JPS60148041A - イオンマイクロアナライザ - Google Patents
イオンマイクロアナライザInfo
- Publication number
- JPS60148041A JPS60148041A JP59003021A JP302184A JPS60148041A JP S60148041 A JPS60148041 A JP S60148041A JP 59003021 A JP59003021 A JP 59003021A JP 302184 A JP302184 A JP 302184A JP S60148041 A JPS60148041 A JP S60148041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sweep
- ion
- depth direction
- concentration
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
- G01N23/2258—Measuring secondary ion emission, e.g. secondary ion mass spectrometry [SIMS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はイオンマイクロアナライザ（ＩｏｎＭｉｃｒｏ
Ａｎａｌｙｚｅｒ）による深さ方向分析（Ｄ 際（Ｄ
−次イオンの掃引法に係るもので特に分析対象が深さ方
向に極く低濃度から高濃度まで広く分布する試料の画定
に対し高精度の測定を可能にするイオンマイクロアナラ
イザに関する。
Ａｎａｌｙｚｅｒ）による深さ方向分析（Ｄ 際（Ｄ
−次イオンの掃引法に係るもので特に分析対象が深さ方
向に極く低濃度から高濃度まで広く分布する試料の画定
に対し高精度の測定を可能にするイオンマイクロアナラ
イザに関する。
イオンマイクロアナライザは加速されたイオンを固体試
料表面に照射し、これによシスバッタされてくる二次イ
オンを質量分析する装置であシ、他の表面分析装置に比
して、元素の深さ方向の濃度分布を高感度に測定できる
特徴を持っている。
料表面に照射し、これによシスバッタされてくる二次イ
オンを質量分析する装置であシ、他の表面分析装置に比
して、元素の深さ方向の濃度分布を高感度に測定できる
特徴を持っている。
このようなイオンマイクロアナライザの構成を第１図を
用いて説明すると、同図においてイオン源１で生成加速
された一次イオンはレンズ２および３で収束され試料５
に照射される。試料５０表面からスパッタされた二次イ
オンは引き出し電極６によシ質量、分析計に入射する。
用いて説明すると、同図においてイオン源１で生成加速
された一次イオンはレンズ２および３で収束され試料５
に照射される。試料５０表面からスパッタされた二次イ
オンは引き出し電極６によシ質量、分析計に入射する。
この質量分析針は電場７、磁場８および検出器９等で構
成され、前記二次イオンは電場７、磁場８を経て検出器
９で検出される。検出器９によって検出されたイオン電
流は増幅器１０を鮮てＡＤ変換器１１でデジタル化され
データ処理装置１２に取シ込まれ、データ処理装置１２
はＤＡ質換器１３、デフレクタ電源１４を経デフレクタ
４で一次イオンビームをコントロールできるようになっ
ている。
成され、前記二次イオンは電場７、磁場８を経て検出器
９で検出される。検出器９によって検出されたイオン電
流は増幅器１０を鮮てＡＤ変換器１１でデジタル化され
データ処理装置１２に取シ込まれ、データ処理装置１２
はＤＡ質換器１３、デフレクタ電源１４を経デフレクタ
４で一次イオンビームをコントロールできるようになっ
ている。
このように、−次イオンビームを試料５上に照射してい
れば試料５表面の原子がスパッタされ次次に新らたな面
になる。すなわち深さ方向の分析が可能になるものであ
る。しかし、深さ方向分析の際、−次イオンビームを第
２図（ａ）に示すように試料５の一点に固定した場合、
エツチングされた試料の断面は第２図（ｂ）のように放
物線形状となり、これは−次イオンビームの密度が一般
に中心部が尚くその周辺部が低いことに由来する。した
がって、このような状態で深さ方向の分析を行えば、エ
ツチングされた部分の壁面から放出されるイオンの為に
正しい深さ方向の濃度分布を得ることはできないといっ
た欠点を有する。
れば試料５表面の原子がスパッタされ次次に新らたな面
になる。すなわち深さ方向の分析が可能になるものであ
る。しかし、深さ方向分析の際、−次イオンビームを第
２図（ａ）に示すように試料５の一点に固定した場合、
エツチングされた試料の断面は第２図（ｂ）のように放
物線形状となり、これは−次イオンビームの密度が一般
に中心部が尚くその周辺部が低いことに由来する。した
がって、このような状態で深さ方向の分析を行えば、エ
ツチングされた部分の壁面から放出されるイオンの為に
正しい深さ方向の濃度分布を得ることはできないといっ
た欠点を有する。
このエツチング面の影響を少なくするために次の方法が
提案されている。第３図に示すように、−次イオンビー
ムをデフレクタ４でラスタ掃引ヲし、第４図（ａ）に示
すように、その掃引領域の中心・部５Ａのみ二次イオン
