JPS63148231A - 光制御素子の製造方法 - Google Patents
光制御素子の製造方法Info
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- JPS63148231A JPS63148231A JP29610986A JP29610986A JPS63148231A JP S63148231 A JPS63148231 A JP S63148231A JP 29610986 A JP29610986 A JP 29610986A JP 29610986 A JP29610986 A JP 29610986A JP S63148231 A JPS63148231 A JP S63148231A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は光シャッタ、或いは液晶表示素子として用いら
れる光制御素子の製造において、液晶等の光制御媒体を
充填するための狭い間隙部の間隙寸法が電極支持基板の
平坦性によって不均一となる問題を解消するため、前記
狭い間隙部を薄膜によるスペーサ層とエツチング除去し
易い間隔形成用薄膜によって確保しておき、素子が略完
成した時点で前記間隔形成用薄膜を選択的にエツチング
除去して間隙部を形成することにより、電極支持基板の
平坦性に対応して間隙寸法の均一な狭い間隙部を得るよ
うにしたものである。
れる光制御素子の製造において、液晶等の光制御媒体を
充填するための狭い間隙部の間隙寸法が電極支持基板の
平坦性によって不均一となる問題を解消するため、前記
狭い間隙部を薄膜によるスペーサ層とエツチング除去し
易い間隔形成用薄膜によって確保しておき、素子が略完
成した時点で前記間隔形成用薄膜を選択的にエツチング
除去して間隙部を形成することにより、電極支持基板の
平坦性に対応して間隙寸法の均一な狭い間隙部を得るよ
うにしたものである。
本発明はノンインパクトプリンタの光シャッタ、或いは
液晶表示素子として用いられる光制御素子の製造方法に
係り、特に一対の電極支持基板間に設ける液晶等の光制
御材料を充填するための間隙を高精度に形成する方法に
関するものである。
液晶表示素子として用いられる光制御素子の製造方法に
係り、特に一対の電極支持基板間に設ける液晶等の光制
御材料を充填するための間隙を高精度に形成する方法に
関するものである。
ノンインパクトプリンタの光シャッタ、或いはフラット
ディスプレイパネルの液晶表示素子等として用いられる
光制御素子は、情報処理量の増大に伴って大容量化、高
速化及び高表示品質なものが要求される。近年、これら
の要求に合致する可能性を有するものとして強誘電性液
晶が提案されているが、このような液晶を充填するため
の一対の電極支持基板間の間隙部、特に狭ギヤツプ部を
高精度に実現できる製造方法が必要とされる。
ディスプレイパネルの液晶表示素子等として用いられる
光制御素子は、情報処理量の増大に伴って大容量化、高
速化及び高表示品質なものが要求される。近年、これら
の要求に合致する可能性を有するものとして強誘電性液
晶が提案されているが、このような液晶を充填するため
の一対の電極支持基板間の間隙部、特に狭ギヤツプ部を
高精度に実現できる製造方法が必要とされる。
〔従来の技術〕
従来の光制御素子の製造方法を例えば液晶表示素子を対
象にしてその製造方法を説明すると、第２図に示すよう
に、下部ガラス基板１１上にインジウム・錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）からなる透明電極１２を形成し、更にその表面に
ポリイミド樹脂等からなる配向膜１３を形成する。
象にしてその製造方法を説明すると、第２図に示すよう
に、下部ガラス基板１１上にインジウム・錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）からなる透明電極１２を形成し、更にその表面に
ポリイミド樹脂等からなる配向膜１３を形成する。
次に該配向膜１３上に、例えばグラスファイバなどを微
細化したスペーサ１４を一様に散布した後、該スペーサ
１４が散布された配向膜１３上に、上記したと同様な透
明電極１６と配向膜１７が形成された上部ガラス基板１
５を重ね合わせ、これらの側基板１１と１５の周囲を液
晶注入口を残して封着材１７により封止し、前記スペー
サ１４によって形成された間隙部１８内に液晶を注入し
て表示素子を構成している。
細化したスペーサ１４を一様に散布した後、該スペーサ
１４が散布された配向膜１３上に、上記したと同様な透
明電極１６と配向膜１７が形成された上部ガラス基板１
５を重ね合わせ、これらの側基板１１と１５の周囲を液
晶注入口を残して封着材１７により封止し、前記スペー
サ１４によって形成された間隙部１８内に液晶を注入し
て表示素子を構成している。
ところで上記した液晶表示素子の製造方法では、それぞ
