JPS63164253U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63164253U JPS63164253U JP12657387U JP12657387U JPS63164253U JP S63164253 U JPS63164253 U JP S63164253U JP 12657387 U JP12657387 U JP 12657387U JP 12657387 U JP12657387 U JP 12657387U JP S63164253 U JPS63164253 U JP S63164253U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter layer
- base layer
- conductivity type
- optical thyristor
- gate signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第1図〜第3図は従来の光サイリスタの受光部
の構造を示す断面図、第4図は、従来の光サイリ
スタにおける最少トリガ光量とdv/dt耐量の
関係を示す特性曲線図、第5図は、本考案の一実
施例の光サイリスタの受光部の構造を示す断面図
、第6図は、従来及び本考案の光サイリスタにお
ける最小トリガ光量とdv/dt耐量の関係を示
す特性曲線図、第7図は、本考案の光サイリスタ
の変形例を示す断面図である。 1……第1ベース層(N型)、2……第2ベー
ス層(P型)、3……第1エミツタ層(P型)、
4……第2エミツタ層(N型)、5……カソード
電極、6……アノード電極、7……ライトガイド
。
の構造を示す断面図、第4図は、従来の光サイリ
スタにおける最少トリガ光量とdv/dt耐量の
関係を示す特性曲線図、第5図は、本考案の一実
施例の光サイリスタの受光部の構造を示す断面図
、第6図は、従来及び本考案の光サイリスタにお
ける最小トリガ光量とdv/dt耐量の関係を示
す特性曲線図、第7図は、本考案の光サイリスタ
の変形例を示す断面図である。 1……第1ベース層(N型)、2……第2ベー
ス層(P型)、3……第1エミツタ層(P型)、
4……第2エミツタ層(N型)、5……カソード
電極、6……アノード電極、7……ライトガイド
。
補正 昭62.9.18
実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
。
【実用新案登録請求の範囲】
(1) 第1導電型の第1エミツタ層、第2導電型
の第1ベース層、第1導電型の第2ベース層およ
び第2導電型の第2エミツタ層がこの順に接する
構造を有し、前記第2エミツタ層側からゲート信
号光を受光する光サイリスタにおいて、前記第2
エミツタ層のゲート信号光受光部が凹部をなし、
この凹部の内部の表面不純物濃度が外部のそれよ
り低く設定され、かつこの凹部内部の一部で第2
ベース層を表面に露出させたことを特徴とする光
サイリンタ。 (2) 第2ベース層の表面に露出している部分の
径がゲート信号光受光部のそれの半分以下である
実用新案登録請求の範囲第1項記載の光サイリス
タ。 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第8頁第17行第18行の「図、第7図
は……断面図である。」を「図である。」と訂正
する。
の第1ベース層、第1導電型の第2ベース層およ
び第2導電型の第2エミツタ層がこの順に接する
構造を有し、前記第2エミツタ層側からゲート信
号光を受光する光サイリスタにおいて、前記第2
エミツタ層のゲート信号光受光部が凹部をなし、
この凹部の内部の表面不純物濃度が外部のそれよ
り低く設定され、かつこの凹部内部の一部で第2
ベース層を表面に露出させたことを特徴とする光
サイリンタ。 (2) 第2ベース層の表面に露出している部分の
径がゲート信号光受光部のそれの半分以下である
実用新案登録請求の範囲第1項記載の光サイリス
タ。 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書第8頁第17行第18行の「図、第7図
は……断面図である。」を「図である。」と訂正
する。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第1導電型の第1エミツタ層、第2導電型
の第1ベース層、第1導電型の第2ベース層およ
び第2導電型の第2エミツタ層がこの順に接する
構造を有し、前記第2エミツタ層側からゲート信
号光を受光する光サイリスタにおいて、前記第2
エミツタ層の一部で前記第2ベース層を表面に露
出させ、ゲート信号光受光部は露出した第2ベー
ス層の領域を含んでこれより大きい面積に光が照
射されることを特徴とする光サイリスタ。 (2) 第2エミツタ層はゲート信号受光部で他の
部分より薄く形成されている実用新案登録請求の
範囲第1項記載の光サイリスタ。 (3) 第2ベース層の表面に露出している部分の
径がゲート信号光受光部のそれの半分以下である
実用新案登録請求の範囲第1項記載の光サイリス
タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987126573U JPH0539638Y2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987126573U JPH0539638Y2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63164253U true JPS63164253U (ja) | 1988-10-26 |
JPH0539638Y2 JPH0539638Y2 (ja) | 1993-10-07 |
Family
ID=31020503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987126573U Expired - Lifetime JPH0539638Y2 (ja) | 1987-08-20 | 1987-08-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0539638Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50104877A (ja) * | 1974-01-18 | 1975-08-19 | ||
JPS54128686A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | Photo trigger thyristor |
-
1987
- 1987-08-20 JP JP1987126573U patent/JPH0539638Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50104877A (ja) * | 1974-01-18 | 1975-08-19 | ||
JPS54128686A (en) * | 1978-03-29 | 1979-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | Photo trigger thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0539638Y2 (ja) | 1993-10-07 |
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JPS6421962A (en) | Semiconductor device |