電流計測を行う。このようなラスタ掃引をした場合に、
第４図（ｂ）に示すように、−次イオンビームの密度に
影響されずに平坦にエツチングして行くことが可能とな
る。また、クレータ壁面の影響も極力小さくすることが
できる。
提案されている。第３図に示すように、−次イオンビー
ムをデフレクタ４でラスタ掃引ヲし、第４図（ａ）に示
すように、その掃引領域の中心・部５Ａのみ二次イオン
電流計測を行う。このようなラスタ掃引をした場合に、
第４図（ｂ）に示すように、−次イオンビームの密度に
影響されずに平坦にエツチングして行くことが可能とな
る。また、クレータ壁面の影響も極力小さくすることが
できる。
しかし、たとえば試料５が８ｉの場合、そのＳｉ中に打
ち込まれた極く機料元素の分析を行った場合、第５図の
点ａｈの如きプロファイルを期待したにもかかわらず実
線Ｂの如きプロファイルｒ得ることがおる。これは測定
対象の元素がある深さに濃度高く存在しその層を越えて
エツチングした場合において、第６図に示すように、ラ
スタ掃引の端の部分で′ａ度の高い元素２２が大量にス
パッタされラスタ掃引中心部を汚染するためである。そ
のため数桁以上のダイナミックレンジを有する濃度分布
のある測定においてはこの汚染の問題が無視できなくな
るものであった。
ち込まれた極く機料元素の分析を行った場合、第５図の
点ａｈの如きプロファイルを期待したにもかかわらず実
線Ｂの如きプロファイルｒ得ることがおる。これは測定
対象の元素がある深さに濃度高く存在しその層を越えて
エツチングした場合において、第６図に示すように、ラ
スタ掃引の端の部分で′ａ度の高い元素２２が大量にス
パッタされラスタ掃引中心部を汚染するためである。そ
のため数桁以上のダイナミックレンジを有する濃度分布
のある測定においてはこの汚染の問題が無視できなくな
るものであった。
本発明の目的は、ラスタ掃引による制限領域計測法にお
っても克服できなかったエツチング壁面の影響を無くシ
、これによシ濃度分布の測定の精度の向上を図ったイオ
ンマイクロアナライザを提供するものである。
っても克服できなかったエツチング壁面の影響を無くシ
、これによシ濃度分布の測定の精度の向上を図ったイオ
ンマイクロアナライザを提供するものである。
このような目的を達成するために、本発明は、ラスタ掃
引の壁面からの影響を避ける手段として掃引領域を逐次
縮小しようとするものである。すなわち、壁面の影響を
受けない為には、ラスタ掃引領域を連続的に縮小して行
けば良い。しかし、連続的に領域を縮小することは、縮
小速度が深さ方向の限界を定めてしまう為実用的でない
。第４図（ａ）に示すように、試料５上において、１２
８点×１２８点の掃引をしようとする。このとき、掃引
領域のうち周辺の２点が壁面の影響を受けているとし、
また測定対象領域を前記掃引領域内であって６４点×６
４点の中心部とした場−合、壁面の影響を受ける周辺部
とラスタ掃引エリアとの比はとなる。
引の壁面からの影響を避ける手段として掃引領域を逐次
縮小しようとするものである。すなわち、壁面の影響を
受けない為には、ラスタ掃引領域を連続的に縮小して行
けば良い。しかし、連続的に領域を縮小することは、縮
小速度が深さ方向の限界を定めてしまう為実用的でない
。第４図（ａ）に示すように、試料５上において、１２
８点×１２８点の掃引をしようとする。このとき、掃引
領域のうち周辺の２点が壁面の影響を受けているとし、
また測定対象領域を前記掃引領域内であって６４点×６
４点の中心部とした場−合、壁面の影響を受ける周辺部
とラスタ掃引エリアとの比はとなる。
また、掃引エリアと計測エリアの比は
でめる。
壁面からスパッタされる汚染物質は周辺に均等に拡散す
るとすれば中心部の計測エリアへの影響は１／４になる
。
るとすれば中心部の計測エリアへの影響は１／４になる
。
したがって周辺部から中心部の計測エリアへの影響は
となる。
すなわち３桁以上の濃度の高い成分が壁面に露出してい
た部付、この影響は無視できなくなることを示している
。逆に２桁以下の濃度差なら制限領域法で充分精度の良
い測定ができることを示している。３桁以上の濃度差が
ある場合は、壁面をエツチングしないよう掃引幅を狭め
ることが必要である。この狭めるタイミングは以下の手
法で行なえば良い。エツチング周辺部と壁面部の二次イ
オン電流値を計測し、この両者の比が定められたレベル
を越えたときに掃引領域を縮小してやれば良い。前述の
例を掲げて説明すると周辺部と中心の計測エリアの比は １ ０．０６Ｘ −＝０．２４ ０．２５ でりるからもし均−龜匿のとき周辺部のイオン電流値は
中心部の０，２４附近のにある。仮りにこの比が２．４
．２４と大きくなれば周辺部に濃度の高い成分が露出し
逆に中心部にはこの成分が無くなっていることを示して
いる。そこである定められたレベルを越えて比が大きく
なった場合掃引領域を縮小すれば、壁面の影響は避けら
れることになる。嬉７図は上記方法によって測置した際
の試料５のエツチングされた断面図を示す。同図におい
て、不純物質２２が露出し終った段階で、掃引エリアを
狭めている状態が判る。また、第８図は、周辺部のプロ
ファイルを破線ａ −ａ ’で実線ｂ −ｂ′を中心部
の濃度プロファイルを示している。
