JPS63158168A - 溝つき基板の製造方法 - Google Patents
溝つき基板の製造方法Info
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は溝つき基板の製造方法に関し、特に光デイスク
用溝つき基板、回折格子等に使用するのに適した溝つき
基板を製造する方法に関する。
用溝つき基板、回折格子等に使用するのに適した溝つき
基板を製造する方法に関する。
従来、光デイスク基板等に用いる溝つき基板の製造方法
としては、ガラス等の基板上に7オトレジスト膜を塗布
した後、レーザー露光装置を用いてフォトレジスト膜を
レーザー光で選択的に露光し、現像処理後ドライエツチ
ング等のエツチング処理を行なう方法が知られている。
としては、ガラス等の基板上に7オトレジスト膜を塗布
した後、レーザー露光装置を用いてフォトレジスト膜を
レーザー光で選択的に露光し、現像処理後ドライエツチ
ング等のエツチング処理を行なう方法が知られている。
又回折格子等に使用する微細パターンの作製方法として
、有機金属化合物を含む溶液を所定の形状を有する型と
接触させながらゲル化させた後離型し乾燥させて所望の
形状まで収縮させる方法が知られている。(例えば特開
昭60−2/2/! ’J〔発明が解決しようとする問
題点) 上記前者の7オトレジスト法によれば、ガラス等の基板
上にミクロン間隔の溝を正確に作成できる利点を有する
ものの、レーザー光を用いて選択露光するにあたって、
7枚のディスク状基板作成に数io分もの露光操作時間
がかかり生産性が悪いという問題点があった。又、レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
、有機金属化合物を含む溶液を所定の形状を有する型と
接触させながらゲル化させた後離型し乾燥させて所望の
形状まで収縮させる方法が知られている。(例えば特開
昭60−2/2/! ’J〔発明が解決しようとする問
題点) 上記前者の7オトレジスト法によれば、ガラス等の基板
上にミクロン間隔の溝を正確に作成できる利点を有する
ものの、レーザー光を用いて選択露光するにあたって、
7枚のディスク状基板作成に数io分もの露光操作時間
がかかり生産性が悪いという問題点があった。又、レー
ザーを用いる高精度の露光装置は極めて高価であるとと
もに精度の確保に繁雑な操作が必要であるという問題点
があった。
又後者の有機金属化合物溶液を用いる方法では、作成さ
れたゲル体の収縮を用いて型形状よりも微細なパターン
を作成できる利点はあるものの、収縮途中にゲル体にク
ラックが入り割れてしまったり、乾燥速度等の不均一か
らそり等の変形を生じやすい問題点があった。
れたゲル体の収縮を用いて型形状よりも微細なパターン
を作成できる利点はあるものの、収縮途中にゲル体にク
ラックが入り割れてしまったり、乾燥速度等の不均一か
らそり等の変形を生じやすい問題点があった。
上記問題点の解決方法として基板上に有機金属化合物を
含む溶液の可塑性塗布膜を形成した後、型を押しあてて
該塗布膜上に型の篩形状に対応する溝形状を転写し、そ
の後該塗布膜を焼成して固化させる溝つき基板の製造方
法が考えられる。
含む溶液の可塑性塗布膜を形成した後、型を押しあてて
該塗布膜上に型の篩形状に対応する溝形状を転写し、そ
の後該塗布膜を焼成して固化させる溝つき基板の製造方
法が考えられる。
(特願昭6O−2I11/93 )
上記基板および基板上に作成した塗布膜および型を用い
る溝つき基板の製造方法によれば、有機金属化合物が膜
状体であ、り基板上に設けられているのでゲル体とくら
べて収縮が小さく、クラックやそりが発生しにくいとい
う利点を有するものの、ガラス基板等のlOOん100
0μmの間隔で102へ1103n程度のうねりを有す
る基板上に深さ70nm幅1μm程度の徽細なパターン
を多数均一に設けようとした際には、基板のうねりのた
め通常の押圧では型が基板上全面の塗布膜に接触しない
という問題点があった。
る溝つき基板の製造方法によれば、有機金属化合物が膜
状体であ、り基板上に設けられているのでゲル体とくら
べて収縮が小さく、クラックやそりが発生しにくいとい
う利点を有するものの、ガラス基板等のlOOん100
0μmの間隔で102へ1103n程度のうねりを有す
る基板上に深さ70nm幅1μm程度の徽細なパターン
を多数均一に設けようとした際には、基板のうねりのた
め通常の押圧では型が基板上全面の塗布膜に接触しない
という問題点があった。
この様な問題は、■あらかじめ基板およびプレス型の平
坦度を全面にわたり士10nm以下まで研磨等によりし
