JPS63164309A - 液相成長方法 - Google Patents
液相成長方法Info
- Publication number
- JPS63164309A JPS63164309A JP30963986A JP30963986A JPS63164309A JP S63164309 A JPS63164309 A JP S63164309A JP 30963986 A JP30963986 A JP 30963986A JP 30963986 A JP30963986 A JP 30963986A JP S63164309 A JPS63164309 A JP S63164309A
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- Japan
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- substrate crystal
- bath
- grown
- bathtub
- crystal
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- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液相成長方法に係り、特にレーザダイオード等
の光半導体の結晶の液相エピタキシャル成長方法に関す
る。
の光半導体の結晶の液相エピタキシャル成長方法に関す
る。
従来、この種の液相エピタキシャル成長方法は、炉をゆ
っくシと降温させながら、基板結晶を、基板結晶と同一
の大きさの浴槽の下部に停止させ、所定のエピタキシャ
ル層を成長させる方法をとっていた。
っくシと降温させながら、基板結晶を、基板結晶と同一
の大きさの浴槽の下部に停止させ、所定のエピタキシャ
ル層を成長させる方法をとっていた。
従来は第３図に示すように、浴槽５のスライド方向の幅
を基板結晶６と同一にし、スライダ７を動かし基板結晶
６を浴槽の下に移動させ、−担停止させて成長させる方
法を用いていた。この方法によって、０．１μｍ以下の
薄い層の成長を行う場合には、停止時間も短く、成長層
厚の再現性及び均一性が悪く、±３０％以上の精度ｒｉ
得られなかった。
を基板結晶６と同一にし、スライダ７を動かし基板結晶
６を浴槽の下に移動させ、−担停止させて成長させる方
法を用いていた。この方法によって、０．１μｍ以下の
薄い層の成長を行う場合には、停止時間も短く、成長層
厚の再現性及び均一性が悪く、±３０％以上の精度ｒｉ
得られなかった。
前述した従来の液相成長方法では、用いる基板結晶と同
一の大きさの浴槽を用い、炉をゆっ〈シ降温させながら
、基板結晶を浴槽の下に停止させ、一定時間置くことに
より、所定の厚さの成長層を得ていたので、特に０．１
μｍ以下の薄い層を成長させる場合には停止時間が短か
く、成長層厚のバラツキが大きいという欠点がある。
一の大きさの浴槽を用い、炉をゆっ〈シ降温させながら
、基板結晶を浴槽の下に停止させ、一定時間置くことに
より、所定の厚さの成長層を得ていたので、特に０．１
μｍ以下の薄い層を成長させる場合には停止時間が短か
く、成長層厚のバラツキが大きいという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、均一な薄い成長
層が形成されるようにした液相成長方法を提供すること
にある。
層が形成されるようにした液相成長方法を提供すること
にある。
本発明の液相成長方法の構成は、用いられる基板結晶の
直径よシもスライド方向に関して幅の狭い底部を有する
浴槽を用意し、前記基板結晶を前記浴槽の下に停止させ
ることなく、移動させながら、エピタキシャル成長させ
ることを特徴とする。
直径よシもスライド方向に関して幅の狭い底部を有する
浴槽を用意し、前記基板結晶を前記浴槽の下に停止させ
ることなく、移動させながら、エピタキシャル成長させ
ることを特徴とする。
次に本発明についで図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の液相成長方法を示す縦断面
図である。同図において、本実施例では、ガリウム（Ｇ
ａ）を溶媒としたＡｊＧａＡｓの成長について述べる。
図である。同図において、本実施例では、ガリウム（Ｇ
ａ）を溶媒としたＡｊＧａＡｓの成長について述べる。
まず、浴槽１の低部で、スライダ２と接する部分の窓口
の幅をスライド方向で基板結晶の直径の１／３程度にし
ｔ！ってお（、Ｇａ溶媒及びＧａＡｓ種結晶及びアルミ
ニウム（Ａｌ）を浴槽１内に仕込み、昇温し、Ｇａ内に
ＡｓとＡＩを均一に溶かし込み、成長溶液４を形成する
。
の幅をスライド方向で基板結晶の直径の１／３程度にし
ｔ！ってお（、Ｇａ溶媒及びＧａＡｓ種結晶及びアルミ
ニウム（Ａｌ）を浴槽１内に仕込み、昇温し、Ｇａ内に
ＡｓとＡＩを均一に溶かし込み、成長溶液４を形成する
。
次に、炉を降温させながら、スライダ２を動かし、基板
結晶３を浴槽１の下に移動させ、基板結晶３上にＡｊＧ
ａＡｓのエピタキシャル層を成長させる。
結晶３を浴槽１の下に移動させ、基板結晶３上にＡｊＧ
ａＡｓのエピタキシャル層を成長させる。
この時、基板結晶３を浴槽ｌの下に停止させずに、移動
させながら成長を行う。
させながら成長を行う。
本実施例のように、幅の狭い浴槽１が基板結晶３上を移
動しながら、基板結晶３上にエピタキシャル成長を行な
う場合、基板結晶３の全面にわたって溶液４に触れる条
件が同一となシ、しかも実効的な成長時間を短縮するこ
とが出来る。ここで、溶液４の過飽和度条件ｆ：３℃と
した場合、浴槽幅を５＋ａｍとし、成長中の基板結晶３
の移動速度を５騙／秒とした場合に、８００±１００１
のエピタキシャル層が再現性良く得られた。
動しながら、基板結晶３上にエピタキシャル成長を行な
う場合、基板結晶３の全面にわたって溶液４に触れる条
件が同一となシ、しかも実効的な成長時間を短縮するこ
とが出来る。ここで、溶液４の過飽和度条件ｆ：３℃と
した場合、浴槽幅を５＋ａｍとし、成長中の基板結晶３
の移動速度を５騙／秒とした場合に、８００±１００１
のエピタキシャル層が再現性良く得られた。
第２図は本発明の他の実施例の液相成長方法を示す断面
図である。同図において、浴槽８．９は下部のスライダ
１０と接する部分を、スライド方向で基板結晶１１よシ
狭い幅を持ち、互に接近して配置されている。Ｇａを溶
媒とし、浴槽８にはＡ、ｇＧａＡｓを成長させる飽和溶
液１２．浴槽９にはＧａＡｓを成長させる飽和溶液１３
をそれぞれ 。
