JPS63158879A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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- JPS63158879A JPS63158879A JP61306929A JP30692986A JPS63158879A JP S63158879 A JPS63158879 A JP S63158879A JP 61306929 A JP61306929 A JP 61306929A JP 30692986 A JP30692986 A JP 30692986A JP S63158879 A JPS63158879 A JP S63158879A
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- Japan
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- solid electrolyte
- optical sensor
- electrode
- counter electrode
- photoconductivity
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は記録書き込み及び消去機能を併せもった光セン
ナに関する。
ナに関する。
従来の技術
現在ホトトランジスタ、ホトダイオードといった受光素
子にはシリコン等の光半導体が用いられているが、何れ
の受光素子も記録機能はもたない。
子にはシリコン等の光半導体が用いられているが、何れ
の受光素子も記録機能はもたない。
従ってこの様なデバイスを用い電子写真に応用する場合
出力レジスタからの信号を外部の記憶素子に取シ込まね
ばならない。
出力レジスタからの信号を外部の記憶素子に取シ込まね
ばならない。
発明が解決しようとする問題点
上記に示したように、光検出素子を走査する方法では電
子写真への応用の面で素子数に制限が加わるのは避は難
い問題となる。
子写真への応用の面で素子数に制限が加わるのは避は難
い問題となる。
問題点を解決するための手段
本発明の技術手段はシリコンホトダイオードに於けるｐ
−ｎ接合の代わシに、半導体と固体電解質との接触に
よる分極を利用するもので、しかもその固体電解質の可
逆的な電気化学反応により検知光を記録消去することの
できる光センナを構成するものである。
−ｎ接合の代わシに、半導体と固体電解質との接触に
よる分極を利用するもので、しかもその固体電解質の可
逆的な電気化学反応により検知光を記録消去することの
できる光センナを構成するものである。
作 用
本発明による光センサの動作原理を第１図に示す。光照
射により半導体層に於いて価電子帯中の電子が励起され
、伝導帯中に電子と価電子帯中にホールとが生成される
。
射により半導体層に於いて価電子帯中の電子が励起され
、伝導帯中に電子と価電子帯中にホールとが生成される
。
生じたホールは半導体層と固体電解質層との界面で固体
電解質中のアニオンｘ７（例えばＩ−）を酸化して÷ｘ
２全２ヲする。また一方電子は外部回路を通じて対極に
はいり、固体電解質中のカチオンＭ＋（例えばＣｕ）ｉ
還元してＭ（例えば銅）を生ずる。このことによシ光セ
ンサとして働きつつ、検知光をｘ２とＭの析出という形
で記録することができる。
電解質中のアニオンｘ７（例えばＩ−）を酸化して÷ｘ
２全２ヲする。また一方電子は外部回路を通じて対極に
はいり、固体電解質中のカチオンＭ＋（例えばＣｕ）ｉ
還元してＭ（例えば銅）を生ずる。このことによシ光セ
ンサとして働きつつ、検知光をｘ２とＭの析出という形
で記録することができる。
次いで記録の消去であるが、これは半導体電極と対極と
を短絡することによシ光照射時と逆の反応が起こり、半
導体層と固体電解質層との界面では、Ｘ ２ ＋２ ｅ
−−２Ｘ −、対極と固体電解質層との界面では、ｌ
ｖｌ−Ｍ ＋ｅ となり、記録を消去することができ
る。
を短絡することによシ光照射時と逆の反応が起こり、半
導体層と固体電解質層との界面では、Ｘ ２ ＋２ ｅ
−−２Ｘ −、対極と固体電解質層との界面では、ｌ
ｖｌ−Ｍ ＋ｅ となり、記録を消去することができ
る。
第２図に本発明による光センサの基本的な断面図を示す
。半導体としては単結晶シリコン、固体電解質としては
ＲｂＣ１−Ｃ１ユＩ −Ｃｕ Ｃｌ 系固体電解質、対
極としては金属鋼を用いたものを示した（第２図）。
。半導体としては単結晶シリコン、固体電解質としては
ＲｂＣ１−Ｃ１ユＩ −Ｃｕ Ｃｌ 系固体電解質、対
極としては金属鋼を用いたものを示した（第２図）。
実施例
（実施例１〕
第２図に示した構造の光センサを次のように作成した。
大きさ２０．Ｘ２０ｆｆＩＩ！ｌ、厚さ０．５ｆｆ１ｍ
の単結晶シリコン（Ｓｉ）基板１上にＲｂＣｕ４Ｉ 、
、５Ｃ１１３，５で表わされる固体電解質層２ｆｔ厚
さ１μｍで形成した。その形成は所定の割合で混合した
ＲｂＣ６−Ｃｕｌ−ＣｕＣ４の混合物を蒸発源として抵
抗加熱による真空蒸着法により減圧下（５Ｘ１０−５Ｔ
ｏｒｒ ）で行った。更にその上に対極３として銅を厚
さ１μｍで蒸着した。６及び６はリード端子であり、４
はエポキシ樹脂よりなる密封パッケージで全体を封じて
光センサを作成した。
の単結晶シリコン（Ｓｉ）基板１上にＲｂＣｕ４Ｉ 、
、５Ｃ１１３，５で表わされる固体電解質層２ｆｔ厚
さ１μｍで形成した。その形成は所定の割合で混合した
ＲｂＣ６−Ｃｕｌ−ＣｕＣ４の混合物を蒸発源として抵
抗加熱による真空蒸着法により減圧下（５Ｘ１０−５Ｔ
ｏｒｒ ）で行った。更にその上に対極３として銅を厚
さ１μｍで蒸着した。６及び６はリード端子であり、４
はエポキシ樹脂よりなる密封パッケージで全体を封じて
光センサを作成した。
第３図はこのようにして形成された光センサの暗時と光
照射時におけるＶ−Ｉ特性を示したものであり、例えば
０．５ｖ印加時に流れる電流は暗時の０．１μＡに対し
光照射時には８．０μＡとなっていることが解かる。
照射時におけるＶ−Ｉ特性を示したものであり、例えば
０．５ｖ印加時に流れる電流は暗時の０．１μＡに対し
光照射時には８．０μＡとなっていることが解かる。
次に光照射前と照射後の開放電圧の変化を第４図に示す
。光照射を０．１ｖの印加の下で行ったところ、開放電
