JPS63161525A - 磁気デイスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は可撓性磁気ディスクの製造方法に係り、特に
垂直磁気記録に適した磁気ディスクの製造方法に関する
。

（従来の技術） 垂直磁気記録に適した磁気記録媒体、特に可撓性を持つ
いわゆるフロッピーディスク形態の媒体としては、ポリ
イミドやポリエステルのような可撓性を有する高分子基
板を用い、その両面にＣｏ−Ｃｒ系薄膜に代表される強
磁性金属薄膜を磁気記録層として形成した磁気ディスク
が有望視されている。Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜は一般にスパッ
タリング法により形成される。

ところで、可撓性高分子基板として熱膨脹率が磁気記録
層より小さい材料を使用すると、磁気記録層をスパッタ
リング法により形成した場合、磁気記録層形成面の側が
凹状となるカール（インナーカールという）が生じる。

このカールの大きさはスパッタリング時の基板温度と密
接な関係があり、基板温度を高くすれば比較的小さく抑
えられるが、実用上無視できる程度までは小さくできな
いのが実情である。

基板の両面に磁気記録層を形成すれば、カールはさらに
抑制されることが知られている。しかしながら、単純に
基板の両面に磁気記録層を形成しただけでは、必ずしも
カールは除去されず、十分な平坦性は得られない。媒体
の平坦性は垂直磁気記録のような高密度記録では大きな
聞届で゛あり、極めて僅かなカールであっても再生出力
の低下や再生出力エンベロープの劣化の原因となる。

（発明が解決しようとする問題点） このように従来の可撓性高分子基板上にスパッタリング
法等により磁気記り層を形成する技術では、ディスクの
カールを十分に小さくすることができないという問題が
あまた。

本発明はカールを効果的に小さくできる可撓性を有する
磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は可撓性を有する高分子基板の両面に熱膨脹率が
該基板のそれより大きい磁気記録層を形成してなる磁気
ディスクの製造方法において、基板の一方の面に第１の
磁気記録層を形成した後、他方の面に第１の磁気記録層
より膜厚の薄い第２の磁気記録層を形成することを特徴
とする。

（作用） 可撓性高分子基板の一方の面に、基板より熱膨脹率の大
きい第１の磁気記録層をスパッタリング法等により形成
した場合には、基板より第１の磁気記録層の方が大きく
収縮するため、第１の磁気記録層形成面の側が凹状とな
るカール、いわゆるインナーカールが生じようとする。

第１の磁気記録層の形成後、反対側に第２の磁気記録層
を同様にスパッタリング法等により形成すると、このイ
ンナーカールを矯正する方向に作用する。ここで、第２
の磁気記録層の膜厚が第１の磁気記録層のそれと等しい
場合には、インナーカールが矯正され過ぎてしまう。こ
の点、本発明のように第２の磁気記録層の膜厚を第１の
磁気記録層の膜厚より適度に薄くすると、カールが除去
され、平坦性に優れた磁気ディスクが得られる。

（実施例） 以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る磁気ディスクの製造工
程を示す断面図である。第１図において、基板１はポリ
イミドシート、ポ１）、エステルシートのような可撓性
を有する高分子基板であり、この基板１の一方の面上に
第１図（ａ）に示すように、第１の磁気記録層２として
例えばＣｏ−Ｃｒ系薄膜を形成する。この第１の磁気記
録層２の膜厚δは、０．１−１．０μ尻程度が適当であ
る。

次に、第１図（ｂ）に示すように基板１の他方の面上に
、第２の磁気記録層３として同じ＜Ｃ。

−Ｃｒ系薄膜をスパッタリング法により形成する。

この第２の磁気記録層３は、第１の磁気記録層２の膜厚
δより例えば１０〜３５％薄い膜厚（δ−Δδとする）
に形成される。

なお、スパッタリング法により磁気記録層２゜３を形成
する場合、保磁力の高い磁気ディスクを得るために、基
板１を熱損傷を受けない範囲で所定の高い温度に保つこ
とが好ましい。

このように第１および第２の磁気記録層２．３を形成す
ると、第１の磁気記録層２の膜厚δに対する第２の磁気
記録層３の膜厚δ−Δδの減少量Δδ、磁気記録層２，
３の保磁力および基板１の熱膨張係数によって、磁気デ
ィスクのカール量が変化する。すなわち、°膜厚減少量
Δδの値が十分小さい場合は、磁気ディスクは第２図に
示すようにカールを生じる。カール量を第２図に示すよ
うにディスク最外周の一点を固定した場合の他端の最大
の高さφによって定義すると、φ（Δδ／δ。

Ｈ２Ｃ）で示されるように、カール量φは膜厚補正量Δ
δ／δと、保磁力Ｈｅ（但し、膜面に垂直方向の保磁力
とする）および基板１の熱膨張係数αに依存する。

第３図に０．４Ｐ　ａのＡｒガス雰囲気中でスパッタリ
ング法により高分子基板１の両面に磁気記録層２，３を
形成した場合の第２の磁気記録層３の膜厚δ−Δδによ
るカール量φの変化を、基板１の熱膨張係数αをパラメ
ータとして示したものである。但し、第１の磁気記録層
２の膜厚δはδ−〇、５μ辺一定としている。また、磁
気記録層２゜３を形成する際の基板１の温度は１５０℃
一定に保持した。

