JPS63173239A - 光ピツクアツプ - Google Patents
光ピツクアツプInfo
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- JPS63173239A JPS63173239A JP62004491A JP449187A JPS63173239A JP S63173239 A JPS63173239 A JP S63173239A JP 62004491 A JP62004491 A JP 62004491A JP 449187 A JP449187 A JP 449187A JP S63173239 A JPS63173239 A JP S63173239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical waveguide
- waveguide layer
- recording medium
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ピックアップの＠造に関する。
従来の光導波層を構成要素とする光ピックアップにおい
ては、光メモリシンポジウム１８５講演査号１６にある
ように、また、その概要を第３図に示したように１発光
素子である半導体レーザ３０４が光導波層３０３の端面
に接着結合されていた。
ては、光メモリシンポジウム１８５講演査号１６にある
ように、また、その概要を第３図に示したように１発光
素子である半導体レーザ３０４が光導波層３０３の端面
に接着結合されていた。
また、グレーティング結合器３０６によって導波光３０
５′ｆｔ−光導波層外の集光点３０７に集光させ、記録
媒体３１０での反射光を再びグレーティング結合器３０
６によって光導ｔＩｉＩＶｉ３０３に戻して、検出器３
０９で信号として検出していた。
５′ｆｔ−光導波層外の集光点３０７に集光させ、記録
媒体３１０での反射光を再びグレーティング結合器３０
６によって光導ｔＩｉＩＶｉ３０３に戻して、検出器３
０９で信号として検出していた。
しかし、前述の従来技術では、光導波層３０３の端面で
の半導体レーザ３０４の光の反射、および記録媒体３１
０からの反射光が再びグレーティング結合器３０６．光
導波層３０５を通って戻ってくる光によって半導体レー
ザ３０４にいわゆる戻り光が入る。この戻り光によって
半導体レーザの発振状聾が変わり、雑音が増加するとい
う問題点含有する。
の半導体レーザ３０４の光の反射、および記録媒体３１
０からの反射光が再びグレーティング結合器３０６．光
導波層３０５を通って戻ってくる光によって半導体レー
ザ３０４にいわゆる戻り光が入る。この戻り光によって
半導体レーザの発振状聾が変わり、雑音が増加するとい
う問題点含有する。
そこで本発明はこのような問題点全解決するもので、そ
の目的とするところは、半導体レーザへの戻り光が生じ
ない構造のピックアップを提供するところにある。
の目的とするところは、半導体レーザへの戻り光が生じ
ない構造のピックアップを提供するところにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の光ピックアップは、発光素子２．光導波層、受
光素子を基本的な構成要素とする光ピックアップにおい
て、光源となる前記発光素子からの出射光を、前記光導
波層に形成されているグレーティング構造によって前記
先導波層に導入することを％漱とする。
光素子を基本的な構成要素とする光ピックアップにおい
て、光源となる前記発光素子からの出射光を、前記光導
波層に形成されているグレーティング構造によって前記
先導波層に導入することを％漱とする。
〔実施例１〕
第１図は本発明の第１の実施例における光ピックアップ
の主要断面図である。ＳＺ基板１０１の一部に拡散型の
Ｐ、接合が導波光検出器１１１として形成されている。
の主要断面図である。ＳＺ基板１０１の一部に拡散型の
Ｐ、接合が導波光検出器１１１として形成されている。
バッファ層１０２とグレーティング結合器１０５，１０
７，１０９が形成された光導波層１０３が順次形成され
ている９、半導体レーザ１０４から出た光はグレーティ
ング結合器１０５によって光導波層１０３に入り、導波
光１０６として伝播する。この導波光１０６はグレーテ
ィング結合ａ １０７によりて光導波層１０３から空間
へ取出され、記録媒体面１０８に集光する。記録媒体１
０８からの反射光はグレーティング結合器１０９によっ
て先導波層に導びかれ、導波光１１０となって伝播し、
検出器１１１で検出される。導波光１０６が導波光１１
０に重畳されないように、光導波層１０３の一部をエツ
チングして光吸収の大きな樹脂を光吸収剤１１２として
埋めこんである。
７，１０９が形成された光導波層１０３が順次形成され
ている９、半導体レーザ１０４から出た光はグレーティ
ング結合器１０５によって光導波層１０３に入り、導波
光１０６として伝播する。この導波光１０６はグレーテ
ィング結合ａ １０７によりて光導波層１０３から空間
へ取出され、記録媒体面１０８に集光する。記録媒体１
０８からの反射光はグレーティング結合器１０９によっ
て先導波層に導びかれ、導波光１１０となって伝播し、
検出器１１１で検出される。導波光１０６が導波光１１
０に重畳されないように、光導波層１０３の一部をエツ
チングして光吸収の大きな樹脂を光吸収剤１１２として
埋めこんである。
〔実施列２〕
第２図に本発明の第２の実施列の主要断面図を示す、実
施列１においては、半導体レーザ１０４を光導波層１０
３と記録媒体１０８の間に配置しているが実施列２にお
いては基板１０１側に半導体レーザｔ装置いて、εチー
２０２でグレーティング結合器２０１に入射させている
。
施列１においては、半導体レーザ１０４を光導波層１０
３と記録媒体１０８の間に配置しているが実施列２にお
いては基板１０１側に半導体レーザｔ装置いて、εチー
２０２でグレーティング結合器２０１に入射させている
。
実施列ｌ、実施列２において、従来技術のように検出器
１１１を基板内に複数個配置し、記録媒体１０８で反射
して光導波層１０３に導びかれた導波光１１０ｔ−導波
型ビームスグリツタ弊で各検出器に分配することによっ
て、再生信号とサーボ用の信号を得ることができる。
１１１を基板内に複数個配置し、記録媒体１０８で反射
して光導波層１０３に導びかれた導波光１１０ｔ−導波
型ビームスグリツタ弊で各検出器に分配することによっ
