JPS63147354A - Package for semiconductor integrated circuit - Google Patents
Package for semiconductor integrated circuitInfo
- Publication number
- JPS63147354A JPS63147354A JP29441486A JP29441486A JPS63147354A JP S63147354 A JPS63147354 A JP S63147354A JP 29441486 A JP29441486 A JP 29441486A JP 29441486 A JP29441486 A JP 29441486A JP S63147354 A JPS63147354 A JP S63147354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- packages
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being integrated devices of class H10
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路用パッケージの上下両方向に
、リード等の接続端子を設けることを特徴とする半導体
集積回路用のパッケージに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a package for a semiconductor integrated circuit characterized in that connection terminals such as leads are provided in both the upper and lower directions of the package for a semiconductor integrated circuit.
従来の半導体集積回路用のパッケージとしては、既に種
々のものが実用化されているが、元来、半導体集積回路
用のパンケージは、チ・ノブを外部環境から保護したり
、チップのハンドリングを可能にするというような基本
的な機能を満たしていればよかった。第5図(a)に示
す、デュアルインラインパッケージ(DIP)は、全パ
ッケージの70%以上を占め、上記基本的な機能に加え
、実装基板や自動挿入機、各種テスタ等のための標準化
を完了している。Various types of conventional packages for semiconductor integrated circuits have already been put into practical use, but pancages for semiconductor integrated circuits were originally used to protect chips and knobs from the external environment and to allow chips to be handled. It would have been better if it fulfilled the basic functions such as The dual in-line package (DIP) shown in Figure 5 (a) accounts for more than 70% of all packages, and in addition to the above basic functions, standardization for mounting boards, automatic insertion machines, various testers, etc. has been completed. are doing.
これに対して最近は、半導体集積回路の高集積化と高速
化が進んでおり、加えて電子装置を小型で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。この両者の要
求から、半導体集積回路用のパッケージに対しても、小
型化、高密度実装化の要請が強まり、以下に述べるよう
なパンケージ類が実用化されている。第5図(b)に示
したフラットパッケージには、リードをパッケージの側
面4方向より平面に出し、プリント基板へ表面実装する
ことにより、薄型実装と高密度配線の両方の機能を満足
させた。第5図<c>に示したり一ドレスチノプキャリ
ア(LCC)は、フラットパンケージのリードを取り除
いてさらに小型、高密度実装をはかったものであり、リ
ードのかわりにパンケージの側面4方向に、導体パター
ンが形成されている。類似のパッケージとして、第5図
(d)に示すような、プラスチックリード付きチップキ
ャリア(PLCC)がある、これは、フラットパッケー
ジのリードの先を曲げたもので、l2CCと同様の実装
密度が確保でき、PLCCはプラスチック製である為、
セラミック製のLCCに比べ、安価であり、米国にて多
くのLSIメーカーが採用の動きをみせている。第5図
(e)に示したピングリッドアレイ (PGA)は、パ
ッケージの底面にマトリックス状のピン端子をもってい
る。ピン配列は、100ミルピツチでありプリントa板
に直接差し込んで使用することが可能である。これは、
フラットパッケージやLCCが、チップの4辺に電極端
子を持つので、端子数が多くなると、形状が大きくなる
という欠点があったが、その問題点を克服する為に、開
発されたものである。In contrast, recently, semiconductor integrated circuits have become more highly integrated and faster, and in addition, due to the demand for electronic devices to be smaller and more functional, the density of packaging has been increasing. Due to these demands, there has been a strong demand for smaller size and higher density packaging for packages for semiconductor integrated circuits, and pancages such as those described below have been put into practical use. In the flat package shown in FIG. 5(b), the leads are exposed on the four sides of the package and surface-mounted on the printed circuit board, thereby satisfying both the functions of thin mounting and high-density wiring. The one-dress tinop carrier (LCC) shown in Figure 5 <c> is a flat pan cage with leads removed to achieve even smaller size and higher density packaging. , a conductor pattern is formed. A similar package is the plastic leaded chip carrier (PLCC) shown in Figure 5(d).This is a flat package with the ends of the leads bent, ensuring the same packaging density as the 12CC. Yes, since PLCC is made of plastic,
It is cheaper than ceramic LCCs, and many LSI manufacturers in the United States are beginning to adopt it. The pin grid array (PGA) shown in FIG. 5(e) has a matrix of pin terminals on the bottom of the package. The pin arrangement is 100 mil pitch, and it can be used by directly inserting it into a printed A board. this is,
This was developed to overcome the drawback that flat packages and LCCs have electrode terminals on the four sides of the chip, and as the number of terminals increases, the size becomes larger.
