JPH02271934A - 光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、表面に凹凸を有する膜体を設けた光ディスク
ガラス基板に関し、特に耐候性に優れ信頼性の高い光デ
ィスク基板に関する。

【従来の技Ｗｒ】

従来、光ディスク基板としては、ガラス基板上にエツチ
ング処理を行うことにより凹凸を形成したものが知られ
ている。　（例えば、Ｊ、８ｒａｒｒ　ａｎｄに、Ｓ、
ｌｖ＋＋ｉｎｋ、５ＰＩＥ　　４２０　　（＋９８３）
２０６．）また、ガラス板の上にシリコンアルコキシド
を含むＩＭを塗布し型を押しあてることにより凹凸を形
成したものが知られている。　（例えば特開昭６２−１
０２４４５．　　特開昭６２−２２５２７３゜特開昭６
３−１５３７４６．　　特開昭６３−１５８

【発明が解決しようとする課題】

しかしながら上記従来の光ディスク基板においては、ガ
ラス基板として安価なソーダライムガラス等のナトリウ
ム含有ガラス基板を用いると、高温高温度（例えば７０
℃、相対湿度９０％Ｒ，Ｈ，）で保持した時に、表面に
ナトリウムの炭酸塩が析出するなと、基板の耐候性が悪
く、基板が劣化するという問題点があった。特にガラス
基板上に直接、エツチング処理を行った基板の場合には
、比較的早い時期から上記問題が発生していた。

【課題を解決するための手段】

本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであって、ガラス基板の表面に、表面に凹凸を有す
る膜体な設けた光ディスク基板において、該膜体をＺｒ
Ｏ２５ｉ０２系非晶質膜としている。 本発明に使用できるガラス基板としては、ソーダライム
ガラス、ボロシリケートガラス、アルミノシリケートガ
ラス専任、意のガラス基板が使用できるが、ソーダライ
ムガラスを使用することが本質的に本発明の効果が大き
く反映されることになり、また、価格も低価格となるの
で好ましい。 本発明においては、Ｚ　ｒ　０２　　Ｓ　ｒ　０２系非
晶質薄膜を用いているが、ＺｒＯ２を含まないと耐候性
の向上が望めない。ＺｒＯ２含有量は任意に設定できる
が、ＺｒＯ２含有量を６〜２０モルパーセントとしたも
のが、耐候性の点で、光ディスク基板として特に望まし
い。 該Ｚ　ｒ　０２　　Ｓ　ｉ　Ｏｅ系非晶質膜は、例えば
ジルコニウムとシリコンの金属有機化合物同士を反応さ
せて焼成したり、ジルコニウムの塩化酸化物とシリコン
の金属有機化合物を反応させて焼成することで作製でき
、該出発原料としては、ジルコニウムのアルコキシド、
キレ−）　ＩＦｒ体あるいは塩化酸化物、およびシリコ
ンのアルコキシドなどが挙げられる。 該ＺｒＯ２−５ｉ０２系非晶質膜の平均賎厚は０．１５
〜２．０μｍが好ましい。 また、該膜体はガラス基板の両面に設けた方が両面を保
護できるため好ましい。ただしその場合表面の凹凸は少
なくとも片面に設ければよい。

【作用】

本発明によれば、該ＺｒＯ２ＳｉＯ２系非晶質膜がガラ
ス基板側からのナトリウムイオンの拡散防止層として作
用し、該光ディスク基板の耐候性を向上させる保護膜の
役割を果たしている。

