JPS63151098A - 電子回路基板及びその製造方法 - Google Patents
電子回路基板及びその製造方法Info
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- JPS63151098A JPS63151098A JP29762686A JP29762686A JPS63151098A JP S63151098 A JPS63151098 A JP S63151098A JP 29762686 A JP29762686 A JP 29762686A JP 29762686 A JP29762686 A JP 29762686A JP S63151098 A JPS63151098 A JP S63151098A
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- circuit board
- electronic circuit
- polyfluoroethylene
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、誘電率が小さく且つ高耐熱性を有する多孔質
のポリフッ化エチレン基体内に密着性の良好な熱硬化性
樹脂を含浸させ、この樹脂含浸基体の表面に導電性金属
箔を積層し固着することにより、高速回路特性及び高耐
熱性を有し且つ剥離の虞れのない電子回路基板を得るも
のである。
のポリフッ化エチレン基体内に密着性の良好な熱硬化性
樹脂を含浸させ、この樹脂含浸基体の表面に導電性金属
箔を積層し固着することにより、高速回路特性及び高耐
熱性を有し且つ剥離の虞れのない電子回路基板を得るも
のである。
本発明は電子回路基板の構造及びその製造方法に関し、
更に詳しくは、高速回路特性と高耐熱性を兼ね備えた電
子回路基板の構造及びその製造方法に関する。
更に詳しくは、高速回路特性と高耐熱性を兼ね備えた電
子回路基板の構造及びその製造方法に関する。
従来、高速回路基板は、ガラス基体、環状溝基体等の誘
電率の小さいエポキシ、フェノール、ポリイミド、シリ
コン、ブタジェン等の樹脂を含浸させた後、この樹脂含
浸基体の表面に銅箔等の導電性金属箔を積層形成するこ
とにより製造されていたが、その誘電率（ε）は４〜６
であり、高速回路化に限界があった。
電率の小さいエポキシ、フェノール、ポリイミド、シリ
コン、ブタジェン等の樹脂を含浸させた後、この樹脂含
浸基体の表面に銅箔等の導電性金属箔を積層形成するこ
とにより製造されていたが、その誘電率（ε）は４〜６
であり、高速回路化に限界があった。
一方、高耐熱性基板としては、セラミック基板や金属ベ
ースの基板などがあるが、セラミック基板は誘電率が高
い（ε：６〜２０）ため高速回路化が犠牲になり、また
、脆いため破損し易く、更に、硬いため穴加工が困難で
あるという欠点があった。また、金属ベース基板は絶縁
耐圧が小さいという欠点があった。
ースの基板などがあるが、セラミック基板は誘電率が高
い（ε：６〜２０）ため高速回路化が犠牲になり、また
、脆いため破損し易く、更に、硬いため穴加工が困難で
あるという欠点があった。また、金属ベース基板は絶縁
耐圧が小さいという欠点があった。
高速回路特性と高耐熱性とを兼ね備えた回路基板を得る
ためには、低誘電率及び高耐熱性を有する材料で回路基
板を構成する必要がある。低誘電率及び高耐熱性を有す
る基体としては、ポリフッ化エチレンが適しているが、
ポリフッ化エチレンは密着性が極めて悪いため、銅箔等
の金属箔と接合させることが不可能であった。
ためには、低誘電率及び高耐熱性を有する材料で回路基
板を構成する必要がある。低誘電率及び高耐熱性を有す
る基体としては、ポリフッ化エチレンが適しているが、
ポリフッ化エチレンは密着性が極めて悪いため、銅箔等
の金属箔と接合させることが不可能であった。
上記問題点に鑑み、本発明は、熱硬化性樹脂を含浸させ
た多孔質のポリフッ化エチレン基体の表面に導電性金属
箔を積層してなる電子回路基板を提供する。また、本発
明は、多孔質のポリフッ化エチレン基体に熱硬化性樹脂
を含浸させた後、乾燥してプリプレグシートを形成し、
次いで、該プリプレグシートの表面に導電性金属箔を積
層し固着することを特徴とする電子回路基板の製造方法
を提供する。
た多孔質のポリフッ化エチレン基体の表面に導電性金属
箔を積層してなる電子回路基板を提供する。また、本発
明は、多孔質のポリフッ化エチレン基体に熱硬化性樹脂
を含浸させた後、乾燥してプリプレグシートを形成し、
次いで、該プリプレグシートの表面に導電性金属箔を積
層し固着することを特徴とする電子回路基板の製造方法
を提供する。
ポリフッ化エチレンの誘電率（ε）は約２であるので、
ポリフッ化エチレンを基体とした電子回路基板は優れた
