JPS6314754A - カルボン酸クロライドの製造方法 - Google Patents
カルボン酸クロライドの製造方法Info
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- JPS6314754A JPS6314754A JP61158672A JP15867286A JPS6314754A JP S6314754 A JPS6314754 A JP S6314754A JP 61158672 A JP61158672 A JP 61158672A JP 15867286 A JP15867286 A JP 15867286A JP S6314754 A JPS6314754 A JP S6314754A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、芳香族ジカルボン酸クロライドの製造法に関
する。更に具体的に言えば、メチル置換フェニルエーテ
ル類を光塩素化することによってトリクロロメチル置換
フェニルエーテルを製造し、次いで該トリクロロメチル
基とカルボキシル基とを反応せしめることによってカル
ボン酸クロライドを製造する方法に関する発明である。
する。更に具体的に言えば、メチル置換フェニルエーテ
ル類を光塩素化することによってトリクロロメチル置換
フェニルエーテルを製造し、次いで該トリクロロメチル
基とカルボキシル基とを反応せしめることによってカル
ボン酸クロライドを製造する方法に関する発明である。
[産業上の利用分野]
芳香族ジカルボン酸クロライド類は主にポリマー原わ1
として利用される。誘導されるポリマーとして、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられるが、
殊にアリレー トや全芳香族ポリアミド、仝芳香族ポリ
イミドなど強度、耐熱性などに優れた特↑/lをもつポ
リマーの原料として利用される。特に共重合ポリマーに
おいて複数のカルボン酸成分を使用りる場合には必要と
する芳香族ジカルボン酸り「1ライド全一(を同時に製
造する方法である。
として利用される。誘導されるポリマーとして、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられるが、
殊にアリレー トや全芳香族ポリアミド、仝芳香族ポリ
イミドなど強度、耐熱性などに優れた特↑/lをもつポ
リマーの原料として利用される。特に共重合ポリマーに
おいて複数のカルボン酸成分を使用りる場合には必要と
する芳香族ジカルボン酸り「1ライド全一(を同時に製
造する方法である。
[従来技術1
芳香族炭化水素類の光塩素化反応によってトリクロロメ
チル置換y1杏族炭化水素を製造する方法、特にヘキサ
クロロバラシレン類のIJA造方法については数多くの
提案がなされている。通常紫外線照射下遊離塩素を用い
てJli索化ηろ場合、次の二つの副陵応が起こる。一
つは樹脂状物の発生であり、もう一つは核置換1品素化
物の発生である。これらの副反応生成物は収率を下げる
のみならず、反応液の着色による反応の停市、製品純度
の低下等、工業的製造を困難ならしめるものである。樹
脂状物の発生を抑制するために光塩素化安定剤として尿
素類(特開昭50−129525 @公報)、ホスホル
アミド類(特開昭51−8221 @公報)、ラクタム
(特開昭57−98225号公報)、カルバミン酸エス
テル誘導体(特開昭58−135826号公報)等が提
案されている。又、核置換塩素化物の発生を抑制するた
めに塩化鉄(特開昭53−77022号公報)が有効で
あることが示されている。
チル置換y1杏族炭化水素を製造する方法、特にヘキサ
クロロバラシレン類のIJA造方法については数多くの
提案がなされている。通常紫外線照射下遊離塩素を用い
てJli索化ηろ場合、次の二つの副陵応が起こる。一
つは樹脂状物の発生であり、もう一つは核置換1品素化
物の発生である。これらの副反応生成物は収率を下げる
のみならず、反応液の着色による反応の停市、製品純度
の低下等、工業的製造を困難ならしめるものである。樹
脂状物の発生を抑制するために光塩素化安定剤として尿
素類(特開昭50−129525 @公報)、ホスホル
アミド類(特開昭51−8221 @公報)、ラクタム
(特開昭57−98225号公報)、カルバミン酸エス
テル誘導体(特開昭58−135826号公報)等が提
案されている。又、核置換塩素化物の発生を抑制するた
めに塩化鉄(特開昭53−77022号公報)が有効で
あることが示されている。
芳香族ジカルボン酸クロライドの製造方法としては、大
別して2つの方法が工業的に行われている。1つは、芳
香族ジカルボン酸とヒストリクロロメチル置換芳香族化