以上、現在実用化されている半導体集積回路用のパッケ
ージについて述べたが、これらのパンケージの封止法は
、第4図(a)に示すような、気密封止法と、第4図(
b)に示すような樹脂封止法に大きく分けられる。第4
図(a)は、気密封止のうち、セラミック封止と呼ばれ
るもので、セラミックベース51上にダイボンディング
された半導体素子52とリードフレーム53とをワイヤ
54によりワイヤーボンディングし、セラミックキャッ
プ55を低融点ガラス56によりセラミックベース51
に固着し、パッケージ内を乾燥空気57にて気密密閉さ
れている。また、第4図(b)の樹脂封止は、リードフ
レーム61のアイランド62上にダイボンディングされ
た半導体素子63とワイヤ64の回りをエポキシ系樹脂
65で覆うことによって封止されているものである。The above has described packages for semiconductor integrated circuits that are currently in practical use.The sealing methods for these pancages include the hermetic sealing method shown in Figure 4(a), and the hermetic sealing method shown in Figure 4(a).
It can be broadly divided into resin sealing methods as shown in b). Fourth
Figure (a) shows a type of hermetic sealing that is called ceramic sealing, in which a semiconductor element 52 die-bonded on a ceramic base 51 and a lead frame 53 are wire-bonded with a wire 54, and a ceramic cap 55 is lowered. Ceramic base 51 by melting point glass 56
The inside of the package is hermetically sealed with dry air 57. Furthermore, the resin sealing shown in FIG. 4(b) is performed by covering the semiconductor element 63 and wire 64 die-bonded onto the island 62 of the lead frame 61 with an epoxy resin 65. be.
上記した従来の半導体集積回路用のパッケージは、小型
化高密度実装化の要請から実用化されたものであり、ピ
ン数カたりの占有面積は、第5図(e)のPGAが一番
小さくなっており、フラットパッケージ、チップキャリ
ア、DIPの順で小さくなっている。しかしながら、上
記のパッケージ類は、プリント基板へ押入するか、プリ
ント基板表面へ接合することによって、用いられ、あく
までも、平面への実装を目的としたものであり、3次元
方向の接続を行う為にはプリント基板などを介して行わ
なければならないという問題を有している。従って、3
次元方向の高密度実装化をはかることは、従来の半導体
集積回路用のパッケージでは困難であった。The conventional packages for semiconductor integrated circuits described above were put into practical use due to the demand for miniaturization and high-density packaging, and the PGA shown in Figure 5(e) occupies the smallest area per number of pins. The size is decreasing in order of flat package, chip carrier, and DIP. However, the above-mentioned packages are used by being pushed into a printed circuit board or bonded to the surface of a printed circuit board, and are intended only for mounting on a flat surface, and are not suitable for three-dimensional connection. This has the problem of having to be carried out via a printed circuit board or the like. Therefore, 3
It has been difficult to achieve dimensional high-density packaging with conventional semiconductor integrated circuit packages.
本発明は上記問題を解決するものであって、3次元方向
の半導体集積回路用のパッケージの接続を可能にし、高
密度実装化を図ることができる半導体集積回路用パッケ
ージを提供することを目的とする。The present invention solves the above problems, and aims to provide a package for semiconductor integrated circuits that enables connection of packages for semiconductor integrated circuits in three-dimensional directions and enables high-density packaging. do.
