JPS63160143A - 集束荷電粒子の集束度測定法 - Google Patents
集束荷電粒子の集束度測定法Info
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- JPS63160143A JPS63160143A JP30954886A JP30954886A JPS63160143A JP S63160143 A JPS63160143 A JP S63160143A JP 30954886 A JP30954886 A JP 30954886A JP 30954886 A JP30954886 A JP 30954886A JP S63160143 A JPS63160143 A JP S63160143A
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- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置など微細加工に用いる集束荷電
粒子の集束度測定法に関する。
粒子の集束度測定法に関する。
この発明は、集束荷電粒子装置における集束制御におい
て、集束荷電粒子を走査して二次粒子強度の像を得て、
二次粒子強度の変化に対して特定の闇値を設けて、特定
ピークの幅を読み取り集束荷電粒子の集束度の測定をす
るようにしたものである。
て、集束荷電粒子を走査して二次粒子強度の像を得て、
二次粒子強度の変化に対して特定の闇値を設けて、特定
ピークの幅を読み取り集束荷電粒子の集束度の測定をす
るようにしたものである。
イオン或いは電子等の該荷電粒子を試料に照射すると二
次粒子が発生する。
次粒子が発生する。
試料表面の構成成分が場所により異なる時、該構成成分
から発生する二次粒子の強度が異なる。
から発生する二次粒子の強度が異なる。
これを利用して該荷電粒子の大きさを評価出来、集束度
を知る事が出来る。
を知る事が出来る。
例えば、第１図の様に発生ずる二次粒子の強度が低い物
質Ａと高い物質Ｂが共に存在する表面上を矢印Ｃの方向
に該荷電粒子を走査すると、該荷電粒子の集束具合に応
じ、第２図に示す様な場所による二次粒子発生強度のブ
ローファイルを得る事が出来る。
質Ａと高い物質Ｂが共に存在する表面上を矢印Ｃの方向
に該荷電粒子を走査すると、該荷電粒子の集束具合に応
じ、第２図に示す様な場所による二次粒子発生強度のブ
ローファイルを得る事が出来る。
該荷電粒子が十分に集束されている時には、第２図（ａ
ｌの様にきりたったブローファイルるが、十分に集束さ
れていない時は第２図［ｂ）の様にだれたブローファイ
ルが得られる。このブローファイルの傾きは該荷電粒・
子の径に依存しており、該傾きを知る事により該荷電粒
子の集束度を知る事が出来る。これを利用して電界或い
は磁界レンズの強さを変化させ最も傾きが大きくなる所
を求める事により該荷電粒子を集束出来る。
ｌの様にきりたったブローファイルるが、十分に集束さ
れていない時は第２図［ｂ）の様にだれたブローファイ
ルが得られる。このブローファイルの傾きは該荷電粒・
子の径に依存しており、該傾きを知る事により該荷電粒
子の集束度を知る事が出来る。これを利用して電界或い
は磁界レンズの強さを変化させ最も傾きが大きくなる所
を求める事により該荷電粒子を集束出来る。
（発明が解決しようとする問題点〕
二次粒子強度が少ないと第２図ｆｃ］の様なブローファ
イルとなり、傾きを求めるのが国難となり単に統計変動
の激しい場所での傾きを最大傾きとして求め、誤った判
断を行う事がある。
イルとなり、傾きを求めるのが国難となり単に統計変動
の激しい場所での傾きを最大傾きとして求め、誤った判
断を行う事がある。
第１図でＣ方向に走査して第２図ｔｃ＋の様な二次粒子
強度のブローファイルを求め、物質Ａより発生する二次
粒子強度より少し高めの所に第２図（Ｃｌの直線りで示
す様な闇値を設け、これより大きい強度の所の合計の幅
を求める。これは該荷電粒子が集束されている程、小さ
な値となる。これを利用し、集束度として該幅を求め、
又該幅が小さくなる様にレンズ強度を求め、該荷電粒子
を集束させる。
強度のブローファイルを求め、物質Ａより発生する二次
粒子強度より少し高めの所に第２図（Ｃｌの直線りで示
す様な闇値を設け、これより大きい強度の所の合計の幅
を求める。これは該荷電粒子が集束されている程、小さ
な値となる。これを利用し、集束度として該幅を求め、
又該幅が小さくなる様にレンズ強度を求め、該荷電粒子
を集束させる。
上記のように構成された二次粒子強度に対し、特定闇値
の設定による集束荷電粒子の集束制御法では、集束度が
波形ピーク幅としてとらえることが出来、統計変動の激
しい場所でも正確な集束度を得ることが出来る。
の設定による集束荷電粒子の集束制御法では、集束度が
波形ピーク幅としてとらえることが出来、統計変動の激
しい場所でも正確な集束度を得ることが出来る。
第１図において、物質Ｂの領域を線Ｃの様に一次イオン
ビームで走査し、それにより発生した、２次イオンを検
出すると、第２図ＦＣ＋のような強度特性が得られる。
ビームで走査し、それにより発生した、２次イオンを検
出すると、第２図ＦＣ＋のような強度特性が得られる。
２次イオン検出強度の特定値に闇値として低い値のＤを
−５えると、もし、−次イオンビーム径が大きい場合、
この時ビームの中心は物質Ｂの領域からはなれていても
物質Ｂの領域に、−次イオンと−ムの走査方向の端がか
かった時に闇値を越えているため、物質Ｂの検出領域が
広くなる。一方、−次イオンビーＪ、径が小さい場合、
はぼ−次イオンビームのほぼ中心位置にビームの端があ
