JPS63150061A - 磁気共鳴イメ−ジング装置における高周波磁場強度設定方法 - Google Patents
磁気共鳴イメ−ジング装置における高周波磁場強度設定方法Info
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- JPS63150061A JPS63150061A JP61296567A JP29656786A JPS63150061A JP S63150061 A JPS63150061 A JP S63150061A JP 61296567 A JP61296567 A JP 61296567A JP 29656786 A JP29656786 A JP 29656786A JP S63150061 A JPS63150061 A JP S63150061A
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- 238000002595 magnetic resonance imaging Methods 0.000 title claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 238000001208 nuclear magnetic resonance pulse sequence Methods 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
- G01R33/48—NMR imaging systems
- G01R33/58—Calibration of imaging systems, e.g. using test probes, Phantoms; Calibration objects or fiducial markers such as active or passive RF coils surrounding an MR active material
- G01R33/583—Calibration of signal excitation or detection systems, e.g. for optimal RF excitation power or frequency
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、磁気共鳴現象を用いて被検体の特定断面にお
ける特定原子核スピンに基づく情報をコンピュータを用
いて画像化する磁気共鳴イメージング(以下MRIと略
記する)において、高周波(RFとも称する)磁場強度
設定方法の改良に関する。
ける特定原子核スピンに基づく情報をコンピュータを用
いて画像化する磁気共鳴イメージング(以下MRIと略
記する)において、高周波(RFとも称する)磁場強度
設定方法の改良に関する。
(従来の技術)
例えば診断用MRI装置では、被検体の特定部位の断層
像を得るために、被検体は一様な静磁場内に置かれる。
像を得るために、被検体は一様な静磁場内に置かれる。
この静磁場には、定常的又はパルス的な傾斜(グラジェ
ント)磁場が重畳される。
ント)磁場が重畳される。
この他に、前記静Qに直角な方向に一様な高周波磁場を
パルス状にかける必要がある。そして、上記グラジェン
ト磁場と高周波磁場との組み合せにより特定部位の断層
像を得ている。
パルス状にかける必要がある。そして、上記グラジェン
ト磁場と高周波磁場との組み合せにより特定部位の断層
像を得ている。
ここで、前記高周波磁場とは90’パルスあるいは18
0°パルスと称されるものである。
0°パルスと称されるものである。
ここに、90°パルスとは磁気共鳴を起こさせてスピン
系の磁気モーメントを静磁場に平行な方向から垂直にな
るまで90°回転させる動きをするものであり、180
°パルスとは同様にして180°回転させる働きをする
ものでおる。
系の磁気モーメントを静磁場に平行な方向から垂直にな
るまで90°回転させる動きをするものであり、180
°パルスとは同様にして180°回転させる働きをする
ものでおる。
そして、この90’、180°条件を正しく設定するこ
とによりS/Nの良いMR倍信号得ることができるため
、90’ 、180’条件の設定は非常に重要な操作で
ある。
とによりS/Nの良いMR倍信号得ることができるため
、90’ 、180’条件の設定は非常に重要な操作で
ある。
とこ乞で、被検体の属性例えば形状等により送信コイル
系のQ値が変化するので、同じ高周波パワーを入れても
90’ 、180’条件が異なってしまう。
系のQ値が変化するので、同じ高周波パワーを入れても
90’ 、180’条件が異なってしまう。
従って、従来装置にあっては毎回正しい90°。
180°条件を設定するために、スピンエコー信号が最
大になるように調整していた。
大になるように調整していた。
例えば、第3図に示すパルスシーケンスによりエコー信
号を収集して高周波磁場強度を設定する場合について説
明する。同図のHlは励起用のRFパルス、TEはH1
印加後エコー信号を読み出すまでの時間、TRは励起用
RFパルスの繰り返し時間である。
号を収集して高周波磁場強度を設定する場合について説
明する。同図のHlは励起用のRFパルス、TEはH1
印加後エコー信号を読み出すまでの時間、TRは励起用
RFパルスの繰り返し時間である。
ここで、スピンの縦緩和、横緩和の時定数をそれぞれT
l 、T2としたとき、TR>T1 、 T2を満足す
