JPS63171900A - 透明電極の製造方法 - Google Patents
透明電極の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、透明電極の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、化学的気相成長法(Chemical vapo
rdeposition : CV D法)を用いて酸
化錫を主成分とする透明電極を連続的に製造する装置に
おいては、CVDを行わせる基板を搬送ベルトに載せて
搬送するシステムをとっている場合が多い、しかし、こ
のシステムにおいては、搬送ベルトにも錫化合物が析出
し、これが、振動等により再び反応装置内に飛散するた
め反応装置内のダストレベルが上昇するという問題を有
していた。ダストレベルの上昇は透明電極の欠点を増加
させる要因となりうるので、定期的にベルトを洗浄する
ことが行われるが、装置を停止する必要があり、生産性
の点で好ましくなかった。又、ブラシや超音波洗浄装置
により連続的にクリーニングを行う方法もあるが、効果
は必ずしも十分ではなかった。
rdeposition : CV D法)を用いて酸
化錫を主成分とする透明電極を連続的に製造する装置に
おいては、CVDを行わせる基板を搬送ベルトに載せて
搬送するシステムをとっている場合が多い、しかし、こ
のシステムにおいては、搬送ベルトにも錫化合物が析出
し、これが、振動等により再び反応装置内に飛散するた
め反応装置内のダストレベルが上昇するという問題を有
していた。ダストレベルの上昇は透明電極の欠点を増加
させる要因となりうるので、定期的にベルトを洗浄する
ことが行われるが、装置を停止する必要があり、生産性
の点で好ましくなかった。又、ブラシや超音波洗浄装置
により連続的にクリーニングを行う方法もあるが、効果
は必ずしも十分ではなかった。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものである。すなわち、搬送ベルトに付
着するスズ化合物を連続的に除去する方法を新規に提供
することを目的とするものである。
消しようとするものである。すなわち、搬送ベルトに付
着するスズ化合物を連続的に除去する方法を新規に提供
することを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、基板を搬送ベルトにより搬送しながら化学的気相成
長法により、連続的に上記基板上に酸化スズを主成分と
する透明電極を製造する方法において、搬送ベルトを電
極とし、対極との間で電解を行うことにより上記搬送ベ
ルトに付着した酸化スズを溶解除去することを特徴とす
る透明電極の製造方法を提供するものである。
り、基板を搬送ベルトにより搬送しながら化学的気相成
長法により、連続的に上記基板上に酸化スズを主成分と
する透明電極を製造する方法において、搬送ベルトを電
極とし、対極との間で電解を行うことにより上記搬送ベ
ルトに付着した酸化スズを溶解除去することを特徴とす
る透明電極の製造方法を提供するものである。
本発明において、電解液として壮、硫酸、塩酸等の無機
酸、クエン酸、酢酸等の有機酸水溶液、硫酸ナトリウム
等の無機塩水溶液、及び苛性ソーダ、苛性カリ等のアル
カリ水溶液、又はこれらの混合溶液を用いることができ
る。電解電流密度は0.1〜10100O/am2、好
ましくは0.1〜500+sA/cm2が錫化合物の溶
解速度、及び溶解効率の点から望ましい。
酸、クエン酸、酢酸等の有機酸水溶液、硫酸ナトリウム
等の無機塩水溶液、及び苛性ソーダ、苛性カリ等のアル
カリ水溶液、又はこれらの混合溶液を用いることができ
る。電解電流密度は0.1〜10100O/am2、好
ましくは0.1〜500+sA/cm2が錫化合物の溶
解速度、及び溶解効率の点から望ましい。
第1図に本電解装置付きの透明電極製造装置の構成を概
略的に示す0図では電解装置、洗浄槽をCVD装置の出
口側に設けであるが、勿論これらをCVD装置の入口側
に設けてもよい。
略的に示す0図では電解装置、洗浄槽をCVD装置の出
口側に設けであるが、勿論これらをCVD装置の入口側
に設けてもよい。
図において、lは酸化スズ膜を形成するためのガラス基
板、2は、ガラス基板を搬送する搬送ベルト、3は、酸
化スズ膜を形成するためのCVD装置、4は電解槽、5
は電解液、6は、対極、7は洗浄槽、8は洗浄液、9は
電源、10は酸化スズ膜の形成されたガラス基板、11
は乾燥装置を示す。
板、2は、ガラス基板を搬送する搬送ベルト、3は、酸
化スズ膜を形成するためのCVD装置、4は電解槽、5
