JPS63148633A - フオトレジスト膜形成装置 - Google Patents
フオトレジスト膜形成装置Info
- Publication number
- JPS63148633A JPS63148633A JP29639286A JP29639286A JPS63148633A JP S63148633 A JPS63148633 A JP S63148633A JP 29639286 A JP29639286 A JP 29639286A JP 29639286 A JP29639286 A JP 29639286A JP S63148633 A JPS63148633 A JP S63148633A
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- JP
- Japan
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- surface reflectance
- photoresist film
- wafer
- spin motor
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路製造装置、特にフォトレジス
ト膜形成装置に関する。
ト膜形成装置に関する。
［従来の技術］
従来、この種のフォトレジスト膜形成装置は第３図に示
すように半導体基板Ｗ上にフィトレジストを滴下した後
、予備実験によって又は経験的に決定された回転数およ
び回転時間で塗布カップ３内にて半導体基板Ｗをスピン
モータ６により回転させ、一定の膜厚のフォトレジスト
膜を形成する構造となっていた。１はウェハーローダ、
４はウェハーアンローダである。
すように半導体基板Ｗ上にフィトレジストを滴下した後
、予備実験によって又は経験的に決定された回転数およ
び回転時間で塗布カップ３内にて半導体基板Ｗをスピン
モータ６により回転させ、一定の膜厚のフォトレジスト
膜を形成する構造となっていた。１はウェハーローダ、
４はウェハーアンローダである。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来のフォトレジスト膜形成装置は、半導体基
板の表面反射率の値にかかわらず、装置に与えられた回
転数で半導体基板を回転させ、一定の膜厚のフォトレジ
スト膜を形成する構造となっているため、露光時におい
て、同じ露光量を半導体基板に与えた場合、表面反射率
の違いにより、パターンの寸法制御性が悪くなるという
欠点がある。特に、微細パターン形成に対しては、下地
基板の膜厚等の違いに起因した下地表面の反射率変化に
よるパターン寸法のシフトは致命的である。
板の表面反射率の値にかかわらず、装置に与えられた回
転数で半導体基板を回転させ、一定の膜厚のフォトレジ
スト膜を形成する構造となっているため、露光時におい
て、同じ露光量を半導体基板に与えた場合、表面反射率
の違いにより、パターンの寸法制御性が悪くなるという
欠点がある。特に、微細パターン形成に対しては、下地
基板の膜厚等の違いに起因した下地表面の反射率変化に
よるパターン寸法のシフトは致命的である。
本発明の目的は半導体基板、上に形成されるパターンの
寸法制御性を向上させるフォトレジスト膜形成装置を提
供することにある。
寸法制御性を向上させるフォトレジスト膜形成装置を提
供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点コ
上述した従来のフォトレジスト膜形成装置に対し、本発
明は半導体基板の表面反射率をあらかじめ測定し、かつ
フォトレジスト膜形成後の基板の表面反射率が一定とな
るようにフォトレジスト膜形成時のスピンモータ回転数
および回転時間を制御するという独創的内容を有する。
明は半導体基板の表面反射率をあらかじめ測定し、かつ
フォトレジスト膜形成後の基板の表面反射率が一定とな
るようにフォトレジスト膜形成時のスピンモータ回転数
および回転時間を制御するという独創的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は半導体基板上にフォトレジストを滴下し、その
基板を回転させフォトレジスｉ・膜を形成する装置にお
いて、基板の光に対する表面反射率を測定する測定装置
と、該測定装置からの測定値に基づき、前記基板の駆動
源の回転数及び回転時間を調整してフォトレジスト膜形
成後の基板の表面反射率を一定にする制御部とを有する
ことを特徴とするフォトレジスト膜形成装置である。
基板を回転させフォトレジスｉ・膜を形成する装置にお
いて、基板の光に対する表面反射率を測定する測定装置
と、該測定装置からの測定値に基づき、前記基板の駆動
源の回転数及び回転時間を調整してフォトレジスト膜形
成後の基板の表面反射率を一定にする制御部とを有する
ことを特徴とするフォトレジスト膜形成装置である。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１の断面図である。第１図にお
いて、表面反射率測定装置２はウェハーローダ１と塗布
カップ３の間に設置され、スピンモータ制御部５を介し
てスピンモータ６に接続されている。
いて、表面反射率測定装置２はウェハーローダ１と塗布
カップ３の間に設置され、スピンモータ制御部５を介し
てスピンモータ６に接続されている。
ウェハーローダ１より搬出されたウェハーＷは表面反射
率測定装置２によりその表面反射率が測定される。測定
された値はスピンモータ制御部５へ送られ、フォトレジ
スト塗布後の表面反射率が一定となる条件のスピンモー
タ回転数および回転時間がスピンモータ６に与えられ、
塗布カップ３内にてウェハーＷ上にはその回転数および
回転時間でフォトレジスト膜が形成され、ウェハーはウ
ェハーアンローダ４に収納される。
率測定装置２によりその表面反射率が測定される。測定
された値はスピンモータ制御部５へ送られ、フォトレジ
スト塗布後の表面反射率が一定となる条件のスピンモー
タ回転数および回転時間がスピンモータ６に与えられ、
塗布カップ３内にてウェハーＷ上にはその回転数および
回転時間でフォトレジスト膜が形成され、ウェハーはウ
ェハーアンローダ４に収納される。
上記方式により、各ウェハーの表面反射率を同一にする
ことが可能であり、同じ露光エネルギーを与えた場合、
同じ寸法を再現することができる。
ことが可能であり、同じ露光エネルギーを与えた場合、
同じ寸法を再現することができる。
第４図に表面反射率とスピンモータ回転数との関係を、
また第５図にフォトレジスト感度とスピンモータ回転数
との関係を示しである。