れ透明電極１２．１６及び配向膜１３．１７が形成され
たガラス基板１１と１５を、スペーサ１４を介して対向
配置することによって液晶を注入する間隙部１８を形成
しているので、前記対向する一対のガラス基板ＩＬ １
５面の平坦性がかなり高度なものでないとこれらの間隙
を全面にわたって一定値に保つことは難しい。しかしこ
れらガラス基板１’ｌ、 １５面の平坦性を上げるとコ
スト高となる欠点がある。
れ透明電極１２．１６及び配向膜１３．１７が形成され
たガラス基板１１と１５を、スペーサ１４を介して対向
配置することによって液晶を注入する間隙部１８を形成
しているので、前記対向する一対のガラス基板ＩＬ １
５面の平坦性がかなり高度なものでないとこれらの間隙
を全面にわたって一定値に保つことは難しい。しかしこ
れらガラス基板１’ｌ、 １５面の平坦性を上げるとコ
スト高となる欠点がある。
更に散布前のスペーサ１４に異物が混入し易く、該スペ
ーサ１４を散布する際に、配向膜１３上に異物が付着し
たり、或いは透明電極１２．１６及び配向膜１３、１７
が形成されたガラス基板１１と１５とをスペーサ１４を
介して重ね合わせる工程までに各配向膜１３゜１７上に
塵埃等の異物が付着して前記間隙の精度が低下するとい
う問題もあった。
ーサ１４を散布する際に、配向膜１３上に異物が付着し
たり、或いは透明電極１２．１６及び配向膜１３、１７
が形成されたガラス基板１１と１５とをスペーサ１４を
介して重ね合わせる工程までに各配向膜１３゜１７上に
塵埃等の異物が付着して前記間隙の精度が低下するとい
う問題もあった。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、素子を構成する一対の
電極支持基板の各対向表面の平坦性が多少悪くても、こ
れら一対の基板間に設ける液晶等の光制御材料を充填す
るための間隙部を全面にわたって均等に形成し得る新規
な光制御素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
電極支持基板の各対向表面の平坦性が多少悪くても、こ
れら一対の基板間に設ける液晶等の光制御材料を充填す
るための間隙部を全面にわたって均等に形成し得る新規
な光制御素子の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明は上記目的を達成するため、透明電極及び配向膜
等が形成された基板上にスペーサ及び間隙形成用薄膜を
被着形成し、その上に配向膜及び電極等を被着形成し、
更に基板を貼着した後、前記間隙形成用薄膜を選択的に
エツチング除去することにより間隙部を形成する。
等が形成された基板上にスペーサ及び間隙形成用薄膜を
被着形成し、その上に配向膜及び電極等を被着形成し、
更に基板を貼着した後、前記間隙形成用薄膜を選択的に
エツチング除去することにより間隙部を形成する。
その後、該間隙部に液晶を封入して光制御素子を得るよ
うにする。
うにする。
本発明の光制御素子の製造方法では、スペーサ及び間隙
形成用薄膜を蒸着法、或いはスパッタリング法等により
形成されているため、基板表面の平坦性が多少悪くても
上記スペーサ及び間隙形成用薄膜の膜厚が不均一になる
ことはない。従って、最終的に間隙形成用薄膜を選択的
にエツチング除去することによって、全面にわたり均等
な間隙を有する間隙部を得ることができる。
形成用薄膜を蒸着法、或いはスパッタリング法等により
形成されているため、基板表面の平坦性が多少悪くても
上記スペーサ及び間隙形成用薄膜の膜厚が不均一になる
ことはない。従って、最終的に間隙形成用薄膜を選択的
にエツチング除去することによって、全面にわたり均等
な間隙を有する間隙部を得ることができる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る光制御素子の製造
方法を、液晶表示素子の製造に適用した場合の例を工程
順に示す要部断面図である。
方法を、液晶表示素子の製造に適用した場合の例を工程
順に示す要部断面図である。
先ず第１図ｉａ）に示すようにガラス板、またはプラス
チック板などからなる下部透明基板２１上にインジウム
・錫酸化物（１丁０）からなる第一透明電極２２を形成
し、その透明電極２２を含む下部透明基板２１上にポリ
イミド樹脂等からなる第一配向膜２３を形成する。
チック板などからなる下部透明基板２１上にインジウム
・錫酸化物（１丁０）からなる第一透明電極２２を形成
し、その透明電極２２を含む下部透明基板２１上にポリ
イミド樹脂等からなる第一配向膜２３を形成する。
次に該第−配向膜２３上にレジスト膜２４をスピンコー
ド法により塗着し、第１図（ｂ）に示すようにフォトリ
ソグラフィ技法にリスペーサ−配設領域形成用の第一レ
ジストパターン２５を形成し、引き続き該レジストパタ
ーン２５上を含む前記第一配向膜２３上にアルミニウム
（Ａ１）からなる間隙形成用薄膜２６を被着形成する。