合物とを反応させる方法であり、他の1つは、芳香族ジ
カルボン酸と五塩化リン、三塩化リン、チオニルクロラ
イド、或いはホスゲン等の塩素化剤とを反応させる方法
である。
別して2つの方法が工業的に行われている。1つは、芳
香族ジカルボン酸とヒストリクロロメチル置換芳香族化
合物とを反応させる方法であり、他の1つは、芳香族ジ
カルボン酸と五塩化リン、三塩化リン、チオニルクロラ
イド、或いはホスゲン等の塩素化剤とを反応させる方法
である。
特に同一の位置に置換基のある芳香族ジカルボン酸とヒ
ストリクロロメチル置換芳香族化合物を使用すれば経済
的及び技術的に極めて有効な方法である。テレフタル酸
とヘキサクロロバラキシレン。
ストリクロロメチル置換芳香族化合物を使用すれば経済
的及び技術的に極めて有効な方法である。テレフタル酸
とヘキサクロロバラキシレン。
イソフタル酸とヘキサクロロメタキシレンからテレフタ
ル酸クロライドやイソフタル酸クロライドを製造する方
法については、特開昭51−105027号公報や特開
昭53−53G3rdT3公+l1Itこ提案されてい
る。
ル酸クロライドやイソフタル酸クロライドを製造する方
法については、特開昭51−105027号公報や特開
昭53−53G3rdT3公+l1Itこ提案されてい
る。
更にテレフタル酸り1−1ライトとイソフタル酸クロラ
イドの等モル混合物を製3Bする方法として、テレフタ
ル酸とヘキリクII rlメタ4−シレン又はイソフタ
ル酸とヘキυり]二lパラニ1ニシレンとを反応させる
ことが特開昭53−121733号公報に提案されてい
る。この方法は、置換基の位置のみが異なる原料を用い
るものであるから、同じ位置に置換基のある芳香族ジカ
ルボン酸とヒス1〜リクロロメチル置換芳香族化合物を
用いる場合と全く同じ反応条件を採用することができる
。
イドの等モル混合物を製3Bする方法として、テレフタ
ル酸とヘキリクII rlメタ4−シレン又はイソフタ
ル酸とヘキυり]二lパラニ1ニシレンとを反応させる
ことが特開昭53−121733号公報に提案されてい
る。この方法は、置換基の位置のみが異なる原料を用い
るものであるから、同じ位置に置換基のある芳香族ジカ
ルボン酸とヒス1〜リクロロメチル置換芳香族化合物を
用いる場合と全く同じ反応条件を採用することができる
。
[発明の目的]
本発明者は芳香族側鎖メチル基の光塩素化において、成
る種の含酸累首換基を持つ芳香族側鎖メチル基が成る条
件下において極めて容易に光塩素化されることを見出し
た。1遊頗1塩素は紫外線照射によってクロルラディカ
ルを発生lる。クロルラディカルは芳香族側鎖メチル基
を攻撃し、水素原子が塩素原子に置換されり【−H二1
メチル置換芳香族化合物に変換される1、ノ■−ノニ1
シ基のような酸素原子をもち、且つその酸素原子が共役
系に隣接するような化合物がこのような光塩素化反応を
容易に行なうことは極めて興味深い。更に本発明者は芳
香族ジカルボン酸クロライドを製造するにあたり、全く
構造の異なる芳香族ジカルボン酸とヒストリクロロメチ
ル置換芳香族化合物を原料に用いて、全く構造の異なる
芳香族ジカルボン酸クロライドを容易に且つ収率良く同
時に得る方法を鋭意検討した結果本発明に到達したもの
である。特にフェノキシ基のようにカルボキシル基やト
リクロロメチル基とは異なる電子的な置換基効果を持つ
芳香族化合物でも容易に且つ収率良く反応が起こり、フ
ェノキシ基の分解、脱離が殆ど起こらないことを見出し
たものである。
る種の含酸累首換基を持つ芳香族側鎖メチル基が成る条
件下において極めて容易に光塩素化されることを見出し
た。1遊頗1塩素は紫外線照射によってクロルラディカ
ルを発生lる。クロルラディカルは芳香族側鎖メチル基
を攻撃し、水素原子が塩素原子に置換されり【−H二1
メチル置換芳香族化合物に変換される1、ノ■−ノニ1
シ基のような酸素原子をもち、且つその酸素原子が共役
系に隣接するような化合物がこのような光塩素化反応を
容易に行なうことは極めて興味深い。更に本発明者は芳
香族ジカルボン酸クロライドを製造するにあたり、全く
構造の異なる芳香族ジカルボン酸とヒストリクロロメチ
ル置換芳香族化合物を原料に用いて、全く構造の異なる
芳香族ジカルボン酸クロライドを容易に且つ収率良く同
時に得る方法を鋭意検討した結果本発明に到達したもの
である。特にフェノキシ基のようにカルボキシル基やト
リクロロメチル基とは異なる電子的な置換基効果を持つ
芳香族化合物でも容易に且つ収率良く反応が起こり、フ
ェノキシ基の分解、脱離が殆ど起こらないことを見出し
たものである。
[発明の構成]
本発明は、(A)下記一般式[I]
しオルソ位に位到ることはない。 」で表わ
されるメチル置換フェニルエーテル類を塩素化炭化水素