る場合のt=TE時の信号強度は下記の式(1)に比例
する。
l 、T2としたとき、TR>T1 、 T2を満足す
る場合のt=TE時の信号強度は下記の式(1)に比例
する。
SUM V = M o ’sinθe(TE /T1
)従って、RFパルスの振幅を変えて複数回スキャン
してエコー信号を得た後に、90’条件はエコー信号が
最大となる点で選ぶことにより求められる。
)従って、RFパルスの振幅を変えて複数回スキャン
してエコー信号を得た後に、90’条件はエコー信号が
最大となる点で選ぶことにより求められる。
(発明が解決しようとする問題点)
上述したように信号の最大値を求めるためには、入力パ
ワーを変えて複数回スキャンしてエコー信号の最大値を
求めるため、特にT1の長い成分を含む被検者の場合、
このT1の影響を受けないようにするために繰り返し時
間TRを十分長く(例えばTR=3T1)としなければ
ならなかった。従って、通常は繰り返し時間TRを2秒
以上に設定しなければならず、複数回のスキャンを行っ
て90’、180°条件を設定するために1分以上の時
間を要していた。近年は本スキャン時間が短縮化の傾向
にあるが、本スキャン前の調整が短縮できないため大き
な妨げになっていた。
ワーを変えて複数回スキャンしてエコー信号の最大値を
求めるため、特にT1の長い成分を含む被検者の場合、
このT1の影響を受けないようにするために繰り返し時
間TRを十分長く(例えばTR=3T1)としなければ
ならなかった。従って、通常は繰り返し時間TRを2秒
以上に設定しなければならず、複数回のスキャンを行っ
て90’、180°条件を設定するために1分以上の時
間を要していた。近年は本スキャン時間が短縮化の傾向
にあるが、本スキャン前の調整が短縮できないため大き
な妨げになっていた。
そこで、本発明の目的とするところは、90°。
180°条件等を設定するための調整にあたって、繰り
返し時間を大幅に短縮することのできるMRI装置の高
周波磁場強度設定方法を提供することにある。
返し時間を大幅に短縮することのできるMRI装置の高
周波磁場強度設定方法を提供することにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る磁気共鳴イメージング装置における高周波
磁場強度設定方法では、励起用のRFパルスの全幅を変
えて信号読み出しを複数回行う際に、各信号読み出し終
了後に前記RFパルスと振幅が同じで搬送波の位相が1
80°異なるパルスをそれぞれ印加し、前記信号が最大
又は最小となる振幅を基準として高周波磁場強度を設定
している。
磁場強度設定方法では、励起用のRFパルスの全幅を変
えて信号読み出しを複数回行う際に、各信号読み出し終
了後に前記RFパルスと振幅が同じで搬送波の位相が1
80°異なるパルスをそれぞれ印加し、前記信号が最大
又は最小となる振幅を基準として高周波磁場強度を設定
している。
(作 用)
従来法によると、短い繰り返し時間Tmでパルスを印加
し続けることにより、正確な90’若しくは180°条
件を通常のパルスシーケンスを用いて信号の大きざによ
り見い出すことは不可能であった。これは、パルス印加
開始時にMzベクトル以外の磁化ベクトルが存在するた
めである。
し続けることにより、正確な90’若しくは180°条
件を通常のパルスシーケンスを用いて信号の大きざによ
り見い出すことは不可能であった。これは、パルス印加
開始時にMzベクトル以外の磁化ベクトルが存在するた
めである。
本発明では、信@読み出しが終了する毎に、励起用RF
パルスと振幅が同じて搬送波の位相が180°異なるパ
ルスを加えることで、励起用パルス印加開始時には常に
Mzベクトルのみ存在するように設定することで、TR
)lT1.T2の条件を満足しない状態においても、信
号の大きざにより正確なパワー条件を求めることを可能
としている。尚、上記方法においてRFパルスのパルス
振幅を変えることは即ち送信パワーを変化させることで
あるから、この方法を実施するにあたって本出願人によ
る特開昭61−191949に開示したオートパワーコ
ントロール別能を有するMRI装置を好適に使用するこ
とができる。
パルスと振幅が同じて搬送波の位相が180°異なるパ
ルスを加えることで、励起用パルス印加開始時には常に
Mzベクトルのみ存在するように設定することで、TR
)lT1.T2の条件を満足しない状態においても、信
号の大きざにより正確なパワー条件を求めることを可能
としている。尚、上記方法においてRFパルスのパルス
振幅を変えることは即ち送信パワーを変化させることで
あるから、この方法を実施するにあたって本出願人によ
る特開昭61−191949に開示したオートパワーコ
ントロール別能を有するMRI装置を好適に使用するこ
とができる。
(実施例)
以下、本発明を図示の実施例に基づき具体的に説明する
。
。
第1図は本発明方法を実施するための一例であるパルス
シーケンスを示している。
シーケンスを示している。
同図に示すパルスシーケンスはグラジエントエツー法を
変形したもので、異なる点は下記の通りである。
変形したもので、異なる点は下記の通りである。
■ 信号読み出し終了後に、励起用のRFパルスH1(
X’ )と撮幅が同じで搬送波の位相が180゜異なる
パルスH1(−X’ )を印加している。
X’ )と撮幅が同じで搬送波の位相が180゜異なる
パルスH1(−X’ )を印加している。
■ 前記パルスH1(−X’ )印加前に、磁場<3s
c。
c。
(3RCを形成している。
