JPS63163855A - フオトリソグラフイ用マスク - Google Patents
フオトリソグラフイ用マスクInfo
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- JPS63163855A JPS63163855A JP61314203A JP31420386A JPS63163855A JP S63163855 A JPS63163855 A JP S63163855A JP 61314203 A JP61314203 A JP 61314203A JP 31420386 A JP31420386 A JP 31420386A JP S63163855 A JPS63163855 A JP S63163855A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- impurity area
- influence
- pattern
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
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- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はフォトリソグラフィ技術に関し、特にその表
面に凹凸部を有する基板上のレジストに対するフォトリ
ソグラフィ用マスクに関するものである。
面に凹凸部を有する基板上のレジストに対するフォトリ
ソグラフィ用マスクに関するものである。
［従来の技術］
第３図は従来のフォトリソグラフィ技術の概略構成断面
図である。
図である。
図において、その上のフォトレジスト８が形成された基
板７の上方に透明レンズ６を介してパターン３が形成さ
れたマスク２が設置され、マスク２は放射光１の照射を
受ける。また、基板７は凹部１１および凸部９を有しそ
の間が傾斜部１０となっており、その凹凸形状に沿って
フォトレジスト８の表面も凹凸となっている。
板７の上方に透明レンズ６を介してパターン３が形成さ
れたマスク２が設置され、マスク２は放射光１の照射を
受ける。また、基板７は凹部１１および凸部９を有しそ
の間が傾斜部１０となっており、その凹凸形状に沿って
フォトレジスト８の表面も凹凸となっている。
第４図はフォトレジストの露光・現像後のレジストパタ
ーンを示す平面図である。
ーンを示す平面図である。
以下、露光作用について説明する。
マスク２の上方より放射された放射光１はマスク２およ
び投影レンズ６を通過し基板７上のフォトレジスト８に
照射される。このとき、基板７の凹部１１および凸部９
におけるフォトレジスト８の膜厚が基板の形状変化のた
め一定でないことから生じる定在波効果と、基板７の傾
斜部１０からの放射光の反射によるハレーションの影響
とで転写後のレジスト１３のパターンは部分的に変化し
、第４図に示す形状となり変則部１４を有することにな
る。
び投影レンズ６を通過し基板７上のフォトレジスト８に
照射される。このとき、基板７の凹部１１および凸部９
におけるフォトレジスト８の膜厚が基板の形状変化のた
め一定でないことから生じる定在波効果と、基板７の傾
斜部１０からの放射光の反射によるハレーションの影響
とで転写後のレジスト１３のパターンは部分的に変化し
、第４図に示す形状となり変則部１４を有することにな
る。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来のフォトリソグラフィ用マスクの使用
では凹凸部を有する基板上のレジストを露光した場合、
基板の凹凸に露光パターンが影響されるという問題点が
あった。
では凹凸部を有する基板上のレジストを露光した場合、
基板の凹凸に露光パターンが影響されるという問題点が
あった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、基板の凹凸変化に影響されにくい露光パターンを得
ることができるフォトリソグラフィ用マスクを提供する
ことを目的とする。
で、基板の凹凸変化に影響されにくい露光パターンを得
ることができるフォトリソグラフィ用マスクを提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るフォトリソグラフィ用マスクは、マスク
の薄膜における光の透過率を基板の凹凸部に対応させて
変化させたものである。
の薄膜における光の透過率を基板の凹凸部に対応させて
変化させたものである。
［作用］
この発明においては基板の凹凸部に対応してマスクを透
過する光の強度分布が変化するので、その強度分布によ
り基板の凹凸部の影響を相殺することができ、正規の露
光パターンを得ることができる。
過する光の強度分布が変化するので、その強度分布によ
り基板の凹凸部の影響を相殺することができ、正規の露
光パターンを得ることができる。
［発明の実施例コ
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による概略構成断面
図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）においてマスク
を透過した放射光の強度分布を示す図である。
図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）においてマスク
を透過した放射光の強度分布を示す図である。
第１図（ａ）において、マスク２が従来技術と異なる以
外、投影レンズ６および基板７に関する符号８〜１１は
従来技術と同様である。マスク２はそのパターン３の周
辺に不純物が注入されており、基板７の傾斜部１０に対
応して第１の不純物領域４が基板７の凹部１１に対応し
て第２の不純物領域５が対応してそれぞれ形成される。
外、投影レンズ６および基板７に関する符号８〜１１は
従来技術と同様である。マスク２はそのパターン３の周
辺に不純物が注入されており、基板７の傾斜部１０に対
応して第１の不純物領域４が基板７の凹部１１に対応し
て第２の不純物領域５が対応してそれぞれ形成される。
ここで、第１の不純物領域４は基板７の傾斜部１０によ
るハレーションの影響を考慮して、第２の不純物領域５
より透過率を低くし、また第２の不純物領域５は定在波
効果の影響を補正するためその透過率を低くしている。
るハレーションの影響を考慮して、第２の不純物領域５
より透過率を低くし、また第２の不純物領域５は定在波
効果の影響を補正するためその透過率を低くしている。
第１図（ｂ）において、横軸に基板の凹凸形状に対応さ
せた分布をとり縦軸にマスク透過後の光強度がとられて
いる。ここで１２ａはマスク２のパターン３に１２ｂは
第２の不純物領域５、すなわち基板７の凹部１１に１２
ｃは第１の不純物領域４、すなわち基板７の傾斜部１０
に、さらに１２ｄは不純物が注入されない領域、すなわ
ち基板７の凸部９に対応した透過光強度である。
せた分布をとり縦軸にマスク透過後の光強度がとられて
いる。ここで１２ａはマスク２のパターン３に１２ｂは
第２の不純物領域５、すなわち基板７の凹部１１に１２
ｃは第１の不純物領域４、すなわち基板７の傾斜部１０
に、さらに１２ｄは不純物が注入されない領域、すなわ
ち基板７の凸部９に対応した透過光強度である。
したがって、基板７の凹凸部に対応した透過光強度が従
来問題となっていたハレーションの影響および定在波効
果の影響を相殺し、これを補正するのでフォトレジスト
８上に正規の露光パターンを照射することができる。
来問題となっていたハレーションの影響および定在波効
果の影響を相殺し、これを補正するのでフォトレジスト
８上に正規の露光パターンを照射することができる。