溶媒中光塩素化けしめて、下記一般式[III で表わされるクロロホルムライドfkフエニルエーテル
類を含む反応混合物を1r:1、 (B)次いで前記反応混合物に、テレフタル酸および/
またはイソフタル酸を添加し、フリーゾルタラフッ触媒
の存ず1上、前記一般式[IIIのクリロメチル置換フ
ー1−ニル1コーラル類と反応けしめることを特徴とl
る下記一般式1− III ]で表わされるフェニルh
トjルカルボン酸クロライドとテレフタル酸クロライド
および/またはイソフタル酸クロライドよりなるカルボ
ン酸クロライドの製造法である。
されるメチル置換フェニルエーテル類を塩素化炭化水素
溶媒中光塩素化けしめて、下記一般式[III で表わされるクロロホルムライドfkフエニルエーテル
類を含む反応混合物を1r:1、 (B)次いで前記反応混合物に、テレフタル酸および/
またはイソフタル酸を添加し、フリーゾルタラフッ触媒
の存ず1上、前記一般式[IIIのクリロメチル置換フ
ー1−ニル1コーラル類と反応けしめることを特徴とl
る下記一般式1− III ]で表わされるフェニルh
トjルカルボン酸クロライドとテレフタル酸クロライド
および/またはイソフタル酸クロライドよりなるカルボ
ン酸クロライドの製造法である。
以下、本発明について更に詳細に説明する。
本発明の方法は上記一般式[I]で表わされるメチル置
換フェニルエーテルを液体即ち溶融状態もしくは溶液状
態で紫外線含有光照射下に塩素ガスを導入することによ
り行われる。用いられる溶媒は光塩素化反応に不活性な
塩素化炭化水素で、例えばクロロホルム、四塩化炭素、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ンなどの塩素化パラフィン類や、クロルベンゼンのよう
な塩素化芳香族化合物が好ましい。メチル置換フェニル
エーテルの濃度は重量で10%以上が好ましい。
換フェニルエーテルを液体即ち溶融状態もしくは溶液状
態で紫外線含有光照射下に塩素ガスを導入することによ
り行われる。用いられる溶媒は光塩素化反応に不活性な
塩素化炭化水素で、例えばクロロホルム、四塩化炭素、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ンなどの塩素化パラフィン類や、クロルベンゼンのよう
な塩素化芳香族化合物が好ましい。メチル置換フェニル
エーテルの濃度は重量で10%以上が好ましい。
紫外線含有光は塩素を活性化する波長の光であれば良く
、例えば日光、放電灯、白熱灯などが使用でき、特にイ
ンジウム灯、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯な
どは工業的に有利である。
、例えば日光、放電灯、白熱灯などが使用でき、特にイ
ンジウム灯、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯な
どは工業的に有利である。
反応温度は、50℃以上溶媒の沸点以下が好ましい。5
0℃以下の渇IQC“は陵応速1宴が非常に遅く、又塩
素の溶存量が多くイ【るため−r、」反応が始まると突
沸する場合がある3、溶媒の沸点以下であっても150
℃以上では副1に応が増加し著しい収率の低下が見られ
る。
0℃以下の渇IQC“は陵応速1宴が非常に遅く、又塩
素の溶存量が多くイ【るため−r、」反応が始まると突
沸する場合がある3、溶媒の沸点以下であっても150
℃以上では副1に応が増加し著しい収率の低下が見られ
る。
反応時間は10分ないし10011.’i間、通常は1
ないし8時間程度である11反応開始と同時に原料は減
少しだすが、モノクロル誘々体が先ず生成する。
ないし8時間程度である11反応開始と同時に原料は減
少しだすが、モノクロル誘々体が先ず生成する。
次いでジクロル誘力体、トリクロル誘導体が順次生成し
消滅して゛、[1的とするパークロル誘導体即ちトリク
ロロメチル置換フェニルエーテル類が最後に生成する。
消滅して゛、[1的とするパークロル誘導体即ちトリク
ロロメチル置換フェニルエーテル類が最後に生成する。
置換された水素が塩素と結合して発生した塩化水素の発
生が市むまで反応は進行する。
生が市むまで反応は進行する。
副反応を抑制するために前記の光塩素化安定剤や核塩素
化防止剤を用いることは、しばしば好ましい結果をもた
らすことがある1゜ 使用する塩素ガスはホンベに充填した液化塩素ガス及び
電解工場で発生したJ2a索を直接反応器に導入して使
用覆ることしできるが、通常]−業的に一1C) − 用いられている塩素ガスを使用することができる。
化防止剤を用いることは、しばしば好ましい結果をもた
らすことがある1゜ 使用する塩素ガスはホンベに充填した液化塩素ガス及び
電解工場で発生したJ2a索を直接反応器に導入して使