■の理由は、本発明が励起用RFパルスH1(x′)の
印加開始時にMzベクトルのみ存在させるように設定し
ていることによる。
印加開始時にMzベクトルのみ存在させるように設定し
ていることによる。
また、■に示した磁場GSC,GRCは、本発明の本質
的要素ではないが、繰り返し時間を短くすると、スピン
の横緩和時定数T2の影響が次のRFパルス印加時に残
るため、横磁化成分をリフオーカスするようにしている
。
的要素ではないが、繰り返し時間を短くすると、スピン
の横緩和時定数T2の影響が次のRFパルス印加時に残
るため、横磁化成分をリフオーカスするようにしている
。
上記のパルスシーケンスを、RFパルスH1(X′)の
振幅を例えば徐々に増加させながらグラジェントエコー
信号を複数回収集する。この際、各スキャン時における
スピンの状態は第2図(A>乃至(C)に示す通りであ
る。第2図(A)はRFパルスhh (x’ )を同
図のX′軸方向に印加することで、静磁場方向であるZ
′力方向スピンを90’倒した状態を示している。第2
図(B)はエコー信号読み出しの直前の状態を示し、R
FパルスH1(X’ )印加後に横緩和によりばらけた
スピンをグラジェント磁場を形成することでY′軸に集
め、エコーが最大となった時にエコー信号を収集してい
る。この後、前記磁場GSC。
振幅を例えば徐々に増加させながらグラジェントエコー
信号を複数回収集する。この際、各スキャン時における
スピンの状態は第2図(A>乃至(C)に示す通りであ
る。第2図(A)はRFパルスhh (x’ )を同
図のX′軸方向に印加することで、静磁場方向であるZ
′力方向スピンを90’倒した状態を示している。第2
図(B)はエコー信号読み出しの直前の状態を示し、R
FパルスH1(X’ )印加後に横緩和によりばらけた
スピンをグラジェント磁場を形成することでY′軸に集
め、エコーが最大となった時にエコー信号を収集してい
る。この後、前記磁場GSC。
GRCにより、前記パルス81 (−X’ )印加の
直前には横磁化成分がリフオーカスされるので、スピン
は回転系のY′軸に全てそろった状態(Mz=0、Mx
=9.MY=M>になる。そこで、前記パルスH1(−
X’ )を第2図(C)の図示方向に印加することで、
スピンはZ′軸に全ての磁化がそろった状態に再設定さ
れる。従って、次のスキャンにおけるRFパルスH1(
X’ )の印加開始時には、磁化成分はMzのみとなり
、縦緩和、横緩和の時定数Tl 、T2に影響されるこ
となく次のスキャンを行うことができる。そして、複数
回のスキャンでそれぞれ1qられだエコー信号のうち、
最大のエコー信号が得られたときのパルス振幅を90’
条件として正しく求めることができる。しかも、この場
合の繰り返し時間としては、従来の90’−180’パ
ルスシーケンスによるものに比べて十分短くしても悪影
響はないので、高周波磁場強度設定のための調整時間を
1/2Q〜1/30に短縮することができる。
直前には横磁化成分がリフオーカスされるので、スピン
は回転系のY′軸に全てそろった状態(Mz=0、Mx
=9.MY=M>になる。そこで、前記パルスH1(−
X’ )を第2図(C)の図示方向に印加することで、
スピンはZ′軸に全ての磁化がそろった状態に再設定さ
れる。従って、次のスキャンにおけるRFパルスH1(
X’ )の印加開始時には、磁化成分はMzのみとなり
、縦緩和、横緩和の時定数Tl 、T2に影響されるこ
となく次のスキャンを行うことができる。そして、複数
回のスキャンでそれぞれ1qられだエコー信号のうち、
最大のエコー信号が得られたときのパルス振幅を90’
条件として正しく求めることができる。しかも、この場
合の繰り返し時間としては、従来の90’−180’パ
ルスシーケンスによるものに比べて十分短くしても悪影
響はないので、高周波磁場強度設定のための調整時間を
1/2Q〜1/30に短縮することができる。
尚、90’パルス条件が求まれば、他の角度パルスの条
件は角度の比例の関係により容易に求められる。例えば
180°パルス条件としては、90’パルス振幅の2倍
に設定すればよい。
件は角度の比例の関係により容易に求められる。例えば
180°パルス条件としては、90’パルス振幅の2倍
に設定すればよい。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能でおる。
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能でおる。
例えば上記実施例によれば、RFパルスとして90’パ
ルスを用い、エコー信号が最大となる(辰幅を90’条
件とし、これを基準に他の高周波磁場例えば180°条
件を設定するものであったが、これには限定されない。
ルスを用い、エコー信号が最大となる(辰幅を90’条
件とし、これを基準に他の高周波磁場例えば180°条
件を設定するものであったが、これには限定されない。
例えばRFパルスとして180°パルスを用いた場合に
は、エコー信号が最小となる全幅を180°条件とし、
これを基準に高周波磁場強度を設定すればよい。また、
上記実施例ではグラジェントエコー法を採用したが、9
0”−180”パルスシーケンスにも本発明を適用でき
ることは言うまでもない。
は、エコー信号が最小となる全幅を180°条件とし、
これを基準に高周波磁場強度を設定すればよい。また、
上記実施例ではグラジェントエコー法を採用したが、9
0”−180”パルスシーケンスにも本発明を適用でき