た部付、この影響は無視できなくなることを示している
。逆に２桁以下の濃度差なら制限領域法で充分精度の良
い測定ができることを示している。３桁以上の濃度差が
ある場合は、壁面をエツチングしないよう掃引幅を狭め
ることが必要である。この狭めるタイミングは以下の手
法で行なえば良い。エツチング周辺部と壁面部の二次イ
オン電流値を計測し、この両者の比が定められたレベル
を越えたときに掃引領域を縮小してやれば良い。前述の
例を掲げて説明すると周辺部と中心の計測エリアの比は １ ０．０６Ｘ −＝０．２４ ０．２５ でりるからもし均−龜匿のとき周辺部のイオン電流値は
中心部の０，２４附近のにある。仮りにこの比が２．４
．２４と大きくなれば周辺部に濃度の高い成分が露出し
逆に中心部にはこの成分が無くなっていることを示して
いる。そこである定められたレベルを越えて比が大きく
なった場合掃引領域を縮小すれば、壁面の影響は避けら
れることになる。嬉７図は上記方法によって測置した際
の試料５のエツチングされた断面図を示す。同図におい
て、不純物質２２が露出し終った段階で、掃引エリアを
狭めている状態が判る。また、第８図は、周辺部のプロ
ファイルを破線ａ −ａ ’で実線ｂ −ｂ′を中心部
の濃度プロファイルを示している。
２１点で両者の比があるレベルを越えたとする。
ここで掃引領域を縮小すれば周辺部のプロファイルはａ
“に移行する。再び２２点でレベルを越えれば、また領
域を制限してやれば良い。これによ６ｂ−ｂ’のように
高いダイナミックレンジを持つプロファイル測定ができ
ることになる。
“に移行する。再び２２点でレベルを越えれば、また領
域を制限してやれば良い。これによ６ｂ−ｂ’のように
高いダイナミックレンジを持つプロファイル測定ができ
ることになる。
第９図は本発明によるイオンマイクロアナライザの一実
施例を示す構成図である。同図において発振器１７から
出力される１６号によシ掃引器１６でＸＹ掃引信号が作
られるようになっている。このＸＹ掃引信号はデフレク
タ電源１５を経てデフレクタ４に送られこのデフレクタ
４によって一次イオンビームを掃引するようになってい
る。前記掃引信号は一次イオン位置識別器１８にも送ら
れこの一次イオン位置識別器１８によって一次イオンが
周辺部かあるいは計測領域となる中心部かの識別を行う
ようになっている。一方、二次イオンは検出器９で検出
されカウンタ１９で計測されるようになっている。この
計測の際、前記−次イオン位置識別器１８から送られる
ゲート信号によシ周辺部と中心部にてそれぞれ別個に計
測されるようになっている。これによ請求められる２つ
の計測値は比較器２０に送られてその比がめられ、かつ
予め定められたレベル値と比較されるようになっている
。仮にめた比がレベルを越えた場合には掃引領域を縮小
すべく信号が掃引器１６へ送られるようになっている。
施例を示す構成図である。同図において発振器１７から
出力される１６号によシ掃引器１６でＸＹ掃引信号が作
られるようになっている。このＸＹ掃引信号はデフレク
タ電源１５を経てデフレクタ４に送られこのデフレクタ
４によって一次イオンビームを掃引するようになってい
る。前記掃引信号は一次イオン位置識別器１８にも送ら
れこの一次イオン位置識別器１８によって一次イオンが
周辺部かあるいは計測領域となる中心部かの識別を行う
ようになっている。一方、二次イオンは検出器９で検出
されカウンタ１９で計測されるようになっている。この
計測の際、前記−次イオン位置識別器１８から送られる
ゲート信号によシ周辺部と中心部にてそれぞれ別個に計
測されるようになっている。これによ請求められる２つ
の計測値は比較器２０に送られてその比がめられ、かつ
予め定められたレベル値と比較されるようになっている
。仮にめた比がレベルを越えた場合には掃引領域を縮小
すべく信号が掃引器１６へ送られるようになっている。
そしてカウンタ１９から出力される信号は記録計２１に
送られ記録されるようになっている。
送られ記録されるようになっている。
このようにすれば、周辺部および中心部の計測値の比が
あるレベル値を越えたか否かで不純物による周辺部から
中心部への影響度をめ、これによって掃引領域を縮小す
るか否かを決めているので不純物による周辺部から中心
部への汚染を防いだ状態にて計測が可能となシ、したが
って深さ方向の高ダイナミツクレンジ測定を可能とする
ことができる。
あるレベル値を越えたか否かで不純物による周辺部から
中心部への影響度をめ、これによって掃引領域を縮小す
るか否かを決めているので不純物による周辺部から中心
部への汚染を防いだ状態にて計測が可能となシ、したが
って深さ方向の高ダイナミツクレンジ測定を可能とする
ことができる。
第９図に示した実施例では論理回路によって構成したも
のについて述べたが、二次イオン電流の計測、−次イオ
ンの位置決定、掃引領域の縮小をデータ処理装置（ＣＰ
Ｕ）で行なわせることもできる（たとえば第１図に示す
データ処理装置１２によって）。また、掃引法としてラ
スタ掃引に限定されないことはいうまでもない。
のについて述べたが、二次イオン電流の計測、−次イオ
ンの位置決定、掃引領域の縮小をデータ処理装置（ＣＰ
Ｕ）で行なわせることもできる（たとえば第１図に示す
データ処理装置１２によって）。また、掃引法としてラ