は電解液、6は、対極、7は洗浄槽、8は洗浄液、9は
電源、10は酸化スズ膜の形成されたガラス基板、11
は乾燥装置を示す。
この装置において、搬送ベルト2は、電導性であり、か
つ耐熱性の高い金属材料からなるものが使われる0例え
ば、ステンレスからなるエンドレスのメツシュベルトが
代表的なものとして挙げられる。
つ耐熱性の高い金属材料からなるものが使われる0例え
ば、ステンレスからなるエンドレスのメツシュベルトが
代表的なものとして挙げられる。
かかる装置により本発明を実施する場合の説明を以下に
説明する。
説明する。
まず、酸化スズ透明電極を形成しようとするガラス、セ
ラミック等の絶縁性の基板、例えばガラス基板lは搬送
ベルトz上に載置され、CVD装置3内へ搬送ベルト2
により搬送され、CVD装置3内において、そのインジ
ェクターから酸化スズ被膜形成用のガス、例えばフッ酸
と塩化第2スズのガス、あるいはシランガスを搬送ガス
及び/又はカーテンガスとともに基板表面に吐出させ、
化学的気相成長法により酸化スズ膜を形成する。酸化ス
ズ膜の形成されたガラス基板はCVD装置の外で搬送ベ
ルト2上から取り上げられる一方、搬送ベルト2は電解
槽4内の電解液5中へ入れられ、上記搬送ベルト2を陰
極とし、この陰極と電解槽5内に配された対極6との間
に電流を通し、電解還元反応を行わせて、搬送ベルト2
の表面に付着した酸化スズを溶解させて除去し、次いで
、洗浄槽7へ搬送ベルト2を通し、洗浄液8により搬送
ベルト2を洗浄し、次いで、洗浄槽7の外で乾燥させる
。この酸化スズの除去された搬送ベルト2は、あらたに
酸化スズ膜形成用のガラス基板を載置するために、CV
D装置3の入口へ戻される。
ラミック等の絶縁性の基板、例えばガラス基板lは搬送
ベルトz上に載置され、CVD装置3内へ搬送ベルト2
により搬送され、CVD装置3内において、そのインジ
ェクターから酸化スズ被膜形成用のガス、例えばフッ酸
と塩化第2スズのガス、あるいはシランガスを搬送ガス
及び/又はカーテンガスとともに基板表面に吐出させ、
化学的気相成長法により酸化スズ膜を形成する。酸化ス
ズ膜の形成されたガラス基板はCVD装置の外で搬送ベ
ルト2上から取り上げられる一方、搬送ベルト2は電解
槽4内の電解液5中へ入れられ、上記搬送ベルト2を陰
極とし、この陰極と電解槽5内に配された対極6との間
に電流を通し、電解還元反応を行わせて、搬送ベルト2
の表面に付着した酸化スズを溶解させて除去し、次いで
、洗浄槽7へ搬送ベルト2を通し、洗浄液8により搬送
ベルト2を洗浄し、次いで、洗浄槽7の外で乾燥させる
。この酸化スズの除去された搬送ベルト2は、あらたに
酸化スズ膜形成用のガラス基板を載置するために、CV
D装置3の入口へ戻される。
上記した装置により、搬送ベルト面上の酸化スズを除去
するに当っては、搬送ベルトの搬送速度、CVDの析出
速度及びベルトの巾等に応じて電解電流を設定し、付着
酸化スズを溶出し、酸化スズが搬送ベルト上に残らない
様にコントロールする。
するに当っては、搬送ベルトの搬送速度、CVDの析出
速度及びベルトの巾等に応じて電解電流を設定し、付着
酸化スズを溶出し、酸化スズが搬送ベルト上に残らない
様にコントロールする。
[作用]
本発明において、電解法を用いて酸化スズを除去する原
理を以下に説明する。
理を以下に説明する。
酸化スズを溶解する方法としては、スズよりイオン化傾
向の大きな金属(Zn、 Cd、 AI、 Fe等)の
粉末を振りかけ、その上に非酸化性の無機酸(HCI、
H2SO4,H3PO4,)12sO3等)をスプレ
ィする方法(M、S、Tarnopol、 U、S、P
、2,808,5θ8)がある、金属粉末が存在する部
分は、発生する水素原子により急速に還元され溶出する
。しかしこの方法は搬送ベルト上に付着した酸化スズを
連続的に除去する用途には、コスト、装置の腐食等の点
で不適である。一方、レドックス電位が−0,2V(U
S N HE )以下の金属イオンを含む無機酸(0,
5H以上)を用いて、電解を行い、その中に浸漬するこ
とにより酸化スズを溶出させる方法もあるが溶出速度は
必ずしも十分ではない、これは電解により生成する還元
剤(イオン)の濃度が酸化スズ表面で十分に高くなって
いないためと考えられる。酸化スズの表面で還元剤を生
成させることが溶出速度向上に必要である。これは酸化
スズが表面に付着している搬送ベルトそのものを電解還
元することにより達成できる。これを詳細に説明する。
向の大きな金属(Zn、 Cd、 AI、 Fe等)の
粉末を振りかけ、その上に非酸化性の無機酸(HCI、
H2SO4,H3PO4,)12sO3等)をスプレ