ることは言うまでもない。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、90°。
180°条件等を設定するための調整にあたって繰り返
し時間を大幅に短縮することのできるMR工装置の高周
波磁場強度設定方法を提供することができる。
し時間を大幅に短縮することのできるMR工装置の高周
波磁場強度設定方法を提供することができる。
第1図は本発明方法を実施するためのパルスシーケンス
の一例を示す図、第2図(A>乃至(C)はそれぞれ同
上シーケンスにおけるスピンの状態を示す概略説明図、
第3図は従来の高周波磁場強度設定のためのパルスシー
ケンス図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 イb同
大 胡 典 夫葛n回目 第
(nす1)四目第1区 第2図 弔3図
の一例を示す図、第2図(A>乃至(C)はそれぞれ同
上シーケンスにおけるスピンの状態を示す概略説明図、
第3図は従来の高周波磁場強度設定のためのパルスシー
ケンス図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 イb同
大 胡 典 夫葛n回目 第
(nす1)四目第1区 第2図 弔3図
Claims (1)
- 磁気共鳴イメージング装置において高周波磁場形成のた
めの磁場強度を設定するにあたり、励起用のRFパルス
の振幅を変えて信号読み出しを複数回行う際に、各信号
読み出し終了後に前記RFパルスと振幅が同じで搬送波
の位相が180°異なるパルスをそれぞれ印加し、前記
信号が最大又は最小となる振幅を基準として高周波磁場
強度を設定することを特徴とする磁気共鳴イメージング
装置における高周波磁場強度設定方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61296567A JPS63150061A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 磁気共鳴イメ−ジング装置における高周波磁場強度設定方法 |
US07/131,433 US4799014A (en) | 1986-12-15 | 1987-12-11 | Method of setting conditions of high-frequency magnetic field |
DE3742490A DE3742490C2 (de) | 1986-12-15 | 1987-12-15 | Verfahren zur Einstellung eines Hochfrequenz-Anregungsimpulses |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61296567A JPS63150061A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 磁気共鳴イメ−ジング装置における高周波磁場強度設定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63150061A true JPS63150061A (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=17835214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61296567A Pending JPS63150061A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 磁気共鳴イメ−ジング装置における高周波磁場強度設定方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4799014A (ja) |
JP (1) | JPS63150061A (ja) |
DE (1) | DE3742490C2 (ja) |
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DE19827736A1 (de) * | 1998-06-22 | 1999-12-23 | Muntermann Axel | Vorrichtung zur Behandlung mit magnetischen Feldern |
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1986
- 1986-12-15 JP JP61296567A patent/JPS63150061A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-11 US US07/131,433 patent/US4799014A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-15 DE DE3742490A patent/DE3742490C2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE3742490C2 (de) | 1996-07-11 |
US4799014A (en) | 1989-01-17 |
DE3742490A1 (de) | 1988-06-23 |
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