(問題点を解決するための手段〕
そのために本発明の半導体集積回路用パッケージは、碁
打上にダイボンディングされる半導体素子と、該半導体
素子とワイヤを介してワイヤボンディングにて接続され
るリードフレームと、前記基材を封止するキャップとか
ら構成される半導体集積回路用パンケージにおいて、該
パンケージを貫通するスルーホールを設け、該スルーホ
ール内に導電性ピンを配設し、該導電性ピンをパッケー
ジ両面より突出させたことを特徴とし、さらには、半導
体集積回路用パッケージ複数個をその両面に設けた導電
性ピン同士のはんだ接合により、複数個の該パッケージ
を積層し半導体素子同士の接続をすることを特徴とする
ものである。(Means for Solving the Problems) For this purpose, the semiconductor integrated circuit package of the present invention includes a semiconductor element that is die-bonded on a Go board, and a lead frame that is connected to the semiconductor element by wire bonding via wires. and a cap for sealing the base material, a through hole passing through the pan cage is provided, a conductive pin is disposed within the through hole, and the conductive pin is provided with a through hole penetrating the pan cage. It is characterized by protruding from both sides of the package, and furthermore, by soldering the conductive pins provided on both sides of a plurality of semiconductor integrated circuit packages, a plurality of such packages are stacked and the semiconductor elements are connected to each other. It is characterized by:
本発明においては例えば第3図に示すように、プリント
基板100上に半導体集積回路用パッケージ101〜1
04を接続するに際し、各々のピン201〜204をは
んだ接合することによって行うことができ、半導体集積
回路用パンケージの3次元接合が可能となる。In the present invention, for example, as shown in FIG. 3, semiconductor integrated circuit packages 101 to 1 are mounted on a printed circuit board 100.
04 can be connected by soldering the respective pins 201 to 204, making it possible to three-dimensionally connect the pan cage for semiconductor integrated circuits.
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明す
る。第1図は本発明の半導体集積回路用パッケージの1
実施例を示す断面図、第2図はその製造工程を説明する
ための図、第3図は本発明の半導体集積回路用パッケー
ジの使用例を示す断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows one of the semiconductor integrated circuit packages of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment, FIG. 2 is a view for explaining the manufacturing process thereof, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of use of the semiconductor integrated circuit package of the present invention.
第1図において、本発明の半導体集積回路用パッケージ
1は、基材を形成するセラミックベース2と、該ベース
2上にダイボンディングされる半導体素子3と、半導体
素子3とワイヤ4を介してワイヤボンディングにて接続
されるリードフレーム5と、リードフレーム5に封止さ
れるセラミックキャップ6と、パッケージを貫通する導
電性ピン7とから構成され、セラミックベース2、リー
ドフレーム5およびセラミックキャップ6は、低沸点ガ
ラス8により密封され、半導体素子3は乾燥空気9によ
り封止されるものである。In FIG. 1, a package 1 for a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a ceramic base 2 forming a base material, a semiconductor element 3 die-bonded onto the base 2, and a wire 4 connected to the semiconductor element 3 via a wire 4. It is composed of a lead frame 5 connected by bonding, a ceramic cap 6 sealed to the lead frame 5, and a conductive pin 7 passing through the package. The semiconductor element 3 is sealed with a low boiling point glass 8 and the semiconductor element 3 is sealed with dry air 9.
次に第2図により本発明の半導体集積回路用パッケージ
の製造工程について説明すると、まず第2図(a)に示
すように、セラミックベース2およびリードフレーム5
には、後述する同図(c)に示すような導電性ピン7を
貫通させるためのスルーホール10.11を設けると共
に、これらスルーホール10.11の内面には、各々は
んだメッキ層12および13を形成させた後、セラミッ
クベース2とリードフレーム5とを低沸点ガラス8を用
いて高温加圧法にて接合する。Next, the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit package of the present invention will be explained with reference to FIG. 2. First, as shown in FIG. 2(a), the ceramic base 2 and the lead frame 5 are
are provided with through holes 10.11 for penetrating the conductive pins 7 as shown in FIG. After forming the ceramic base 2 and the lead frame 5, the ceramic base 2 and the lead frame 5 are bonded together using a low boiling point glass 8 using a high temperature press method.
次に、第2図(b)に示すように、半導体素子3をセラ
ミックベース2上にダイボンディングし、さらにワイヤ
4にて半導体素子3とリードフレーム5をワイヤボンデ
ィングする。ワイヤ4は、AU線又はAff線を使用し
、熱圧着ボンディング法又は、超音波ボンディング法等
を用いる。Next, as shown in FIG. 2(b), the semiconductor element 3 is die-bonded onto the ceramic base 2, and the semiconductor element 3 and the lead frame 5 are further wire-bonded with the wire 4. For the wire 4, an AU wire or an Aff wire is used, and a thermocompression bonding method, an ultrasonic bonding method, or the like is used.