ィする方法(M、S、Tarnopol、 U、S、P
、2,808,5θ8)がある、金属粉末が存在する部
分は、発生する水素原子により急速に還元され溶出する
。しかしこの方法は搬送ベルト上に付着した酸化スズを
連続的に除去する用途には、コスト、装置の腐食等の点
で不適である。一方、レドックス電位が−0,2V(U
S N HE )以下の金属イオンを含む無機酸(0,
5H以上)を用いて、電解を行い、その中に浸漬するこ
とにより酸化スズを溶出させる方法もあるが溶出速度は
必ずしも十分ではない、これは電解により生成する還元
剤(イオン)の濃度が酸化スズ表面で十分に高くなって
いないためと考えられる。酸化スズの表面で還元剤を生
成させることが溶出速度向上に必要である。これは酸化
スズが表面に付着している搬送ベルトそのものを電解還
元することにより達成できる。これを詳細に説明する。
第1図はスズの電位ep1図(Paurbaix図)で
ある、コノ図は腐食系の酸化還元電位を縦軸にpH目盛
を横軸にとり、金属自体、あるいはその化合物が安定に
存在しうる領域を示したものである。これによればpH
≦1.又はpH> 12の状態で水素発生電位(H゛/
H2で示す破線)付近に設定した場合Su2 ’、又は
HSnO2−のようなイオン状態が安定であることが分
かる。従って、酸化スズをカソードとして、 pH≦1
又はp)I> 12の水溶液中で電解した場合、酸化ス
ズ表面に生成する水素原子により、酸化スズは急速に還
元され溶出すると予想される0式■、■は酸性水溶液中
で推定される反応式である。
ある、コノ図は腐食系の酸化還元電位を縦軸にpH目盛
を横軸にとり、金属自体、あるいはその化合物が安定に
存在しうる領域を示したものである。これによればpH
≦1.又はpH> 12の状態で水素発生電位(H゛/
H2で示す破線)付近に設定した場合Su2 ’、又は
HSnO2−のようなイオン状態が安定であることが分
かる。従って、酸化スズをカソードとして、 pH≦1
又はp)I> 12の水溶液中で電解した場合、酸化ス
ズ表面に生成する水素原子により、酸化スズは急速に還
元され溶出すると予想される0式■、■は酸性水溶液中
で推定される反応式である。
H・+ s 4Had ■2Had+
2H” + 5n02 + + Sn2 ・+ 2H
20■()lad :電極表面に吸着した水素原子)電
解電流密度を上げすぎると電位が卑になりすぎ、第2図
から分かるようにスズの析出がおこる可能性がある。従
って電流密度には上限が存在する。適当な電流密度範囲
は0.1〜10100O/cs+2、好ましくは 1〜
500■A/c鵬2である。
2H” + 5n02 + + Sn2 ・+ 2H
20■()lad :電極表面に吸着した水素原子)電
解電流密度を上げすぎると電位が卑になりすぎ、第2図
から分かるようにスズの析出がおこる可能性がある。従
って電流密度には上限が存在する。適当な電流密度範囲
は0.1〜10100O/cs+2、好ましくは 1〜
500■A/c鵬2である。
搬送ベルトには通常S U S 318等のステンレス
を用いることが多く、比較的薄い酸、及びアルカリが電
解液として使用できる。
を用いることが多く、比較的薄い酸、及びアルカリが電
解液として使用できる。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
[実施例]
実施例I
S U S 31e製の平板に500人厚0酸化スズを
CVDを用いて析出した。この電極を陰極とし、対極に
は純度98.9%の1板を用い、lN−NaOHの電解
液中で電解を行った。温度は室温である。電流密度は1
〜1000sA/cm2の範囲で種々変えた。2分間電
解を行った後、電極を取り出し、水洗、乾燥を行い、肉
眼観察、抵抗測定により溶出状況を調べたところ、酸化
スズは均一に完全に溶出していた。
CVDを用いて析出した。この電極を陰極とし、対極に
は純度98.9%の1板を用い、lN−NaOHの電解
液中で電解を行った。温度は室温である。電流密度は1
〜1000sA/cm2の範囲で種々変えた。2分間電
解を行った後、電極を取り出し、水洗、乾燥を行い、肉
眼観察、抵抗測定により溶出状況を調べたところ、酸化
スズは均一に完全に溶出していた。
実施例2
電解液にlN−N2SO4を用いる他は実施例1と同様
にして、酸化スズの溶出状況を調べた。酸化スズは均一
に完全に溶出していた。
にして、酸化スズの溶出状況を調べた。酸化スズは均一
に完全に溶出していた。
[発明の効果]
以上実施例に従って説明したが、本発明により搬送ベル
トに付着する酸化錫を連続的に除去できることは明らか