ド法により塗着し、第１図（ｂ）に示すようにフォトリ
ソグラフィ技法にリスペーサ−配設領域形成用の第一レ
ジストパターン２５を形成し、引き続き該レジストパタ
ーン２５上を含む前記第一配向膜２３上にアルミニウム
（Ａ１）からなる間隙形成用薄膜２６を被着形成する。
次にリフトオフ法により前記第一レシストパターン２５
と共に、その上面の間隙形成用薄膜２６を除去した後、
第１図（Ｃ）に示すように該第−レジストパターン２５
除去跡を含む間隙形成用薄膜２６上にレジス１膜２７を
スピンコード法によりゃ着すると共に、該レジスト膜２
７に対して前記下部透明基板２１側より露光を行い、現
像することにより前記第一配向膜２３上のレジスト膜２
７部分のみが除去された第二レジストパターン２８を形
成する。
と共に、その上面の間隙形成用薄膜２６を除去した後、
第１図（Ｃ）に示すように該第−レジストパターン２５
除去跡を含む間隙形成用薄膜２６上にレジス１膜２７を
スピンコード法によりゃ着すると共に、該レジスト膜２
７に対して前記下部透明基板２１側より露光を行い、現
像することにより前記第一配向膜２３上のレジスト膜２
７部分のみが除去された第二レジストパターン２８を形
成する。
次に第１図（ｄ）に示すように該第二レジストパターン
２８上を含む前記第一レジストパターン２５除去跡にＳ
ｉｎｇからなるスペーサ材料を被着した後、リフトオフ
法により前記第二レジストパターン２８及びそのパター
ン上のスペーサ材料を除去することによりスペーサ２９
を形成する。
２８上を含む前記第一レジストパターン２５除去跡にＳ
ｉｎｇからなるスペーサ材料を被着した後、リフトオフ
法により前記第二レジストパターン２８及びそのパター
ン上のスペーサ材料を除去することによりスペーサ２９
を形成する。
次に第１図（ｅ）に示すように露呈するスペーサ２９及
び間隙形成用薄膜２６上に、第二配向膜３０及び第二透
明電極３１を順に形成し、更にその上に水ガラスなどか
らなる接着層３２を介してガラス、またはプラスチック
などからなる上部基板３３を貼り合わせる。
び間隙形成用薄膜２６上に、第二配向膜３０及び第二透
明電極３１を順に形成し、更にその上に水ガラスなどか
らなる接着層３２を介してガラス、またはプラスチック
などからなる上部基板３３を貼り合わせる。
しかる後、前記配向膜２３と３０で挟まれたＡ１からな
る間隙形成用薄膜２６を選択的にエツチング除去して液
晶充填用の間隙部３４を形成する。
る間隙形成用薄膜２６を選択的にエツチング除去して液
晶充填用の間隙部３４を形成する。
かくすれば、該間隙部３４内に塵埃等が不用意に混入す
ることが防止される。
ることが防止される。
次に第１図（ｆ）に示すように前記両基板２１と３３の
周囲を液晶注入口を残して封着材３５により封止した後
、間隙部３４内に液晶３５を注入して表示素子を完成さ
せることにより、前記下部透明基板２１の平坦面に沿っ
て均一な厚さの液晶層３６を得ることができる。
周囲を液晶注入口を残して封着材３５により封止した後
、間隙部３４内に液晶３５を注入して表示素子を完成さ
せることにより、前記下部透明基板２１の平坦面に沿っ
て均一な厚さの液晶層３６を得ることができる。
なお、以上の実施例では液晶層を挟んで対向配置した下
部透明基板及び上部透明基板上にそれぞれ透明電極及び
配向膜を設けた場合の例について説明したが、本発明は
この例に限定されるものではなく、前記透明電極及び配
向膜の他に反射膜、或いはフィルタ膜等を設けたタイプ
の素子にも適用可能であることは云うまでもな（、向様
な効果が得られる。
部透明基板及び上部透明基板上にそれぞれ透明電極及び
配向膜を設けた場合の例について説明したが、本発明は
この例に限定されるものではなく、前記透明電極及び配
向膜の他に反射膜、或いはフィルタ膜等を設けたタイプ
の素子にも適用可能であることは云うまでもな（、向様
な効果が得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る光制御素
子の製造方法によれば、液晶等の光制御材料が充填され
る狭い間隙部を、下部基板の平坦面に沿って均一な間隙
寸法に高精度に形成することが可能となる優れた利点を
有し、流体状の光制御材料（光制御媒体）を一対の対向
電極支持基板間に配設した構成の液晶電子シャンクや各
種表示素子の製造に適用して極めて有利であり、また下
部基板の平坦精度を成る程度、緩和することができると
共に、曲面形状等の下部基板を用いて変形した光制御素
子や液晶表示素子等も容易に形成することができる。
子の製造方法によれば、液晶等の光制御材料が充填され
る狭い間隙部を、下部基板の平坦面に沿って均一な間隙
寸法に高精度に形成することが可能となる優れた利点を
有し、流体状の光制御材料（光制御媒体）を一対の対向
電極支持基板間に配設した構成の液晶電子シャンクや各
種表示素子の製造に適用して極めて有利であり、また下