て、再生信号とサーボ用の信号を得ることができる。
以上述べたように本発明によれば、半導体レーザの光を
グレーティング結合器によって光導波層に導びき、記録
媒体への光を出し入れするグレーティング結合器を分け
ることによりて、半導体レーザへの戻シ光を生じさせな
いようにすることにより、光ピックアップを低雑音にす
ることができるという効果を有する。
グレーティング結合器によって光導波層に導びき、記録
媒体への光を出し入れするグレーティング結合器を分け
ることによりて、半導体レーザへの戻シ光を生じさせな
いようにすることにより、光ピックアップを低雑音にす
ることができるという効果を有する。
第１図は本発明の光ピックアップの第１の実施列を示す
主要断面図、第２図は本発明の第２の実施列を示す主要
断面図、第３図μ） 、 （６）は従来の光ピックアッ
プを説明する図で（ａ）は斜視口、（６）は（ＩＬ）の
ム−Ａ１の断面図。 １０１・・基板 １０２・・バッフ７層 １０３・拳光導波層 １０４・・半導体レーザ １０５・・グレーティング結合器 １０６・・導波光 １０７・・グレーティング結合器 １０８・・記録媒体 １０９・・グレーティング結合器 １１０・・導波光 １１１・・光検出器 １１２・・光吸収剤 ２０１−・グレーティング結合器 ２０２ 、ツー ３０１・・基板 ３０２ｅ・バッファ層 ３０３・・光導波層 ３０４・・半導体レーザ ３０５・・導波光 ３０６・・グレーティング結合器 ３０７・・集光スポット ３０８・・導波型ビームスプリッタ ３０９−会光検出器 ３１０−・記録媒体 − ３１１・・接着剤 ３１２・・レーザ光 ３１３・・戻り光 以上
主要断面図、第２図は本発明の第２の実施列を示す主要
断面図、第３図μ） 、 （６）は従来の光ピックアッ
プを説明する図で（ａ）は斜視口、（６）は（ＩＬ）の
ム−Ａ１の断面図。 １０１・・基板 １０２・・バッフ７層 １０３・拳光導波層 １０４・・半導体レーザ １０５・・グレーティング結合器 １０６・・導波光 １０７・・グレーティング結合器 １０８・・記録媒体 １０９・・グレーティング結合器 １１０・・導波光 １１１・・光検出器 １１２・・光吸収剤 ２０１−・グレーティング結合器 ２０２ 、ツー ３０１・・基板 ３０２ｅ・バッファ層 ３０３・・光導波層 ３０４・・半導体レーザ ３０５・・導波光 ３０６・・グレーティング結合器 ３０７・・集光スポット ３０８・・導波型ビームスプリッタ ３０９−会光検出器 ３１０−・記録媒体 − ３１１・・接着剤 ３１２・・レーザ光 ３１３・・戻り光 以上
Claims (1)
- 発光素子、光導波層、受光素子を基本的な構成要素とす
る光ピックアップにおいて、光源となる前記発光素子か
らの出射光を、前記光導波層に形成されているグレーテ
ィング構造によって前記光導波層に導入することを特徴
とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004491A JPS63173239A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62004491A JPS63173239A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光ピツクアツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173239A true JPS63173239A (ja) | 1988-07-16 |
Family
ID=11585555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62004491A Pending JPS63173239A (ja) | 1987-01-12 | 1987-01-12 | 光ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63173239A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990001768A1 (en) * | 1988-08-05 | 1990-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head |
| JP2000138362A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体光集積回路装置及びその製造方法 |
| WO2015061197A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | Alcatel Lucent | Detector device |
-
1987
- 1987-01-12 JP JP62004491A patent/JPS63173239A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990001768A1 (en) * | 1988-08-05 | 1990-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head |
| US5200939A (en) * | 1988-08-05 | 1993-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head apparatus including a waveguide layer with concentric or spiral periodic structure |
| JP2000138362A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体光集積回路装置及びその製造方法 |
| WO2015061197A1 (en) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | Alcatel Lucent | Detector device |
| US9508879B2 (en) | 2013-10-23 | 2016-11-29 | Alcatel Lucent | Detector device |
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