である。
トに付着する酸化錫を連続的に除去できることは明らか
である。
第1図は酸化スズ電解溶出装置付き透明電極製造装置の
概念図である。 第2図はスズの電位pH図(Pourbaix図)であ
る。 lニガラス基板、 2:搬送ベルト、 3 : CVD装置、 4:電解槽、 5:電解液、 6:対極、 7:洗浄槽、 8:洗浄液、 9:電源、 10:透明電極、ll:送風乾燥
機。
概念図である。 第2図はスズの電位pH図(Pourbaix図)であ
る。 lニガラス基板、 2:搬送ベルト、 3 : CVD装置、 4:電解槽、 5:電解液、 6:対極、 7:洗浄槽、 8:洗浄液、 9:電源、 10:透明電極、ll:送風乾燥
機。
Claims (3)
- (1)基板を搬送ベルトにより搬送しながら化学的気相
成長法により、連続的に上記基板上に酸化スズを主成分
とする透明電極を製造する方法において、上記搬送ベル
トを電極とし、対極との間で電解を行うことにより上記
搬送ベルトに付着した酸化スズを溶解除去することを特
徴とする透明電極の製造方法。 - (2)電解電流密度として、0.1〜1000mA/c
m^2の範囲で電解することを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の透明電極の製造方法。 - (3)搬送ベルトを陰極とし、電解還元を行うことを特
徴とする特許請求の範囲第1項、及び第2項記載の透明
電極の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001837A JPS63171900A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 透明電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62001837A JPS63171900A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 透明電極の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63171900A true JPS63171900A (ja) | 1988-07-15 |
Family
ID=11512669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62001837A Pending JPS63171900A (ja) | 1987-01-09 | 1987-01-09 | 透明電極の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63171900A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0516757A1 (en) * | 1990-02-23 | 1992-12-09 | Roy Gerald Gordon | ELECTROLYTIC REMOVAL OF TIN NOXIDE OR TITANIUM NITRIDE FROM A COATING SYSTEM. |
JPH11330509A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Honda Motor Co Ltd | Cbd成膜装置 |
JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
-
1987
- 1987-01-09 JP JP62001837A patent/JPS63171900A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0516757A1 (en) * | 1990-02-23 | 1992-12-09 | Roy Gerald Gordon | ELECTROLYTIC REMOVAL OF TIN NOXIDE OR TITANIUM NITRIDE FROM A COATING SYSTEM. |
JPH11330509A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-30 | Honda Motor Co Ltd | Cbd成膜装置 |
JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
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