用覆ることしできるが、通常]−業的に一1C) − 用いられている塩素ガスを使用することができる。
塩素ガスを導入する量は、当量以上であれば良いが当量
の2倍を越えると経済的に不利になるだけでなく、副反
応が増加して収率の低下と目的とするクロロメチル置換
フェニルエーテル類の純度の低下をもたらすので、当量
の1.05倍ないし1.5倍の範囲が好ましい。
の2倍を越えると経済的に不利になるだけでなく、副反
応が増加して収率の低下と目的とするクロロメチル置換
フェニルエーテル類の純度の低下をもたらすので、当量
の1.05倍ないし1.5倍の範囲が好ましい。
次いで本発明方法で得られたクロロメチル置換フェニル
エーテル類とテレフタル酸及び/又はイソフタル酸を後
述するごときフリーデル・クラフッ触媒の存在下で反応
させる。また、光塩素化反応に溶媒として用いられた塩
素化炭化水素は、その溶媒を留去することなく本不均化
反応の溶媒として用いることも可能である。このような
溶媒としては、該光塩素化反応と該不均化反応に対して
不活性な塩素化炭化水素が挙げられ、例えば四塩化炭素
、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエ
タンなどの塩素化パラフィン類やクロルベンゼンなどの
塩素化芳香族化合物類が好ましい。溶媒に対するクロロ
メチル置換フェニルエ一チルとテレフタル耐、イソノタ
ル酸の合itの量は、20%以上か好ましい、。
エーテル類とテレフタル酸及び/又はイソフタル酸を後
述するごときフリーデル・クラフッ触媒の存在下で反応
させる。また、光塩素化反応に溶媒として用いられた塩
素化炭化水素は、その溶媒を留去することなく本不均化
反応の溶媒として用いることも可能である。このような
溶媒としては、該光塩素化反応と該不均化反応に対して
不活性な塩素化炭化水素が挙げられ、例えば四塩化炭素
、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエ
タンなどの塩素化パラフィン類やクロルベンゼンなどの
塩素化芳香族化合物類が好ましい。溶媒に対するクロロ
メチル置換フェニルエ一チルとテレフタル耐、イソノタ
ル酸の合itの量は、20%以上か好ましい、。
フリーデル・クシノツFrh Wとしてはアルミニウム
、アンチモン、鉄、ブタン、スズ、亜鉛の塩化物が用い
られるが、狛に塩化第二鉄が好ましく用いられる。触媒
量は、りI:1 m1メチル置換フエニルエーテルとテ
レフタル酸、イソフタル酸の合に1の量に対して重量で
0.005%ないし5%で、好ましくは0.1%ないし
2.50%である。
、アンチモン、鉄、ブタン、スズ、亜鉛の塩化物が用い
られるが、狛に塩化第二鉄が好ましく用いられる。触媒
量は、りI:1 m1メチル置換フエニルエーテルとテ
レフタル酸、イソフタル酸の合に1の量に対して重量で
0.005%ないし5%で、好ましくは0.1%ないし
2.50%である。
トリク日ロメチル置換フ■ニルエーテルフタル酸及び/
又はイソフタル酸の割合は、クロロメチル基の数とカル
ボキシル基の数がほぼ等しくなるようにとることか必費
であり、l:0.95ないし1:1.05の割合(・あ
れば充分である。
又はイソフタル酸の割合は、クロロメチル基の数とカル
ボキシル基の数がほぼ等しくなるようにとることか必費
であり、l:0.95ないし1:1.05の割合(・あ
れば充分である。
反応湿度は70℃へ.2(10 ℃が採用される。70
℃より低い温度ではテレフタル酸やイソフタル酸の溶解
面が低い為に反応速[廊がd過ぎて工業的には現実的で
はない。200℃よりも^いと塩素の脱離やタール状物
の生成か起こり収率の低下を・bたらす。
℃より低い温度ではテレフタル酸やイソフタル酸の溶解
面が低い為に反応速[廊がd過ぎて工業的には現実的で
はない。200℃よりも^いと塩素の脱離やタール状物
の生成か起こり収率の低下を・bたらす。
好ましい反応温度は100 1’,〜150 ’Cであ
る。
る。
反応時間は10分ないし100時間、通常はコないし8
時間程度である。トリクロロメチル基とカルボキシル基
との反応では2分子のり日ロ力ルボニル基と1分子の塩
化水素が発生する。従って塩化水素の発生が停止するま
で反応は継続しなければならない。
時間程度である。トリクロロメチル基とカルボキシル基
との反応では2分子のり日ロ力ルボニル基と1分子の塩
化水素が発生する。従って塩化水素の発生が停止するま
で反応は継続しなければならない。
上記のように反応を終了した後、必要に応じて溶媒留去
,蒸留,晶析して目的物を回収,生成する。フェニルエ
ーテルカルボン酸クロライドとテレフタル酸クロライド
及び/又はイソフタル酸クロライドを混合物として回収