【実施例】

実施例−１ 出発原料として、シリコンテトラエトキシド（Ｓ　ｉ　
　（ＯＣ２Ｈ６）　４）およびジルコニウムテトラｎブ
トキシド（Ｚｒ　（０−ｎｃ４Ｈ９）ａ）を用い、溶媒
にはエタノール、加水分解触媒には塩化水素をそれぞれ
用いた。 加える水の量はシリコンテトラエトキシドに対してモル
比で６倍とした。シリコンテトラエトキシドのエタノー
ル溶液Ｊ液に希塩Ｉ（１０ｗｔ％）を加え室温で４０分
間かくはんした。その後ジルコニウムテトラｎ−ブトキ
シドのエタノール溶液を加え、同じく室温で１０分間か
くはんした復水を加えさらに室温で６０分間かくはんし
た。シリコンテトラエトキシドとジルコニウムテトラｎ
−ブトキシドはモル比で８０：２０となるようにした。 こうして得られた溶液は薄黄色透明であり酸化物換算濃
度は１０．４ｗｔ％である。該溶液をエタノールで２倍
の体積に希釈して塗布溶液とした。 該塗布溶液中にソーダライムガラス基板を浸漬し、一定
速度（１，６ｍｍ／　ｓ　ｅ　ｃ　）で引き上げること
により２０ＺｒＯ２・８０Ｓ１０２塗布膜をガラス基板
上に成形した。該塗布膜に、迅速に峰高さ０．１５ａ　
ｍ−Ｎｇ　２　μｍ、　　１ＩＩｉ間隔４　μｍの多数
の４部を有するアセチルセルロース製（弾性係数１０’
ｋＢｆ／ｃぜ）の厚さ５０μｍの型を押し当て接合した
。 その後、鏡型を接合した塗布膜つきガラス基板を室温で
１５分間乾燥し、次いで９０℃で３０分間クリーンオー
ブンを用い大気中で一次焼成を行った後アセチルロース
製の型の離型を行った。該離型後の塗布膜つきガラス基
板を、４００°Ｃで１５分間最終焼成を行った。 この最終焼成により塗布膜は平均２１０ｎｍ厚の非晶質
膜（屈折率１．５８）になっていた。 上記操作により作製された光ディスク基板の表面および
断面を走査型電子顕微鏡により観察したところ溝深さ約
７５ｎｍ、溝輻約２μｍ、溝間隔約４μｍの良好な溝形
状が形成されていた。 次ぎに該光ディスク基板の耐候性試験を行った。 耐候性試験は、−旦結露させた後７０℃、相対湿度９０
％の雰囲気中に４日間保持することにより行った。 耐候性試験後の該光ディスク基板の表面は、耐候性試験
前と同様、均一で、表面の劣化や析出物の発生は認めら
れなかった。 実施例−２ 出発原料として、シリコンテトラエトキシドくＳ　ｉ　
（ＯＣ２Ｈｓ）　ｓ’）および塩化酸化ジルコニウム八
水和物（ＺｒＯＣｌ２・８Ｈ２０）を用い、溶媒にはエ
タノール、加水分解触媒には塩化水素をそれぞれ用いた
。 加える水の量は、塩化酸化ジルコニウム八水和物の水と
あわせて、シリコンテトラエトキシドに対してモル比で
７倍とした。シリコンテトラエトキシドのエタノール溶
液に希塩酸を加えて室温で４０分間かくはんした。その
後、塩化酸化ジルコニウムのエタノール溶液を加え、同
じく室温で６０分間かくはんした。シリコンテトラエト
キシドと塩化酸化ジルコニウムはモル比で８０：２０と
なるようにした。 こうして得られたｍ液は無色透明であり酸化物１度は１
０．９ｗｔ％である。該溶液をエタノールで２倍の体積
に希釈して塗布溶液とした。 以上の操作により準備された該溶液を用いて実施例−１
と同じ方法で溝を形成し、耐候性試験を行った。その結
果、実施例−１と同等の耐候性が得られた。 ＺｒＯ２−３ｉＯ２系非晶質膜の組成は、上記の２０Ｚ
ｒＯ２・８０ＳｉＯ２に限られるものではなく、水系に
おいてＺｒＯ２を６〜２０モルパーセント含む組成範囲
において同様の耐候性を持つ光ディスク基板が得られた
。 比較例 表面に凹凸を有するＺｒＯ２−５ｉ０２系非晶質膜つき
ガラス基板のかわりに表面に凹凸を有するＳｉＯ２非晶
質膜つきガラス基板について実施例−１と同様の耐候性
試験を行った。 該５ｉ０２非晶質膜の作製方法としては、出発原料とし
てシリコンテトラエトキシドを用い溶媒にはエタノール
加水分解には塩化水素をそれぞれ用いた。加える水の量
およびエタノールの量はシリコンテトラエトキシドに対
してモル比でそれぞれ６および５とした。 シリコンテトラエトキシドのエタノール溶液に希塩酸（
３ｗｔ％）を加え室温で１詩情かくはんした。こうして
得られた溶液は無色透明であり、該溶液をエタノールで
３倍の体積に希釈して塗布溶液とした。 該塗４ｆｆ溶液を用いて実施例−１と同様の操作を行っ
て表面に凹凸を有する５１０２非晶質膜つきガラス基板
を作製した。４００℃、　１５分間の最終焼成により該
５１０２非晶質膜は平均２００ｎｍ厚、屈折率１．４５
になっていた。 本比較例により作製した光ディスク基板について実施例
−１と同様の耐候性試験を行った。 耐候性試験後の該光ディスク基板の表面には直径５０μ
ｍ程度の析出粒子が観察された。該析出粒子は分析の結
果ナトリウムの炭酸塩であることがわかった。

【発明の効果】

本発明の光ディスク基板は、実施例、比較例からも明か
なとうり、従来法によって作製した光ディスク基板に比
べ耐候性において非常に優れている。そのため従来法の
光ディスク基板よりも、信頼性の高い基板として使用す
ることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス基板の表面に、表面に凹凸を有する膜体を
   設けた光ディスク基板において、該膜体をＺｒＯ＿２−
   ＳｉＯ＿２系非晶質膜としたことを特徴とする光ディス
   ク基板。
2. （２）該ＺｒＯ＿２−ＳｉＯ＿２系非晶質膜が、ＺｒＯ
   ＿２を６〜２０モルパーセント含んだものである特許請
   求の範囲第１項記載の光ディスク基板。