JPS6316881B2 - - Google Patents
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- JPS6316881B2 JPS6316881B2 JP54119173A JP11917379A JPS6316881B2 JP S6316881 B2 JPS6316881 B2 JP S6316881B2 JP 54119173 A JP54119173 A JP 54119173A JP 11917379 A JP11917379 A JP 11917379A JP S6316881 B2 JPS6316881 B2 JP S6316881B2
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- -1 metal oxide compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 150000003475 thallium Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
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- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/021—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
-
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
-
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- H01C—RESISTORS
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- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
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- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は、１種又は２種以上の金属酸化物化合
物と、永久的及び一時的バインダーと、１種又は
２種以上の金属酸化物とさらに、おそらく、金属
との混合物から成り、抵抗を決定する成分として
金属ロジウム酸塩が存在する抵抗材料に関するも
のであり、さらに、一時的バインダーが加熱によ
つて除去され、リードが設けられ、さらに基板上
に塗布された抵抗材料から成る抵抗器に関するも
のである。 すなわち、本発明は、永久的バインダーとの密
着体から成る基板上に設け、さらにリードを設け
た抵抗材料から成り、該抵抗材料が、１種又は２
種以上の金属酸素化合物と、永久的バインダー
と、さらにおそらくは金属との混合物とから成
り、抵抗を決定する成分として金属ロジウム酸塩
を含む抵抗器に関するものである。 米国特許第4107387号明細書は、抵抗を決定す
る成分が、M3Rh7O15なる組成のロジウム酸金属
（金属ロジウム酸塩）であり、Ｍが好ましくはPb
又はSrであるそのような抵抗材料を記載してい
る。 抵抗材料の抵抗を決定する成分として用いられ
る多くの以前提案された酸化物化合物に比較し
て、この化合物の利点は、それが、永久的バイン
ダーと共にさらに、おそらく、異なつた温度依存
性を有する他の抵抗を決定する成分と共に、抵抗
器本体を形成するのに好適の基板上に簡単な方法
で組立てることができるということである。抵抗
ペーストが手に入る前には、ガラス質のバインダ
ー、例えば酸化鉛ガラスとの反応による基板上へ
のその焼成までは抵抗を決定する成分は得られな
かつた。これは、比較的高い温度（約800℃）に
おいて長い焼成時間（例えば30分）を要した。 さらに別の利点は、温度挙動が希である、この
材料の抵抗（TCR）の直線的の負の温度係数で
ある。この材料を、直線的の正の温度係数を有す
るものと普通の材料と混合させると、非常に低い
TCR（−100℃〜＋200℃の温度範囲において／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗器の生産
を可能にする。 本発明は、直線的の負のTCRを有する材料と
共に、低いTCR（／TCR／＜100×10-6／℃）を
有する抵抗器を製造するため混合された形にて用
いることができる、直線的の正のTCRを有し、
又ロジウム酸塩型の、抵抗を決定する材料を提供
する。 本発明によればその抵抗材料は、この抵抗を決
定する成分がTlRh2O4の組成のロジウム酸タリウ
ムからなることを特徴とする。 驚くべきことに、上述の既知の金属ロジウム酸
塩のように、全く異なつた結晶構造と全く異なつ
た元素のセルとを有するこの化合物が、正の直線