次に、第2図(C)に示すように、導電性ピン7を垂直
方向に前記スルーホール10.11内に貫通させ、この
際導電性ピン7はセラミックベース2およびリードフレ
ーム5は、はんだ15によりそれぞれスルーホール10
.11に接合、固定される。Next, as shown in FIG. 2(C), the conductive pin 7 is vertically penetrated into the through hole 10.11, and the conductive pin 7 is connected to the ceramic base 2 and the lead frame 5 by soldering. 15 through holes 10 respectively
.. It is joined and fixed to 11.
そして、第2図(d)に示すように、セラミックキャッ
プ6に設けたスルーホール14内に導電性ピン7を貫通
させ、セラミックキャップ6とリードフレーム5とを低
沸点ガラス8を用いて高温加圧法にて接合し、また、導
電性ピン7とセラミックキャップ6は、はんだ15によ
り接合、固定する。上記導電性ピン7は、外部接続用の
端子として3次元方向の接続に用いるためのもので、3
次元接合が可能な半導体集積回路用のパッケージ1が完
成する。Then, as shown in FIG. 2(d), the conductive pin 7 is passed through the through hole 14 provided in the ceramic cap 6, and the ceramic cap 6 and the lead frame 5 are heated at high temperature using a low boiling point glass 8. The conductive pin 7 and the ceramic cap 6 are joined by a pressure method, and the conductive pin 7 and the ceramic cap 6 are joined and fixed by a solder 15. The conductive pin 7 is used for three-dimensional connection as an external connection terminal.
A package 1 for a semiconductor integrated circuit capable of dimensional bonding is completed.
上記の本発明のパンケージの使用例を第3図により説明
すると、プリント基板100上に半導体集積回路用パッ
ケージ101〜104を接続するに際し、各々のピン2
01〜204をはんだ接合することによって行うことが
でき、半導体集積回路用バフケーの3次元接合が可能と
なり、同様にして多数の半導体素子同士の接続を該パッ
ケージを用いて容易に行える。An example of the use of the pancage of the present invention will be explained with reference to FIG. 3. When connecting the semiconductor integrated circuit packages 101 to 104 onto the printed circuit board 100,
This can be done by soldering 01 to 204, which enables three-dimensional bonding of baffles for semiconductor integrated circuits, and similarly connects a large number of semiconductor elements to each other easily using the package.
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく種
々の変更が可能なことは勿論のことである。例えば、第
2図(d)の導電性ピン7のパッケージより突出してい
る部分に、導電ゴムシートを加圧してもよい。さらに、
セラミノクキャソプ6の代わりに、金属キャップを用い
てもよい、その際、ベースにはセラミックベースの代わ
りに、一般にステムと呼ばれる金属ベースを用いる。It goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and that various modifications can be made. For example, a conductive rubber sheet may be applied to the portion of the conductive pin 7 shown in FIG. 2(d) that protrudes from the package. moreover,
A metal cap may be used instead of the ceramic cassop 6. In that case, a metal base generally called a stem is used instead of the ceramic base.
また、同図(d)のリードフレーム5の足は、DIPの
ようにパッケージ側面左右2方向に出しても、フラット
パッケージのようにパッケージ側面4方向に出してもよ
いし、さらに、PGAや、LCCのようなパンケージに
対しても、バフケージの上下方向に外部接続用の端子を
出すことができる。このように、現在実用化されている
どのような半導体集積回路用のパンケージに対しても、
本発明は応用できる。In addition, the legs of the lead frame 5 shown in FIG. 5(d) may be extended in two directions on the left and right sides of the package side as in a DIP, or may be extended in four directions on the side of the package as in a flat package. Even for a pan cage such as an LCC, external connection terminals can be provided in the vertical direction of the buff cage. In this way, for any semiconductor integrated circuit pancage that is currently in practical use,
The present invention can be applied.
以上説明したように本発明によれば、従来、困難であっ
た3次元方向の半導体集積回路用のパッケージの接続が
可能になり、3次元方向へも従来のようにプリント基板
等を介さないで、接続できるようになり、高密度実装化
がはかれると言う利点を有するものである。また半導体
集積回路同士の接合が容易になり、半導体素子の高集積
化が簡単に行うことが可能になる。As explained above, according to the present invention, it is now possible to connect packages for semiconductor integrated circuits in a three-dimensional direction, which has been difficult in the past, and also in a three-dimensional direction without using a printed circuit board or the like as in the past. This has the advantage of allowing high-density packaging. Furthermore, it becomes easy to bond semiconductor integrated circuits together, and it becomes possible to easily increase the degree of integration of semiconductor elements.