第３図から明らかなように、第１の磁気記録層２のみを
基板１上に形成した状況でインナーカールが生じる場合
（φが十の場合）、換言すれば磁気記録層の熱膨脹率が
基板１のそれより大きい場合には、第２の磁気記録層３
を第１の磁気記録層２より薄い膜厚で形成した場合にの
み、カールのない平坦な磁気ディスクが得られる。

一方、第４図に膜厚補正量Δδ／δに対する相対カール
量φ（Δδ／δ）／φ（０）の変化を示す。φ（Δδ／
δ）は第１図に示したように第１の磁気記録層２の膜厚
δに対し第２の磁気記録層３の膜厚をΔδだけ小さくし
た場合のカール量、φ（０）は第１および第２の磁気記
録層２，３の膜厚が等しい場合、つまりΔδ−０の場合
のカール量であり、これらの比が相対カール量である。

第４図の３つの曲線ε、ξ、ηは磁気記録層２゜３の保
磁力Ｈｅがそれぞれ４０００　ｅ、　８０００　ｅ、　
１００００ｅの場合の相対カール量の変化である。ここ
で、Ｈｃ＝４０００ｅは磁気ディスクに記録した情報の
十分な安定性が得られる下限の保磁力、またＨｅ−１０
０００ｅは通常の磁気ヘッド（フェライトヘッド）で情
報の書込みが容易にできる上限の保磁力であり、いずれ
も磁気記録層２，３を形成する時の基板１の温度に依存
す名。

第４図から明らかなように、第１の磁気記録層２に対し
、第２の磁気記録層３の膜厚を１０〜３５％だけ薄くす
ることにより、保磁力Ｈｃの実用範囲４（ｉ００ｅ〜１
００００　ｅにおいてカール量φをほぼ零にすることが
でき、磁気ディスクの平坦性を確保することが可能とな
る。すなわち、要求される保磁力Ｈｅに応じて膜厚補正
量Δδ／δを１０〜３５％の範囲で調整することにより
、第１の磁気記録層２を形成したときに生じるインナー
カールを第２の磁気記録層３を形成することより生じる
カールによって相殺し、結果的にカールのない磁気ディ
スクが得られるのである。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば第５図に示すように可撓性高分子基板１と第１お
よび第２の磁気記録層２．３との間にそれれぞれＦｅ−
Ｎｉ合金薄膜のような軟磁性層４，５を介在させた構造
の磁気ディスクを製造する場合についても適用するｑと
ができる。すなわち、この場合には第１および第２の磁
気記録層２，３の膜厚をδＡ、δＡ−ΔδＡとし、軟磁
性層４．５の膜厚をδＢ、δＢ−ΔδＢとしたとき、 δ−δＡ＋δＢ Δδ漏ΔδＡ＋ΔδＢ なる関係を満たすようにすればよい。その他、本発明は
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。

［発明の効果］ 本発明によれば、可撓性を有する高分子基板の両面に熱
膨脹率が該基板のそれより大きい磁気記録層を形成して
なる磁気ディスクの製造方法において、基板の一方の面
に第１の磁気記録層を形成した後、他方の面に第１の磁
気記録層より膜厚の薄い第２の磁気記録層を形成するこ
とにより、カールのない平坦性に優れた磁気ディスクを
得ることができる。従って、本発明により得られた磁気
ディスクは、記録再生時におけるスペーシング損失が非
常に少なく、垂直磁気記録媒体に好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る磁気ディスクの製造工
程を示す断面図、第２図はカール量の定義を説明するた
めの図、第３図は同実施例における第２の磁気記録層と
カール量との関係を基板７８度係数をパラメータとして
示す図、第４図は同じく磁気記録層の膜厚補正量と相対
カール量との関係を磁気記録層の保磁力をパラメータと
して示す図、第５図は本発明の他の実施例を説明するた
めの断面図である。 １・・・可撓性高分子基板、２・・・第１の磁気記録層
、３・・・第２の磁気記録層、４，５・・・軟磁性層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１ｒ！！Ａ 第２図 第３　図 第４ＦＢ δΔ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）可撓性を有する高分子基板の両面に熱膨脹率が該
   基板のそれより大きい磁気記録層を形成してなる磁気デ
   ィスクの製造方法において、基板の一方の面に第１の磁
   気記録層を形成した後、他方の面に第１の磁気記録層よ
   り膜厚の薄い第２の磁気記録層を形成することを特徴と
   する磁気ディスクの製造方法。
2. （２）第１および第２の磁気記録層はＣｏ−Ｃｒ系薄膜
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
   気ディスクの製造方法。
3. （３）第１および第２の磁気記録層をスパッタリング法
   により形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の磁気ディスクの製造方法。
4. （４）第１の磁気記録層の膜厚を第２の磁気記録層の膜
   厚より１０〜３５％薄くすることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項、第２項または第３項記載の磁気ディスク
   の製造方法。