JPS63165844U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63165844U JPS63165844U JP5862387U JP5862387U JPS63165844U JP S63165844 U JPS63165844 U JP S63165844U JP 5862387 U JP5862387 U JP 5862387U JP 5862387 U JP5862387 U JP 5862387U JP S63165844 U JPS63165844 U JP S63165844U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- sample
- plasma processing
- placing
- processing apparatus
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例による装置の簡略
断面図、第2図はその装置の電極の平面図、第3
図は従来装置の電極の平面図である。 1……試料、11……プラズマ処理室、12…
…対向電極、13……電極、13a……多孔質電
極板、13b……電極板本体、13c……伝熱ガ
ス路。
断面図、第2図はその装置の電極の平面図、第3
図は従来装置の電極の平面図である。 1……試料、11……プラズマ処理室、12…
…対向電極、13……電極、13a……多孔質電
極板、13b……電極板本体、13c……伝熱ガ
ス路。
Claims (1)
- プラズマ処理室の上部に対向電極を設け、その
下部に試料を載置する電極を設けたプラズマ処理
装置において、上記試料を載置する電極の表層部
分を多孔質材料から構成し、上記表層部分の下面
に通じる伝熱ガス路を上記試料を載置する電極に
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5862387U JPS63165844U (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5862387U JPS63165844U (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63165844U true JPS63165844U (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=30889365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5862387U Pending JPS63165844U (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63165844U (ja) |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP5862387U patent/JPS63165844U/ja active Pending