的TCRを有するということが見出された。 上述のように、低いTCRを有する抵抗本体と、
第２の抵抗を決定する成分として負の直線的の
TCRを持つた成分を有する抵抗本体とを、組立
てることが可能である。 本発明のさらに詳細な説明によれば、上述の明
細書に述べたように、Ｍが好ましくはPb又はSr
である場合、ロジウム酸金属M3Rh7O15が、この
目的のため選ばれる。 これに代わつて、低いTCR値は、その大きさ
のためロジウム酸タリウムの結晶格子の中に組み
入れることができる金属、例えばこのタリウムの
一部として鉛を、ロジウム酸タリウムにおいて、
置換することによつて得ることができる。置換
は、0.5＜ｘ＜１の場合、TlxPb(1-x)Rh2O4に対し
て可能である。正の温度係数を有する材料との結
合を可能にする、温度係数が負になることは、ｘ
が小さい場合にも可能である。 抵抗本体は、永久的バインダー及び、焼成によ
つて除去することができる有機質の、一時的バイ
ンダーを、抵抗を決定する成分に混合することに
よつて本発明による材料を用いて製造することが
できる。この混合物を基板上に塗布した後、加熱
によつて一時的のバインダーが揮発され及び／又
は分解され、永久的のバインダーが融解、軟化又
は焼結によつて結合を保証する。この永久的のバ
インダーは、好ましくは、低融点ガラスである
が、又合成樹脂材料にすることができる。 本発明を次の例についてさらに説明する。 ロジウム酸鉛タリウムは、化学量論比のPbO，
Tl2O3及びRh2O3を700℃において３時間空気中に
て加熱し、得られた反応生成物を冷却し、さらに
これを粉砕して平均粒度0.2μmにすることによつ
て調製された。 これらの粉末の混合物は、1μmの平均粒度を有
するガラス粉末と種々の比に混合され、又ロジウ
ム酸鉛Pb3Rh7O15及びガラス粉末と種々の比に混
合される。ロジウム酸鉛がロジウム酸鉛タリウム
と同様に調製される。これらの混合物は、ベンジ
ルベンゾエート及びエチルセルロースによつて加
工されペーストにされる。 次の表は用いられたガラス粉末の組成を重量％
にて示す。すなわち、
物と、永久的及び一時的バインダーと、１種又は
２種以上の金属酸化物とさらに、おそらく、金属
との混合物から成り、抵抗を決定する成分として
金属ロジウム酸塩が存在する抵抗材料に関するも
のであり、さらに、一時的バインダーが加熱によ
つて除去され、リードが設けられ、さらに基板上
に塗布された抵抗材料から成る抵抗器に関するも
のである。 すなわち、本発明は、永久的バインダーとの密
着体から成る基板上に設け、さらにリードを設け
た抵抗材料から成り、該抵抗材料が、１種又は２
種以上の金属酸素化合物と、永久的バインダー
と、さらにおそらくは金属との混合物とから成
り、抵抗を決定する成分として金属ロジウム酸塩
を含む抵抗器に関するものである。 米国特許第4107387号明細書は、抵抗を決定す
る成分が、M3Rh7O15なる組成のロジウム酸金属
（金属ロジウム酸塩）であり、Ｍが好ましくはPb
又はSrであるそのような抵抗材料を記載してい
る。 抵抗材料の抵抗を決定する成分として用いられ
る多くの以前提案された酸化物化合物に比較し
て、この化合物の利点は、それが、永久的バイン
ダーと共にさらに、おそらく、異なつた温度依存
性を有する他の抵抗を決定する成分と共に、抵抗
器本体を形成するのに好適の基板上に簡単な方法
で組立てることができるということである。抵抗
ペーストが手に入る前には、ガラス質のバインダ
ー、例えば酸化鉛ガラスとの反応による基板上へ
のその焼成までは抵抗を決定する成分は得られな
かつた。これは、比較的高い温度（約800℃）に
おいて長い焼成時間（例えば30分）を要した。 さらに別の利点は、温度挙動が希である、この
材料の抵抗（TCR）の直線的の負の温度係数で
ある。この材料を、直線的の正の温度係数を有す
るものと普通の材料と混合させると、非常に低い
TCR（−100℃〜＋200℃の温度範囲において／
TCR／＜100×10-6／℃）を有する抵抗器の生産
を可能にする。 本発明は、直線的の負のTCRを有する材料と
共に、低いTCR（／TCR／＜100×10-6／℃）を
有する抵抗器を製造するため混合された形にて用
いることができる、直線的の正のTCRを有し、
又ロジウム酸塩型の、抵抗を決定する材料を提供
する。 本発明によればその抵抗材料は、この抵抗を決
定する成分がTlRh2O4の組成のロジウム酸タリウ
ムからなることを特徴とする。 驚くべきことに、上述の既知の金属ロジウム酸
塩のように、全く異なつた結晶構造と全く異なつ
た元素のセルとを有するこの化合物が、正の直線
的TCRを有するということが見出された。 上述のように、低いTCRを有する抵抗本体と、
第２の抵抗を決定する成分として負の直線的の
TCRを持つた成分を有する抵抗本体とを、組立
てることが可能である。 本発明のさらに詳細な説明によれば、上述の明
細書に述べたように、Ｍが好ましくはPb又はSr