るため、ビームの中心がほぼ物質Ｂの領域に達した時に
、物質Ｂの２次イオンを検出することになる。つまり、
′ビーム径が大きい時、閾値りを越える２次イオン検出
強度を得る領域は広くなり、ビーム径が小さいと領域は
狭くなる。
−５えると、もし、−次イオンビーム径が大きい場合、
この時ビームの中心は物質Ｂの領域からはなれていても
物質Ｂの領域に、−次イオンと−ムの走査方向の端がか
かった時に闇値を越えているため、物質Ｂの検出領域が
広くなる。一方、−次イオンビーＪ、径が小さい場合、
はぼ−次イオンビームのほぼ中心位置にビームの端があ
るため、ビームの中心がほぼ物質Ｂの領域に達した時に
、物質Ｂの２次イオンを検出することになる。つまり、
′ビーム径が大きい時、閾値りを越える２次イオン検出
強度を得る領域は広くなり、ビーム径が小さいと領域は
狭くなる。
この発明は以上説明したように、試料より発生する二次
粒子の強度が少なく統計変動が大きい時でも集束された
該荷電粒子の集束度の情報を持ち十分に二次粒子を発生
させる領域の大きさは、誤った値とはならず、集束荷電
粒子の集束度を求める手段として使え、該手段は二次粒
子強度の統計変動に強い集束荷電粒子の集束度測定値を
得る効果がある。
粒子の強度が少なく統計変動が大きい時でも集束された
該荷電粒子の集束度の情報を持ち十分に二次粒子を発生
させる領域の大きさは、誤った値とはならず、集束荷電
粒子の集束度を求める手段として使え、該手段は二次粒
子強度の統計変動に強い集束荷電粒子の集束度測定値を
得る効果がある。
第１図は該集束ビームを走査する試料例の平面図を示し
たもので、Ａは二次粒子の発生が多い物質を示し、Ｂは
二次粒子の発生が少ない物質を示す。Ｃは横方向への１
回だけの走査位置と方向を示す。 第２図は第１図に於ける走査により得られる二次粒子の
検出量を示す図であり、横軸は位置、縦軸は検出量を示
し、第２図ｔａ）は該集束ビームが十分に絞れている場
合を示し、第２図（ト））はビーＪ、が十分に絞れてい
ない場合を示し、第２図（Ｃ）は第１図に於ける走査に
より得られる二次粒子の検出量が少なく、統計変動が激
しい時の位置座標に於ける検出量を示し、直線りはある
特定の闇値を示す。 以上
たもので、Ａは二次粒子の発生が多い物質を示し、Ｂは
二次粒子の発生が少ない物質を示す。Ｃは横方向への１
回だけの走査位置と方向を示す。 第２図は第１図に於ける走査により得られる二次粒子の
検出量を示す図であり、横軸は位置、縦軸は検出量を示
し、第２図ｔａ）は該集束ビームが十分に絞れている場
合を示し、第２図（ト））はビーＪ、が十分に絞れてい
ない場合を示し、第２図（Ｃ）は第１図に於ける走査に
より得られる二次粒子の検出量が少なく、統計変動が激
しい時の位置座標に於ける検出量を示し、直線りはある
特定の闇値を示す。 以上
Claims (1)
- 荷電粒子が絞りにより制限され、該荷電粒子が電界或い
は磁界により集束される集束荷電粒子を試料に走査し、
これにより得られる二次荷電粒子強度を用いて該集束荷
電粒子の集束度を求める方法に於いて、前記二次荷電粒
子が十分発生する孤立した領域の上に該荷電粒子を走査
し、発生する二次荷電粒子強度が一定閾値以上である領
域の大きさを利用した集束荷電粒子の集束度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30954886A JPS63160143A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 集束荷電粒子の集束度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30954886A JPS63160143A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 集束荷電粒子の集束度測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160143A true JPS63160143A (ja) | 1988-07-02 |
Family
ID=17994339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30954886A Pending JPS63160143A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 集束荷電粒子の集束度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160143A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138923A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Jeol Ltd | Adjusting method for focussing |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP30954886A patent/JPS63160143A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138923A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Jeol Ltd | Adjusting method for focussing |
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