するか、もしくはテレフタル酸クロライド及び/又はイ
ソフタル酸クロライドを先ず分離してからフェニルエー
テルカルボン酸クロライドを回収することもできる。フ
ェニルエーテルカルボン酸類の晶析精製にはへキリン類
やヘプタン類のようなパラフィン類を含む炭化水素類が
もちいられる。
,蒸留,晶析して目的物を回収,生成する。フェニルエ
ーテルカルボン酸クロライドとテレフタル酸クロライド
及び/又はイソフタル酸クロライドを混合物として回収
するか、もしくはテレフタル酸クロライド及び/又はイ
ソフタル酸クロライドを先ず分離してからフェニルエー
テルカルボン酸クロライドを回収することもできる。フ
ェニルエーテルカルボン酸類の晶析精製にはへキリン類
やヘプタン類のようなパラフィン類を含む炭化水素類が
もちいられる。
[発明の効果]
本発明の方法によれば、フェノキシ基のような置換基を
持つメチル置換フェニルエーテル類を光塩素化して得た
り[丁1自メブル置換フェニルエーテル類を原料として
)−[ニルx+ーーーチルカルボン酸クロライドとテレ
フタル酸り[1シイド及び/又はイソフタル酸クロライ
ドの簀七ル混合物を容易に且つ収率m<49にとがでさ
る1。
持つメチル置換フェニルエーテル類を光塩素化して得た
り[丁1自メブル置換フェニルエーテル類を原料として
)−[ニルx+ーーーチルカルボン酸クロライドとテレ
フタル酸り[1シイド及び/又はイソフタル酸クロライ
ドの簀七ル混合物を容易に且つ収率m<49にとがでさ
る1。
以下実施例を掲げて本発明を訂述する。
[実施例1
光反応用500nf玉稈フラス」に3,4′−ジメチル
ジフlニルエーテル100(] (0.!+04 −E
ル) 、 1,1,2。
ジフlニルエーテル100(] (0.!+04 −E
ル) 、 1,1,2。
2−テトラクロロエタン250m(を入れ、冷却器。
攪拌機,塩素吹込管,淘1衰h1,高仕水銀灯(ウシオ
電機(tI製聞−102型)及びランプ冷却器を付しオ
イルバスにて内温70℃に臂温し光を照射して塩素を吹
き込んだ。塩素ガスの吹き込み速度は300 d/mi
nで反応時間は4時間30分であった。反応終了後窒素
ガスを10(l ml/minで10分間導入し、未反
応の塩素ガスと副生した塩化水素の溶存分をパージした
。反応混合物を500d容ナス形フラスコへ移し、ここ
へテレフタルM85(] (0、506モル)と無水
塩化鉄2.50 (0.015モル)を投入し、マグネ
テイツクスターラーで攪拌しながら、オイルバスで昇温
した。4時間溶媒を環流せしめて反応を完了した。反応
終了後50〜60℃715〜20m1llH(]で溶媒
を留去し、更に105〜b レフタル酸クロライド95(] (00,468モル
を得た。
電機(tI製聞−102型)及びランプ冷却器を付しオ
イルバスにて内温70℃に臂温し光を照射して塩素を吹
き込んだ。塩素ガスの吹き込み速度は300 d/mi
nで反応時間は4時間30分であった。反応終了後窒素
ガスを10(l ml/minで10分間導入し、未反
応の塩素ガスと副生した塩化水素の溶存分をパージした
。反応混合物を500d容ナス形フラスコへ移し、ここ
へテレフタルM85(] (0、506モル)と無水
塩化鉄2.50 (0.015モル)を投入し、マグネ
テイツクスターラーで攪拌しながら、オイルバスで昇温
した。4時間溶媒を環流せしめて反応を完了した。反応
終了後50〜60℃715〜20m1llH(]で溶媒
を留去し、更に105〜b レフタル酸クロライド95(] (00,468モル
を得た。
この蒸溜残液にn−へブタンを150d加え加熱して、
不溶物を炉別し、冷却して3,4′−ジフェニルエーテ
ルカルボン を得た。収率77%であった。更にこれを185〜b 73%であった。
不溶物を炉別し、冷却して3,4′−ジフェニルエーテ
ルカルボン を得た。収率77%であった。更にこれを185〜b 73%であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)下記一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼…[ I ] [但し式中nは0または1を示し、0のときは結合手を
表わす。またそれぞれのベンゼン環における2つの結合
手はベンゼン環において互いにオルソ位に位置すること
はない。] で表わされるメチル置換フェニルエーテル類を塩素化炭
化水素溶媒中光塩素化せしめて、下記一般式[II] ▲数式、化学式、表等があります▼…[II] [但し式中nおよび各ベンゼン環における結合手の位置
の定義は前記一般式[ I ]と同じである。] で表わされるクロロメチル置換フェニルエーテル類を含
む反応混合物を得、 (B)次いで前記反応混合物に、テレフタル酸および/