高速回路特性を有することとなる。
ポリフッ化エチレンを基体とした電子回路基板は優れた
高速回路特性を有することとなる。
また、ポリフッ化エチレンは２５０〜３５０℃の温度ま
での耐熱性を有するから、回路基板に必要な半田付は時
の高熱に十分耐えることができる。
での耐熱性を有するから、回路基板に必要な半田付は時
の高熱に十分耐えることができる。
一方、本発明においては、密着性の極めて悪いポリフッ
化エチレン基体を多孔質とし、その表面から内部に密着
性の良好な熱硬化性樹脂を含浸させるので、ポリフッ化
エチレンと熱硬化性樹脂とが強固に接合される。また、
金属箔は熱硬化性樹脂に対し強固に接合される。したが
って、本発明によれば、高速回路特性と高耐熱性とを兼
ね備え、しかも剥離等の虞れのない電子回路基板を提供
できることとなる。
化エチレン基体を多孔質とし、その表面から内部に密着
性の良好な熱硬化性樹脂を含浸させるので、ポリフッ化
エチレンと熱硬化性樹脂とが強固に接合される。また、
金属箔は熱硬化性樹脂に対し強固に接合される。したが
って、本発明によれば、高速回路特性と高耐熱性とを兼
ね備え、しかも剥離等の虞れのない電子回路基板を提供
できることとなる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図ないし第６図は本発明による電子回路基板製造方
法の一実施例を示すものである。第１図は多孔質のポリ
フッ化エチレン基体ｌの断面を表しており、第２図は第
１図における部分Ａの模式的拡大図である。多孔質のポ
リフッ化エチレン基体ｌは発泡剤を用いた発泡成形によ
り製造することができるが、繊維状のポリフッ化エチレ
ンの織布であってもよい。
法の一実施例を示すものである。第１図は多孔質のポリ
フッ化エチレン基体ｌの断面を表しており、第２図は第
１図における部分Ａの模式的拡大図である。多孔質のポ
リフッ化エチレン基体ｌは発泡剤を用いた発泡成形によ
り製造することができるが、繊維状のポリフッ化エチレ
ンの織布であってもよい。
第２図及び第３図に示すように、多孔質のポリフッ化エ
チレン基体１にはその表面から内部に熱硬化性樹脂とし
てのエポキシ樹脂２を含浸させ、乾燥させて生乾き（Ｂ
ステージ）状態のプリプレグシート３を得る。・ 次に、第５図及び第６図に示すように、プリプレグシー
ト３を導電性金属箔としての銅箔４で挟み、圧縮成形し
た状態でプリプレグシート３を硬化させて電子回路基板
を得る。以降、通常のエツチング工程を経て所望の回路
パターンを形成する。
チレン基体１にはその表面から内部に熱硬化性樹脂とし
てのエポキシ樹脂２を含浸させ、乾燥させて生乾き（Ｂ
ステージ）状態のプリプレグシート３を得る。・ 次に、第５図及び第６図に示すように、プリプレグシー
ト３を導電性金属箔としての銅箔４で挟み、圧縮成形し
た状態でプリプレグシート３を硬化させて電子回路基板
を得る。以降、通常のエツチング工程を経て所望の回路
パターンを形成する。
以上の製法で得られた電子回路基板は誘電率の小さいポ
リフッ化エチレン樹脂を基体としているので、高速回路
特性を有し、また、２５０〜３５０℃までの耐熱性を有
するので、半田付は時の高温に耐え得ることとなる。ま
た、密着性の良好なエポキシ樹脂２は多孔質のポリフッ
化エチレン基体！内に含浸されているので、密着性の悪
いポリフッ化エチレン基体工に対して強固に接合され、
且つ、銅箔４に対しても強固に接合される。したがって
、剥離等の虞れは全くない。
リフッ化エチレン樹脂を基体としているので、高速回路
特性を有し、また、２５０〜３５０℃までの耐熱性を有
するので、半田付は時の高温に耐え得ることとなる。ま
た、密着性の良好なエポキシ樹脂２は多孔質のポリフッ
化エチレン基体！内に含浸されているので、密着性の悪
いポリフッ化エチレン基体工に対して強固に接合され、
且つ、銅箔４に対しても強固に接合される。したがって
、剥離等の虞れは全くない。
以上、図示実施例につき説明したが、本発明は上記実施
例の態様のみに限定されるものではなく、例えば、ポリ
フッ化エチレン基体に含浸させる熱硬化性樹脂としては
、エポキシ樹脂の他に、例えば、フェノール、ポリイミ
ド、ブタジェン等を用いてもよい。
例の態様のみに限定されるものではなく、例えば、ポリ
フッ化エチレン基体に含浸させる熱硬化性樹脂としては
、エポキシ樹脂の他に、例えば、フェノール、ポリイミ
ド、ブタジェン等を用いてもよい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、多孔
質のポリフッ化エチレン基体内への熱硬化性樹脂の含浸
により、高速回路特性及び高耐熱性を有し且つ剥離の虞
れのない電子回路基板を提供できることとなる。
質のポリフッ化エチレン基体内への熱硬化性樹脂の含浸
により、高速回路特性及び高耐熱性を有し且つ剥離の虞