図である。同図において、浴槽８．９は下部のスライダ
１０と接する部分を、スライド方向で基板結晶１１よシ
狭い幅を持ち、互に接近して配置されている。Ｇａを溶
媒とし、浴槽８にはＡ、ｇＧａＡｓを成長させる飽和溶
液１２．浴槽９にはＧａＡｓを成長させる飽和溶液１３
をそれぞれ 。
作成し、高温に保ち均一化させる０次に、降温しながら
、スライダｌＯを動かし、基板結晶１１を浴槽８，９の
下部を通過し切る位置まで、一定速度で移動させる。そ
の後、ただちにスライダ１０を逆に動かし、基板結晶１
１を浴槽８．９の下を通過し切る位置まで、一定速度で
移動させる。この動きをくシ返すことにより、液相成長
によシ、薄いヘテロ接合の重ね合わせである超格子構造
が実現出来る。
、スライダｌＯを動かし、基板結晶１１を浴槽８，９の
下部を通過し切る位置まで、一定速度で移動させる。そ
の後、ただちにスライダ１０を逆に動かし、基板結晶１
１を浴槽８．９の下を通過し切る位置まで、一定速度で
移動させる。この動きをくシ返すことにより、液相成長
によシ、薄いヘテロ接合の重ね合わせである超格子構造
が実現出来る。
以上説明したように、本発明は、スライド方向で基板結
晶よシ幅の狭い浴槽を用り、基板結晶を浴槽の下に停止
させることなく、一定速度で移動させながら成長させる
方法を用いることによシ、薄いエピタキシャル層を再現
性良く、均一性良く成長させることが出来る効果がある
。尚、本実施例でｒｉＡ、ＪＧａＡｓ系にりｎて語間し
たが、ＩｎＧａ人ｓＰ系等他の等信物半導体結晶の液相
成長にも効果がある。
晶よシ幅の狭い浴槽を用り、基板結晶を浴槽の下に停止
させることなく、一定速度で移動させながら成長させる
方法を用いることによシ、薄いエピタキシャル層を再現
性良く、均一性良く成長させることが出来る効果がある
。尚、本実施例でｒｉＡ、ＪＧａＡｓ系にりｎて語間し
たが、ＩｎＧａ人ｓＰ系等他の等信物半導体結晶の液相
成長にも効果がある。
第１図は本発明の一実施例の液相成長方法を示す断面図
、第２図は本発明の他の実施例の液相成長方法を示す断
面図、第３図は従来の液相成長方法を示す縦断面図であ
る。 １．５，８．９・・・・・・浴槽、２，７．１０・・・
・・・スライダ、３，６．１１・・・・・・基板結晶、
４・・・・・・成長溶液、１２・・・−ＡｊＧａＡｓ成
長溶液、１３・・・・・・Ｇ ａ Ａ ｓ成長溶液う
、第２図は本発明の他の実施例の液相成長方法を示す断
面図、第３図は従来の液相成長方法を示す縦断面図であ
る。 １．５，８．９・・・・・・浴槽、２，７．１０・・・
・・・スライダ、３，６．１１・・・・・・基板結晶、
４・・・・・・成長溶液、１２・・・−ＡｊＧａＡｓ成
長溶液、１３・・・・・・Ｇ ａ Ａ ｓ成長溶液う
Claims (1)
- 用られる基板結晶の直径よりもスライド方向に関して幅
の狭い低部を有する浴槽を用意し、前記基板結晶を前記
浴槽の下で停止させることなく、移動させながらエピタ
キシャル成長させることを特徴とする液相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30963986A JPS63164309A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 液相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30963986A JPS63164309A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 液相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164309A true JPS63164309A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=17995460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30963986A Pending JPS63164309A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 液相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5453910A (en) * | 1992-08-07 | 1995-09-26 | Hitachi, Ltd. | Gas insulated switchgear device |
| US8000087B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas insulated switchgear |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110099A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜結晶の連続的成長方法 |
| JPS63119227A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液相成長方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30963986A patent/JPS63164309A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110099A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜結晶の連続的成長方法 |
| JPS63119227A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液相成長方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5453910A (en) * | 1992-08-07 | 1995-09-26 | Hitachi, Ltd. | Gas insulated switchgear device |
| US8000087B2 (en) | 2007-11-29 | 2011-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas insulated switchgear |
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