スタ掃引に限定されないことはいうまでもない。
以上述べたことから明らかなよう゛に、本発明によるイ
オンマイクロアナライザによれば、ラスタ掃引による制
限領域計測法にあっても克服できなかったエツチング壁
面の影響をなくシ、これにょシ濃度分布の測定の精度の
向上を図ることができる。
オンマイクロアナライザによれば、ラスタ掃引による制
限領域計測法にあっても克服できなかったエツチング壁
面の影響をなくシ、これにょシ濃度分布の測定の精度の
向上を図ることができる。
第１図はイオンマイクロアナライザの概略構成図、第２
図（ａ）、 （ｂ）はイオンマイクロアナライザを用い
て濃度測定を行なう従来の固定ビーム法の一例を示す説
明図、第３図はイオンマイクロアナライザを用いて濃度
測定を行なう従来のラスメスキャン法の一例を示す説明
図、第４図（ａ）、（ｂ）は前記ラスメスキャン法にお
けるその方法およびこれによシエッチングされた部分を
示す説明図、ｔＪｃｓ図は前記ラスメスキャン法によっ
て得られる深さ方向フロファイルの構成図を示すグラフ
、第６図はラスメスキャン法による欠点を示す説明図、
第７図は本発明によるイオンマイクロアナライザを用い
て濃度測定を行った場合の試料のエツチング状態を示す
断面図、第８図は本発明による濃度測定を行った際の深
さ方向プロファイルの出力例を示すグラフ、第９図は本
発明によるイオンマイクロアナライザの一実施例を示す
構成図である。 ４・・・デフレクタ、９・・・検出器、１５・・・デフ
レクタ電源、１６・・・掃引器、１７・・・発振器、１
８・・・−次イオン位置識別器、１９・・・カウンタ、
２０・・・比較器、２１・・・記録計。゛ 代理人 弁理士 鵜沼辰之 ￥１図 千４図 （αう （ｂ） 不５図 拓８図 厚さ 不ｑ日
図（ａ）、 （ｂ）はイオンマイクロアナライザを用い
て濃度測定を行なう従来の固定ビーム法の一例を示す説
明図、第３図はイオンマイクロアナライザを用いて濃度
測定を行なう従来のラスメスキャン法の一例を示す説明
図、第４図（ａ）、（ｂ）は前記ラスメスキャン法にお
けるその方法およびこれによシエッチングされた部分を
示す説明図、ｔＪｃｓ図は前記ラスメスキャン法によっ
て得られる深さ方向フロファイルの構成図を示すグラフ
、第６図はラスメスキャン法による欠点を示す説明図、
第７図は本発明によるイオンマイクロアナライザを用い
て濃度測定を行った場合の試料のエツチング状態を示す
断面図、第８図は本発明による濃度測定を行った際の深
さ方向プロファイルの出力例を示すグラフ、第９図は本
発明によるイオンマイクロアナライザの一実施例を示す
構成図である。 ４・・・デフレクタ、９・・・検出器、１５・・・デフ
レクタ電源、１６・・・掃引器、１７・・・発振器、１
８・・・−次イオン位置識別器、１９・・・カウンタ、
２０・・・比較器、２１・・・記録計。゛ 代理人 弁理士 鵜沼辰之 ￥１図 千４図 （αう （ｂ） 不５図 拓８図 厚さ 不ｑ日
Claims (1)
- １、加速された一次イオンを生成するイオン源及び該イ
オンを試料上で二次元的に掃引できるデフレクタ及び試
料から放出される二次イオンを分析する質量分析針を有
するイオンマイクロアナライザにおいて二次元掃引の周
辺部と中心部の二次イ゛ オン電流値を比較する手段を
具備し、該比較結果により掃引領域を縮小することを特
徴とするイオンマイクロアナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003021A JPS60148041A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | イオンマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59003021A JPS60148041A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | イオンマイクロアナライザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60148041A true JPS60148041A (ja) | 1985-08-05 |
| JPH0326499B2 JPH0326499B2 (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=11545669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59003021A Granted JPS60148041A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | イオンマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60148041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015227779A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 富士通株式会社 | 二次イオン質量分析装置の制御方法及び制御プログラム、二次イオン質量分析装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4602811B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-12-22 | グンゼ株式会社 | タグ検出装置 |