またはイソフタル酸を添加し、フリーデルクラフツ触媒
の存在下前記一般式[II]のクロロメチル置換フェニル
エーテル類と均一化反応せしめることを特徴とする下記
一般式[III] ▲数式、化学式、表等があります▼…[III] [但し式中nおよび各ベンゼン環における結合手の位置
の定義は前記一般式[ I ]と同じである。] で表わされるフェニルエーテルカルボン酸クロライドと
テレフタル酸クロライドおよび/またはイソフタル酸ク
ロライドよりなるカルボン酸クロライドの製造法。 2、該塩素化と均一化反応を同一の溶媒中で行なう第1
項記載の製造法。 3、該塩素化を50℃以上150℃以下の範囲の温度で
行なう第1項記載のクロロメチル置換フエニルエーテル
類の製造法。 4、カルボン酸類とクロロメチル置換フェニルエーテル
類を70℃ないし200℃の範囲の温度で接触せしめる
第1項記載のカルボン酸クロライドの製造法。 5、該均一化反応を、鉄触媒の存在下で行なう第1項記
載の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61158672A JPS6314754A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | カルボン酸クロライドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61158672A JPS6314754A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | カルボン酸クロライドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6314754A true JPS6314754A (ja) | 1988-01-21 |
JPH0541624B2 JPH0541624B2 (ja) | 1993-06-24 |
Family
ID=15676841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61158672A Granted JPS6314754A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | カルボン酸クロライドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6314754A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900900A (en) * | 1991-01-11 | 1999-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Image recording method using reversible thermosensitive recording material and image display apparatus using the same |
US6177383B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, and image forming and erasing method |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP61158672A patent/JPS6314754A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5900900A (en) * | 1991-01-11 | 1999-05-04 | Ricoh Company, Ltd. | Image recording method using reversible thermosensitive recording material and image display apparatus using the same |
US6177383B1 (en) | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ricoh Company, Ltd. | Reversible thermosensitive recording medium, and image forming and erasing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0541624B2 (ja) | 1993-06-24 |
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