圧は照射前のｏＶから照射後の０．２ Ｖと変化し、検
知光を開放電圧の変化という形で記、録できることがわ
かる。
。光照射を０．１ｖの印加の下で行ったところ、開放電
圧は照射前のｏＶから照射後の０．２ Ｖと変化し、検
知光を開放電圧の変化という形で記、録できることがわ
かる。
（実施例２）
第６図は本発明による他の実施例である光センサの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
大きさ２０ｆｆｌｌｌｌ Ｘ ２０ ｉｎ ＋厚さ１圓
のガラス基板１上にＩＴＯｉ透明電極２として蒸着し、
その上にアモルファスシリコン膜３をＣＶＤ法により厚
さ１μｍ形成する。実施例１と同様にその上に固体電解
質層４を厚さ１μｍに真空蒸着し、その上に対電極６と
してＣｕを厚さ１μｍに真空蒸着した。更に全体をエポ
キシ樹脂６により密封する。
のガラス基板１上にＩＴＯｉ透明電極２として蒸着し、
その上にアモルファスシリコン膜３をＣＶＤ法により厚
さ１μｍ形成する。実施例１と同様にその上に固体電解
質層４を厚さ１μｍに真空蒸着し、その上に対電極６と
してＣｕを厚さ１μｍに真空蒸着した。更に全体をエポ
キシ樹脂６により密封する。
７と８はリード端子である。
このようにして形成された光センサを用い、実施例１と
同じ測定を行った。その結果実施例１と同様の特性が得
られた。
同じ測定を行った。その結果実施例１と同様の特性が得
られた。
（実施例３）
光導電性を示す電極としてＣｄＳを使用した以外は実施
例２と同様光センサを作成した。該センサの特性を検討
した結果、実施例２と同様の特性が得られた。
例２と同様光センサを作成した。該センサの特性を検討
した結果、実施例２と同様の特性が得られた。
（実施例４）
光導電性を示す電極としてＩｎＰを使用した以外は実施
例２と同様光センサを作成した。該センサの特性を検討
した結果、実施例２と同様の特性が得られた。
例２と同様光センサを作成した。該センサの特性を検討
した結果、実施例２と同様の特性が得られた。
以上の実施例では光導電性を示す電極としてｎ型半導体
を用いたが、ｐ型半導体を用いても極性が逆になる他は
同様の特性が得られることは明白でありｐ型半導体を用
いたものも本発明の範躊に属するものであることは周知
の通シである。
を用いたが、ｐ型半導体を用いても極性が逆になる他は
同様の特性が得られることは明白でありｐ型半導体を用
いたものも本発明の範躊に属するものであることは周知
の通シである。
発明の効果
第１図は本発明の光センサの動作原理図、第２図及び第
６図は本発明の異なる実施例の構造図、第３図及び第４
図は同実施例の光センサの特性図である。 １・・・・・・単結晶ＳＬ基板、２・・・・・・固体電
解質層、３・・・・・・Ｃｕ対極、４・・・・・・エポ
キシ樹脂、５，６・・・・・・リード端子〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 尤千購イ本層 固体電解質層 丈じ詠第２図 第３図 第４図 ＰＰ！Ｆ＃＋１（ｈｏｕｒ） 第５図
６図は本発明の異なる実施例の構造図、第３図及び第４
図は同実施例の光センサの特性図である。 １・・・・・・単結晶ＳＬ基板、２・・・・・・固体電
解質層、３・・・・・・Ｃｕ対極、４・・・・・・エポ
キシ樹脂、５，６・・・・・・リード端子〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 尤千購イ本層 固体電解質層 丈じ詠第２図 第３図 第４図 ＰＰ！Ｆ＃＋１（ｈｏｕｒ） 第５図
Claims (3)
- （１）光導電性を示す電極、固体電解質及びその固体電
解質を介してその光導電性を示す電極と対向して配置さ
れる対極とにより構成される光センサ。 - （２）光導電性を示す電極は単結晶または多結晶シリコ
ン、アモルファス、シリコン３ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｉｎ
Ｐ、ＧａＰ、ＭｏＳｅ＿２、ＣｕｌｎＳｅ＿２、ＷＳｅ
＿２、ＧａＡｓの群より選択される半導体を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光センサ。 - （３）固体電解質はハロゲンイオンを含有するＣｕ＾＋
イオン導電性固体電解質、或いはハロゲンイオンを含有
するＡｇ＾＋イオン導電性固体電解質であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306929A JPS63158879A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306929A JPS63158879A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63158879A true JPS63158879A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17962979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306929A Pending JPS63158879A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63158879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003104416A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 粘稠液の注出容器 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61306929A patent/JPS63158879A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003104416A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yoshino Kogyosho Co Ltd | 粘稠液の注出容器 |
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