第２図はこの発明の一実施例によるフォトレジストの露
光・現像後のレジストパターンを示す平面図である。図
に示すごとく転写後のレジスト１３は不純物領域の透過
作用でもって変則部のない一定の線幅を有したものとな
る。
光・現像後のレジストパターンを示す平面図である。図
に示すごとく転写後のレジスト１３は不純物領域の透過
作用でもって変則部のない一定の線幅を有したものとな
る。
なお、上記実施例ではマスクのパターンが線状のもので
あったが、他の形状のパターンであっても同様の効果を
奏することは言うまでもない。
あったが、他の形状のパターンであっても同様の効果を
奏することは言うまでもない。
［発明の効果］
この発明は以上説明したとおり、フォトリソグラフィ用
マスクの光の透過率を基板の凹凸部に対応させて変化さ
せたので、マスクを透過する光の強度分布が変化し基板
の凹凸部の影響を相殺することによって正規でかつ正確
な露光パターンが得られる効果がある。
マスクの光の透過率を基板の凹凸部に対応させて変化さ
せたので、マスクを透過する光の強度分布が変化し基板
の凹凸部の影響を相殺することによって正規でかつ正確
な露光パターンが得られる効果がある。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例による概略断面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）におけるマスクの透過光強
度の分布を示した図、第２図はこの発明の一実施例の露
光・現像部のレジストパターンを示した図、第３図は従
来のフォトリソグラフィ技術の概略断面図、第４図は従
来の露光・現像部のレジストパターンを示した平面図で
ある。 図において、１は放射光、２はマスク、３はパターン、
４は第１の不純物領域、５は第２の不純物領域、７は基
板、８はフォトレジスト、９は凸部、１０は傾斜部、１
１は凹部、１２ａ−ｄは光強度である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）におけるマスクの透過光強
度の分布を示した図、第２図はこの発明の一実施例の露
光・現像部のレジストパターンを示した図、第３図は従
来のフォトリソグラフィ技術の概略断面図、第４図は従
来の露光・現像部のレジストパターンを示した平面図で
ある。 図において、１は放射光、２はマスク、３はパターン、
４は第１の不純物領域、５は第２の不純物領域、７は基
板、８はフォトレジスト、９は凸部、１０は傾斜部、１
１は凹部、１２ａ−ｄは光強度である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）その表面に凹凸部を有する基板上のフォトレジス
トに対するフォトリソグラフィ用マスクにおいて、 前記凹凸部に対応して光の透過率を変化させたことを特
徴とする、フォトリソグラフィ用マスク。 - （２）前記透過率は、薄膜上に不純物を注入することに
よって変化させる、特許請求の範囲第１項記載のフォト
リソグラフィ用マスク。 - （３）凹部に対応する透過率は凸部に対応する透過率よ
り低く、さらに前記凹部と前記凸部との間の傾斜部に対
応する透過率は、前記凹部に対応する透過率よりさらに
低い、特許請求の範囲第１項または第２項記載のフォト
リソグラフィ用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314203A JPS63163855A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フオトリソグラフイ用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314203A JPS63163855A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フオトリソグラフイ用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163855A true JPS63163855A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18050512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314203A Pending JPS63163855A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | フオトリソグラフイ用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163855A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738925A3 (en) * | 1995-04-21 | 1997-04-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Mask for adjusting the line width of a photoresist pattern |
| WO2002001295A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| WO2002001294A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
| US10343058B2 (en) | 2007-10-09 | 2019-07-09 | Nintendo Co., Ltd. | Storage medium storing a load detecting program and load detecting apparatus |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61314203A patent/JPS63163855A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0738925A3 (en) * | 1995-04-21 | 1997-04-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Mask for adjusting the line width of a photoresist pattern |
| WO2002001295A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics Nv | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| WO2002001294A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
| US6590219B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Apparatus and method for forming photoresist pattern with target critical dimension |
| US10343058B2 (en) | 2007-10-09 | 2019-07-09 | Nintendo Co., Ltd. | Storage medium storing a load detecting program and load detecting apparatus |
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