また第５図にフォトレジスト感度とスピンモータ回転数
との関係を示しである。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２の断面図である。表面反射率
測定装置２は塗布カップ３の上部に設置され、スピンモ
ータ制御部５を介してスピンモータ６に接続されている
。
測定装置２は塗布カップ３の上部に設置され、スピンモ
ータ制御部５を介してスピンモータ６に接続されている
。
ウェハーローダ１より搬出されたウェハーは塗布カップ
３まで搬送され、ウェハー回転前もしくは回転中に表面
反射率を測定できる構造となっている。スピンモータ６
の制御方法は実施例１と同様である。
３まで搬送され、ウェハー回転前もしくは回転中に表面
反射率を測定できる構造となっている。スピンモータ６
の制御方法は実施例１と同様である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明はフォトレジスト膜形成装置
に表面反射率測定装置を設置し、表面反射率の測定値に
基いて基板の回転数お、よび回転時間を調整することに
より、フォトレジスト膜形成後の基板の表面反射率を一
定にすることができる。
に表面反射率測定装置を設置し、表面反射率の測定値に
基いて基板の回転数お、よび回転時間を調整することに
より、フォトレジスト膜形成後の基板の表面反射率を一
定にすることができる。
このため、表面反射率の違いによりフォトレジスト膜の
露光エネルギー依存性が変化し、パターンの寸法制御性
が悪くなるということを防止できる。
露光エネルギー依存性が変化し、パターンの寸法制御性
が悪くなるということを防止できる。
また、本発明のスピンモータ回転数可変による表面反射
率の一定化は第４図、第５図に示すように数百回転の変
化にて行なうことができ、従来の装置を大幅に改造する
ことなく行なうことができる効果を有するものである。
率の一定化は第４図、第５図に示すように数百回転の変
化にて行なうことができ、従来の装置を大幅に改造する
ことなく行なうことができる効果を有するものである。
第１図、第２図は本発明のフォトレジスト膜形成装置の
断面図、第３図は従来のフォトレジスト膜形成装置の断
面図、第４図は表面反射率とスピンモータ回転数の関係
図、第５図はフォトレジスト感度とスピンモータ回転数
の関係図である。 １・・・ウェハーローダ ２・・・表面反射率測定装置
３・・・塗布カップ ４・・・ウェハーアンローダ
５・・・スピンモータ制御部 ６・・・スピンモータ 第４図
断面図、第３図は従来のフォトレジスト膜形成装置の断
面図、第４図は表面反射率とスピンモータ回転数の関係
図、第５図はフォトレジスト感度とスピンモータ回転数
の関係図である。 １・・・ウェハーローダ ２・・・表面反射率測定装置
３・・・塗布カップ ４・・・ウェハーアンローダ
５・・・スピンモータ制御部 ６・・・スピンモータ 第４図
Claims (1)
- （１）半導体基板上にフォトレジストを滴下し、その基
板を回転させフォトレジスト膜を形成する装置において
、基板の光に対する表面反射率を測定する測定装置と、
該測定装置からの測定値に基づき、前記基板の駆動源の
回転数及び回転時間を調整してフォトレジスト膜形成後
の基板の表面反射率を一定にする制御部とを有すること
を特徴とするフォトレジスト膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29639286A JPS63148633A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | フオトレジスト膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29639286A JPS63148633A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | フオトレジスト膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148633A true JPS63148633A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17832949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29639286A Pending JPS63148633A (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 | フオトレジスト膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5409538A (en) * | 1990-04-13 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
| US6033728A (en) * | 1993-05-13 | 2000-03-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for spin coating, a method for spin coating and a method for manufacturing semiconductor device |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP29639286A patent/JPS63148633A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5409538A (en) * | 1990-04-13 | 1995-04-25 | Hitachi, Ltd. | Controlling method of forming thin film, system for said controlling method, exposure method and system for said exposure method |
| US6033728A (en) * | 1993-05-13 | 2000-03-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for spin coating, a method for spin coating and a method for manufacturing semiconductor device |
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