| JP4602812B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-12-22 | グンゼ株式会社 | タグ検出装置 |
| JP4602897B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2010-12-22 | グンゼ株式会社 | タグ検出装置 |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59003021A patent/JPS60148041A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015227779A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-17 | 富士通株式会社 | 二次イオン質量分析装置の制御方法及び制御プログラム、二次イオン質量分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0326499B2 (ja) | 1991-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20000034930A (ko) | 주사형 전자현미경으로 표면의 기울기를 측정해서 샘플형상을 결정하는 방법 및 장치 | |
| US3881108A (en) | Ion microprobe analyzer | |
| JPS60148041A (ja) | イオンマイクロアナライザ | |
| Welkie et al. | Investigation of the instrument response of a vidicon-based low-energy electron diffraction system | |
| US4751384A (en) | Electron beam metrology system | |
| US6157199A (en) | Method of monitoring ion-implantation process using photothermal response from ion-implanted sample, and monitoring apparatus of ion-implantation process | |
| JP3104804B2 (ja) | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法 | |
| JP3472127B2 (ja) | ビームの測定方法 | |
| EP0184859B1 (en) | Electron beam line width measurement system | |
| JPS59163505A (ja) | 微細溝の寸法測定方法および装置 | |
| JPH0529424A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JPH09166698A (ja) | 荷電粒子ビームの測定方法 | |
| JPH09113468A (ja) | 正極点図測定方法 | |
| JP3715236B2 (ja) | 二次イオン質量分析による試料の深さ方向濃度分布測定方法 | |
| Mezey et al. | A comparison of techniques for depth profiling oxygen in silicon | |
| JPS6266549A (ja) | 二次イオン質量分析装置 | |
| RU1685172C (ru) | Способ определени распределени плотности потока ионных пучков | |
| JP3140557B2 (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置及びこれを用いる分析法 | |
| JPS604124Y2 (ja) | 粒子線走査型分析装置 | |
| Oswald et al. | Measurement and modelling of primary beam shape in an ion microprobe mass analyser | |
| Yakowitz | Electron-probe microanalysis—a capsule survey | |
| JPH05180790A (ja) | 深さ方向元素濃度分布測定装置およびその方法 | |
| JPH04107838A (ja) | コンタクトホール開口検査方法 | |
| JPH0260038A (ja) | 粒子ビーム径測定装置 | |
| JPH0973870A (ja) | 荷電粒子装置 |