あげておくか、■プレス型を基板が変形する程度の圧力
で押圧する方法により解決できる。しかしながら前者の
方法では加工コストが著しく増大することになり、後者
の方法では型の損耗、型くずれ等が激しくなり、型のコ
ストが増大するという問題点及びこの方法においてもや
はり、基板の厚さをかなり均一にしなければならないと
いう問題点があった。
坦度を全面にわたり士10nm以下まで研磨等によりし
あげておくか、■プレス型を基板が変形する程度の圧力
で押圧する方法により解決できる。しかしながら前者の
方法では加工コストが著しく増大することになり、後者
の方法では型の損耗、型くずれ等が激しくなり、型のコ
ストが増大するという問題点及びこの方法においてもや
はり、基板の厚さをかなり均一にしなければならないと
いう問題点があった。
本発明は、上記問題点を解決するために基板上に有機金
属化合物を含む溶液の塗布膜を形成した後微細な凹凸を
有する型を押しあてるか、微細な凹凸を有する型に有機
金属化合物膜を含む溶液の塗布膜を形成した後基板に該
塗布膜を押しあてて、基板上に型の凸形状に対応する凹
形状を有する凹凸被膜を形成した後該凹凸被膜を固化さ
せる溝つき基板の製造方法において、散型として薄板状
の有様高分子材料製型を用いている。
属化合物を含む溶液の塗布膜を形成した後微細な凹凸を
有する型を押しあてるか、微細な凹凸を有する型に有機
金属化合物膜を含む溶液の塗布膜を形成した後基板に該
塗布膜を押しあてて、基板上に型の凸形状に対応する凹
形状を有する凹凸被膜を形成した後該凹凸被膜を固化さ
せる溝つき基板の製造方法において、散型として薄板状
の有様高分子材料製型を用いている。
該有機高分子材料としては、抑圧としての形状変形が少
なく、基板のうねりに対して対応できる弾性係数103
〜10 Kgf/a+Iの有機高分子材料であることが
好ましい。
なく、基板のうねりに対して対応できる弾性係数103
〜10 Kgf/a+Iの有機高分子材料であることが
好ましい。
又散型の厚さは7〜1000μm(好ましくは70〜2
00μm)としておくと型と基板との間の塗布液の表面
張力によって型自体が大きなうねり(基板のうねりに応
じたうねり)を生じながら変形し、簡単に基板に@着さ
せることができるので好ましい。
00μm)としておくと型と基板との間の塗布液の表面
張力によって型自体が大きなうねり(基板のうねりに応
じたうねり)を生じながら変形し、簡単に基板に@着さ
せることができるので好ましい。
上記有機高分子材料としては、シリコン樹脂、フッ素系
樹脂、アセチルセルロース、ポリメタクリレート、ポリ
アクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポ
リエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ
アクリロニトリル、ポリビニル+)ン等が例示できる。
樹脂、アセチルセルロース、ポリメタクリレート、ポリ
アクリレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポ
リエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチル
メタクリレート、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリ
アクリロニトリル、ポリビニル+)ン等が例示できる。
上記有機高分子材料は、有機金属化合物を含む溶液に押
型として使用するものであるので該溶液(有機金属化合
物、有機溶剤、水、酸又はアルカリ、増粘剤等)と反応
を起こさず不溶のものでなければならない。しかしなが
ら該溶液中に含まれるもの以外の有機溶剤又は酸もしく
はアルカリに溶解する性質を有する有機高分子材料は、
散型を塗布膜から機械的に取り除くかわりに化学的に取
り除くことができるので好ましい。又同様に酸化性雰囲
気で加熱することKより(特に300″C以下の温度の
加熱により)燃焼し、簡単に取り除くことができるもの
であれば、型のはく離に共なう塗布膜のはく離を防止で
きるので好ましい。
型として使用するものであるので該溶液(有機金属化合
物、有機溶剤、水、酸又はアルカリ、増粘剤等)と反応
を起こさず不溶のものでなければならない。しかしなが
ら該溶液中に含まれるもの以外の有機溶剤又は酸もしく
はアルカリに溶解する性質を有する有機高分子材料は、
散型を塗布膜から機械的に取り除くかわりに化学的に取
り除くことができるので好ましい。又同様に酸化性雰囲