である場合、ロジウム酸金属M3Rh7O15が、この
目的のため選ばれる。 これに代わつて、低いTCR値は、その大きさ
のためロジウム酸タリウムの結晶格子の中に組み
入れることができる金属、例えばこのタリウムの
一部として鉛を、ロジウム酸タリウムにおいて、
置換することによつて得ることができる。置換
は、0.5＜ｘ＜１の場合、TlxPb(1-x)Rh2O4に対し
て可能である。正の温度係数を有する材料との結
合を可能にする、温度係数が負になることは、ｘ
が小さい場合にも可能である。 抵抗本体は、永久的バインダー及び、焼成によ
つて除去することができる有機質の、一時的バイ
ンダーを、抵抗を決定する成分に混合することに
よつて本発明による材料を用いて製造することが
できる。この混合物を基板上に塗布した後、加熱
によつて一時的のバインダーが揮発され及び／又
は分解され、永久的のバインダーが融解、軟化又
は焼結によつて結合を保証する。この永久的のバ
インダーは、好ましくは、低融点ガラスである
が、又合成樹脂材料にすることができる。 本発明を次の例についてさらに説明する。 ロジウム酸鉛タリウムは、化学量論比のPbO，
Tl2O3及びRh2O3を700℃において３時間空気中に
て加熱し、得られた反応生成物を冷却し、さらに
これを粉砕して平均粒度0.2μmにすることによつ
て調製された。 これらの粉末の混合物は、1μmの平均粒度を有
するガラス粉末と種々の比に混合され、又ロジウ
ム酸鉛Pb3Rh7O15及びガラス粉末と種々の比に混
合される。ロジウム酸鉛がロジウム酸鉛タリウム
と同様に調製される。これらの混合物は、ベンジ
ルベンゾエート及びエチルセルロースによつて加
工されペーストにされる。 次の表は用いられたガラス粉末の組成を重量％
にて示す。すなわち、
【表】
これらのペーストは、空気中で乾燥され、その
後、空気中で15分間焼成されたアランダム板上に
拡げられる。得られた層は約20μmの厚さである。 次表は、上述のガラス組成の１種と混合された
幾つかのロジウム酸鉛タリウム、混合されたロジ
ウム酸鉛Pb3Rh7O15、焼成温度、得られた表面抵
抗値R□及び10-6／℃にて示した抵抗の温度係数
を示す。
後、空気中で15分間焼成されたアランダム板上に
拡げられる。得られた層は約20μmの厚さである。 次表は、上述のガラス組成の１種と混合された
幾つかのロジウム酸鉛タリウム、混合されたロジ
ウム酸鉛Pb3Rh7O15、焼成温度、得られた表面抵
抗値R□及び10-6／℃にて示した抵抗の温度係数
を示す。
【表】
以上要するに、本発明は、金属酸化物化合物、
金属酸化物、永久的及び一時的バインダーとの混
合物から成る抵抗材料であつて、抵抗を決定する
成分がロジウム酸タリウムTlRh2O4から成る。こ
の成分は、負のTCRを有する材料と結合するこ
とによつて非常に抵いTCRを有する抵抗器の構
成を可能にする直線的の正の温度係数の抵抗
TCRを有する。この抵抗器は、基板上に設けら
れるこの抵抗材料を基礎として製造される。
金属酸化物、永久的及び一時的バインダーとの混
合物から成る抵抗材料であつて、抵抗を決定する
成分がロジウム酸タリウムTlRh2O4から成る。こ
の成分は、負のTCRを有する材料と結合するこ
とによつて非常に抵いTCRを有する抵抗器の構
成を可能にする直線的の正の温度係数の抵抗
TCRを有する。この抵抗器は、基板上に設けら
れるこの抵抗材料を基礎として製造される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 永久的バインダーとの密着体から成る基板上
に設け、さらにリードを設けた抵抗材料から成
り、該抵抗材料が、１種又は２種以上の金属酸素
化合物と、永久的バインダーと、さらにおそらく
は金属との混合物とから成り、抵抗を決定する成
分として金属ロジウム酸塩を含む抵抗器におい
て、 前記の抵抗を決定する成分が、0.5＜ｘ≦１で
ある場合組成TlxPb(1-x)Rh2O4によつて定義され
るロジウム酸タリウム及びロジウム酸タリウム鉛
から成る群から選ばれることを特徴とする抵抗
器。 ２ 前記の抵抗材料が、さらに、抵抗の温度係数
（TCR）の所望の水準が達成されるような所定量
の負の抵抗の温度係数（TCR）を有する成分を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の抵抗器。 ３ 負の抵抗の温度係数（TCR）を有する成分
が、Ｍ＝pb又はSrの場合に組成M3Rh7O15によつ
て定義される金属ロジウム酸塩であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の抵抗器。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7809553A NL7809553A (nl) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | Weerstandsmateriaal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541795A JPS5541795A (en) | 1980-03-24 |
