焼成物を粉末状
で使用し、ガス雰囲気はArガスで、ガス圧IQ t
orrで、出力は300 Wであった。基板温度は20
0℃とした。膜厚は1.5μであった。薄膜にした場合
の電気抵抗は7×100・鋸であった。AI金金属陽極
とし、他方の陰極としてこの固体電解質膜を用いてコン
デンサ特性を測定したところ、IKHgにおいて、容量
0.5μF、 janδ8%であった。陶れ電流はI
OV印加で2μA程度であった。容量達成率は85チ程
度であった。I MHgでのインピーダンスはIon・
Ωと低く高周波特性がすぐれていることがわかった。焼
成物の組成を前記でのべた範囲で変化しても、スパッタ
リングにより作製さハた電気抵抗は10〜10Ω命αで
あり、前記と同等のコンデンサ特性を示した。弁金属を
Ti、 Ta、 Nb、 Mo、 Wを用いても同等の
コンデンサが得られた。薄膜の作製方法を直流スパッタ
リング、あるいはイオンプレ、−ティング法で行っても
電解質膜の特性は同様なものであった。
て誘電皮膜を作製した。この表面KRFスパッタリング
法により上記焼成物の薄膜を作製した。薄膜の作製条件
としては、ターゲツト材としては上記の焼成物を粉末状
で使用し、ガス雰囲気はArガスで、ガス圧IQ t
orrで、出力は300 Wであった。基板温度は20
0℃とした。膜厚は1.5μであった。薄膜にした場合
の電気抵抗は7×100・鋸であった。AI金金属陽極
とし、他方の陰極としてこの固体電解質膜を用いてコン
デンサ特性を測定したところ、IKHgにおいて、容量
0.5μF、 janδ8%であった。陶れ電流はI
OV印加で2μA程度であった。容量達成率は85チ程
度であった。I MHgでのインピーダンスはIon・
Ωと低く高周波特性がすぐれていることがわかった。焼
成物の組成を前記でのべた範囲で変化しても、スパッタ
リングにより作製さハた電気抵抗は10〜10Ω命αで
あり、前記と同等のコンデンサ特性を示した。弁金属を
Ti、 Ta、 Nb、 Mo、 Wを用いても同等の
コンデンサが得られた。薄膜の作製方法を直流スパッタ
リング、あるいはイオンプレ、−ティング法で行っても
電解質膜の特性は同様なものであった。
また、この様にして作製されたコンデンサを130′C
K長時間放置後、コンデンサ特性を測定しても特性の劣
化はみられず、耐熱性圧すぐれているコンデンサである
ことがわかった。
K長時間放置後、コンデンサ特性を測定しても特性の劣
化はみられず、耐熱性圧すぐれているコンデンサである
ことがわかった。
発明の効果
以上要するに本発明は、固体電解質として、ペロブスカ
イト型構造を有する複合酸化物のスパッタリング法やイ
オンブレーティング法により作製された薄膜を用いるも
ので、高周波特性がすぐれ、かつ耐熱性のすぐれたコン
デンサが提供できるという利点を有する。
イト型構造を有する複合酸化物のスパッタリング法やイ
オンブレーティング法により作製された薄膜を用いるも
ので、高周波特性がすぐれ、かつ耐熱性のすぐれたコン
デンサが提供できるという利点を有する。
Claims (3)
- (1)弁作用金属からなる一方の電極と、前記弁作用金
属の酸化物表面上に、化学式Sr_xLa_1_−_x
Co_1_−_yFe_yO_3_−_δで表わされる
ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物の薄膜をスパ
ッタリング法またはイオンプレーディング法により作製
することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)複合酸化物は、0≦y≦1、δ≦0.5であり、
かつx=(1+y)/2の関係を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の固体電解コンデンサの製
造方法。 - (3)弁作用金属が、Al、Ti、Ta、Nb、Wのい
ずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27248586A JPS63126210A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27248586A JPS63126210A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63126210A true JPS63126210A (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=17514580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27248586A Pending JPS63126210A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63126210A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU676048B2 (en) * | 1993-05-06 | 1997-02-27 | Tetra Laval Holdings & Finance Sa | Heat seal bar |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27248586A patent/JPS63126210A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU676048B2 (en) * | 1993-05-06 | 1997-02-27 | Tetra Laval Holdings & Finance Sa | Heat seal bar |
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