気で加熱することKより(特に300″C以下の温度の
加熱により)燃焼し、簡単に取り除くことができるもの
であれば、型のはく離に共なう塗布膜のはく離を防止で
きるので好ましい。
本発明に使用する有機金属化合物としては、従来の方法
と同様M(OR)n (ここでMはSi、Ti+B+Z
r+Ca+AA’+Na+Pb、Sn、Ge等の金A、
Rはメチル、エチル等のアルキル基、nは/〜ダの整数
である。)テ表b サh ル5i(OEt)4.Ti(
OPr)4.Na0Et などの金属アルコレートが例
示できる。上記有機金属化合物は単−又は混合物として
、水およびアルコール(メチルアルコール、エチルアル
コール、イソプロピルアルコール)等の有機溶剤および
必要に応じて酸又はアルカリの加水分解触媒、ポリエチ
レングリフール等の増粘剤等と混合して塗布用溶液とさ
れる。
と同様M(OR)n (ここでMはSi、Ti+B+Z
r+Ca+AA’+Na+Pb、Sn、Ge等の金A、
Rはメチル、エチル等のアルキル基、nは/〜ダの整数
である。)テ表b サh ル5i(OEt)4.Ti(
OPr)4.Na0Et などの金属アルコレートが例
示できる。上記有機金属化合物は単−又は混合物として
、水およびアルコール(メチルアルコール、エチルアル
コール、イソプロピルアルコール)等の有機溶剤および
必要に応じて酸又はアルカリの加水分解触媒、ポリエチ
レングリフール等の増粘剤等と混合して塗布用溶液とさ
れる。
型の微細パターンとしては、種々の形状のものが使用で
き、たとえば光デイスク用の案内溝として使用可能な1
μm程度の幅を持ち、その深さが50〜200nmの微
細パターンや回折格子として使用可能な数/ 00 n
mの形状のパターンのものが使用できる。
き、たとえば光デイスク用の案内溝として使用可能な1
μm程度の幅を持ち、その深さが50〜200nmの微
細パターンや回折格子として使用可能な数/ 00 n
mの形状のパターンのものが使用できる。
本発明によれば、微細パターンを有する型材料が柔軟性
のある有機高分子材料となっているため、基板と型の密
着性が簡便にかつ良好になされる。
のある有機高分子材料となっているため、基板と型の密
着性が簡便にかつ良好になされる。
また、塗布膜を型の上に形成した後基板に押しあてる方
法によれば、塗布膜への微細パターンの転写が特に良好
となる。
法によれば、塗布膜への微細パターンの転写が特に良好
となる。
実施例−/
シリコンテトラエトキサイドとリン酸トリエチルを5i
02及びP2O5となった時のモル比としてro:xo
となるようにそれぞれ秤■し、このシリコンテトラエト
キサイドにモル比で5倍のエタノールと6倍の水(6w
t%のHNO3を含む)を加え、約70″Cでq時間還
流した後、リン酸トリエチルな滴加し、さらに1時間還
流を行なう。この溶液に2倍量のエタノールを加え希釈
し、均一に混合したものを塗布溶液とした。
02及びP2O5となった時のモル比としてro:xo
となるようにそれぞれ秤■し、このシリコンテトラエト
キサイドにモル比で5倍のエタノールと6倍の水(6w
t%のHNO3を含む)を加え、約70″Cでq時間還
流した後、リン酸トリエチルな滴加し、さらに1時間還
流を行なう。この溶液に2倍量のエタノールを加え希釈
し、均一に混合したものを塗布溶液とした。
この塗布溶液中へ、峰高さ0./Jμm1峰巾コμm1
峰間隔ダμmの多数の篩部な有するアセチルセルロース
製(弾性係数/、06Kff/cd>の厚さ708mの
型を浸漬した後ゆっくりと引きあげて型上に塗布膜を形
成した。
峰間隔ダμmの多数の篩部な有するアセチルセルロース
製(弾性係数/、06Kff/cd>の厚さ708mの
型を浸漬した後ゆっくりと引きあげて型上に塗布膜を形
成した。
次いで、洗浄および乾燥を行なったガラス基板とこの型
を塗布膜を間に挾んで接合した。
を塗布膜を間に挾んで接合した。
この原型は薄く柔軟性を有しているためガラス基板と型
間の塗布液の表面張力によって基板表面に簡単に、すき
まなく接合することができた。
間の塗布液の表面張力によって基板表面に簡単に、すき
まなく接合することができた。
その後このままの状態で加熱してゆき、最終的にjOO
℃10分間の焼成を行なった。この焼成操作により、型
は完全に燃焼によって消失し塗布膜はエタノール及び水
分等が飛散してガラス体類似の約0./μm厚の非晶質
膜となっていた。
℃10分間の焼成を行なった。この焼成操作により、型
は完全に燃焼によって消失し塗布膜はエタノール及び水
分等が飛散してガラス体類似の約0./μm厚の非晶質
膜となっていた。
上記操作により作成された溝つき基板の表面を電子顕微