部基板の平坦精度を成る程度、緩和することができると
共に、曲面形状等の下部基板を用いて変形した光制御素
子や液晶表示素子等も容易に形成することができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る光制御素子の製造
方法を、液晶表示素子の製造に適用し た場合の例を工程順に示す要部断面図、第２図は従来の
光制御素子の製造方法を、液晶表示素子の製造例により
説明するため の要部断面図である。 第１図（ａ）〜ｉｆ）において、 ２１は下部透明基板、２２は第一透明電極、２３は第一
配向膜、２４．２７はレジスト膜、２５は第一レシスト
パターン、２６は間隙形成用薄膜、２８は第二レジスト
パターン、２９はスペーサ、３０は第二配向膜、３１は
第二透明電極、３２は接着層、３３は上部基板、３４は
間隙部、３５は封着材、３６は液晶層をそれぞれ示す。 （ｃｂ 第１図
方法を、液晶表示素子の製造に適用し た場合の例を工程順に示す要部断面図、第２図は従来の
光制御素子の製造方法を、液晶表示素子の製造例により
説明するため の要部断面図である。 第１図（ａ）〜ｉｆ）において、 ２１は下部透明基板、２２は第一透明電極、２３は第一
配向膜、２４．２７はレジスト膜、２５は第一レシスト
パターン、２６は間隙形成用薄膜、２８は第二レジスト
パターン、２９はスペーサ、３０は第二配向膜、３１は
第二透明電極、３２は接着層、３３は上部基板、３４は
間隙部、３５は封着材、３６は液晶層をそれぞれ示す。 （ｃｂ 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 スペーサ（２９）を介して対向した一対の基板（２１、
３３）間の間隙部（（３４）に流体からなる光制御材料
を充填した光制御素子の製造において、 反射膜、絶縁膜、電極（２２）及び配向膜（２３）の全
部、または一部のものを形成した下部基板（２１）上に
、スペーサー配設領域形成用の第一レジストパターン（
２５）を形成する工程と、該レジストパターン（２５）
上を含む基板（２１）上に間隙形成用薄膜（２６）を被
着形成する工程と、該レジストパターン（２５）及びそ
の上の間隙形成用薄膜（２６）を除去した後、該間隙形
成用薄膜（２６）上のみに第二レジストパターン（２８
）を形成する工程と、該第二レジストパターン（２８）
上を含む前記第一レジストパターン（２５）除去跡にス
ペーサ材料を被着形成する工程と、該第二レジストパタ
ーン（２８）及びその上のスペーサ材料を除去し、露呈
するスペーサ（２９）及び間隙形成用薄膜（２６）上に
配向膜（３０）、電極（３１）絶縁膜及びフィルタの全
部、または一部のものを形成し、その表面に基板（３３
）、或いは保護層を形成する工程を行い、前記間隙形成
用薄膜（２６）を選択的にエッチング除去した後、除去
された間隙部（３４）に流体からなる光制御材料を充填
することを特徴とする光制御素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610986A JPS63148231A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光制御素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29610986A JPS63148231A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光制御素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148231A true JPS63148231A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17829251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29610986A Pending JPS63148231A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光制御素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264165B1 (ko) * | 1992-07-22 | 2000-08-16 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29610986A patent/JPS63148231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100264165B1 (ko) * | 1992-07-22 | 2000-08-16 | 구본준 | 액정표시소자 제조방법 |
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