第1図は、本発明の半導体集積回路用パッケージの1実
施例を示す断面図、第2図(a)〜(d)は本発明の半
導体集積回路用パンケージの製造工程を説明するための
図、第3図は本発明の半導体集積回路用パッケージの使
用例を説明するための図、第4図(a)および(b)は
半導体集積回路用パンケージの封止形態を示す断面図、
第5図は従来の半導体集積回路用パンケージを示す斜視
図で、同図(a)はデエアルインラインパッケージ(D
I P)を示す図、同図(b)はフラットパッケージ
を示す図、同図(C)はリードレスチップキャリア(L
CC)を示す図、同図(d)はプラスチックリード付
チップキャリア(PLCC)を示す図、同図(e)はピ
ングリッドアレイ(PGA)を示す図である。
1.101〜104・・・半導体集積回路用パッケージ
、2.51・・・セラミックベース(基材)、3.52
.63・・・半導体素子、4.54.64・・・ワイヤ
、5.53.61・・・リードフレーム、6.55・・
・セラミックキャップ、7.201〜204・・・導電
性ピン、8156・・・低沸点ガラス、9.57・・・
乾燥空気、1O211,14・・・スルーホール、12
.13・・・はんだメッキ層、15・・・はんだ、10
0・・・プリント基板、62・・・リードフレーム上の
アイランド、65・・・エポキシ系樹脂。
出 願 人 大日本印刷株式会社
代理人弁理士 白 井 博 樹(外2名)第1図
第3図
第4図FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the package for semiconductor integrated circuit of the present invention, and FIGS. 2(a) to (d) are diagrams for explaining the manufacturing process of the package for semiconductor integrated circuit of the present invention. , FIG. 3 is a diagram for explaining an example of use of the semiconductor integrated circuit package of the present invention, FIGS. 4(a) and (b) are sectional views showing the sealing form of the semiconductor integrated circuit package,
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional pancase for semiconductor integrated circuits, and FIG.
(b) is a diagram showing a flat package, and (C) is a diagram showing a leadless chip carrier (L
(d) is a diagram showing a plastic leaded chip carrier (PLCC), and (e) is a diagram showing a pin grid array (PGA). 1.101-104...Semiconductor integrated circuit package, 2.51...Ceramic base (base material), 3.52
.. 63...Semiconductor element, 4.54.64...Wire, 5.53.61...Lead frame, 6.55...
・Ceramic cap, 7.201-204... Conductive pin, 8156... Low boiling point glass, 9.57...
Dry air, 1O211, 14...Through hole, 12
.. 13...Solder plating layer, 15...Solder, 10
0...Printed circuit board, 62...Island on lead frame, 65...Epoxy resin. Applicant Dai Nippon Printing Co., Ltd. Representative Patent Attorney Hiroki Shirai (2 others) Figure 1 Figure 3 Figure 4
Claims (4)
該半導体素子とワイヤを介してワイヤボンディングにて
接続されるリードフレームと、前記基材を封止するキャ
ップとから構成される半導体集積回路用パッケージにお
いて、該パッケージを貫通するスルーホールを設け、該
スルーホール内に導電性ピンを配設し、該導電性ピンを
パッケージ両面より突出させたことを特徴とする半導体
集積回路用パッケージ。(1) A semiconductor element die-bonded onto a base material,
In a semiconductor integrated circuit package comprising a lead frame connected to the semiconductor element by wire bonding via wires and a cap sealing the base material, a through hole passing through the package is provided; A package for a semiconductor integrated circuit, characterized in that a conductive pin is disposed within a through hole, and the conductive pin protrudes from both sides of the package.
徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路用
パッケージ。(2) A package for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, characterized in that conductive rubber is provided at the end of the conductive pin.
とにより3次元方向への高密度実装を可能とすることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路
用パッケージ。(3) The package for a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein high-density mounting in a three-dimensional direction is enabled by soldering the conductive pins to external terminals.