鏡により観察した所溝深さ約75nm、溝巾約2μm1
溝間隔約ダμmの良好な溝形状が作成されていた。
鏡により観察した所溝深さ約75nm、溝巾約2μm1
溝間隔約ダμmの良好な溝形状が作成されていた。
実施例−2
Si−テトラエトキサイドと13−)リイソプレボキサ
イドを5i02及びB2O3となった時のモル比として
10:20となるようにそれぞれ秤量し、このSi−テ
トラエトキサイドにモル比で5倍のエタノールと6倍の
水(4wt%のHNO3を含む)を加え、約70″Cで
4時間還流した後、B−トリイソプロポキサイドを滴加
し、ざらに1時間還流を行なう。
イドを5i02及びB2O3となった時のモル比として
10:20となるようにそれぞれ秤量し、このSi−テ
トラエトキサイドにモル比で5倍のエタノールと6倍の
水(4wt%のHNO3を含む)を加え、約70″Cで
4時間還流した後、B−トリイソプロポキサイドを滴加
し、ざらに1時間還流を行なう。
この溶液に2倍量のエタノールを加え希釈し、さ・らに
分子g16ooのポリエチレングリコール(PEG60
0)を、最終生成物である5i02とB2O3の混合さ
れた酸化物に対する重量比で(PEGaoo) /(酸
化物) −O,Sの量を加え均一に溶かしたものを塗布
溶液とした。
分子g16ooのポリエチレングリコール(PEG60
0)を、最終生成物である5i02とB2O3の混合さ
れた酸化物に対する重量比で(PEGaoo) /(酸
化物) −O,Sの量を加え均一に溶かしたものを塗布
溶液とした。
次いで、実施例1と同一手順を行なった結果ガラス基板
に約O01μm厚の非晶質膜が得られた。
に約O01μm厚の非晶質膜が得られた。
上記操作により作成された溝つき基板の表面を電子顕e
、鏡により観察したところ溝深さ約70nm。
、鏡により観察したところ溝深さ約70nm。
溝巾約2μm1溝間隔約弘μmの良好な溝形状が作成さ
れていた。
れていた。
実施例−3
アセチルセルロース製の型を塗布溶液中に浸漬するかわ
りにガラス基板を塗布溶液中に浸漬した以外実施例−コ
と同様の操作を行なってガラス基板上に約0./μm厚
の非晶質膜を形成した。作成された溝つき基板の表面は
実施例−2により得られたものと同様であった。
りにガラス基板を塗布溶液中に浸漬した以外実施例−コ
と同様の操作を行なってガラス基板上に約0./μm厚
の非晶質膜を形成した。作成された溝つき基板の表面は
実施例−2により得られたものと同様であった。
本発明によれば型が高分子材料でできているため柔軟性
を持ち、例えば溶液の表面張力により基板形状に沿って
接合できるなど基板の形状に応じて型が変形できるため
、従来不可能であった通常レベルの研磨による基板に均
一に深さ70nm程度の溝を士10nmのレベルで比較
的低コストで形成することができる。さらに本発明によ
れば巨視的な基板形状たとえば曲面の基板等によらず、
微細パターンを低コストで形成することができる。
を持ち、例えば溶液の表面張力により基板形状に沿って
接合できるなど基板の形状に応じて型が変形できるため
、従来不可能であった通常レベルの研磨による基板に均
一に深さ70nm程度の溝を士10nmのレベルで比較
的低コストで形成することができる。さらに本発明によ
れば巨視的な基板形状たとえば曲面の基板等によらず、
微細パターンを低コストで形成することができる。
また、焼成又は、溶媒を用いて簡単に型を除去すること
も可能であり、離型に基づく間頚を考慮しなくてもよい
等の効果を持つ。
も可能であり、離型に基づく間頚を考慮しなくてもよい
等の効果を持つ。
Claims (4)
- (1)基板上に有機金属化合物を含む溶液の塗布膜を形
成した後微細な凹凸を有する型を押しあてるか、微細な
凹凸を有する型に有機金属化合物膜を含む溶液の塗布膜
を形成した後基板に該塗布膜を押しあてて、基板上に型
の凸形状に対応する凹形状を有する凹凸被膜を形成した
後該凹凸被膜を固化させる溝つき基板の製造方法におい
て、該型として薄板状の有機高分子材料製型を用いるこ
とを特徴とする溝つき基板の製造方法。 - (2)該高分子材料が弾性係数10^3〜10^7Kg
f/cm^2の有機高分子である特許請求の範囲第1項
記載の溝つき基板の製造方法。 - (3)該型の厚さが1〜1000μmである特許請求の
範囲第1項又は第2項記載の溝つき基板の製造方法。 - (4)該有機高分子材料がシリコン樹脂、アセチルセル
ロース、フッ素系樹脂、ポリメタクリレート、ポリアク
リレート、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリエ
チレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリアク
リロニトリル、ポリビニルケトンよりなる群より選ばれ
た少なくとも1種よりなる特許請求の範囲第1項ないし
第3項記載の溝つき基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30581286A JPS63158168A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 溝つき基板の製造方法 |
US07/030,892 US4810547A (en) | 1986-03-26 | 1987-03-26 | Substrate with fine grooves and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30581286A JPS63158168A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 溝つき基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63158168A true JPS63158168A (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=17949662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30581286A Pending JPS63158168A (ja) | 1986-03-26 | 1986-12-22 | 溝つき基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63158168A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271934A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光ディスク基板 |
JP2005539396A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | マイクロ構造及びナノ構造の複製及び転写 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5942933A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-09 | Toshiba Corp | 情報記録担体の製造方法及び製造装置 |
JPS6021215A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ンの作製方法 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30581286A patent/JPS63158168A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5942933A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-09 | Toshiba Corp | 情報記録担体の製造方法及び製造装置 |
JPS6021215A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ンの作製方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02271934A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光ディスク基板 |
JP2005539396A (ja) * | 2002-09-17 | 2005-12-22 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | マイクロ構造及びナノ構造の複製及び転写 |
JP4671690B2 (ja) * | 2002-09-17 | 2011-04-20 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リランド スタンフォード ジュニア ユニヴァーシティ | マイクロ構造及びナノ構造の複製及び転写 |
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