れのない電子回路基板を提供できることとなる。
第１図は本発明による電子回路基板の製造過程を示す多
孔質ポリフッ化エチレン基体の概略断面図、 第２図は第１図に示すポリフッ化エチレン基板の部分Ａ
の模式的拡大図、 第３図は第１図に示すポリフッ化エチレン基体内にエポ
キシ樹脂を含浸させて形成したプリプレグシートの概略
断面図、 第４図は第３図に示すプリプレグシートの部分Ｂの模式
的拡大図、 第５図は第３図に示すプリプレグシートの表面に銅箔を
積層して電子回路基板を完成した状態を示す概略断面図
、 第６図は第５図に示す電子回路基板の部分Ｃの模式的拡
大図、 図において、１はポリフッ化エチレン基体、２はエポキ
シ樹脂、３はプリプレグシート、４は銅箔をそれぞれ示
す。 多孔質ポリフッ化エチレン基体の１ 第１図 第３図 焔５図 Ａ部分の拡大図 第２図 第６図
孔質ポリフッ化エチレン基体の概略断面図、 第２図は第１図に示すポリフッ化エチレン基板の部分Ａ
の模式的拡大図、 第３図は第１図に示すポリフッ化エチレン基体内にエポ
キシ樹脂を含浸させて形成したプリプレグシートの概略
断面図、 第４図は第３図に示すプリプレグシートの部分Ｂの模式
的拡大図、 第５図は第３図に示すプリプレグシートの表面に銅箔を
積層して電子回路基板を完成した状態を示す概略断面図
、 第６図は第５図に示す電子回路基板の部分Ｃの模式的拡
大図、 図において、１はポリフッ化エチレン基体、２はエポキ
シ樹脂、３はプリプレグシート、４は銅箔をそれぞれ示
す。 多孔質ポリフッ化エチレン基体の１ 第１図 第３図 焔５図 Ａ部分の拡大図 第２図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱硬化性樹脂（２）を含浸させた多孔質のポリフッ
化エチレン基体（１）の表面に導電性金属箔（４）を積
層し固着してなる電子回路基板。 ２、ポリフッ化エチレン基体（１）が発泡剤により多孔
質とされていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の電子回路基板。 ３、多孔質のポリフッ化エチレン基体（１）が繊維状ポ
リフッ化エチレンの織布からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の電子回路基板。 ４、熱硬化性樹脂（２）がエポキシ樹脂であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電子回路基板。 ５、多孔質のポリフッ化エチレン基体（１）に熱硬化性
樹脂（２）を含浸させた後、乾燥してプリプレグシート
（３）を形成し、次いで、該プリプレグシート（３）の
表面に導電性金属箔（４）を積層し固着することを特徴
とする電子回路基板の製造方法。 ６、プリプレグシート（３）を２枚の導電性金属箔（４
）で挟み、圧縮成形した状態でプリプレグシート（３）
を硬化させることにより金属箔（４）をプリプレグシー
ト（３）の表面に固着することを特徴とする特許請求の
範囲第５項に記載の電子回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29762686A JPS63151098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電子回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29762686A JPS63151098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電子回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151098A true JPS63151098A (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=17849001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29762686A Pending JPS63151098A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 電子回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151098A (ja) |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29762686A patent/JPS63151098A/ja active Pending
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