| JPS6316881B2 true JPS6316881B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=19831579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11917379A Granted JPS5541795A (en) | 1978-09-20 | 1979-09-17 | Resistance material* resistor and novel chemical content for determining resistance |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4269898A (ja) |
| JP (1) | JPS5541795A (ja) |
| DE (1) | DE2937173A1 (ja) |
| FR (1) | FR2437049A1 (ja) |
| GB (1) | GB2032416B (ja) |
| NL (1) | NL7809553A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8301631A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Weerstandspasta voor een weerstandslichaam. |
| US5514360A (en) * | 1995-03-01 | 1996-05-07 | The State Of Oregon, Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education, Acting For And On Behalf Of Oregon State University | Negative thermal expansion materials |
| US6265222B1 (en) | 1999-01-15 | 2001-07-24 | Dimeo, Jr. Frank | Micro-machined thin film hydrogen gas sensor, and method of making and using the same |
| JPWO2021141021A1 (ja) * | 2020-01-08 | 2021-07-15 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7602663A (nl) * | 1976-03-15 | 1977-09-19 | Philips Nv | Weerstandsmateriaal. |
-
1978
- 1978-09-20 NL NL7809553A patent/NL7809553A/nl not_active Application Discontinuation
-
1979
- 1979-09-14 DE DE19792937173 patent/DE2937173A1/de active Granted
- 1979-09-14 US US06/075,468 patent/US4269898A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-09-17 JP JP11917379A patent/JPS5541795A/ja active Granted
- 1979-09-17 FR FR7923104A patent/FR2437049A1/fr active Granted
- 1979-09-17 GB GB7932106A patent/GB2032416B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2937173C2 (ja) | 1989-03-09 |
| DE2937173A1 (de) | 1980-04-03 |
| FR2437049A1 (fr) | 1980-04-18 |
| US4269898A (en) | 1981-05-26 |
| NL7809553A (nl) | 1980-03-24 |
| JPS5541795A (en) | 1980-03-24 |
| FR2437049B1 (ja) | 1984-01-06 |
| GB2032416A (en) | 1980-05-08 |
| GB2032416B (en) | 1983-01-12 |
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