該半導体素子とワイヤを介してワイヤボンディングにて
接続されるリードフレームと、前記基材を封止するセラ
ミックキャップとから構成される半導体集積回路用パッ
ケージにおいて、該パッケージを貫通するスルーホール
を設け、該スルーホール内に導電性ピンを配設し、該導
電性ピンをパッケージ両面より突出させると共に、該半
導体集積回路用パッケージ複数個をその両面に設けた導
電性ピン同士のはんだ接合により、複数個の該パッケー
ジを積層し半導体素子同士の接続をすることを特徴とす
る半導体集積回路用パッケージ。(4) a semiconductor element die-bonded onto a base material;
A semiconductor integrated circuit package comprising a lead frame connected to the semiconductor element by wire bonding via wires and a ceramic cap sealing the base material, a through hole penetrating the package being provided, A conductive pin is arranged in the through hole, the conductive pin is made to protrude from both sides of the package, and the plurality of semiconductor integrated circuit packages are soldered together between the conductive pins provided on both sides of the package. A package for a semiconductor integrated circuit, characterized in that the packages are stacked and semiconductor elements are connected to each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29441486A JPS63147354A (en) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Package for semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29441486A JPS63147354A (en) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Package for semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63147354A true JPS63147354A (en) | 1988-06-20 |
Family
ID=17807443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29441486A Pending JPS63147354A (en) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | Package for semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63147354A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
CN108029209A (en) * | 2015-09-15 | 2018-05-11 | 赛峰电子与防务公司 | Compact electronic system and the equipment for including this system |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP29441486A patent/JPS63147354A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7352052B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US7932605B2 (en) | 2004-04-30 | 2011-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
CN108029209A (en) * | 2015-09-15 | 2018-05-11 | 赛峰电子与防务公司 | Compact electronic system and the equipment for including this system |
JP2018534778A (en) * | 2015-09-15 | 2018-11-22 | サフラン エレクトロニクス アンド ディフェンス | Small electronic system and device comprising the system |
CN113068333A (en) * | 2015-09-15 | 2021-07-02 | 赛峰电子与防务公司 | Compact electronic system and device comprising such a system |
CN108029209B (en) * | 2015-09-15 | 2021-12-28 | 赛峰电子与防务公司 | Compact electronic system and device comprising such a system |
CN113068333B (en) * | 2015-09-15 | 2022-08-05 | 赛峰电子与防务公司 | Compact electronic system and device comprising such a system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2967344B2 (en) | Stacked semiconductor package module and manufacturing method of stacked semiconductor package module | |
US5594275A (en) | J-leaded semiconductor package having a plurality of stacked ball grid array packages | |
US5854512A (en) | High density leaded ball-grid array package | |
US5247423A (en) | Stacking three dimensional leadless multi-chip module and method for making the same | |
US6878570B2 (en) | Thin stacked package and manufacturing method thereof | |
JP3063032B2 (en) | Ball grid array type semiconductor package and method of manufacturing the same | |
US6563217B2 (en) | Module assembly for stacked BGA packages | |
US8030135B2 (en) | Methods for a multiple die integrated circuit package | |
US7514297B2 (en) | Methods for a multiple die integrated circuit package | |
KR20010078712A (en) | Chip stack and method of making same | |
US5796038A (en) | Technique to produce cavity-up HBGA packages | |
KR100240748B1 (en) | Semiconductor chip package having substrate and manufacturing method thereof, and stack package | |
JPS63147354A (en) | Package for semiconductor integrated circuit | |
KR100713898B1 (en) | Stack package | |
KR100520409B1 (en) | Ball grid array type multi-chip package | |
KR100437821B1 (en) | semiconductor package and metod for fabricating the same | |
JP3850712B2 (en) | Multilayer semiconductor device | |
KR19980054997A (en) | Stacked Semiconductor Packages | |
KR100376884B1 (en) | Stack package | |
JPH06216492A (en) | Electronic device | |
KR100818077B1 (en) | Method for manufacturing bga type stack package by using alignment pin | |
KR20000040734A (en) | Stacked micro bga package | |
KR100639203B1 (en) | Method for stacking a semiconductor device with plastic package and a semiconductor device with bga package | |
KR100195511B1 (en) | Ball grid array package using leadframe | |
KR19980034141A (en) | Via Grid Array Package |